2026年度电子行业策略报告:AI智算浪潮奔涌向前国产替代擎动未来-251112(32页).pdf

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1、 本报告版权属于国投证券股份有限公司,各项声明请参见报告尾页。1 20252025 年年 1111 月月 1212 日日 电子电子 行业专题行业专题 20262026 年年度度电子电子行业行业策略报告:策略报告:AIAI 智算智算浪潮浪潮奔涌奔涌向前向前,国产替代,国产替代擎动未来擎动未来 证券研究报告证券研究报告 投资评级投资评级 领先大市领先大市-A A 维持维持评级评级 首选股票首选股票 目标价(元)目标价(元)评级评级 行业表现行业表现 资料来源:Wind 资讯 升幅升幅%1M1M 3M3M 12M12M 相对收益相对收益 -5.0 10.2 17.2 绝对收益绝对收益 -4.3 22

2、.3 30.9 马良马良 分析师分析师 SAC 执业证书编号:S1450518060001 相关报告相关报告 AWS 与OpenAI达成多年战略合作,闪迪预计 NAND 供不应求趋势持续 2025-11-08 三星与英伟达共建人工智能工厂,高通入局 AI 芯片市场 2025-11-02 谷歌与 Anthropic 达成大单合作,存储芯片“超级周期”加速 2025-10-26 端侧 AI 点燃新一轮电子周期,SOC 有望迎来“戴维斯双击”时刻 2025-10-24 英伟达发布 800VDC 架构白皮书,存储涨价持续三星业绩大幅增长 2025-10-19 半导体:半导体:AIAI 驱动叠加国产替代

3、,驱动叠加国产替代,先进制程先进制程与与先进封装先进封装存在机遇存在机遇 在 AI 驱动与国产替代的双重主线下,半导体产业链正迎来以“产能扩张”和“供应链安全”为特征的结构性机遇。在需求端,AI 等高算力需求推动先进制程产能高速扩张,直接拉动了全球硅晶圆出货量与晶圆厂资本开支。下游晶圆厂的产能建设,为上游设备、零部件、材料领域均带来了确定性的增长机遇。此外,在地缘政治与供应链安全诉求下,国产替代进程全面加速。设备方面,投资应聚焦于高价值量、低国产化率的环节,如大束流离子注入、高深宽比/高选择比刻蚀等;零部件方面,静电卡盘、真空泵、真空阀等高通用性、低国产化率的核心部件,将直接受益于设备增量与自

4、主可控需求;半导体材料方面,兼具“扩产拉动”与“耗材属性”,成长确定性高,光刻胶、空白掩模版等高壁垒材料市场规模有望快速扩张。AIAI 算力:算力:AIAI 资本支出高涨,资本支出高涨,PCB/PCB/液冷液冷/光模块光模块/HVDC/HVDC 受益受益 CSP 持续高企且不断上修的资本开支,是 AI 算力需求的直接体现,正沿着基础设施层逐级传导,催生 PCB、液冷、光模块、HVDC 等关键环节的增长机遇,并加速国产算力芯片的替代进程。建议重点关注四大高确定性环节:1)PCB:AI 服务器推动产品向高端迭代,如 5 阶20 层以上 HDI 板及 CoWoP 等先进技术需求旺盛;2)液冷:智算中

5、心机柜功率密度持续高涨,风冷已达瓶颈,液冷成为刚需,市场有望高速增长;3)光模块:AI 集群驱动传输速率要求激增,CPO 与 OCS 等前沿技术因低功耗、低延迟优势,前景可期;4)HVDC:相比传统 UPS,高压直流在效率与可靠性上优势显著,是数据中心供电升级的明确方向。此外,在地缘政治与供应链安全驱动下,国产算力芯片替代势在必行,华为、海光等本土厂商份额持续提升,超节点架构通过集群化实现算力线性扩展,成为国产算力突围的可行路径,有望加速放量。存储:存储超级周期带来机遇,存储:存储超级周期带来机遇,DRAMDRAM/SSD/SSD 前景广阔前景广阔 AI 需求已打破传统存储周期模型,驱动行业进

6、入“超级周期”新阶段,价格全面上涨与技术范式革新共同构成核心投资主线。传统 3-4年的存储周期规律被打破。尽管 2024 年本应进入下行区间,但在 AI服务器催生的企业级存储需求高增与头部厂商严格的产能控制共同作用下,市场于 2025 年上半年意外反弹,价格进入上升通道,自 2025年 4 月以来,Flash Wafer 与 DRAM 现货价大幅攀升。为满足 AI 对容量与带宽的极限需求,存储技术正从平面转向立体堆叠,3D DRAM 成为重要发展方向,其中 4F结合 CBA 技术预计能将比特密度提升约30%,有效解决传统制程面临的物理瓶颈,为行业长期发展打开空间。-18%-8%2%12%22%

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