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台积电SoIC平台及基于其的AMD3DV-Cache技术
台积电SoIC平台及基于其的AMD3DV-Cache技术
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拓荆科技-公司深度报告:薄膜沉积拓展加速混合键合打开广阔空间-241012(35页).pdf
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2026-06-26
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拓荆科技(688072) 长存 3D NAND X-stacking 架构,先在 CMOS 外围电路和 NAND 存储阵列两片晶圆上完成独立的制造工艺,再通过混合键合的方式进行两片晶圆的链接。目前 EVG 约占据 W2W 混合键合 82%市场,其次为 TEL 公司。EVG单台设备价值量约为 500~800 万欧元/台。Die to Wafer 则主要应用于芯片异构集成,例如 SoIC、未来 HBM4 堆叠等,对准精度要求一致,但对机台速率及清洁度提出更高要求。当前,D2W 尚未十分成熟,BEIS 凭借其机台优异良率,基本成为该领域核心玩家。台积电 SoIC 平台即基于此工艺,AMD 2023 年发布的 AI 芯片 MI300 系列产品即搭配 SoIC 和 CoWoS 封装,实现12 颗晶粒的 chiplet 堆叠。苹果 M5 系列芯片也计划采用台积电 SolC 封装技术。为满足客户需求,台积电持续扩产,2023 年底 SoIC 月产能 2000 片,目标 2024 年底 6000 片/月,2025 年有望提升至 1.4~1.45 万片/月。当前, Besi 设备可以实现 10μm 以下的连接点间距、0.5-0.1μm 的对准精度,以及 1w~100w 连接点/mm2 的连接密度。单台设备价值量也迅速提升,以 Besi为例,同系列倒装用固晶机单价大约 50 万美元/台,而混合键合设备单价将拓荆科技(688072)
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拓荆科技-公司深度报告:薄膜沉积拓展加速混合键合打开广阔空间-241012(35页).pdf
CVD设备分类及比较
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