1、证券研究报告:电子|公司点评报告市场有风险,投资需谨慎请务必阅读正文之后的免责条款部分股股票票投投资资评评级级买买入入|维维持持个个股股表表现现2024-112025-012025-042025-062025-092025-11-14%-4%6%16%26%36%46%56%66%76%86%盛美上海电子资料来源:聚源,中邮证券研究所公公司司基基本本情情况况最最新新收收盘盘价价(元元)166.06总总股股本本/流流通通股股本本(亿亿股股)4.80/4.36总总市市值值/流流通通市市值值(亿亿元元)797/72552 周周内内最最高高/最最低低价价202.88/92.60资资产产负负债债率率(%
2、)36.8%市市盈盈率率62.90第第一一大大股股东东ACMRESEARCH,INC.研研究究所所分析师:翟一梦SAC 登记编号:S1340525040003Email:分析师:吴文吉SAC 登记编号:S1340523050004Email:盛盛美美上上海海(6 68 88 80 08 82 2)充充分分受受益益于于存存储储扩扩产产l投投资资要要点点全全球球首首创创 S SA AP PS S/T TE EB BO O 兆兆声声波波清清洗洗技技术术和和单单片片槽槽式式组组合合清清洗洗技技术术,先先进进制制程程清清洗洗设设备备持持续续推推进进。在半导体清洗设备领域,据Gartner 统计,公司全球
3、市场占有率达 8.0%(位居全球第四)。根据部分中国厂商统计,公司单片清洗设备中国市场占有率超 30%,在国内外全部清洗设备供应商中,中国市场占比位列第二;2025年 3 月,公司自主研发的单单晶晶圆圆高高温温 S SP PM M 设设备备已成功通过关键客户验证,该工艺对下一代半导体器件制造具备重要价值。除此之外,公司 S SA AP PS S 兆兆声声波波单单片片清清洗洗设设备备目前已应用于逻辑 28nm 技术节点及 DRAM 19nm 技术节点,并可拓展至逻辑芯片 28nm、DRAM18/19nm 技术节点、32/64 层 3D NAND 工艺、高深宽比的功率器件及 TSV 深孔清洗应用,
4、在 DRAM 上有 70 多步应用,而在逻辑电路FinFET 结构清洗中有近 20 步应用;T TE EB BO O 兆兆声声波波单单片片清清洗洗设设备备主要针对 45nm 及以下图形晶圆的无损伤清洗,目前已应用于逻辑芯片 28nm 技术节点,已进行 18-19nm DRAM 工艺图形晶圆的清洗工艺评估,并可拓展至28nm逻辑芯片及nm级3D结构、高深宽比DRAM产品及多层堆叠 3D NAND 等产品中,在 DRAM 上有 70 多步应用,而在逻辑电路 FinFET 结构清洗中有 10 多步应用;单单片片槽槽式式组组合合清清洗洗设设备备应用于包括前段干法蚀刻后聚合物及残胶去除,抛光后研磨液残留
5、物去除,离子注入后光刻胶残留物去除,通孔前有机残留物去除等工艺,目前已完成逻辑芯片 40nm 及 28nm 技术节点产线验证,并可拓展至 28nm 逻辑芯片、20nm DRAM 及以上技术节点及 64 层及以上 3D NAND,可用于 20 步及以上的高温硫酸及高温磷酸的清洗步骤。综上所述,公司通过差异化的创新和竞争,成功研发出全球首创的 SAPS/TEBO 兆声波清洗技术和单片槽式组合清洗技术。目前,公司的半导体清洗设备主要应用于 12 英寸的晶圆制造领域的清洗工艺,在半导体清洗设备的适用尺寸方面与国际巨头公司的类似产品不存在竞争差距。受益于大陆对集成电路产业的政策支持以及本土需求的提升,未
6、来几年公司的主要客户将保持较高强度的资本开支节奏,进而带动清洗设备在内的半导体制造设备需求保持高景气。立立式式炉炉管管:首首先先集集中中在在L LP PC CV VD D,再再向向氧氧化化炉炉和和扩扩散散炉炉发发展展,逐逐步步进进入入到到 A AL LD D 设设备备应应用用。公司研发的立式炉管设备主要包括低压化学气相沉积炉、氧化退火炉、合金炉和原子层沉积炉,目前公司立式炉管设备技术储备丰富,炉管平台相关专利在 20 项以上,在成熟炉管平台的基础上,向高低介质常数原子层和高深宽比沟道材料填充以及其他特殊应用炉管方向拓展。一方面,公司进一步迭代研发,另一方面拓展新的炉管设备类型,旨在研发出高介质