半导体行业深度二：存储拐点将至新需求点亮曙光-230517（43页）.pdf

1、 敬请参阅最后一页特别声明 1 价格端，存储器价格已跌破历史最低位置（当前 DRAM 价格距离最高点下跌超 60%，部分料号现货价与合约价已经出现倒挂），价格潜在下跌空间较小。供给端，原厂库存开始减少，模组厂商库存逐渐见底，主动去库存效果明显。需求端，服务器新世代 CPU 的推出和 AI 需求增加，将提升 DDR5、HBM 等高性能产品及高密度模组的需求。我们认为存储价格有望逐渐接近下行周期底部，并看好 2023 年二三季度存储板块迎来止跌。根据 IC Insights 的数据，2021年 DRAM在整个存储市场的市场份额约为 56%，Flash 闪存的市场份额约为 43%，其中 NAND 闪

2、存为 41%，NOR 闪存为 2%，其他存储芯片（EEPROM、EPROM、ROM、SRAM）将会缓慢成长，但大幅抢占市场的可能性较小。2024 年 NAND 市场规模有望达 684 亿美元，随着 NAND 原厂陆续缩减资本开支，NAND 产能正在逐渐收敛，库存去化正在进行。我们看好原厂和渠道的库存水位或在 23 年 Q2 或 Q3 见顶，NAND 价格出现弹性，2024 年 NAND市场有望实现复苏。目前 NAND 行业形成了三星、海力士、Solidigm、美光、铠侠、WDC 六家公司同台竞争的格局，2022Q3 的 CR3 达 65%，CR6 接近 95%，随着 WDC 与铠侠的合并谈判急

3、速，我们预计未来行业集中度将进一步提高。美光、三星和海力士都有望在 23 年将产能转进 200 层以上，Solidigm 以及铠侠/WDC 将落后一世代的制程。3D NAND 解决了 2D 结构下“闪存缩放限制”的问题，大容量、高堆叠层数的 3D NAND 将是行业未来发展趋势。2023 年全球 DRAM 市场规模有望达 596 亿，DRAM 厂商产能增加幅度收敛，DRAM 厂商扩产计划有所延后。数十年的大浪淘沙后，2022Q3 DRAM 市场 CR3 超过 95%，三星、海力士和美光分别占比 41%、29%和 26%。DRAM可分为主流DRAM和利基型DRAM，随着国外大厂逐渐推出利基市场（

4、三星21Q4停产DDR2，预计23年停产DDR3；海力士也计划停产 DDR3），国内厂商将迎来份额提升的机会。EUV 和 3D DRAM 或成未来趋势，从三大厂商的工艺制程上看，美光在制程上领先，三星在 EUV 的使用上领先。2028 年 NOR Flash 市场规模有望达 61 亿美元，21-28 年 CAGR 达 14.4%，NOR Flash 十年低迷期已过，新应用的普及打开向上成长曲线。NOR Flash 凭借接口简单、轻薄、低功耗、系统总体成本更低、读取速度快等特点成为5G、TWS 蓝牙耳机、AMOLED、IOT 以及自动驾驶汽车等新应用的首选，NOR Flash 和 NAND Fl

5、ash 性能和定位不同，二者可互补而不可替代。NOR Flash 市场经历数次洗牌，海外厂商逐渐撤退，中国台湾和中国大陆厂商趁势而起，2021 年 NOR Flash 市场份额主要被华邦、旺宏和兆易创新所占据，市占率分别为 35%、33%和 23%。我们测算得 2026 年 HBM 市场规模有望达 56.9 亿，2022-2026 年 CAGR 有望达 52%。“3D 堆叠+近存储运算”突破内存容量与带宽瓶颈，HBM 成为处理大量数据和复杂处理要求的理想解决方案。根据 TrendForce 的数据，2022年三大原厂 HBM 市占率分别为 SK 海力士约 50%、三星约 40%、美光约 10%

6、，随着海力士在 HBM3 产品上的持续领先，预计海力士市占率将继续走高。重点推荐：江波龙、兆易创新、澜起科技、东芯股份、普冉股份。海外市场陷入经济衰退；存储产品库存持续增长；存储价格持续下跌；美国加大对华半导体领域制裁。行业深度研究 敬请参阅最后一页特别声明 2 内容目录内容目录 一、以史为鉴：存储技术率先引领半导体行业两次变革.6 1.1 全球半导体存储行业的现状.6 1.2 存储引领两次半导体产业迁移.6 1.3 我国半导体及存储行业基础薄弱，国产替代空间巨大.8 二、DRAM 和 Flash 是大厂存储技术争夺的主战场.12 2.1 DRAM 与 Flash 是市场主流的半导体存储器.1