衬底是 SiC MOSFET 成本占比最高的环节,衬底自供将显著降低芯片成本。根据System Plus Consulting,以 6 英寸 SiC MOSFET 晶圆前道制造为例,其成本中 44%来源于衬底,是占比最高的环节。对比海外主流厂商同等电压级别,同 Rfson 的 SiC MOSFET 器件成本结构,同样可以看到衬底是占比最高的环节,此外值得注意的是,Wolfspeed 的 SiC MOSFET 器件的每安培成本低于其他几家厂商。根据 PGC Consultancy,碳化硅行业中具备垂直整合能力的公司,其衬底自供将显著降低成本。