【中邮证券】中微公司（688012）-ICP刻蚀加速增长，CCP刻蚀受益于存储扩产-251218（5页）.pdf

1、证券研究报告：电子|公司点评报告市场有风险，投资需谨慎请务必阅读正文之后的免责条款部分股股票票投投资资评评级级买买入入|维维持持个个股股表表现现2024-122025-022025-052025-072025-102025-12-15%-7%1%9%17%25%33%41%49%57%中微公司电子资料来源：聚源，中邮证券研究所公公司司基基本本情情况况最最新新收收盘盘价价（元元）279.17总总股股本本/流流通通股股本本（亿亿股股）6.26/6.26总总市市值值/流流通通市市值值（亿亿元元）1,748/1,74852 周周内内最最高高/最最低低价价319.11/165.98资资产产负负债债率率(

2、%)24.7%市市盈盈率率106.96第第一一大大股股东东上海创业投资有限公司研研究究所所分析师:吴文吉SAC 登记编号:S1340523050004Email:分析师:翟一梦SAC 登记编号:S1340525040003Email:中中微微公公司司(6 68 88 80 01 12 2)I IC CP P 刻刻蚀蚀加加速速增增长长，C CC CP P 刻刻蚀蚀受受益益于于存存储储扩扩产产l投投资资要要点点I IC CP P 刻刻蚀蚀加加速速增增长长。2025H1，公司 ICP 刻蚀设备已在逻辑、DRAM、3D NAND 等领域超 50 家客户产线实现大规模量产，同时持续推进更多 ICP 刻蚀

3、工艺验证，截至报告期末，设备累计装机反应台超 1200 台。2025H1 等离子体刻蚀设备新签订单中，ICP 设备的占比略高于CCP设备的占比，ICP快速起量。新产品方面，PrimoMenova12 寸 ICP 单腔刻蚀设备聚焦金属刻蚀领域，擅长 Al 线、Al 块刻蚀，适配功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，是晶圆厂金属化工艺核心设备。该设备刻蚀均一性优异，兼具高速率、高选择比、低介质损伤特性；搭载高效腔体清洁工艺，可减少污染、延长运行时长；集成高温水蒸气除胶腔室，能高效清除刻蚀后晶圆表面的光刻胶及副产物；主刻蚀与除胶腔体支持灵活组合，可满足高生产效率需求，保障高负荷工况下的稳定性与良率

4、。公司紧跟客户与市场技术需求，稳步推进先进 ICP 刻蚀技术研发，以满足新一代逻辑、DRAM 及 3D NAND 存储芯片的制造需求。刻刻蚀蚀受受益益于于存存储储扩扩产产。在存储芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。公司致力于提供超高深宽比掩膜（40:1）ICP 刻蚀设备和超高深宽比介质刻蚀(60:1)CCP刻蚀设备的解决方案。配备超低频偏压射频的用于超高深宽比掩膜刻蚀的 ICP 刻蚀机目前已经在生产线上大规模应用，工艺能力可以满足国内最先进的存储芯片制造的需求。配备超低频高功率偏压射频的用于超高深宽比介质刻蚀的CCP刻蚀设备也在最关键的超高深宽比

5、刻蚀工艺大规模生产，并逐步拓展应用。2025 年前三季度，公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。l投投资资建建议议我们预计公司 2025/2026/2027 年分别实现收入 121/157/198 亿元，归母净利润 21/31/43 亿元，维持“买入”评级。l风风险险提提示示下游客户扩产不及预期的风险，员工股权激励带来的公司治理风险，政府支持与税收优惠政策变动的风险，供应链风险，行业政策变化风险，国际贸易摩擦加剧风险，研发投入不足导致技术被赶超或替代的风险。发布时间：2025-12

6、-18请务必阅读正文之后的免责条款部分2n盈盈利利预预测测和和财财务务指指标标项项目目 年年度度2 20 02 24 4A A2 20 02 25 5E E2 20 02 26 6E E2 20 02 27 7E E营业收入（百万元）9065120891569119789增长率(%)44.7333.3629.7926.12EBITDA（百万元）1635.362551.783662.254967.61归属母公司净利润（百万元）1615.682101.933130.424309.27增长率(%)-9.5330.1048.9337.66EPS(元/股)2.583.365.006.88市盈率（P/E）