先进激光技术应用于Micro LED产业化之解析.pdf

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1、先进激光技术应用于Micro LED产业化之解析重庆康佳光电科技有限公司2024副总经理萧俊龙博士2024年09月Micro LED的基本原理01特征传统LED(Traditional LED)毫米LED(Mini LED)微米LED(Micro LED)芯片尺寸300 m50300 m50 m键合方式SMTSMT或COBMass Transfer发光来源自发光自发光自发光适用场景直显/背光直显/背光直显应用产品户外大型显示屏家用电视消费性电子产品(穿戴、手机、车载、AR)LED 的产品的迭代过程传统LEDMicro LED外延芯片制程芯片键合(Die bond)打线键合(Wire bond)

2、黏着剂、荧光粉、封装单颗键合(SMT)外延芯片制程X巨量转移(Mass Transfer)XXLCDOLEDMicro LED主要核心市场大多数的显示应用家用电视、屏幕、手机AR/VR、车载透明屏潜在市场低端市场中端市场高端市场投资金额中等投资重投资中等投资状态成熟中等尚未成熟(研发中)Micro LED 显示高分辨率Micro LED 显示器高对比度Micro LED 显示响应速度快Micro LED 显示功耗低Micro LED 稳定性高Micro LED 显示模块更薄主流显示技术概览比于已经大规模量产的LCD技术和OLED技术，Micro LED几乎在各个技术维度上都有着非常优越的性能优

3、势：长寿命、高对比度、可实现高分辨率、响应速度快、更广的视角效果、丰富的色彩、超高的亮度和更低的功耗等。新型显示器 Micro LED 的优势色彩鲜艳度亮度功耗对比度价格响应时间技术成熟度寿命LCDOLEDQLEDMicro LEDLCD、OLED、Micro LED 的结构示意图Micro LED 于不同基板的应用场景不同基板尺寸所对应之不同分辨率的应用场景虚拟现实(VR)增强实境(AR)/混合实境(MR)大型显示屏家用显示屏手机车载显示屏智能型手表桌上型计算器Micro LED未来的应用场景Micro LED 未来的应用场景如下所示:#参考数据:Dr.Xiaoxi He,“Micro-LE

4、D Displays 2024-2034:Technology,Commercialization,Opportunity”,Market and Players.IDTechEx(2024).先进激光技术应用于Micro LED02Micro LED 的名词定义COW Chip on Wafer:在晶圆上的芯片(芯片在蓝宝石衬底上)COC Chip on Carrier:在瞬时基板上的芯片(芯片在胶材衬底上)蓝宝石(Sapphire)暂态基板(Carrier)胶材T-COC Tether-Chip on Carrier:在瞬时基板上的弱化芯片暂态基板(Carrier)弱化结构COS Chip

5、 on Stamp:在印章上的芯片Panel:转移芯片后的面板COW Chip on Wafer 经过黄光制程后,在衬底上的外延形成为一颗颗单独发亮的芯片(此时芯片的电极朝外)COC Chip on Carrier 将芯片转移至暂时基板之上(此时芯片的电极朝内)COS Chip on Stamp 利用印章将暂时基板上的芯片取下(此时芯片的电极朝外)MT Mass Transfer 将印章上的芯片转移至最终的面板(完成)巨量转移未来路线分析巨量转移技术印章式(范德华力)激光式最小芯片转移尺寸10 x10 m15x30 m转移速度;UPH3 KK5 KK20 KK 36 KK 良率99.999.9

6、99%(修补前)99.999.999%(修补前)优点已发展多年,技术相对成熟转移速度快,且可实现大面积的转移厂商ASMPT、TDK、TorayASMPT、K&S、Toray、Stroke、Shin-EtsuRGBRGB瞬时基板Micro LED 巨量转移Stamp（印章）Pick 背板PlaceRGBRGB激光20212022202320242025202620272028202920300102030405060708090100出货量(%)Micro LED 巨量转移技术未来出货量预测表(年份)StampLaserInk-jetMonolithicMicro LED 巨量转移技术未来出货量