2021年中微公司刻蚀工艺与化合物半导体设备行业研究报告（34页）.pdf

1、中国大陆晶圆厂建厂潮为半导体设备行业提供了巨大的市场空间，但国产设备在这些晶圆厂的采购中占比仍较低，替代空间广阔。据芯谋研究数据，2020 年，国内晶圆厂设备采购总金额达到 154 亿美元，其中向美国厂商采购金额达到 82 亿美元，占比达 53%，而向国内供应商采购金额仅为 9.9 亿美元，占比仅为 7%。而在先进制程上，设备国产化率则更低，据半导体行业协会统计，目前，28 nm 以下的先进制程前段设备有 70%来自美国厂商。分设备来看，前段工序三大件光刻、薄膜、刻蚀中，光刻机尚未实现国产化，涂胶显影设备、离子注入设备的国产化率亦不足 1%，基本不具备自给能力。而刻蚀机方面率先实现了国产突破，

2、国产化率近 20%，清洗、CMP 设备亦走在了国产替代的前列，国产化率已达 15-20%。我们进一步统计了国产设备在国内主要晶圆厂的切入情况。据必联网数据，2017-2020 年主要设备的国产化率从 2%提升至 22.17%，增速可观，但进口设备仍在数量上和先进制程产线上占据市场主体。公司的等离子体刻蚀设备技术处于世界先进水平，符合产业发展趋势。公司的 CCP 和 ICP单/双台机可以实现对绝大部分刻蚀应用的覆盖。在产品设计方面，中微有创新的双反应台设计，可以最大程度减弱非中心对称抽气口效应，方形芯片传递主机比传统的辐射状芯片传递主机占地面积更小，输出量更高，成本也相应更低。公司 CCP 设备

3、产品保持竞争优势，批量应用于国内外一线客户产线，份额持续提升，在部分客户已经入前三。截止 2020 年，公司已有 1159 个反应台在客户产线上运行，近三年保持了 30%的年均增长速度。公司 ICP 刻蚀设备也已经逐步趋于成熟，新推出的 Primo nanova 产品在 10 家客户的生产线上进行验证，已有超过 50 个工艺在客户的生产线上达到指标要求，且持续扩大应用验证范围。2020 年开始，Primo nanova 产品逐步取得客户的重复订单。尤其是 2020 年下半年，在国内存储客户的扩产带动下，该产品的销售取得较大进展。同时，公司研发的具有高输出率特点的双反应台 ICP 刻蚀设备 Pr

4、imo Twin-Star 也已经在客户端完成认证。该产品应用中微公司国际领先、独特的双反应台设计理念，沿用了 Primo nanova ICP 的大部分硬件特征，使得机台在具有良好刻蚀性能的同时，提升客户单位资金投入的产能，从而丰富 ICP 刻蚀设备种类，增强 ICP 刻蚀产品的整体竞争力。据公司公告，截止 2021 年 6 月，公司 ICP 设备Primo Nanova 第 100 台反应腔顺利交付，上半年出货达 45 台，增长迅速。中微公司业已成为刻蚀设备国产替代的领军者，其之所以能实现如此的市场地位，我们认为是外部环境和内部因素共同作用的结果。从外部因素上看，国际竞争和摩擦之下，美方对中国半导体行业持续施压，屡次进行设备禁令、投资禁令等压迫手段，促使国内晶圆厂使用国产设备以保证供应链安全；从内部因素上看，中微公司的刻蚀设备在先进制程和多层 3DNAND 上不断突破，满足先进工艺需求。