【国金证券】非金属建材行业研究：高端扩容，mSAP-PCB的增量贡献-260726（4页）.pdf

核心结论速览： mSAP工艺实现线宽线距15um以下：mSAP（改良半加成法）从薄的层压铜箔（1.5-5.0um）开始，以薄铜为种子层进行图形电镀与闪蚀，相较传统减成法具备铜厚更低、精度更高、线宽线距可达15um以下的优势。传统PCB及HDI板的线宽线距大于30/30um，IC载板通常小至15/15um。 AI光模块迭代是核心增量来源：光模块向800G-1.6T-3.2T迭代，需要使用类载板（SLP）承接、使用mSAP工艺制备。1.6T光模块较800G光模块的PCB线路精细度、阻抗控制标准全面抬升，传统HDI线宽极限无法适配224Gbps的高速信号传输。光模块PCB预计2026/2027年同比大增135%/178%至140亿/380亿美元。 英伟达CoWoP技术路线倒逼主板类载板化：英伟达提出的CoWoP技术路线下，传统封装基板被取消，芯片通过硅中介层直接与高精度PCB主板连接，倒逼主板线路细化、类载板化。CoWoP预计2026年10月在英伟达GR150（Rubin）平台上实现。 直写光刻设备国产替代加速：mSAP要求曝光线宽线距降至15um，拉动直写光刻设备需求增长。国内mSAP直写光刻设备厂家主要是芯碁微装，设备性能已比肩海外，交付周期显著短于海外厂商。芯碁微装510×515mm板级封装直写光刻设备PLP2000已获重要客户订单。 载体铜箔供需缺口持续扩大：日本三井金属占据载体铜箔超90%市场份额，当前产能约500万平/月，预计到2028年仅提升至580万平/月，扩产幅度不大。2026年全球需求预计5000至6000万平米，供需整体基本平衡但偏紧。三井金属已于2026年3月宣布对MicroThin载体铜箔提价12%。 Low-DK二代布与HVLP4铜箔2026年明确供需缺口：2025年全球低介电玻纤布市场规模约3.92亿美元，同比增长41%，预计2026年、2027年仍将保持每年40%以上增速。Low-DK二代布和Low-CTE供需缺口有望扩大至20%左右。HVLP4铜箔2026年需求约2.4万吨，有效供给仅约1.8万至2万吨。mSAP工艺：线宽线距从30um迈向15um以下。SLP类载板是指具有接近于IC载板特征尺寸的PCB，主要特征是线宽和线距（L/S）尺寸界于常规PCB和IC载板之间。传统PCB以及HDI板的线宽和线距尺寸大于30/30um，而IC载板的线宽和线距通常小至15/15um。SLP制造工艺采用mSAP（改良半加成法），从薄的层压铜箔（1.5-5.0um）开始，以薄铜为种子层，进行图形电镀与闪蚀。相较传统的减成法，mSAP具备以下五项核心优势： 图形电镀：只镀所需区域，铜厚更低。 正片曝光：精度更高。 快速蚀刻：咬蚀超薄铜箔。 线宽/线距可达15um以下。 垂直显影：均匀无划痕。mSAP的技术难点主要集中在基铜、电镀、闪蚀等环节。其中闪蚀的目的是快速蚀刻掉基铜及电镀铜，由于线路铜由基铜以及电镀铜组成，药水对两种铜的蚀刻存在差异，侧蚀成为闪蚀的控制难点。（数据来源：国金证券《非金属建材行业研究：高端扩容，mSAP-PCB的增量贡献》）。光模块+CoWoP：两大AI场景驱动mSAP-PCB快速扩容。智能手机：mSAP的起点。mSAP最初应用场景主要为智能手机。2017年，苹果iPhone要求PCB密度类似于封装载板，产生SLP需求，带动mSAP工艺发展。2018年初，三星Galaxy手机也采用SLP设计。消费电子为mSAP工艺提供了最初的市场验证和规模化基础。AI光模块迭代：从800G到1.6T再到3.2T。AI算力需求快速增长正在推动光模块加速迭代。光模块向800G-1.6T-3.2T迭代，需要使用类载板（SLP）承接，使用mSAP工艺制备。1.6T光模块较800G光模块的PCB线路精细度、阻抗控制标准全面抬升。传统HDI线宽极限无法适配224Gbps的高速信号传输，而mSAP改良半加成法可稳定实现15-20um超细线路。为应对224Gbps PAM4信号传输，传统高多层PTH设计已难以满足模块封装对布线密度和热管理的苛刻要求，推动PCB方案向类载板方向升级。光模块PCB是所有AI-PCB品类中增速最快的赛道。英伟达CoWoP：封装架构的革命性变化。英伟达等头部企业提出的CoWoP（Chip-on-Wafer-on-Platform）技术路线，是当前先进封装领域最受关注的变革之一。CoWoP的本质是“CoWoS-基板”——传统封装基板被取消，芯片通过硅中介层直接与高精度PCB主板连接。这一变化倒逼主板线路细化、类载板化。PCB将导入类载板（SLP）技术，线宽线距缩小至10-20um，以收敛与中介层之间的精度差距，当中将采用mSAP工艺配置。英伟达计划2026年10月在GR150（Rubin）平台上实现CoWoP，将是CoWoS与CoWoP并行的先进封装策略。Rubin Ultra（代号GR152）为Rubin的升级版本，主要升级重点在于导入更多NVLink接口，以支撑高达576颗GPU的大规模互连架构。随着NVLink接口数量与速率同步提升，引脚数量爆增，以ABF载板为主的封装架构已逐步逼近物理极限，在此背景下，英伟达开始评估导入CoWoP架构。由载板转向PCB架构虽仍面临制程良率、信号完整度与可靠性等多项挑战，但若CoWoP成功导入量产，将是英伟达下一个可行的先进封装方向，且不仅限于单一产品世代调整，更可能成为未来AI芯片的封装支线。（数据来源：国金证券《非金属建材行业研究：高端扩容，mSAP-PCB的增量贡献》；优分析）。上游材料与设备：六大受益方向全解析。mSAP-PCB的高端扩容将直接拉动上游多个关键环节。以下六个方向是产业链传导中最核心的受益环节。直写光刻设备：国产替代的排头兵。mSAP要求曝光的线宽线距降至15um，光模块、CoWoP技术所用的SLP需求上升，下游厂商扩产意愿增加，拉动mSAP直写光刻设备需求增长。国内mSAP直写光刻设备厂家主要是芯碁微装，设备性能已经比肩海外设备厂商，加上设备交付周期显著短于海外厂商，有望充分受益本轮国产替代。芯碁微装作为国内唯一覆盖PCB、IC载板、晶圆级及面板级封装全场景的LDI设备厂商，有望充分受益行业扩产。2026年7月，芯碁微装510×515mm板级封装直写光刻设备PLP2000获得重要客户订单。随着CoWoS-L、CoPoS、CoWoP及PLP等先进封装持续扩产，公司泛半导体业务收入占比有望提升。电镀设备：精度要求翻倍。mSAP要求铜厚均匀性控制在±5%以内，而传统工艺仅为±10%，对电镀精度提出了更高要求。这要求VCP（垂直连续电镀）以及水平三合一电镀（除胶+沉铜+闪镀铜，mSAP前道种子层）设备。国内电镀设备厂家包括东威科技等，东威VCP国内市占率超50%，预计海外拓展将分阶段推进。载体铜箔：寡头垄断下的国产替代窗口。日本三井金属占据载体铜箔超90%市场份额。三井当前产能约500万平/月，预计到2028年提升至580万平/月，扩产幅度不大。三井规划至2027财年扩产至520万平米/月，2029财年扩至560万平米/月，扩产速度远低于需求增速。下游需求方面，除光模块、NV-CoWoP外，高端存储芯片目前紧缺，海内外头部企业扩产进一步放大载体铜箔供需缺口。2026年全球需求预计5000至6000万平米，三井扩产后最大供应约5500万平米，整体供需基本平衡。受供需紧缺、AI服务器需求拉动及上游铜价上涨驱动，三井金属已于2026年3月宣布对MicroThin载体铜箔产品提价12%，并于4月起正式生效。上游供给相对偏紧，有望推动下游客户加快对国产产品的验证导入。国内载体铜箔的参与者包括铜冠铜箔、方邦股份、德福科技等。药水：闪蚀环节的技术壁垒。mSAP技术难点环节主要在基铜、电镀、闪蚀等。其中闪蚀的目的是快速蚀刻掉基铜及电镀铜。由于线路铜由基铜以及电镀铜组成，药水对两种铜的蚀刻存在差异，侧蚀成为闪蚀的控制难点。国内mSAP药水参与者主要包括光华科技、天承科技等。Low-CTE电子布：T布供应紧张持续。mSAP-PCB中的mSAP层预计使用T布（Low-CTE电子布）。T布预计2026年继续呈现涨价趋势。由于日东纺的新T布产能预计2026年下半年才能释放，短期供应紧张或难以缓解。国内T布有布局的玩家包括宏和科技、中材科技、国际复材、中国巨石等。Low-DK二代布与HVLP4铜箔：1.6T光模块的标配。1.6T光模块mSAP-PCB中的HDI预计使用M8+二代布+HVLP4铜箔的搭配。HVLP4铜箔：全球龙头三井金属扩产印证产业趋势。ASIC平台（亚马逊、谷歌等）及英伟达在2026年高阶方案中均会大量采用HVLP4铜箔方案。2026年HVLP3至HVLP4高阶铜箔需求约2.4万吨，2027年倍增至5万吨。2026年全球HVLP3以上名义产能约2.9万吨，实际有效供给仅约1.8万至2万吨。三井已于2026年9月将HVLP4月产能提升至550-600吨。国内HVLP4有产能的厂家主要包括铜冠铜箔。Low-DK二代布：2026年存在明确供需缺口。2025年全球低介电玻纤布市场规模约3.92亿美元，同比增长41%，预计2026年、2027年仍将保持每年40%以上的增速。Low-DK二代布和Low-CTE供需缺口有望扩大至20%左右。随着2026年第三季度谷歌V8及以上TPU、英伟达Rubin架构全面放量，将大幅拉动Low-DK二代布需求。富乔已发布提价函对Low-DK二代布提涨15%。国内二代布主要参与者包括国际复材、中材科技、宏和科技、中国巨石、光远新材。（数据来源：国金证券《非金属建材行业研究：高端扩容，mSAP-PCB的增量贡献》）。投资建议。mSAP工艺适用于线宽线距要求高的应用场景（线宽/线距可达15um以下），技术难点环节主要在基铜、电镀、闪蚀等。mSAP最初应用场景主要为消费电子，AI光模块+NV-CoWoP预计将带动mSAP-PCB市场需求快速扩容。mSAP-PCB对于上游材料的拉动方面，建议关注： 直写光刻：芯碁微装。 电镀线：东威科技。 载体铜箔：铜冠铜箔、方邦股份、德福科技。 药水：光华科技、天承科技。 Low-CTE电子布：宏和科技、中材科技、国际复材、中国巨石。 Low-DK二代布、HVLP4铜箔：铜冠铜箔、国际复材、宏和科技、中材科技、中国巨石。（数据来源：国金证券《非金属建材行业研究：高端扩容，mSAP-PCB的增量贡献》）。延伸阅读。以上为报告核心趋势分析，如需获取完整报告详细数据及全部案例，请访问下载页下载完整PDF报告。FAQ。Q1：mSAP工艺和传统PCB工艺的核心区别是什么？A：传统PCB及HDI板线宽线距大于30/30um，mSAP工艺可将线宽线距降至15um以下。mSAP从1.5-5.0um薄铜箔开始，通过图形电镀、正片曝光和快速闪蚀完成线路制作，精度远高于传统减成法。Q2：光模块升级如何带动mSAP需求？A：光模块从800G向1.6T乃至3.2T迭代，PCB线路精细度要求全面抬升。传统HDI无法适配224Gbps高速信号传输，必须采用mSAP工艺实现15-20um超细线路。光模块PCB预计2026/2027年同比大增135%/178%。Q3：英伟达CoWoP对PCB行业意味着什么？A：CoWoP取消传统封装基板，芯片通过硅中介层直接与PCB主板连接，倒逼主板线路细化、类载板化。PCB将导入SLP技术，线宽线距缩小至10-20um，采用mSAP工艺。这相当于将部分封装基板的功能转移到了PCB上。Q4：载体铜箔为什么会出现供需缺口？A：日本三井金属占据超90%份额，当前产能约500万平/月，到2028年仅扩至580万平/月。而1.6T光模块mSAP工艺必须使用载体铜箔，需求快速增长。三井已于2026年3月提价12%。Q5：Low-DK二代布和HVLP4铜箔为什么值得关注？A：1.6T光模块mSAP-PCB中的HDI使用M8+二代布+HVLP4铜箔的搭配。2026年HVLP4需求约2.4万吨，有效供给仅1.8-2万吨。Low-DK二代布2026年存在明确供需缺口，富乔已提涨15%。Q6：mSAP-PCB产业链中哪一环节弹性最大？A：载体铜箔环节因三井金属寡头垄断且扩产保守，供需缺口最为明确，已实现提价。直写光刻设备环节因国产替代加速，芯碁微装作为国内唯一全场景覆盖厂商弹性显著。Low-DK二代布和HVLP4铜箔同样面临明确的供需缺口。数据来源说明。本报告数据来源于国金证券研究所《非金属建材行业研究：高端扩容，mSAP-PCB的增量贡献》（分析师：李阳，执业S1130524120003；赵铭，执业S1130524120004）、Prismark、中财网、优分析等公开数据渠道。