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深企投产业研究院:2025第三代半导体产业链研究报告(74页).pdf

上传人: 深企****究院 编号:714194 2025-06-20 74页 3.37MB

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1、2025全球半导体竞争新战场全球半导体竞争新战场,国产生态国产生态逐步成型逐步成型行业研究系列报告行业研究系列报告深企投产业研究院深企投产业研究院2022025 5 年年 4 4 月月深企投产业研究院是深企投集团旗下的高端智库,聚焦产业发展,服务区域经济,致力于为各地提供产业发展落地方案。研究院总部位于深圳,服务区域覆盖全国主要省市。研究院集聚一批经济研究和产业研究专家,以 985 院校研究生为主体,链接高校专家学者,为全国各地政府及机构提供智力支持。基于自身的研究和咨询能力,同时借助集团的服务网络,深企投产业研究院为政府机构、国有平台、产业园区、金融机构等客户类型提供有针对性的服务。政府机构

2、客户。研究院重点提供五类服务:一是五年规划,包含发改系统的国民经济和社会发展总体规划,工信、商务、投促、文旅等政府部门的专项五年规划;二是产业规划,包含地区、片区的产业定位和产业发展专项规划;三是招商专题研究,包括产业链招商策略、招商规划、招商专案、招商图谱等;四是项目策划,发掘和策划包装契合区域禀赋、产业趋势和投资方向的项目,助力宣传推介和精准招商对接,或策划申报超长期国债等地方重点投资项目;五是项目评估,涵盖地方重点投资项目的风险评估、招商引资项目背景调查、产业基金拟投资项目尽职调查等。国有平台客户。针对新时期全国各地国有城投、产投公司向国有资本投资运营转型发展的需要,聚焦国有平台投资布局

3、的新质生产力和重点产业赛道,研究院提供产业情报、产业发展规划、企业投资标的尽职调查等服务。产业园区客户。为国有园区、工业地产客户提供园区产业规划定位、产品定价策略、产品设计方案、招商运营服务方案、渠道和品牌推广策略、产业培训等服务。金融机构客户。为机构投资者提供产业细分领域深度研究、投资分析、标的尽职调查等服务,减少投资过程中的信息不对称,提高投资决策准确率。自 2020 年至今,深企投产业研究院团队已完咨询服务项目近百个,完成研究报告数百份,服务的地区包括广东、江苏、浙江、福建、广西、云南、贵州、湖北、四川、陕西、宁夏等多个省市。在产业研究领域,深企投产业研究院在新质生产力、战略性新兴产业、

4、未来产业研究上具有深厚积累,每年发布原创深度报告近百份。有关低空经济、商业航天、卫星互联网、新型储能、人形机器人、生物制造、脑机接口、全球供应链等报告已获得广泛传播。关于深企投产业研究院1深企投产业研究 2025 年行业研究报告第三代半导体概览2深企投产业研究 2025 年行业研究报告一、半导体发展历程一、半导体发展历程半导体行业,基于核心材料特性的不同,划分为第一代半导体、第二代半导体和第三代半导体,其中第二代半导体和第三代半导体又统称为“化合物半导体”。第一代半导体第一代半导体,指的是主要以硅(Si)和锗(Ge)为材料制造的半导体。20 世纪 50 年代,锗凭借在低电压、低频率、中功率晶体

5、管及光电探测器中的应用主导半导体市场,但因耐高温与抗辐射性能不足,于 60 年代末被硅材料取代。硅半导体材料具有耐高温、抗辐射的特征,且高纯度溅射二氧化硅(SiO2)薄膜的应用显著提升了其稳定性与可靠性,如今硅已成为最主流的半导体材料。第二代半导体第二代半导体,以化合物半导体材料砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为主要代表制造的半导体元器件。第二代半导体材料发明于 20 世纪80 年代,相较于第一代硅基材料,由于其禁带略宽、电子迁移率高且具有直接带隙结构,使其在高频信号处理以及光电子领域具有更优越的性能。随着信息技术和互联网的发展,第二代半导体材料在卫星通信、移动通信、光通信和 GPS 导航

6、等领域得到了广泛应用。但是,砷化镓和磷化铟材料的稀缺性和高成本,以及它们的毒性和环境污染问题,限制了这些材料的进一步应用。第三代半导体第三代半导体,是指使用碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石(C)、氧化锌(ZnO)等宽禁带材料制造的半导体,目前市场上主要集中在碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)两个领域。与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的3深企投产业研究 2025 年行业研究报告击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,是功率半导体性能升级的主要选择。其中,碳化硅(SiC)器件具备耐高

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深企投产业研究院是深企投集团旗下的高端智库,聚焦产业发展,服务区域经济,致力于为各地提供产业发展落地方案。研究院总部位于深圳,服务区域覆盖全国主要省市。研究院集聚一批经济研究和产业研究专家,以985院校研究生为主体,链接高校专家学者,为全国各地政府及机构提供智力支持。

根据报告的内容,本文主要概括了第三代半导体碳化硅和氮化镓的发展情况,包括以下关键点: 1. **碳化硅发展**:碳化硅功率器件市场规模在2023年达到27.46亿美元,预计到2029年将增长至98.73亿美元,年复合增速24%。中国碳化硅衬底产能占全球70%,价格较国际厂商低30%-40%。 2. **氮化镓发展**:氮化镓功率器件市场规模在2023年达到2.602亿美元,预计到2029年将增长至20.1亿美元,年复合增速41%。全球氮化镓射频器件市场规模在2023年达到11亿美元,预计到2029年将增长至20亿美元,年复合增速10%。 3. **设备国产化**:碳化硅单晶炉、外延炉已基本实现国产化,但离子注入机、刻蚀设备等国产化率较低。氮化镓外延设备主要依赖进口,国产化率有待提升。 4. **应用领域**:碳化硅主要应用于新能源汽车、光伏等领域,氮化镓主要应用于5G通信、消费电子等领域,两者在高功率应用场景中存在一定重叠。 5. **企业情况**:碳化硅领域中国企业天科合达、天岳先进等在全球市场占有一定份额。氮化镓领域中国企业英诺赛科在全球功率器件市场占有领先地位。
第三代半导体材料有哪些优势? 碳化硅和氮化镓的应用领域有哪些不同? 国产碳化硅设备发展现状如何?
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