激光掺杂有望应用于不同掺杂路径。与 PERC 使用的磷元素不同,TOPCon 目前的生产瓶颈是硼材料在硅固体硅中的溶解度有限、掺杂困难,而功率较高的激光设备可实现低损伤高掺杂,用于选择性局部扩散。目前技术路径分为一次扩散和二次扩散,一次掺杂更多应用于 PERC 标配的 SE 激光工艺,但对于增加了硼扩散的 N 型电池来说,硼的扩散速度有限且对环境要求较高,一次掺杂虽然更具有经济性但也难度较高。相对成熟的二次扩散利用激光在两次扩散中间将表面的BSG(硼硅玻璃)膜层推入至掺杂层,再进行第二次扩散形成重掺区域,其中包括三种不同温度的转换。TOPCon 的掺杂同样对于激光器的功率有一定的要求,过高的功率容易导致绒面损伤,而功率过低则会导致能量不足而影响掺杂浓度。