电子行业美光FY26Q2跟踪报告：FY26Q2业绩超预期上修FY26 Capex至超250亿美元-260319（13页）.pdf

1、FY26Q2业绩超预期，上修FY26Capex至超250亿美元美光FY26Q2跟踪报告毛利率74.9%，同比+37pcts/环比+18.1pcts。1、FY26Q2收入与毛利率均超预期，DRAM库存DOI仍处紧张水平。3、FY26Q3指引再创新高，上调FY26资本开支将超250亿美元。FY26Q2收入238.6亿美元，同比+196%/环比+75%，大超此前指引（183-191亿美元）；Non-GAAP毛利率74.9%，同比+37pcts/环比+18.1pcts，大超此前指引（67-69%），毛利率提升主要源于产品均价上涨，同时受益于产品结构优化与成本管控成效。运营利润率为69.0%，同比+44

2、pcts/环比+22pcts，FY26Q2期末库存83亿美元，环比增加6200万美元，库存周转天数123天，DRAM库存周转天数仍处于紧张水平，低于120天。1)SCA：公司持续与客户推进战略客户协议，该协议不同于以往的LTA，包含多年期明确承诺，以提升业务模式的可见性与稳定性，目前已成功签署首份五年期战略客户协议。2）数据中心产品：数据中心TAM:AI需求推动数据中心DRAM与NAND的位元TAM将在2026年首次超过行业整体TAM的50%。HBM4:在英伟达GTC大会上，美光已于26Q1开始批量出货HBM436GB12H产品，该产品为英伟达VeraRubin平台量身定制。另外HBM4E的研发进展顺利,预计2027年实现批量量产。S0CAMM2:已送样业界首款256GBLPSOCAMM2产品，该产品基于1Y工艺打造，单CPU可支持高达2TB容量。SSD：已基于G9NAND批量生产PCleGen6高性能数据中心SSD。5英伟相关报告达Groq3LPX:在机架级架构中可搭载最高12TBDDR5。风险提示：宏观经济及政策风险；DRAM和NAND景气度下滑风险；存储价格下滑风险；新品研发不及预期的风险；行业竞争加剧的风险。(divcenter)图1：美光分季度营收及增速(/divcenter)