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【国金证券】计算机行业研究:电容为什么叫电RAM-260531(10页).pdf

上传人: 向** 编号:1258502 2026-05-31 10页 1.52MB

1、电容为什么叫电RAM行业观点功耗爆发叠加脉冲负载,电容成为算力的“能量缓冲”。AI服务器单卡功耗从GB200的约1200W抬升至GB300的约1400W,整机柜满载功耗从风冷mathsfH100的约40kW跃迁至GB300NVL72的132-140kW、RubinUltraKyber机架的约600kW量级。与CPU时代的稳态用电不同,数千颗GPU在锁步协同下执行相同计算,功率在微秒至亚毫秒级阶跃式突变,而传统UPS切换响应在毫秒级,两者存在两到三个数量级的错配。要在GPU瞬时拉满功率时供得上电,必须依靠从纳秒到秒级的多级电力缓存逐级接力这正是电容被称为“电RAM”的物理本源:HBM是算力的数据

2、缓冲,电容是算力的能量缓冲。四类电容在多级缓存中各司其职,电源高压化带来配比跃升。贴近GPU/CPU的MLCC与MLPC承担纳秒级电压滤波;PSU电源侧的牛角型铝电解电容承担中间级滤波,伴随单模块功率从约5.5kW向18.5kW升级、供电向800V直流演进,单机铝电解电容配比同步抬升;机柜电源架的超级电容承担毫秒至秒级储能调峰。据村田制作所披露,GB300单台AI服务器搭载约3万颗MLCC、单一AI机柜消耗高达44万颗;据TrendForce数据,VR200单机柜MLCC用量约60万颗,较GB300高出30%以上。四类电容功能互补、并存放量,并非替代关系。AI需求爆发驱动电容全面通胀,复制存储

3、量价齐升路径。据村田制作所预估,AI服务器用MLCC需求将以年均约30%的速度扩大,2030年较2025年增加约3.3倍;据MordorIntelligence,全球MLCC市场规模将从2025年的272.5亿美元增长至2030年的611.2亿美元。需求暴增叠加日韩高端产能向AI倾斜挤占消费级供给,被动元件已进入全品类、多轮次涨价周期AI服务器专用MLCC调价幅度达30%35%,高端现货价上涨15%-35%,交期由8周拉长至16-24周。电容环节正沿“需求暴增产能转向高端中低端供给紧缩价格反向传导”复制存储的量价齐升。材料-工艺-成品全链条卡位,电容主场在中国。MLCC高端市场约77%由村田、

4、三星电机、太阳诱电等日韩厂商占据,国内厂商承接海外溢出、并因日韩产能挤占消费级而受益于消费级MLCC涨价;铝电解电容、超级电容、MLPC三个细分赛道,中国厂商已具备从电极箔到成品的全产业链能力。电极箔在铝电解电容成本中占比超70%,中国厂商在腐蚀箔、化成箔、积层箔三个细分均具备核心竞争力积层箔比容较传统化成箔高20%-40%、相同容量下体积缩小约20%,东阳光与日本东洋铝业合作掌握全球独家专利。电容主场在中国,具备更强的产业纵深。相关标的1)电容:江海股份、东阳光、海星股份、思源电气、艾华集团、万裕科技等。2)MLCC:三环集团、风华高科、火炬电子、洁美科技、博纤新材、商络电子、信维通信等。3

5、)SST:四方股份、金盘科技、阳光电源、京泉华、可立克等。4)SST需要用到的SiC:天岳先进、晶升股份、宇晶股份、三安光电等。AI资本开支不及预期的风险;AI服务器代际推进不及预期的风险;800VHVDC与SST渗透不及预期的风险;海外大客户认证进度不及预期的风险。一、为什么叫“电RAM”:功耗爆发叠加脉冲负载,逼出电的多级缓存1.1单卡与整机柜功耗同步跃迁,AI供电系统面临极限挑战AI服务器的功率密度正在以代际跃迁的速度抬升。英伟达GB300NVL72平台单卡B300GPU典型功耗约1400W,相比上一代GB200的约1200W提升约17%;整机柜满载功耗达到130-140kW区间,较风冷

6、H100机柜的约40kW实现约3.5倍跃迁。再往后看,VeraRubinNVL72延续Oberon机架架构,RubinUltra搭配下一代Kyber机架将单柜功率推升至约600kW量级,并采用800V直流供电以支撑1MW及以上的机架功率需求。功率绝对值的逐代抬升,意味着供电系统每一级都要承受更大的电流与更陡的负载变化。这一功耗水平的抬升,本质上由GPU数量与单卡功率密度的双重放大驱动。单机柜GPU数量从HGXH100的8颗,跃升至GB300NVL72的72颗,再到RubinUltraNVL576的576颗;与之对应,机柜电源系统需要在更小的空间里完成更大功率的传输、转换与缓冲。供电能力能否跟上

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