半导体行业：III~V族化合物半导体研究框架-221023（77页）.pdf

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1、III-V族化合物半导体研究框架族化合物半导体研究框架Framework for III-V Compound Semiconductor Research郑宏郑宏达达薛逸民薛逸民2022年年10月月23日日本研究报告由海通国际分销，海通国际是由海通国际研究有限公司，海通证券印度私人有限公司，海通国际株式会社和海通国际证券集团其他各成员单位的证券研究团队所组成的全球品牌，海通国际证券集团各成员分别在其许可的司法管辖区内从事证券活动。关于海通国际的分析师证明，重要披露声明和免责声明，请参阅附录。(Pleasesee appendix for English translation of the

2、disclaimer)Equity Asia Research2For full disclosure of risks,valuation methodologies and target price formation on all HTI rated stocks,please refer to the latest full report on our website at 一、化合物半导体产业由国外厂商主导，国内加速布局一、化合物半导体产业由国外厂商主导，国内加速布局二、磷化铟：二、磷化铟：5G、可穿戴、车载三驾马车驱动市场增长、可穿戴、车载三驾马车驱动市场增长三、砷化镓：多方位同步

3、稳速增长三、砷化镓：多方位同步稳速增长四、北京通美：化合物半导体衬底产业强力选手四、北京通美：化合物半导体衬底产业强力选手5WiXnXkUxUgYkZuZjWjZdY6MbP8OoMnNnPoMiNrQrReRsQqN7NnNxOxNmQrOwMtRuNFor full disclosure of risks,valuation methodologies and target price formation on all HTI rated stocks,please refer to the latest full report on our website at 第二代半导体：砷化镓 G

4、aAs磷化铟 InP第三代半导体：氮化镓 GaN碳化硅 SiC第一代半导体：硅 Si锗 Ge主要应用主要应用主要应用内存、CPU太阳能电池射频器件新一代显示数据光模块激光雷达充电器芯片新能源汽车高铁芯片1.1 半导体衬底材料的发展进程半导体衬底材料的发展进程当前半导体材料各自下游应用领域的重合度并不高，因此不同半导体材料之间并非代际迭代关系。资料来源：北京通美招股说明书（注册稿）资料来源：北京通美招股说明书（注册稿）,HTI3For full disclosure of risks,valuation methodologies and target price formation on al

5、l HTI rated stocks,please refer to the latest full report on our website at 1.2 各类衬底材料的性能参数及优势各类衬底材料的性能参数及优势Summary-项目单元素半导体-族化合物半导体宽禁带半导体硅锗砷化镓磷化铟氮化镓碳化硅化学式SiGeGaAsInPGaNSiC禁带宽度（eV)1.120.71.41.33.393.26能带跃迁类型间接间接直接直接直接直接击穿电场（MV/cm）0.3-0.40.53.33饱和电子速度（10（6）cm/s）10620222220电子迁移率（cm（2）/V s）120038006500

6、46001250800空穴迁移率（cm（2）/V s）4201400320150250115热导率（W/cm K）1.50.60.50.71.34.9特点储量大、价格便宜电子迁移率、空穴迁移率高光电性能好、耐热、抗 辐射导热性好、光电转换效率高、光纤传输效率高高频、耐高温、大功率制造成本低较低高较高非常高资料来源：北京通美招股说明书（注册稿资料来源：北京通美招股说明书（注册稿），HTI4For full disclosure of risks,valuation methodologies and target price formation on all HTI rated stocks,p