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1、 行业深度行业深度报告报告 2025年年05月月28日日 请仔细阅读本报告尾部的重要法律声明请仔细阅读本报告尾部的重要法律声明 半导体半导体行业深度报告行业深度报告：光刻胶光刻胶概概念念产业链研究报告产业链研究报告 核心观点核心观点 n 技术代际跃迁：从技术代际跃迁：从438nm G线到线到13.5nmEUV的突破性迭代的突破性迭代 光刻胶技术的演进本质上是物理极限的持续突破，其曝光波长从 G 线（436nm）到 EUV（13.5nm）的迭代直接决定了芯片制程精度的跃升。当前全球半导体制造的核心材料仍由 ArF 浸没式光刻胶（193nm）主导，其适配7-45nm 制程并占据 60%以上市场份额

2、，而 EUV 光刻胶虽市场规模不足 5%，却牢牢掌控 7nm 以下先进制程的命脉。国内技术代际差距正在快速收窄：中科院微电子所联合产业链企业建成 13nmEUV 光刻胶中试线，将验证周期从 5 年压缩至 3 年，分辨率接近国际水平；193nmArF 光刻胶在 14nm 节点完成工艺验证，并进入中芯国际等头部晶圆厂供应链。然而，EUV 胶量产稳定性与缺陷控制（如缺陷密度需0.01 个/cm）仍落后国际水平，核心分子玻璃树脂技术被 JSR、东京应化垄断，成为国产替代的核心障碍。n 政策赋能体系：构建“技术政策赋能体系：构建“技术-市场市场-生态生态”三位一体支持框架三位一体支持框架 中国光刻胶产业

3、的崛起离不开政策工具的系统性支撑。政府通过“十四五”专项规划投入超 20 亿元研发资金，叠加所得税“五免五减半”等税收杠杆，显著降低了企业的试错成本，推动行业研发强度从 5%提升至 12%。产业链协同政策成为关键突破点：长三角产业集群通过设备购置补贴、联合实验室共建等机制，将光刻胶与光刻机的匹配性验证周期缩短 30%；苏州工业园区专项支持推动 KrF 胶国产化率从不足 5%跃升至 15%。政策设计正从单一资金支持转向“技术-市场-生态”三位一体模式，未来政策将进一步深化技术导向，计划 2030 年前投入超 50 亿元专项经费，重点突破 2nm 以下 EUV 光刻胶的分子结构设计与缺陷控制技术。

4、n 市场双轨竞速：日企垄断格局下的超速增长与结构性失衡市场双轨竞速：日企垄断格局下的超速增长与结构性失衡 全球光刻胶市场呈现显著的“金字塔型”分层竞争格局，日企凭借技术垄断主导高端领域。东京应化、JSR、住友化学等日企占据全球市场的 69%，并掌控 EUV 胶 90%以上产能及 ArF/KrF 胶核心树脂、单体供应链。相比之下，中国市场在规模高速增长的同时，结构性矛盾日益凸显：低端 PCB 光刻胶国产化率超 70%，产能占比高达 94%，而半导体光刻胶进口依存度仍超 95%，高端 ArF 胶仅满足 28nm 需求，EUV 胶尚未突破量产瓶颈。这种“低端过剩、高端缺失”的失衡根源在于技术壁垒与产

5、业链协同不足，中小厂商在设备与研发投入的双重压力下生存空间持续收窄。n 国产化破局：中低端替代与高端攻坚的梯次突围国产化破局：中低端替代与高端攻坚的梯次突围 国内光刻胶产业链正以“阶梯式突破”策略应对技术封锁。中低端领域，G/I线胶国产化率超 50%，KrF 胶完成 28nm 验证并批量供应长江存储；面板光刻胶打破日韩垄断，雅克科技的低温RGB胶通过京东方280蒸镀工艺验证，缺陷率降至 0.3 个/。高端领域，ArF 胶虽实现 14nm 工艺突破，但金属杂质控制（0.1ppb）、分子量分布（PDI1.05）等指标仍落后国际水平；EUV胶预研项目光子效率仅 2.3mJ/cm（量产标准需20mJ/

6、cm），与日企存在代际差距。上游“卡脖子”问题尤为严峻：圣泉集团的 KrF 级树脂虽突破 0.1ppb金属杂质控制，但 ArF 级 PHS 树脂仍依赖日本三井化学进口，光刻机设备端完全受制于 ASML 垄断。未来突围需聚焦三大路径：通过政企联合专项攻克高纯度树脂与光酸技术；构建“光刻胶-设备-晶圆厂”协同验证平台；布局 DSA光刻、量子点光刻胶等非对称创新技术。风险风险 产品价格波动风险；行业竞争加剧风险；中美贸易摩擦加剧风险；技术迭代脱节风险。行业深度行业深度报告报告 一级行业 新一代信息技术 二级行业 半导体 12个月行业评级个月行业评级 强大于市强大于市 半导体半导体概念行业走势概念行业