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1、【方正电子 公司深度报告】东微半导（688261.SH）：结构创新缔造汽车/工控领域功率之“芯”分析师：吴文吉登记编号：S1220521120003证券研究报告电子行业2022年12月16日东微半导 业务版图资料来源：Wind，公司年报，公司官网，方正证券研究所整理具备从专利到量产完整经验的高性能功率半导体公司2MOSFET超级硅MOSFET中低压屏蔽栅MOSFET业务占比约99%TGBTIGBT业务占比约1%自研1150款产品型号（含超级硅）高压超级结MOSFETGreenMOS 系列S 系列-EMI优化标准通用系列-高性能通用型E 系列-EMI性能平衡Z 系列-集成快恢复二极管（FRD）超

2、级硅系列-开关速度优化适配器TV 电源板新能源汽车直流充电桩储能和光伏逆变器5G基站电源及通信电源车载充电器PC 电源手机快速充电器数据中心服务器电源UPS电源和工业照明电源汽车消费电子工业应用SFGMOS 系列高Vth系列低Vth系列FSMOS 系列第三代半导体器件自研710款产品型号自研98款产品型号Hybrid-FETSiC MOSFETZVaXuZtZcVuYoNbRaO6MmOpPsQsQfQnMtRjMoPyQbRmNpMxNnNuNxNoOnR投资要点 深耕MOSFET十余年，延伸布局IGBT和第三代半导体器件。公司产品包括高压超级结/中低压屏蔽栅/超级硅MOSFET及TGBT，

3、覆盖01350V电压及0300A电流；下游应用聚焦在工业级和消费级领域，2016年自研的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片量产，打破国际垄断；同时公司积累了全球知名的品牌客户群如英飞源、客户A、高斯宝及视源股份等。具备从专利到量产的完整经验，高性能功率半导体设计的技术不可替代性极强。公司的高压超级结MOSFET相比普通硅基MOSFET在性能及电压等方面技术优势明显；较普通沟槽栅VDMOSFET器件，公司的中低压屏蔽栅MOSFET的导通特性与开关损耗等更优。根据Omdia预测，2024E全球功率半导体522亿美元市场空间，充电桩、5G基站及新能源汽车赋能需求。功率半导体仍被国际巨头垄断，CR5

4、达43%，但中国功率半导体市场稳步增长，国产替代需求助推国内厂商发展；根据前瞻产业研究院与EVTank预测，2024E中国充电桩保有量、新建5G基站数量及新能源汽车销量或达967万台/80万站/405万辆，广阔的应用市场空间持续驱动MOSFET及IGBT等功率半导体的需求。资料来源：Wind，公司招股说明书，英飞凌年报，Omdia，前瞻产业研究院，EVTank，方正证券研究所整理 盈利预测：我们预计公司2022-2024年营业收入11.3/16.1/21.8亿元，归母净利润2.8/4.0/4.9亿元，首次覆盖，给予“推荐”评级。风险提示：（1）上游原材料及零部件供应短缺风险；（2）下游需求不及

5、预期风险；（3）产品研发及产业化应用不及预期风险；（4）各项业务营收增速不及预期风险。盈利预测单位/百万20212022E2023E2024E营业总收入782 1130 1609 2178(+/-)(%)153.28 44.46 42.37 35.39 归母净利润147 276 399 493(+/-)(%)430.66 87.94 44.59 23.58 EPS(元)2.91 4.10 5.92 7.32 ROE(%)25.96 9.69 12.29 13.19 P/E0.00 54.37 37.60 30.43 P/B0.00 5.27 4.62 4.01 3目录公司介绍：具备从专利到量产

6、高性能功率器件的完整经验1行业情况：2024E全球功率半导体522亿美元市场空间2盈利预测3公司发展历程：技术驱动型的功率半导体公司资料来源：公司招股说明书，公司年报，公司官网，方正证券研究所整理图表：公司发展历程技术驱动型的半导体技术公司：东微半导体成立于2008年，采用 Fabless 的经营模式，专注功率半导体技术创新，拥有多项半导体器件核心专利。坚持打破国外厂商的垄断：2016年东微半导自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产，打破国外厂商垄断。目前是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，在新能源领域替代进口半导体产品迈出了坚实一步，产品进入多个国