2024半导体刻蚀设备市场规模、竞争格局及国产替代空间分析报告（25页）.pdf

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1、2 0 2 3 年深度行业分析研究报告目录目录C CO N T E N T SO N T E N T S二、格局：国产化之典范，成功打入国际市场二、格局：国产化之典范，成功打入国际市场一、刻蚀：半导体制造三大核心设备之一一、刻蚀：半导体制造三大核心设备之一三、看点：国产替代三、看点：国产替代+先进制程先进制程+海外拓展有望拉动增长海外拓展有望拉动增长2 21.1 1.1 刻蚀：半导体图案化关键工艺，重要性凸显刻蚀：半导体图案化关键工艺，重要性凸显数据来源：各公司官网，平安证券研究所3 3 刻蚀是半导体图案化过程的核心工艺，刻蚀机被视为半导体制造三大核心设备之一。刻蚀是半导体图案化过程的核心工艺

2、，刻蚀机被视为半导体制造三大核心设备之一。刻蚀设备主要用于去除特定区域的材料来形成微小的结构图案，与光刻、薄膜沉积并称为半导体制造三大核心设备，重要性凸显，地位举足轻重。氧化氧化氧化炉AMAT日本日立TEL北方华创屹唐半导体薄膜沉积薄膜沉积薄膜沉积设备AMATLAMTEL北方华创拓荆科技中微公司涂胶涂胶涂胶显影设备TELDNS芯源微光刻光刻光刻机ASML尼康佳能上海微电子离子注入离子注入离子注入机AMATACLS凯世通中科信刻蚀刻蚀刻蚀机LAMTELAMAT北方华创中微公司抛光抛光CMP设备AMAT日本荏原华海清科电科装备45所检测检测检测设备KLAAMAT精测电子中科飞测华峰测控多次清洗多次

3、清洗清洗设备DNSTELLAM北方华创盛美上海芯源微半导体制造工艺流程半导体制造工艺流程1.2 1.2 刻蚀设备：三大核心设备之一，市场规模可观刻蚀设备：三大核心设备之一，市场规模可观数据来源：Gartner，Mordor Intelligence，平安证券研究所4 4 刻蚀机作为半导体制造三大设备之一刻蚀机作为半导体制造三大设备之一，价值量高价值量高，市场规模可观市场规模可观。根据Gartner数据，2022年，刻蚀设备占半导体前道设备价值量的22%，仅次于薄膜沉积设备，排名第二；从市场规模来看，根据Mordor Intelligence数据，2024年，全球半导体刻蚀设备市场规模预计为23

4、8.0亿美元，到2029年预计将增长到343.2亿美元，期间CAGR约为7.6%，市场规模可观，增速较快。半导体前道设备价值量分布（半导体前道设备价值量分布（%）20222022年年全球半导体刻蚀设备市场规模预测（亿美元）全球半导体刻蚀设备市场规模预测（亿美元）05010015020025030035040020242029E光刻刻蚀薄膜沉积量测涂胶显影热处理离子注入清洗CMP其它1.3 1.3 刻蚀设备：干法刻蚀为主，刻蚀设备：干法刻蚀为主，ICPICP、CCPCCP平分秋色平分秋色数据来源：华经产业研究院，中微公司年报，Gartner，平安证券研究所5 5 刻蚀可分为湿刻和干刻，湿刻各向异

5、性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差，通常用于工艺尺寸较大的应用，干刻是目前主流的刻蚀技术，其中，等离子体干刻应用最广。根据等离子体产生方法不同，等离子体刻蚀又划分为ICP（电感性等离子体刻蚀）和CCP（电容性等离子体刻蚀）两大类，ICP主要用于硅、金属以及部分介质刻蚀，CCP主要用于介质刻蚀。根据Gartner数据，2022年，在全球刻蚀设备市场中，ICP、CCP市占率分别为47.9%和47.5%，合计市占率95.4%，是刻蚀设备的主流。刻蚀工艺分类刻蚀工艺分类ICPCCP其他各类刻蚀设备市场占比各类刻蚀设备市场占比20222022（%）ICPICP与与CCPCCP刻蚀反应腔刻蚀反应腔C

6、CPICP1.4 1.4 趋势：原子层刻蚀（趋势：原子层刻蚀（ALEALE）6 6 传统等离子刻蚀设备会面临刻蚀损伤、负载效应以及控制精度等一系列挑战，而原子层刻蚀（ALE）可实现单原子层级的精准刻蚀，是有效的解决方案。ALE可视为ALD的镜像过程，其原理为：1）将结合气体导入刻蚀腔，吸附于材料的表面，形成一个结合层，此为改性步骤，具有自停止性；2）清除腔体中过量的结合气体，引入刻蚀气体轰击刻蚀表面，去除原子层级的结合层，并使未经改性的表面裸露出来，此为刻蚀步骤，也具有自停止性，上述步骤完成后，表面的单原子层薄膜即可被精准去除。原子层沉积（ALE）的优势包括：1）可实现定向刻蚀；2）即使深宽比