电子行业：AI推理时代下的存储创新从被动记录到存算融合——海外存储深度报告（二）-260428（35页）.pdf

1、优于大势AI推理时代下的存储创新：从被动记录到存算融合-海外存储深度报告(二)报告摘要：TrendForce预计2026年一季度ConventionalDRAM合约价上涨90-95%。（1）需求侧，在不考虑HBM增量的情况下，单台八卡AI服务器的DRAM用量是传统服务器的6-7倍。根据日经亚洲报道，预计到2027年底DRAM产能只能满足全球60%需求。（2）供给端，存储厂CAPEX增长保守，叠加产能向HBM倾斜，每制造1颗HBM芯片，大约需要3颗同等容量标准DRAM的晶圆产能，导致整体产能刚性、扩产有限。目前全球主要DRAM制造商三星、SK海力士及美光都积极增加产能，但绝大部分新建产能最快要到

2、2027年才能上线，有些产能甚至需要等到2028年才会开出。2026年除了SK海力士2月于韩国清州一座新厂投入量产外，三家制造商几乎没有更多产线贡献产能。下一代存储创新：从被动器件转为参与计算的关键组件。存储厂商的创新核心围绕解决AI推理时代的存储瓶颈，特别是应对KV缓存爆炸式增长、agent带来的低延迟需求、以及处理长文本序列带来的挑战。创新主要体现在HBF、英伟达BlueFieldDPU、LPU、智能存储软件等，旨在将存储从被动器件转变为主动参与计算的关键组件。HBF由闪迪主导，有望在相同带宽下提供HBM16倍的容量。HBF将NAND闪存用TSV技术堆叠，即可在相同带宽（8TB/s）下提供

3、HBM16倍的容量（约3TB)。由于NAND的成本约为HBM的五分之一，因此经济效益也较为可观。HybridHBM+HBF架构将HBM与HBF共同封装在同一基板上，HBM负责处理动态数据，如键值缓存KVCache中变动频繁的部分，利用其极低延迟特征；HBF负责存放静态只读数据，如405B等模型的原始权重和预计算缓存，发挥其容量优势。目前预计闪迪2026年年底前完成HBF的开发，计划于2027年实现商业化量产。基于BluefieldDPU的CMX平台：从单点存储向簇级共享演进。2026年英伟达推出“推理上下文内存存储”（CMX）平台，是由BlueField-4DPU驱动、通过Spectrum-X

4、以太网连接的Pod存储基础设施。CMX平台建立了一个新的G3.5层，由于GPU/HBM的缓存容量有限，而DPU则能让GPU/HBM以较低的延迟访问远程存储设备，从而提升计算速度，减轻GPU/HBM的负担。LPU近存计算：智能体时代对低延时的极致追求。针对Llama3.1405B等超大模型，英伟达推荐采用GPU+LPU混合架构。GPU负责高算力密度的“预填充”阶段，而LPU凭借其存算一体的高带宽特性，负责超低延迟的“解码”阶段，兼顾了低延迟的交互性能和高吞吐量。NVIDIAGroq3LPU提供500MBSRAM、150TB/sSRAM带宽和2.5TB/s的扩展带宽。其中SRAM的优势在于交互响应

5、度提升时，SRAM架构能够以高度一致的能效表现，支撑极高的单用户token生成速度。由于消除了复杂的片外数据搬移，它有效规避了HBM架构在处理实时交互时的性能衰减。此类架构专注于快速的用户级响应。相关报告风险提示：存储需求不及预期带来涨价斜率放缓、技术创新商业化延迟3.风险提示.331DRAM:AI需求爆发+产能受限，预计2027年底DRAM产能只能满足全球60%的需求1.1AI推理需求爆发+供给刚性导致DRAM供需严重失衡，通用型DRAM的供应预计在2028年前持续受限DRAM市场在过去五年经历了从繁荣到需求疲软，再到AI驱动的超级复苏的完整周期。2022-2023年以来，受全球宏观经济“逆

6、风”影响，IT市场需求骤降，存储芯片量价齐跌，上游厂商不得不减产、存储厂商出现亏损。以SK海力士为例，2023年资本开支较2022年的19万亿韩元下降约50%。据集邦咨询，NAND和DRAM合约价分别直到2023年三季度和四季度才止跌起涨，SK海力士2023年四季度扭亏。据SK海力士2023年第四季度财报，当季度实现营收11.31万亿韩元，环比增长25%，同比提升47%；营业利润为0.35万亿韩元，而上季度与上年同期营业亏损分别为1.79万亿韩元和1.91万亿韩元。(divcenter)图1：2016-2025年SK海力士营业总收入、同比增速(亿美元)(/divcenter)2025年三季度至