【华鑫证券】电子行业周报：四中全会公报“科技自立自强”成为未来五年关键词，全球存储价格持续高增-251027（29页）.pdf

1、 3 3 20252025 年年 1010 月月 2727 日日 四中全会公报“科技自立自强”成为未来五年关四中全会公报“科技自立自强”成为未来五年关键词，全球存储价格持续高增键词，全球存储价格持续高增 电子电子行业周报行业周报 推荐推荐(维持维持)投资要点投资要点 分析师：吕卓阳分析师：吕卓阳 S1050523060001 行业相对表现行业相对表现 表现 1M 3M 12M 电子(申万)0.8 37.5 53.6 沪深 300 2.4 12.9 17.8 市场表现市场表现 资料来源：Wind，华鑫证券研究 相关研究相关研究 1、电子行业周报：第二届湾芯展成功举办，ASML、台积电 Q3 业绩

2、大增2025-10-20 2、电子行业周报：地缘政治扰动加强国产替代趋势，国产半导体产业链升级持续推进2025-10-13 3、电子行业周报：存储芯片进入新一轮周期，国产 AI 芯片大时代已经开启2025-09-29 上周回顾上周回顾 10 月 20 日-10 月 24 日当周，申万一级行业涨跌呈分化的态势。其中电子行业上涨 8.49%，位列第 2 位。估值前三的行业为计算机、国防军工、电子，电子行业市盈率为 73.28。电子行业细分板块比较，10 月 20 日-10 月 24 日当周，电子行业细分板块均呈上涨态势。其中，印制电路板涨幅最大，达到14.05%。估值方面，模拟芯片设计、LED、数

3、字芯片设计板块估值水平位列前三，半导体材料和分立器件板块估值排名本周第四、五位。第四季度存储价格持续上升，存储上升大周期已第四季度存储价格持续上升，存储上升大周期已经来临经来临 存储板块价格趋势持续超预期。据韩国经济日报报道，三星电子、SK 海力士等主要内存供应商，将在今年第四季度继续向客户调整报价。幅度上，包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达 30%，从而顺应 AI 驱动的存储芯片需求激增趋势。早在 9 月下旬，三星电子便已发出第四季度提价通知，当时的计划是将部分 DRAM 价格上调 15%至 30%，NAND 闪存价格上调 5%至 10%。全球 AI 高速增长的 capex 以

4、及高性能的 AI 算力硬件的高速迭代对存储容量和性能提出了更高要求，进一步推动了市场对 DDR5 和 NAND Flash 等高性能存储产品的需求。根据 CFM 数据的监测，10 月 13 日至 10 月 18 日期间，现货市场价格加速飙升。在 DRAM 方面，DDR5 16G、DDR4 16G 和 DDR3 4G 的均价分别为 10.343 美金、24.167 美金和 2.72 美金，相较上周分别上涨了 20.59%、11.11%和 6.12%，相较上月更是分别上涨了 58.73%、43%和 33.46%。在 NAND Flash 方面，大容量 1Tb QLC、1Tb TLC、512Gb T

5、LC 和 256Gb TLC 的均价分别为 6 美金、6.7 美金、4.2 美金和 3.4 美金，相较上周分别上涨了 17.6%、17.5%、20%和 6.3%，相较上月则分别上涨了 22.4%、21.8%、31.3%和 13.3%。此轮存储涨价大周期最核心还是来自供需关系的改变，本轮存储产品涨价始于海外大厂联合减产，削减供给所致，一方-20020406080(%)电子沪深300证证券券研研究究报报告告 行行业业 行行业业研研究究 证券研究报告证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 2 诚信、专业、稳健、高效 面，中国芯片公司的中低端存储芯片业务日益成熟，促使三星、SK 海力士向更高端产品转

6、型，以谋求更高毛利率。同时，人工智能高速发展，对新制程与高级别存储产品需求更旺盛，从 2024 年三季度开始，以盈利为主基调的存储原厂（美光、三星、SK 海力士）就开始将部分利润率偏低的传统DRAM 产能转至 DDR5、HBM（高带宽存储器）等更高利润的产品，并逐步淘汰和减少 DDR4 及更老产品的生产。我们认为存储大周期已经来临，涨价趋势正在持续超预期，建议关注：兆易创新、澜起科技、德明利、江波龙、香农芯创、北京君正等。二十届四中全会后，科技自立自强成未来五年关二十届四中全会后，科技自立自强成未来五年关键词键词 中国共产党第二十届中央委员会第四次全体会议，于 2025 年10 月 20 日至