电子行业专题报告：存储专题跟踪HBM引领AI存力扩容产品切换加剧产能紧缺！-240405（26页）.pdf

1、行 业 研 究 2024.04.05 1 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 电 子 行 业 专 题 报 告 存储专题跟踪：HBM 引领 AI 存力扩容，产品切换加剧产能紧缺！分析师 郑震湘 登记编号：S1220523080004 佘凌星 登记编号：S1220523070005 行 业 评 级:推 荐 行 业 信 息 上市公司总家数 508 总股本(亿股)4,935.29 销售收入(亿元)52,017.61 利润总额(亿元)3,126.79 行业平均 PE 39.75 平均股价(元)27.31 行 业 相 对 指 数 表 现 数据来源：wind 方正证券研究所 相 关

2、研 究 电子周专题：AI 浪潮翻滚，国产厂商机遇良多2024.03.25 AMD 全面赋能 AI 应用生态圈，AI PC 时代已至2024.03.25 芯片功耗提升，散热重要性凸显2024.03.13 MWC 2024：科技巨头加速布局，AI 硬件创新不止2024.03.02 存储存储产品产品价格持续上涨价格持续上涨。现货价格来看，Nand Flash Wafer 价格持续上扬。以 1Tb Flash Wafer 为例，2023 年 3 月 13 日的现货均价 2.78 美元，到2024 年 3 月 18 日上升至 6.39 美元,涨幅达 98.4%。DRAM 价格同样全线上涨，以 DDR5

3、16G(2Gx8)4800/5600 为例，最新现货均价为 4.69 美元，较 24年 1 月 2 日上涨 10.4%。我们预计随着 AI 等领域对高性能计算的需求，DDR5产品有望迎来量价齐升。合约价来看，TrendForce 预计 24Q2 NAND Flash合约价格将大幅上涨 13%-18%，其中企业级 SSD 涨幅最高，达 20-25%。DRAM Q2 合约价预计季增 3-8%。4 月 3 日中国台湾花莲海域地震，从 FAB 厂分布来看，除台积电、联电两大 Foundry 外，中国台湾 FAB 产能主要为存储，其中包括美光 DRAM 的主要产能，以及南亚、华邦、旺宏三家利基型存储的产

4、能，后续或面临产线检修影响。结合近期三星上调企业级结合近期三星上调企业级 SSDSSD 涨幅，涨幅，2424Q1Q1利基存储价格拐点已现，我们继续强烈看多存储板块。利基存储价格拐点已现，我们继续强烈看多存储板块。AIAI 加速存力扩容，加速存力扩容，产品切换加剧产能紧缺产品切换加剧产能紧缺。站在当前时点对比上一轮周期，技术端来看，AI 服务器需求快速增长，由此带动 HBM 加速迭代，数据中心SSD 及 DRAM 也在持续升级，由此满足新一代数据中心及智能设备终端的产品需求。需求端来看，HBM 产能已排至 2025 年，服务器、PC、智能手机仍处于 AI 全面渗透的早期阶段，AIPhone、AI

5、PC 都将在 20242025 年开启放量，由此在未来几年全面带动各大应用领域的存储容量加速扩张。从供给端来看，原厂处于产能切换的关键期，DRAM 产能从 DDR4 向 DDR5 切换，将造成产能自然消耗 30%，而 HBM 晶圆产能消耗是 DDR5 的 3 倍，将进一步加剧存储产能紧缺。原厂谨慎规划资本开支，24 年新增资本开支主要用于高端产品产能扩张。产能紧缺伴随需求持续增长，将推动存储产能紧缺伴随需求持续增长，将推动存储价格价格持续上行。持续上行。HBMHBM 供不应求供不应求，三大，三大原原厂竞逐厂竞逐 HBM3EHBM3E。SK 海力士预计中长期内 HBM 需求的年增长率将达到约 6

6、0%，三星预测三星预测 20262026 年年 HBMHBM 出货量比出货量比 20232023 年高年高 13.813.8 倍，倍，20282028 年年 HBMHBM 年比年比 20232023 年高年高 23.123.1 倍倍。尽管 SK 海力士、三星电子和美光科技均在积极扩产，但 HBM 供应依旧紧张。SK 海力士表示 2024 年 HBM 产能已售罄，美光也表示 2024 年 HBM 产能已全部售罄，且 2025 年大部分产能也已分配完。同时三大家也正在推进 HBM3E 及最新产品的测试及量产。SK 海力士当前 HBM3E 已实现量产，预计 HBM 长期需求增长率超 60%，同时公司