机械设备行业：关注光模块及CoWoP中mSAP工艺的应用及设备投资机会-260718（16页）.pdf

核心结论速览： mSAP工艺是实现15μm精细线路的关键技术：传统减成法主要适用于≥50μm线宽线距，而mSAP通过超薄种子铜层、图形电镀、差分蚀刻等流程，可实现15-25μm线宽/线距，铜层均匀性达±3%，材料利用率达95%以上。 1.6T光模块PCB线宽/线距需缩小至15μm，mSAP成为必选项：1.6T光模块采用8×224Gbps PAM4通道，奈奎斯特频率高达56GHz，需在有限空间内集成16-20层线路，布线密度较800G提升50%-100%。传统减成法无法满足，mSAP成为量产核心工艺。 CoWop封装推动PCB向类载板（SLP）升级：CoWop方案中ABF/BT基板从堆叠结构中消失，PCB必须变得更像基板，需线宽/间距15-20μm的超高密度互连板。产业链价值向高端PCB制造商转移。 mSAP工艺对设备提出更高要求：激光直接成像（LDI）需±0.5μm成像精度；脉冲电镀需铜厚均匀性±5%以内；钻孔需60-80μm微孔加工和±3μm孔位精度；AOI检测需精准识别15μm线宽缺陷。 建议关注大族数控、芯碁微装、东威科技、洪田股份、三孚新科：这些公司在LDI设备、电镀设备、激光钻孔设备、mSAP整体解决方案等环节具有核心布局。 1.6T光模块mSAP工艺量产良率需达98%以上，远高于传统工艺的70%-80%：精细化管控要求全流程实现线路缺陷、短路、线宽波动等问题的严格控制，工艺门槛大幅提升。H2：mSAP工艺——精细线路制造的核心技术。mSAP：改良半加成法的技术定位。 mSAP（改良半加成法）是在SAP（半加成法）基础上发展而来的先进PCB制造工艺。其核心在于：①初始铜层厚度从SAP的2-5μm缩减至1-2μm；②引入“差分蚀刻”技术，大幅提升线路边缘精度；③可实现几乎垂直的布线设计特性。mSAP的线宽/线距能力可达15-25μm，是类载板（SLP）、5G毫米波模块等高端产品的核心制造工艺。三大工艺路线对比。 减成法（≥50μm线宽/线距，铜层均匀性较差，侧蚀量多，材料利用率50%-60%）适用于普通消费电子PCB；SAP（30-40μm，良好，侧蚀量少，材料利用率90%-95%）适用于高端HDI板、服务器PCB；mSAP（15-25μm，优秀±3%，侧蚀量少，材料利用率95%以上）适用于类载板、5G模块、汽车高端PCB。mSAP的核心优势。 ①支持超精细线路制造，线路密度提升3倍以上；②铜层质量更高，抗拉强度可达350MPa以上，耐弯折次数比减成法提升50%；③适配高端基板材料（高频PTFE、柔性PI等）；④材料利用率达95%以上，蚀刻废液排放减少60%。（数据来源：方正证券《关注光模块及CoWop中mSAP工艺的应用及设备投资机会》）。H2：1.6T光模块——mSAP工艺的核心应用场景。1.6T光模块的工艺挑战。 1.6T光模块采用8×224Gbps PAM4通道设计，奈奎斯特频率高达56GHz，信号对插损、回波损耗、串扰及阻抗波动极度敏感。OSFP-XD封装尺寸受限，需在有限空间内集成16-20层线路，线宽/线距需缩小至15μm/15μm，布线密度较800G提升50%-100%。传统减成法失效。 传统减成法主要适用于≥50μm线宽线距设计，蚀刻精度低、线路侧壁不规则，无法实现细线路和高阻抗稳定性。而mSAP通过超薄种子铜层、图形电镀、闪蚀等流程，可实现陡直的线路侧壁和±1-2μm的线宽公差，有效降低高频信号损耗。基材要求大幅提升。 需采用超薄超低轮廓铜箔，厚度控制在2μm以下，表面粗糙度Rz≤1.2-1.8μm。基材需选用超低介电常数（Dk<3.5）、超低介质损耗（Df<0.003）的高速材料，且需满足高耐热（Tg260℃）、低吸湿、低CTE热膨胀率的要求。良率与可靠性。 1.6T光模块mSAP工艺的量产良率需达到98%以上，而传统工艺良率仅为70%-80%。需适应-40℃-85℃的冷热冲击、高湿、振动等极端环境。（数据来源：方正证券《关注光模块及CoWop中mSAP工艺的应用及设备投资机会》）。H2：CoWop封装——PCB向类载板升级。CoWop的颠覆性理念。 CoWop将芯片封装在晶圆上并直接置于平台PCB上，ABF或BT基板从堆叠结构中消失，信号传输路径最短。这要求PCB必须变得更像基板（载板），需要线宽/间距在15-20μm范围内的超高密度互连（Ultra-HDI）板。类载板（SLP）的定义。 传统PCB及HDI板的线宽线距大于30/30μm，而IC载板的线宽线距通常小至15/15μm。将L/S达到小于30/30μm的HDI板称为SLP（类载板）。SLP是介于常规PCB和IC载板之间的产品形态。产业链价值转移。 CoWop方案中，产业链价值向高端先进PCB制造厂商转移。PCB制造商有望承担更多封装功能，改变先进封装供应链的结构。SLP的应用从手机（苹果2017年首次使用）向AI加速器、车用电子等领域渗透。技术成熟度对比。 CoWoS（成熟/大规模量产）、CoPoS（中期规划）、玻璃基板（中期规划）、CoWop（长期规划/早期样品研发）。CoWop当前仍处于早期研发阶段，但代表了封装技术的重要发展方向。（数据来源：方正证券《关注光模块及CoWop中mSAP工艺的应用及设备投资机会》）。H2：mSAP工艺对设备的要求。激光直接成像（LDI）设备。 需实现±0.5μm的成像精度和±1.5μm的对位精度，确保细线路图形的精准呈现。脉冲电镀设备。 需控制铜厚均匀性在±5%以内，保证线路分布均匀、无凹陷。钻孔设备。 需实现60-80μm的微孔加工和±3μm的孔位精度，避免钻孔碳化影响信号传输。800G/1.6T光模块PCB盲孔孔径需达到3mil（约76μm），超快激光钻孔有望受益。多层压合与对位。 分序压合+光学对位系统，层间对位精度≤25μm，控制翘曲<0.5%。每序压合后进行X-ray空洞检测。AOI/3D AOI检测设备。 需精准识别15μm线宽的缺陷。激光钻孔后100% AOI检查，确保隐蔽缺陷零遗漏。相关标的。 大族数控（mSAP 3.0工艺技术储备）、芯碁微装（LDI设备/国产替代）、东威科技（CO2/UV/超快激光钻孔设备）、洪田股份（MSAP电镀设备/线宽线距最小8μm）、三孚新科（mSAP工艺+设备+化学品整体解决方案）。（数据来源：方正证券《关注光模块及CoWop中mSAP工艺的应用及设备投资机会》）。H2：未来3-5年机会洞察。机会一：1.6T光模块放量驱动的mSAP设备需求。 随着AI数据中心向1.6T光模块升级，mSAP工艺成为必选项。相关设备（LDI/电镀/钻孔/AOI）需求有望持续增长。机会二：CoWop封装推动PCB产业升级。 CoWop方案下PCB向类载板升级，产业链价值向高端PCB制造商转移。具备mSAP工艺能力的PCB设备厂商有望受益。机会三：国产替代加速。 芯碁微装等国产LDI设备性能已比肩海外厂商，交付周期仅为海外一半。载板领域的国产替代有望加速。机会四：mSAP工艺从高端向中端渗透。 随着材料技术和制程设备精度提升，mSAP有望逐步降低成本、提升良率，向更广泛产业应用扩展。以上为报告核心趋势分析，如需获取完整报告详细数据及全部设备标的分析，请访问下载页下载完整PDF报告。FAQ。Q1：mSAP工艺与传统减成法的核心区别是什么？减成法是在覆铜基板上蚀刻去除多余铜，适用于≥50μm线宽线距；mSAP采用超薄种子层+图形电镀+差分蚀刻，可实现15-25μm线宽线距，铜层均匀性±3%，材料利用率95%以上。Q2：1.6T光模块为何必须使用mSAP工艺？1.6T光模块线宽线距需缩小至15μm/15μm，布线密度较800G提升50%-100%。传统减成法蚀刻精度低、侧壁不规则，无法满足高频信号传输要求。mSAP可实现陡直侧壁和±1-2μm线宽公差。Q3：CoWop封装对PCB提出了什么新要求？CoWop方案中ABF/BT基板消失，PCB需具备类载板（SLP）能力，线宽间距15-20μm，需多次层压工艺和精心设计的材料控制翘曲和CTE。产业链价值向高端PCB制造商转移。Q4：mSAP工艺涉及哪些核心设备？LDI设备（±0.5μm成像精度）、脉冲电镀设备（铜厚均匀性±5%）、钻孔设备（60-80μm微孔/±3μm精度）、多层压合设备（层间对位≤25μm）、AOI检测设备（识别15μm缺陷）。Q5：相关投资标的建议关注哪些？大族数控（mSAP 3.0储备）、芯碁微装（LDI国产替代）、东威科技（激光钻孔设备）、洪田股份（MSAP电镀设备/最小8μm线宽）、三孚新科（mSAP整体解决方案）。数据来源说明。本页面所有数据均来源于方正证券《关注光模块及CoWop中mSAP工艺的应用及设备投资机会》研究报告及相关公开数据。