《电子行业深度研究报告：光刻胶半导体国产替代核心材料国内厂家有望迎来发展新阶段-230628（25页）.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《电子行业深度研究报告：光刻胶半导体国产替代核心材料国内厂家有望迎来发展新阶段-230628（25页）.pdf（25页珍藏版）》请在三个皮匠报告上搜索。

1、 证券研究报证券研究报告告 证监会审核华创证券投资咨询业务资格批文号：证监许可（2009）1210号 未经许可，禁止转载未经许可，禁止转载 行业研究行业研究 电子电子 2023 年年 06 月月 28 日日 电子行业深度研究报告 推荐推荐（维持）（维持）光刻胶：光刻胶：半导体国产替代核心材料，国内厂半导体国产替代核心材料，国内厂家有望迎来发展新阶段家有望迎来发展新阶段 光刻胶为半导体光刻胶为半导体核心核心材料，景气周期与自主可控共振迎来发展新阶段材料，景气周期与自主可控共振迎来发展新阶段。光刻是半导体加工中最重要的工艺之一，决定着芯片的最小特征尺寸。光刻占芯片制造时间的 40-50%，占其总成

2、本的 30%。光刻胶是光刻环节关键耗材，其质量和性能与电子器件良品率、器件性能可靠性直接相关。根据 SEMI 数据，2021年光刻胶在晶圆制造材料市场中占比 6.1%，而光刻胶基本被日美垄断，国产化率不足 10%。复盘国内光刻胶上市公司股价走势，半导体景气周期与自主可控两大因素对股价影响大。从当前时点看下游普遍预期23H2迎来复苏，景气周期有望筑底回升；年初以来自主可控紧迫性进一步加强，景气周期与自主可控共振光刻胶有望迎来发展新阶段。Fab 厂积极扩产厂积极扩产&制程制程升级重塑光刻胶市场天花板，预计光刻胶市场国内增升级重塑光刻胶市场天花板，预计光刻胶市场国内增速高于全球速高于全球。光刻胶质量

3、性能直接影响芯片性能和良率，为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶波长也在不断缩短，按波长划分可分为 G 线（436nm）I 线（365nm）KrF（248nm）ArF/ArFi（193nm/134nm）EUV（13.5nm）。根据 TECHCET 数据 2020 年全球半导体光刻胶市场中，ArFi 光刻胶占据了 40%，KrF 光刻胶占比 33%。受受下游晶圆厂扩产下游晶圆厂扩产&制程升制程升级驱动全球半导体光刻胶量价齐升级驱动全球半导体光刻胶量价齐升，市场空间，市场空间广阔广阔，根据根据 TECHECT 数据数据2021 年光刻胶年光刻胶全球全球市场规模约为市场规模约为 19 亿美元，亿

4、美元，2026 年有望增长至年有望增长至 28.5 亿美亿美金，金，20212026 5年年 CAGR 5.9%。量量增增：SEMI预计未来全球晶圆产能将持续扩张，光刻胶作为重要耗材需求同步提高；价价升升：12 英寸晶圆占比持续提升，2021 年已达 68.47%，12 英寸芯片所用制程通常在 130nm 以下，且在持续向先进制程转移，随着大硅片趋势&制程结构升级，高端光刻胶的需求将会进一步提升，带动单位面积晶圆消耗的光刻胶价值量上升。随着晶圆产能结构向大陆转移，预计未来国内半导体光刻胶市场将保持高于全球的增速（2022 年国内光刻胶市场预计 39.3 亿元，同比增长 35%，同期全球光刻胶增

5、速 12.32%）。从产业链角度从产业链角度看光刻胶存在看光刻胶存在上游上游材料材料/中游中游配方配方/下游下游客户客户导入导入等多重壁垒等多重壁垒。上游：光刻胶由树脂、光敏剂、溶剂等组分构成，树脂、光敏材料等仍依赖进口；中游：光刻胶配方需对成百上千种树脂、光敏剂等进行排列组合并不断调整比例才能匹配已有产品的关键参数，需要极强的研发积累，此外测试设备光刻机获取难度大、成本高；下游：光刻胶性能及量产的稳定性直接影响芯片性能和良率，且光刻胶的验证时间通常在两年以上，因此下游晶圆厂与供应商粘性较强，导入新供应商意愿不强。高壁垒高壁垒下日美下日美寡头垄断市场，自主可控寡头垄断市场，自主可控背景背景下国

6、产下国产替代替代加速加速。高壁垒下当前全球半导体光刻胶市场呈现日美垄断的格局，2020 年全球 ArF 光刻胶市场前四大厂商(TOK、信越化学、JSR、住友化学)均来自日本，CR4 近 80%；KrF日美四大厂商 TOK、信越化学、陶氏化学、JSR 占比近 85%。国内国内企业企业半导体光刻胶主要集中在 g/i线，高端 KrF/ArF光刻胶国产化率极低，EUV光刻胶尚处于研发阶段，经过多年积累国内厂家逐渐取得突破：g/i 线光刻胶已有多家企业实现规模量产；KrF 光刻胶北京科华和徐州博康进展较快，2022 年已有多个品种实现销售，此外晶瑞及上海新阳也有少量销售；ArF 光刻胶南大光电 2021