科技行业中期策略：AI Agent驱动算力新周期与自主可控再加速-260722（32页）.pdf

核心结论速览： 推理算力需求进入加速增长通道：2026年3月国内Token日均调用量已超140万亿次，较2024年初增长超过千倍，中国模型Token调用量已连续6周位居全球第一。AI Agent商业化落地正驱动推理算力需求从"训练主导"切换至"推理主导"的加速增长阶段。 国产大模型与国产算力形成Day0适配闭环：DeepSeek-V4预览版上线当日即完成寒武纪、华为昇腾等国产芯片的Day0适配；智谱GLM-5.2上线首日亦完成与多家国产算力平台的推理适配。国产AI芯片替代进程从"可用"加速迈向"好用"。 超节点互联驱动交换芯片用量实现10倍量级跃升：单颗GPU配套交换芯片的用量较传统ScaleOut网络可达10倍量级。英伟达Vera Rubin NVL72配置中NVLink6 Switch用量或提升至36颗，GPU与交换芯片配比达1:0.5。 存储"超级周期"特征明确，合约价2H26延续上行：美光已签署16份SCA协议，以5年期为主，覆盖期间约20%的DRAM出货量和1/3的NAND出货量。TrendForce预计2026年全球存储产值将达8893亿美元，同比增长296%。 AI服务器MLCC用量呈指数级跃升：通用服务器主板MLCC用量约1,800-2,500颗，8卡AI服务器主板用量达15,000-25,000颗，GB200 NVL72用量高达44.1万颗、价值量达4,635美元。VR200 NVL72将使用约60万个MLCC，比GB300平台高出30%以上。 全球半导体设备市场2026年将创1659亿美元新高：SEMI预测2026年全球半导体制造设备总销售额同比增长23.2%至1659亿美元，2028年有望达2295亿美元，实现连续五年增长。中国大陆设备出货金额稳居全球第一，同比增长7%。H2：研究背景与全景图谱——从大模型预训练到AI Agent商业化的产业切换。2026年，AI产业正经历从大模型预训练向AI Agent商业化落地的关键切换。这一切换的核心驱动力来自Token调用量的指数级增长——国家数据局统计显示，2026年3月中国国内Token日均调用量超过140万亿次，较2024年初增长超过千倍。OpenRouter数据进一步印证了这一趋势：截至2026年6月第一周，中国模型的Token调用量已连续6周位居全球第一。从产业全景来看，本轮AI算力扩张呈现三大特征：其一，推理端算力需求正从"补充"变为"主导"，国产大模型应用深化直接拉动推理芯片采购需求；其二，国产算力产业链从芯片设计、制造、封装到设备的全链路国产化进程加速；其三，AI对电力、散热、互联等基础设施的消耗呈非线性增长，驱动被动元件、功率半导体等配套产业进入量价齐升周期。据弗若斯特沙利文数据预测，2029年中国人工智能芯片市场规模将从2024年的1425亿元增长至13368亿元，对应CAGR达56.5%。这一增速背后是国产大模型快速发展与政策自主可控需求的双重推动。2026年5月，中国信息安全测评中心与国家保密科技测评中心联合发布的《安全可靠测评结果公告（2026年第2号）》，首次将人工智能训练推理芯片纳入安全可靠测评体系，昇腾310、昇腾910、真武M530/M890、壁砺166、DCU-3G等9款国产AI芯片获评I级安全可靠等级。（数据来源：国家数据局、OpenRouter、中国信息安全测评中心《安全可靠测评结果公告（2026年第2号）》）。H2：AI芯片——国产算力闭环加速形成，推理需求拐点明确。AI芯片是本次产业切换的核心受益环节。从供给格局看，根据IDC数据，2025年中国AI加速芯片市场中英伟达和AMD占据58.7%的市场份额，其中英伟达以55%的份额占据主导地位。华为海思依托技术储备与渠道优势占据20%市场份额，平头哥、寒武纪、昆仑芯、海光、沐曦、天数等厂商份额较为领先。2026年，在Token消耗量大幅提升背景下，国内互联网客户选择导入多家AI芯片公司产品，从导入厂商数量角度看格局相对分散，但从采购量看格局仍较为集中。伴随国内先进制程代工逐步成熟，预计2027年往后国产AI芯片供给能力有望进一步改善，下游客户采购考核权重中产品性能评分重要性将大幅提升，中国AI芯片市场格局有望向海外市场靠拢，"强者恒强"定律或将重新生效。政策端的关键催化来自安全可靠测评体系的建立。5月26日发布的《安全可靠测评结果公告（2026年第2号）》首次将AI训练推理芯片纳入测评，9款国产芯片获I级认证。这标志着国产AI芯片从"能用"进入"可信"阶段，党政及关键信息基础设施领域的采购门槛实质性降低。（数据来源：IDC、中国信息安全测评中心）。H2：互联——超节点方案陆续落地，交换芯片打开新成长曲线。AI集群的互联结构主要包括ScaleOut和ScaleUp两大维度。ScaleOut的特点是横向扩展，通过InfiniBand或基于RoCEv2的高性能以太网将成千上万计算节点连接成整体。ScaleUp的特点是纵向扩展，通过NVLink、UALink等高带宽、低延迟专用协议将多颗XPU进行直连或交换互联，将多卡融合成共享内存的超大规模算力虚拟单机。国产超节点正迎来加速落地阶段。2025年9月云栖大会上，阿里云发布磐久AL128单机柜超节点服务器，单机柜128卡紧密耦合互联，芯片间P2P通信时延低于150纳秒，单机柜带宽达到Pb/s级。2025年华为开发者大会上，华为宣布基于CloudMatrix 384超节点的新一代昇腾AI云服务全面上线，单卡推理吞吐量达2300 Tokens/s，与非超节点相比提升近4倍。此外，腾讯ETH-X Ultra、字节大禹、曙光ScaleX等方案也在2024-2025年相继首发。超节点快速发展驱动底层交换芯片价值量迎来非线性增长。传统数据中心扩容推动我国商用以太网交换芯片市场规模有望从2020年的90亿元增长至2025年的171.4亿元。更具弹性的是，大模型对超节点内高带宽、低延迟互联的需求催生了ScaleUp网络，单颗GPU配套交换芯片的用量较传统ScaleOut网络可达10倍量级。具体配比上，ScaleOut网络侧GPU与交换芯片配比约为1:0.04-0.05（英伟达DGX H100 SuperPOD为1:0.05，字节MegaScale为1:0.04）。ScaleUp网络侧配比远高于此：DGX A100为1:0.75，DGX H100为1:0.5，DGX B200为1:0.25。英伟达Vera Rubin NVL72（2026）配置中，NVLink6 Switch的用量或提升至36颗，GPU与NVLink6 Switch配比达1:0.5。（数据来源：Semianalysis、各公司官网）。H2：存储——2H26合约价延续上行，LTA有望平滑周期波动。2H26存储合约价或将延续上涨趋势。25年下半年以来，受益于AI强劲需求拉动，存储价格呈现快速增长态势。供给缺口短期无法补足，2H26大宗DRAM/NAND合约价格将进一步上涨，但因目前价格已达较高水平，涨幅或较1H26有所收敛。同时，NOR Flash、SLC NAND等利基型存储产能受挤压，而需求相对稳定，2H26价格亦有望进一步抬升。原厂长期供货协议（LTA）有望平滑周期性波动。美光3QFY26业绩会上披露，公司已与客户签署16份SCA协议，以5年期为主，覆盖期间约20%的DRAM出货量和1/3的NAND出货量。SCA采用Take-or-Pay机制，并引入价格上下限设计，上限将对应CY26Q2市场价格水平，下限也可确保毛利率高于历史峰值。全球存储原厂扩产相对节制。根据TrendForce数据，2025年DRAM产业资本支出约537亿美元，预计2026年为719亿美元，同比增长34%；NAND Flash资本支出从2025年的211亿美元提升至236亿美元，同比增长12%。三星、SK海力士及美光当前追加的资本开支绝大部分全额倾斜于HBM高层数封装产线扩建与先进制程工艺技术升级。AI Agent场景下，长上下文与持久化记忆将进一步带来巨量数据吞吐，推动高容量内存及企业级SSD需求加速增长。TrendForce预计2026年全球存储产值将达8893亿美元，同比增长296%，2027年将进一步增长至1.28万亿美元。（数据来源：闪存市场、TrendForce、美光业绩会）。H2：PCB与CCL——AI架构迭代驱动高端产品量价齐升。AI算力是PCB行业核心增长引擎。根据胜宏科技招股书，2024年全球AI及高性能计算领域PCB市场规模为60亿美元，预计2029年将达到150亿美元，24-29年复合增长率高达20.1%，远高于整体PCB市场复合增速4.6%。14层及以上高多层板、高阶HDI等高端产品市场份额持续增长，24-29年复合增速均显著高于行业均值。工艺迭代方面，mSAP工艺正成为1.6T及以上高速光模块PCB的必选路径。相比传统减成法（线宽极限约30μm，阻抗容差±10%），mSAP工艺可将线宽/线距压缩至20-40μm，阻抗容差收窄至±5%，满足224G PAM4高速传输需求。1.6T光模块PCB层数达14-18层，材料升级至M8等级，单位面积价值量较800G提升2-3倍。在需求非线性增长背景下，mSAP产能扩张周期较长且具备较高工艺壁垒，供给缺口将持续扩大。封装技术演进方面，CoWoP（Chip-on-Wafer-on-PCB）方案去除ABF基板，芯片和中介层模块直接安装在高精度SLP（类基板PCB）上。该方案线宽/线距为15-20μm，全面生产需要小于10μm，结构简化、信号路径最短、散热设计灵活、理论成本最低。量产时间线方面，CoWoP处于早期研发阶段，计划被英伟达采用，未来Rubin Ultra或下一代GPU/AI系统有望应用。上游材料方面，CCL作为PCB核心基材，AI算力提升驱动PCB向更高层数和更精细线路发展。M8/M9是当前最高等级材料，可支持单通道224Gbps传输需求。随着2H26英伟达和ASIC新一代平台走向量产，高端CCL升级进展将更为明确。CCL环节受上游挤压，供给扩张相对刚性，行业涨价逻辑持续演绎，预计2H26 CCL仍将维持较高景气。（数据来源：胜宏科技招股书、沙利文研究、Prismark）。H2：AI端侧——存储成本压力与终端创新驱动并存，折叠屏与AI眼镜迎来新品周期。2H26消费电子将延续存储成本压力与终端创新驱动并存的局面。根据TrendForce，1Q26全球智能手机生产总量约2.84亿，同比小幅下降约1.7%。进入2H26，随着部分品牌低价存储库存告罄，加上连续数季的超额涨幅已全面冲击品牌获利结构，多数品牌在2Q26进入生产调节期。TrendForce预估2026全年全球智能手机生产总量将降至10.51亿，同比下降约16.2%。尽管存储对产业链造成压力，但26/27年大型硬件有望密集涌现。苹果方面，26/27年折叠屏手机和全面屏手机有望推出，戴摄像头的手机、桌面机器人、监控等家居类产品、AI眼镜/AR眼镜类产品也有望推出。OpenAI类徽章硬件有望于26年底推出。2027年是iPhone发布20周年重要纪念，手机、Mac、可穿戴、眼镜、家居类产品有望密集推出，或将迎来硬件创新超级大年。折叠屏产品涉及UTG、铰链等多个新增环节。直板机型主要创新方向包括：散热方案有望升级至VC均热板；摄像头或陆续升级可变光圈、高端潜望镜；电池有望普及钢壳电池。AI新终端方面，OpenAI正与供应商讨论制造多款硬件产品，包括无显示屏的智能音箱、可穿戴徽章、眼镜、数字录音笔等。2026年起，Meta、字节、小米、亚马逊、苹果等更多新产品线仍待推向市场，AI眼镜行业有望迎来"量产大年"。光波导作为AR眼镜中技术难度和价值量占比排前列的核心组件，是下一阶段AR眼镜规模量产与体验提升的关键。（数据来源：TrendForce、Theinformation）。H2：功率与被动元件——AI功耗驱动MLCC与功率等多维共振。MLCC正进入AI驱动的超级周期。通用服务器主板MLCC用量约1,800-2,500颗，8卡AI服务器主板用量达15,000-25,000颗，GB200 NVL72用量高达44.1万颗、价值量达4,635美元。英伟达VR200 NVL72服务器将使用约60万个MLCC，比GB300平台高出30%以上。高端产能挤占效应凸显，全产业链进入涨价通道。由于AI算力需求非线性上涨，海外龙头均已采取转产策略增加高容产能。转产高一级别容值的产能损耗在1:5至1:8之间。随着下半年新一代AI服务器大规模量产以及消费电子备货季来临，海外龙头或还将再次进行转产，带来超高容对高容、高容对中容的产能挤压，这一轮超级周期将迎来低容到高容的全面涨价。高容MLCC扩产需2年左右，设备交期显著拉长，海外龙头稼动率维持满产，系2021年以来供应最紧张阶段，看好本轮涨价行情延续至2027年下半年。（数据来源：村田、日电贸、TrendForce）。铝电解电容方面，AI牛角电容ASP从传统10元级别大幅提升。AI服务器场景下电容失效可能带来远高于器件本身价值的停机和数据损失，客户采购逻辑从"成本优先"转向"可靠性优先"，价格敏感度显著下降。供给端，AI牛角电容对耐大纹波能力、电压跌落稳定性、容量一致性和失效率要求远高于传统产品，传统产线转产AI产品需要更换工装夹具、静置设备和老化设备，并非无缝切换。看好下半年大功率PSU上量以及HVDC逐步出货后，潜在需求快速增长或导致较大供给缺口。电感方面，垂直供电有望于2H26上量，芯片电感迈入通胀阶段。背部垂直供电将DRMOS、电感、电容、PCB封装成电源模块放置于GPU正下方，PDN阻抗下降超90%。TLVR耦合电感凭借多相磁耦合架构，可实现多相电流同步响应，电感高度可实现约4-5mm超薄设计。TLVR电感单颗价值量从传统0.5美元/颗向1-2.5美元以上快速提升。（数据来源：英飞凌、ADI、各公司公告）。功率半导体受益AI挤占效应扩大，叠加传统市场补库周期。英飞凌预期2026年AI直接收入达到15亿欧元，较25年翻倍以上提升。AI相关的功率器件料号交付紧张。行业厂商分别在2026年3-4月以及7月陆续进行了一轮和二轮调价，代表行业系统性进入供需紧张。海内外功率公司正从收入修复进入价格与盈利能力修复阶段。（数据来源：英飞凌业绩会、各公司涨价函）。H2：自主可控——制造封测加速追赶，上游设备与零部件国产化加速。制造端，台积电2nm已量产，并已公布A14、A13 roadmap，国内距全球龙头在先进工艺上尚有3-4年左右差距。中芯国际2019年量产14nm FinFET工艺。成熟制程主线在于AI挤占效应带来的ASP增长——中芯国际与华虹的ASP水平已体现部分涨价。AI挤占效应将持续对传统产能形成挤压，涨价幅度与范围都有望进一步扩张。先进封装侧，全球2.5D封装产能加速从台积电等晶圆厂向OSAT迁移。国内OSAT厂扩产规划从2026年开始规模投放：甬矽电子微电子高端IC封测三期103亿（Bumping、2.5D、FC倒装）；长电科技上海临港高端先进封测工厂78亿（2.5D/3D、晶圆级、HBM配套）；盛合晶微3DIC制造项目100亿（3DIC规模量产）；通富微电定向增发不超过42.2亿（晶圆级先进封测）；华天南京先进封测基地二期二阶段30亿（存储封测为主）；深科技沛顿存储扩产14.7亿（DRAM/NAND高端存储封测）。3D封装已在手机SoC落地。根据华为何庭波发布的论文《A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems》，华为2026年即将发布的麒麟2026手机SoC将应用Logic Folding架构，即采用W2W混合键合的3D封装架构。玻璃基板与CoPoS远期趋势明确。台积电CoPoS大规模量产或到2028年之后。据SEMI预测，玻璃基板2028-2040年市场CAGR将达67.2%。（数据来源：各公司公告、Trendforce、SEMI）。设备端，全球半导体设备行业进入加速上行周期。SEMI预测2026年全球半导体制造设备总销售额将创1659亿美元新高，同比增长23.2%，2028年有望达2295亿美元。中国大陆设备出货金额稳居全球第一。国内刻蚀、薄膜沉积与光刻三大设备国产替代空间广阔：去胶70-90%、清洗50-60%、刻蚀30-40%（成熟制程）/小于15%（先进制程）、热处理40-50%、PVD大于50%（成熟制程）/约20%（先进制程）、CVD/ALD大于20%、CMP大于50%、涂胶显影10-15%（成熟制程）/小于5%（先进制程）、量测10-15%（成熟制程）/小于5%（先进制程）、光刻5-10%（成熟制程）/0-1%（先进制程）。本土设备公司具备响应速度快、交期短等优势，在供应链持续紧张情况下或有望承接海外芯片制造商外溢订单。（数据来源：SEMI、全球半导体行业观察）。零部件方面，国内半导体设备零部件市场规模从2020年的765.4亿元增长至2024年的1,605.2亿元，CAGR达20.3%。机械类零部件占比最高（25%），市场空间最大。真空阀、静电卡盘、EFEM等低国产化率环节有望在产能紧缺与国产替代双轮驱动下持续突破。（数据来源：弗若斯特沙利文、富创精密招股书）。延伸阅读。以上为报告核心趋势分析，如需获取完整报告详细数据及全部案例，请访问下载页下载完整PDF报告。FAQ。Q1：AI Agent商业化落地对算力需求的核心影响是什么？A：AI Agent从大模型预训练向推理侧切换，Token调用量呈指数级增长——2026年3月国内日均调用量超140万亿次。推理端算力需求进入加速增长阶段，拉动AI芯片、存储、互联等全产业链需求。Q2：国产AI芯片替代当前处于什么阶段？A：国产大模型与国产算力已形成Day0适配闭环。DeepSeek-V4、智谱GLM-5.2等国产大模型上线首日即完成寒武纪、华为昇腾等国产芯片适配。9款国产AI芯片已获安全可靠I级认证。预计2027年往后国产AI芯片供给能力有望进一步改善。Q3：存储"超级周期"能持续多久？A：TrendForce预计2026年全球存储产值达8893亿美元（同比+296%），2027年达1.28万亿美元（同比+44%）。原厂扩产节制且向HBM倾斜，供给缺口短期难以补足。长协锁价机制有望平滑周期波动。Q4：MLCC涨价周期的驱动因素和持续性如何？A：AI服务器MLCC用量呈指数级跃升，GB200 NVL72用量达44.1万颗。高端产能挤占导致转产损耗1:5至1:8。扩产需2年左右，设备交期显著拉长。看好本轮涨价行情延续至2027年下半年。Q5：国内先进封装的发展节奏如何？A：国内OSAT厂2.5D产能2026年起进入规模投放期。3D封装已在手机SoC落地（华为麒麟2026）。CoPoS大规模量产或到2028年之后。玻璃基板2028-2040年CAGR达67.2%。Q6：半导体设备国产化率最高的环节是哪些？A：去胶设备国产化率70-90%（中低端），清洗50-60%，刻蚀30-40%（成熟制程），热处理40-50%，PVD大于50%（成熟制程），CMP大于50%。光刻设备国产化率仅5-10%（成熟制程）/0-1%（先进制程），仍是最大瓶颈。数据来源说明。本报告数据来源于：国家数据局、OpenRouter、中国信息安全测评中心《安全可靠测评结果公告（2026年第2号）》、IDC、弗若斯特沙利文、Semianalysis、各公司官网（阿里云、华为、腾讯、字节、曙光、英伟达、AMD）、闪存市场、TrendForce、美光3QFY26业绩会、三星/SK海力士公开投资规划、胜宏科技招股书、沙利文研究、Prismark、松下、村田、日电贸、英飞凌官网及业绩会、ADI、各公司涨价函公告、Bloomberg、各公司公告（中芯国际、华虹、甬矽电子、长电科技、盛合晶微、通富微电、华天科技、深科技）、SEMI、全球半导体行业观察、弗若斯特沙利文、富创精密招股书、Tingbo He《A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems》。