【爱建证券】半导体设备行业点评：存储原厂Capex上调，看好半导体设备景气-260713（2页）.pdf

核心数据速览： 美光投资计划：2035年前超2500亿美元（原2000亿，+25%），目标40% DRAM产能在美国。 美光FY2025 Capex：约138亿美元。 美光FY2026 Capex预计：超250亿美元（同比+80%+）。 韩国投资计划：4755万亿韩元（三星+SK集团+政府）。 三星FY2026总投资：超110万亿韩元（约733亿美元），首次突破100万亿韩元。 SK海力士FY2025 Capex：约30.2万亿韩元（约256亿美元）。 全球存储月产能（2024） ：约320万片（韩国45%、中国大陆24%、中国台湾16%、美国<2%）。 长鑫存储月产能（2028E） ：50万片（全球份额11%→17%）。 HBM晶圆投入占比：2025年18%→2026年22%→2027年30%。 HBM产能乘数：单位比特所需晶圆为DDR5的2.5-3倍。H2：报告核心数据解读。H3：资本开支——存储原厂全面提速。美光FY2026 Capex预计超250亿美元（+80%+），2035年前累计投资超2500亿美元。三星FY2026总投资超110万亿韩元（约733亿美元），首次突破100万亿韩元。SK海力士FY2025 Capex约30.2万亿韩元（约256亿美元），FY2026预计大幅增长。全球存储原厂资本开支持续上修，进入新一轮上行期。H3：产能格局——东亚集中，中美扩张。2024年全球DRAM与NAND月产能约320万片，韩国45%、中国大陆24%、中国台湾16%、美国不足2%。长鑫存储2028年月产能有望达50万片，全球份额从11%升至17%。美光目标40% DRAM产能布局美国。H3：设备受益——HBM驱动价值量重塑。HBM晶圆投入占比从18%→22%→30%，持续挤占通用DRAM产能。沉积（ALD/PECVD）、刻蚀（高深宽比/深硅）、量检测（缺陷检测/过程控制）深度受益。（数据来源：TrendForce、Yole、SemiAnalysis、公司公告、爱建证券研究所）。H2：报告独有数据价值——行业级与公司级颗粒度。 美光投资计划：2035年前超2500亿美元（较此前2000亿美元+25%），纽约州克莱工厂提前施工。目标美国本土DRAM产能占全球40%。FY2025 Capex约138亿美元，FY2026预计超250亿美元（+80%+）。 韩国投资计划：6月29日，韩国政府联合三星、SK集团发布4755万亿韩元国内投资计划，重点布局半导体及AI数据中心。 三星FY2026计划：总投资超110万亿韩元（约733亿美元），首次突破100万亿韩元，存储业务资本开支将显著增加。韩国龙仁园区投产提前1-2年，目标2029年量产。 SK海力士：FY2025 Capex约30.2万亿韩元（约256亿美元），FY2026预计仍将保持大幅增长。 全球存储产能：2024年全球DRAM与NAND月产能约320万片，韩国~45%（144万片）、中国大陆~24%（77万片）、中国台湾~16%（51万片）、美国<2%（6.4万片）。 中国存储扩张：长鑫存储合肥基地全面投产及上海基地一期/二期产能逐步释放，2028年月产能有望达50万片，全球DRAM份额从2025年11%升至约17%。 HBM产能挤占：三大原厂HBM晶圆投入占DRAM总投入：2025年~18%→2026年~22%→2027年~30%。HBM单位比特所需晶圆产能约为常规DDR5的2.5至3倍。 设备受益环节： 3D NAND（300层+）：高深宽比刻蚀、介质薄膜沉积（ALD）、CMP。 HBM/先进DRAM：TSV（深硅刻蚀、金属填充CVD）、混合键合（表面处理、键合设备）、量检测。 良率管理：缺陷检测、过程控制、量测设备。 重点推荐标的： 平台型：北方华创（002371）。 沉积：拓荆科技（688072）、微导纳米（688147）。 刻蚀：中微公司（688012）。 量检测：精智达（688627）、精测电子（300567）、天准科技（688003）。 清洗：盛美上海（688082）。 行业评级：爱建证券维持机械设备行业“强于大市”评级。H2：谁需要这份报告？ 半导体行业研究员与分析师：获取存储原厂资本开支、产能格局、设备价值量重塑的完整数据。 机构投资者与基金经理：把握存储扩产周期下半导体设备的投资机会与标的排序。 半导体设备企业战略部门：了解HBM/3D NAND驱动的设备需求变化及竞争格局。 存储芯片产业链投资者：跟踪HBM产能挤占对通用DRAM供需的影响及行业景气周期。 关注国产替代的投资者：评估长鑫存储扩产及国产设备导入的投资机会。FAQ。问：这份报告包含哪些核心内容？答：报告涵盖美光2500亿美元投资计划、韩国4755万亿韩元投资计划、全球存储产能分布、HBM产能挤占逻辑、存储扩产对沉积/刻蚀/量检测设备的需求拉动，以及重点推荐标的。问：报告的数据来源是什么？答：数据来源于TrendForce、Yole、SemiAnalysis、公司公告及爱建证券研究所。问：报告适合哪些人阅读？答：适合半导体研究员、机构投资者、半导体设备企业战略部门、存储芯片产业链投资者及关注国产替代的投资者。问：HBM如何影响存储芯片供需格局？答：HBM单位比特所需晶圆为DDR5的2.5-3倍，HBM占比从18%升至30%持续挤占通用DRAM产能，导致供给结构性压缩，延长行业景气周期。问：存储扩产对半导体设备哪个环节最有利？答：沉积设备（ALD/PECVD）、刻蚀设备（高深宽比刻蚀/深硅刻蚀）、量检测设备（缺陷检测/过程控制）深度受益。HBM推动TSV、混合键合等先进工艺，对设备要求更高。问：如何获取完整报告？答：点击下载按钮即可获取完整PDF报告，包含全部行业数据、公司动态及投资评级。完整PDF报告包含内容。完整PDF报告涵盖以下核心模块：1. 事件背景（美光投资、韩国投资计划）。2. 全球存储产能格局（分布、中国扩张、美国布局）。3. 存储原厂资本开支趋势（美光、三星、SK海力士）。4. HBM产能挤占逻辑与景气周期。5. 设备价值量重塑（3D NAND、HBM/先进DRAM）。6. 重点受益设备环节与标的。7. 投资建议。8. 风险提示。延伸阅读：如需了解行业趋势与战略洞察，可返回查看本报告深度分析页面。数据来源说明：本页面所有数据均基于爱建证券2026年7月13日发布的《半导体设备行业点评：存储原厂Capex上调，看好半导体设备景气》。完整数据及详细分析请参阅完整PDF报告。