电子行业：关注存储扩产下的半导体设备机遇-251208（17页）.pdf

1、证券研究报告关注存储扩产下的半导体设备机遇关注存储扩产下的半导体设备机遇平安证券研究所平安证券研究所 TMTTMT团队团队分析师：杨钟S1060525080001（证券投资咨询）邮箱：YANGZHONG詹小瑁S1060525120001（证券投资咨询）邮箱：ZHANXIAOMAO电子行业电子行业 强于大市（维持）强于大市（维持）20242024年年1212月月0808日日请务必阅读正文后免责条款请务必阅读正文后免责条款核心观点核心观点AI浪潮席卷全球浪潮席卷全球，存储产业进入上行周期存储产业进入上行周期。2024年至今，AI训练工作负载的激增推动了存储市场新一轮增长，改写传统存储周期逻辑，企业

2、级AI资本开支成为重要支撑，驱动HBM、DDR4/DDR5及企业级SSD等市场大规模增长。据Yole Group预测，2025年-2030年存储市场收入将持续上涨，2024年至2030年的CAGR达10%；此外，预计2024年至2030年间，全球HBM收入将以33%的复合年增长率增长，到本十年末，其在DRAM市场的份额有望达到前所未有的50%。存储产业正进入产能扩张与量价齐升通道存储产业正进入产能扩张与量价齐升通道。为了增加Al和服务器所需的DRAM（包括HBM）的供应，2025年三星、SK海力士、美光这三大DRAM原厂都在积极推动工艺的迁移，比如将DDR4产线转产DDR5，升级原有的DDR5

3、产线转向HBM，以及对于部分产能的扩展，这也导致DRAM原厂整体的资本支出同比增长超过80%。从资本开支与价格提升持续性来看，据TrendForce预测，DRAM产业的资本支出在2026年将成长至613亿美元，年增率达14%，均价同比上升的幅度将达58%，ASP来到1.63美元；NAND Flash资本支出在2026年预计增长至222亿美元，年增约5%，预计单价会实现32%的同比增长，ASP来到0.10美元。国内存储扩产加速国内存储扩产加速，核心设备迎来机遇核心设备迎来机遇。随着海外原厂将资本开支倾斜于HBM为代表的高端存储产品，传统存储的供需缺口具有持续性，因此国内存储厂商扩产的紧迫性不断上

4、升。目前，长鑫存储已完成IPO辅导，当前其在DDR5和LPDDR5产品上正实现显著增长，Counterpoint预测，长鑫存储在DDR5市场的份额将从第一季度不到1%上升至年底的7%，在LPDDR5市场的份额将从0.5%激增至9%，先进制程技术发展迅猛。近期，长江存储三期正式注册成立，若项目正式投产，长江存储的产能将实现跨越式增长，计划力争到2026年底占据全球NAND闪存供应量的15%。而在存储扩产的必然趋势下，设备作为扩产的前置环节，迎来重要机遇窗口。例如，3D 堆叠存储快速发展，为提升存储密度，将存储单元垂直堆叠，目前主流产品已超过200 层，未来还将向1000 层迈进，这使得对刻蚀设备

5、的需求量和性能要求呈指数级增长，同时堆叠层数增加的同时每层薄膜厚度要求严苛，ALD与CVD协同工艺成为主流，这都对薄膜沉积设备提出了更高要求。投资建议：投资建议：建议关注存储扩产背景下催生的上游半导体设备等领域投资机遇，半导体设备方面，建议关注北方华创北方华创、中微公司中微公司、拓荆科拓荆科技技、华海清科华海清科、京仪装备京仪装备、长川科技长川科技、芯源微芯源微、中科飞测中科飞测、微导纳米微导纳米等；除此之外，半导体材料及核心零部件方面，建议关注新菜应材新菜应材、江丰电子江丰电子、富创精密富创精密、正帆科技正帆科技、珂玛科技珂玛科技、石英股份石英股份，菲利华菲利华、汉钟精机汉钟精机、福晶科技福

6、晶科技、腾景科技腾景科技、南大光电南大光电、鼎龙股份鼎龙股份、安集科技安集科技等。风险提示：风险提示：1）供应链风险；2）国产产品性能不及预期的风险；3）市场需求不及预期的风险。存储上行周期带来扩产机遇存储上行周期带来扩产机遇AIAI拉动存储需求端爆发，行业进入上行周期拉动存储需求端爆发，行业进入上行周期多模态多模态AIAI的爆发驱动存储系统的扩容与升级的爆发驱动存储系统的扩容与升级。随着大模型架构由单一文本交互加速向融合文本、图像及音视频的多模态方向演进，这一技术路径的质变显著推升了模型训练与推理过程中的Tokens消耗量及数据生成规模。特别是以Sora 2为代表的视频生成模型加速渗透与迭代