《半导体存储行业深度研究报告：企业级需求高增驱动新一轮存储超级周期-251105（24页）.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体存储行业深度研究报告：企业级需求高增驱动新一轮存储超级周期-251105（24页）.pdf（24页珍藏版）》请在三个皮匠报告上搜索。

1、 证 券 研 究 报证 券 研 究 报 告告 证监会审核华创证券投资咨询业务资格批文号：证监许可（2009）1210 号 未经许可，禁止转载未经许可，禁止转载 行业研究行业研究 电子电子 2025 年年 11 月月 5 日日 半导体存储行业深度研究报告 推荐推荐（维持）（维持）企业级需求高增，驱动新一轮存储企业级需求高增，驱动新一轮存储超级超级周期周期 企业级需求高增，存储价格全面上涨企业级需求高增，存储价格全面上涨。（1）DRAM：服务器建置动能回暖，：服务器建置动能回暖，25Q4 DRAM 价格涨幅预期上修。价格涨幅预期上修。海外原厂退产 DDR4 导致 PC 领域 DDR5 渗透率提高，

2、服务器领域受到 CSP 建置动能回温，DDR5 产品需求持续增强，近期 DDR5 价格稳健上扬。DDR4 主要受到原厂产能缩减影响，自 24Q4 主流存储原厂宣布减产/转产 DDR4 至今已逾半年，随着产能调整深入演进，DDR4 颗粒供不应求价格持续攀升。展望 25Q4，Trendforce 预计 DRAM 涨幅预期可观，且 25 年 10 月由于供应商收到 CSP 厂商加单后明显提高调升报价的意愿，Trendforce 上调 25Q4 DRAM 价格预测，一般型 DRAM 价格预估涨幅从 8-13%上修至 18-23%，并且很有可能再度上修。展望 26 年，由于 Server 需求维持强劲，

3、预期 DDR5 合约价于 2026 全年都将呈上涨态势，尤其以上半年较为显著。（2）NAND Flash：供给优化：供给优化&企业级需求攀升，价格强势上涨。企业级需求攀升，价格强势上涨。受人工智能应用以及数据中心、客户端和移动领域日益增长的存储需求的推动，闪迪于 25年 9 月宣布对所有渠道和消费者客户的产品价格调涨 10%以上。25 年 9 月以来，在原厂控货+涨价双重驱动下，现货 Flash Wafer 价格强势上涨，截至 2025年 10 月 29 日，TLC 闪存 256Gb/512Gb/1Tb 价格相比 25 年 9 月 2 日价格涨幅16.7%/61.3%/27.0%。由于颗粒端价

4、格持续拉升，SSD 成品 9 月起同步跟涨。据 Trendforce 预测，由于供给优化&企业级 SSD 需求攀升，预计 25Q4 NAND合约价有望全面上涨，平均涨幅达 5-10%。AI 服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期。服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期。全球数据中心基础设施扩建浪潮升温，其中存储器为数据存储直接载体，大模型迭代下容量&性能同步进阶，近年服务器 NAND 和 DRAM 应用占比持续增长，已成全球存储市场增长核心引擎。（1）DRAM：低功耗内存需求日益旺盛，：低功耗内存需求日益旺盛，26 年传统年传统 DRAM新增产能有限。新增产能有限。数据中心面临如何

5、在提供海量算力的同时降低能耗的问题，因此低功耗内存架构是数据中心必备战略要务，英伟达新一代 Grace CPU 已使用带有纠错码的 LPDDR5X 显存来实现服务器级可靠性，同时将能效提高 5倍。针对 AI 数据中心对低功耗 DRAM 的需求，存储厂商亦积极拓展低功耗内存在数据中心的应用。供给方面，HBM 是 DRAM 行业最核心的价值增长引擎，单位元收入贡献远超传统 DRAM，且差距仍在不断扩大。因此主要原厂26 年均聚焦 HBM 产能扩张，传统 DRAM 新增产能有限。（2）NAND:受受 KV Cache 卸载卸载&HDD 挤占影响，挤占影响，NAND 出货或将出现爆发式增长。出货或将出

6、现爆发式增长。为确保模型训练的准确度，所需的数据量不断增长，且已拓展至多模态数据来源。近年8TB/16TB 及以上中高容量 eSSD 应用占比大幅提升。且 PCIe5.0 SSD 可加速模型部署，渗透率逐步提高。除容量和配置的升级以外，KV Cache 用于缓存历史 token 计算结果，通过实现对重复计算过程的智能规避来提高计算效率，一般存储于 GPU 内存中。KV Cache 容量的增长已超过 HBM 承载上限，频繁的内存溢出可能导致推理过程出现“记忆断片”，迫使 GPU 执行重复计算，从而引发延迟和卡顿。将 KV Cache 卸载到 DRAM、SSD 等成本更低、容量更充裕的内存层级成为