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双重曝光技术具体制造步骤及刻蚀后微观示意
双重曝光技术具体制造步骤及刻蚀后微观示意
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电子行业深度研究:半导体刻蚀设备技术发展推动国产放量可期-231231(19页).pdf
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浸没式 DUV(深紫外)光刻机的极限分辨率为 38nm,要实现更低的制程最主要的两种方法就是双重曝光技术(double exposure,DE) 和自对准双重成像技术 (self-aligned double patterning, SADP),更进一步延伸出 SAQP (self-aligned quadruple patterning) 技术。双重曝光就是采用两次分别曝光不同图形,两次曝光图形的叠加来实现更小的分辨率,必要的时候也可以三重甚至是更多重图形的叠加来实现更小的分辨率。SADP 技术可以相对轻松地实现光刻图形尺寸减缩小一倍,也就是说使用浸没式 DUV 光刻机结合 SADP 技术是可以实现 20nm 的图形。SAQP 技术可以来实现较先进制程工艺中线宽最小的 Fin 结构。SAQP 与 SADP 非常类似,相当于在使用完一次 SADP 技术以后,再使用一次 SADP,这样就可以实现线宽的四倍缩小,也就是实现 10nm 图形。多重曝光后刻蚀环节的步骤数增加,设备需求提升。
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