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【研报】汽车行业：智能汽车时代功率半导体的发展新机遇-210603（38页）.pdf

上传人：木*** 编号：38760 2021-06-03 PDF PDF 36页 3.20MB

该报告所属合集： 2026年汽车半导体/汽车芯片报告合集

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IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入 IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要求严苛(为了实现大功率化)。具体来说，背面工艺是在基于已完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特殊减薄工艺(如Taiko、Temporary Bonding 技术)进行减薄处理，然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退火技术来精确控制硅片面的能量密度。特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200m，对于要求较高的器件，甚至需要减薄到6080m。当硅片厚度减到100-200m的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎和翘曲。从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重背面高能离子注入(氢离子注入)，容易导致裂片，对设备和工艺要求更高

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本文主要内容概括如下： 1. 功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，全球市场空间接近400亿美金，其中功率器件占比接近一半。 2. 汽车的电动化与智能化拉动功率器件需求显著提升，单车价值量提升5倍以上。IGBT在电动车上应用于电控、空调与热管理、充电系统等场景，是决定电动车性能与安全性的核心器件。 3. 2019年全球IGBT市场空间约200亿美元，预计未来5年全球IGBT市场空间CAGR达30~40%。IGBT的单车价值量达千元级别。 4. SiC MOSFET具有性能优势，但高成本限制其快速普及。高端电动乘用车与电动大巴车有望率先在电控中应用SiC MOSFET。 5. 我国已成功跻身世界上少有的具备三代材料全产业链布局的国家，实现从小批量研发向规模化、商业化生产的成功跨越，在关键的SiC衬底领域主要有天科合达、山东天岳等占据一定份额。 6. 第三代半导体被纳入“十四五”规划，目标“换道超车”。