拓荆科技-688072-A股公司研究报告：薄膜沉积受益于存储扩产三维集成打开成长空间-260603（4页）.pdf

1、 证券研究报告|公司点评报告 2026 年 06 月 03 日 强烈推荐强烈推荐（上调）（上调）薄膜薄膜沉积沉积受益于存储扩产受益于存储扩产，三维集，三维集成成打开成长空间打开成长空间 TMT 及中小盘/电子 当前股价：596.0 元 拓荆科技为国内薄膜沉积设备龙头，已形成拓荆科技为国内薄膜沉积设备龙头，已形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 等薄膜沉积设备矩阵，并向等薄膜沉积设备矩阵，并向混合键合等混合键合等三维集成设备延伸。公三维集成设备延伸。公司司 PECVD 基本盘持续放量，基本盘持续放量，ALD、沟槽填充、沟槽填充 CVD 及及混合键合等设备混

2、合键合等设备加速突破加速突破，当前在手订单旺盛、新品当前在手订单旺盛、新品验证顺利，验证顺利，有望受益于国内存储及逻辑扩产大周期有望受益于国内存储及逻辑扩产大周期。调整至“强烈推荐“投资评级。调整至“强烈推荐“投资评级。薄膜沉积为前道制造核心环节，先进制程与存储升级持续打开市场空间。薄膜沉积为前道制造核心环节，先进制程与存储升级持续打开市场空间。SEMI预计全球半导体设市场空间持续正增长至 2029 年，2025 年全球半导体制造设备总销售额达 1351 亿美元，其中前道设备占比约 86%，2029 年有望攀升至 1720 亿美元。2025 年中国大陆半导体设备销售额达到 493 亿美元，占全

3、球半导体制造设备销售额约 36.51%。薄膜沉积设备是前道芯片制造与先进封装的核心装备之一，是实现集成电路先进逻辑及 3D NAND、DRAM/HBM 等先进存储芯片技术突破的核心支撑。薄膜沉积设备市场规模约占前道制造设备市场的 22%，2025 年全球薄膜沉积设备市场规模约为 255 亿美元，中国大陆薄膜沉积设备市场规模约 93 亿美元。分设备类型看，PECVD 是薄膜设备中占比最高的设备类型，约占整体薄膜沉积设备市场的 33%，溅射 PVD 设备占比 19%，ALD 设备占比约为 11%，其他薄膜沉积设备包括 SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 等。从产业技术看，全球逻辑制

4、程逐步向更前沿及3D 堆叠进展，对薄膜沉积设备如 PECVD 及 ALD 等用量会显著增长。公司薄膜沉积产品矩阵完善，公司薄膜沉积产品矩阵完善，PECVD 基本盘放量，基本盘放量，ALD 及沟槽填充设备加及沟槽填充设备加速突破。速突破。1）PECVD 设备：设备：2025 年实现营收约 51.42 亿元，同比增长 75.3%。PECVD 是芯片制造中应用最广泛的薄膜沉积设备之一，主要用于逻辑、存储、功率器件、Micro-OLED 及硅光等领域，覆盖通用介质薄膜和先进介质薄膜沉积。截至 2025 年 PECVD 设备已实现 3,400 个反应腔的累计出货，其中 400余个为新型高产能平台 pX

5、和 Supra-D，适配先进制程需求。2）ALD 设备：设备：2025 年实现营收约 3.01 亿元，同比增长 191.82%。ALD 设备适用于高深宽比、极窄沟槽等复杂结构，可实现优异台阶覆盖率及精确膜厚控制。研发和客户验证方面，PE-ALD SiO2、SiN、SiCO 等多款设备量产规模快速提升，Thermal-ALD 首台 TiN 工艺产品通过客户验证。3）HDPCVD、SACVD、Flowable CVD 等等沟槽填充设备沟槽填充设备：主要面向不同深宽比结构的填充工艺，其中 SACVD 主要用于深宽比小于 7:1 的沟槽填充，HDPCVD 主要用于深宽比小于 5:1 的沟槽填充，Flo

6、wable CVD 主要用于深宽比大于 7:1 的沟槽填充，可支持浅槽隔离、金属前介质层等关键工艺环节。客户端数据显示，设备平均运行稳定性超 90%，累计流片量突破 4.57 亿片，2025 年单年流片量达 2.1亿片，验证了其技术成熟度与市场认可度。先进封装向三维堆叠演进先进封装向三维堆叠演进，混合键合设备需求持续提升混合键合设备需求持续提升。随着先进逻辑、HBM、Chiplet 和三维堆叠等技术持续推进，芯片制造逐步从单纯依赖制程微缩，转向通过先进封装和三维集成提升系统性能。三维集成可实现芯片高密度互连、垂直堆叠及系统级集成，其中先进键合设备主要承担晶圆或芯片的等离子活化、清洗、对准、键合