1、投资评级:看好(维持)产业链量产前夜,玻璃企业迎新生相关报告核心观点玻璃基板量产前夜,玻璃企业获新生:随着AIGPU、高性能计算(HPC)、Chiplet、HBM及CPO等技术快速发展,先进封装正朝着大尺寸、高带宽、低功耗方向演进,而传统ABF有机载板在热膨胀系数、翘曲控制及布线密度方面逐渐接近物理极限,而硅中介层则面临成本高、尺寸受限等问题。玻璃基板凭借低热膨胀系数、高平整度、低介电损耗及大尺寸制造能力,被视为下一代先进封装的重要技术路线。当前英特尔、台积电、三星等头部厂商持续加大投入,产业已逐步由技术验证阶段进入中试验证及产能建设阶段,预计2027-2028年有望迎来初步量产落地。1AI需
2、求驱动材料革新,玻璃基板迈入产业化拐点需求加速迭代催生下一代技术,玻璃基板发展正当时。玻璃基板是新一代先进封装的重要技术路线,其核心逻辑在于以特种玻璃材料替代传统有机封装基板中的有机核心材料(如ABF、BT树脂等),从而提升芯片封装的互连密度、信号传输性能及大尺寸封装稳定性。随着AIGPU、高性能计算(HPC)、Chiplet及CPO等技术快速发展,先进封装正朝着更大面积、更高带宽、更低功耗方向演进,传统有机基板在热膨胀系数、翘曲控制、布线密度及高频性能等方面逐渐接近物理极限,而硅中介层又存在成本高、尺寸受限等问题,行业亟需新的封装载体材料。在此背景下,玻璃基板凭借低热膨胀系数、高平整度、低介
3、电损耗及高尺寸稳定性等优势,被视为下一代先进封装的重要方向。相较传统ABF载板,玻璃基板可支持更高密度布线及更大尺寸封装,并有效降低高速信号传输损耗,尤其适用于AIGPU、HBM、Chiplet及CPO等高算力场景。(divcenter)图1:玻璃基板具备低热膨胀系数、高平整度、低介电损耗及高尺寸稳定性优势(/divcenter)科技巨头加速入局,产业逐步进入量产阶段。作为下一代先进封装的重要技术方向,玻璃基板已获得英特尔、台积电、三星等全球半导体龙头的重点投入。目前行业整体已由前期技术验证阶段逐步进入中试验证及产能建设阶段,量产时间表逐渐清晰。其中,英特尔产业化推进最为积极,目标于2030年
4、前后实现规模化应用;三星电机计划于2026一2027年推动量产落地;台积电则积极推进玻璃基板与面板级封装技术融合,探索下一代先进封装解决方案。整体来看,随着头部厂商持续投入及产业链逐步完善,玻璃基板正从实验室研发阶段向工程化验证及商业化应用阶段过渡。bullet英特尔:是玻璃基板领域最激进的推动者。自2023年9月率先发布先进封装玻璃基板计划以来,英特尔已投资10亿美元在亚利桑那州建设研发产线,2026年1月在NEPCONJAPAN展示GlassCoreSubstrate原型,同时,新墨西哥州RioRancho工厂(Fab9)或瞄准全球首座玻璃基板量产基地,商业化目标为2030年。台积电:正在
5、加速玻璃基板与面板级扇出型封装(FOPLP)的融合。台积电计划2026年建成玻璃基板FOPLP迷你产线,初期300mathrmmm规格,后续转向大面板,开发CoPoS(ChiponPanelonSubstrate)技术。三星电机:2024年1月CES正式宣布进军半导体玻璃基板,建设中试线。2025年11月与住友化学成立合资公司生产GlassCore(玻璃核心材料,非成品基板),世宗工厂pilotline提前启动。2025年玻璃基板项目从中央研究院转至封装解决方案事业部,标志从研发转向商业化。目标2026-2027年实现量产。2产业链:上游国产化加速,中游壁垒集中,下游AI驱动放量玻璃基板产业链
6、呈现“上游材料及设备壁垒高、中游制造工艺复杂、下游先进封装需求驱动的特征。其中,上游核心材料与设备决定工艺精度及良率水平,中游TGV加工环节是产业链核心壁垒,下游先进封装需求则决定行业放量节奏。从工艺流程看,玻璃基板制造主要包括玻璃原片制备、TGV通孔加工、金属化、电镀填孔、RDL重布线、平坦化及检测等环节。具体流程为:玻璃原片进厂后,使用激光诱导刻蚀设备钻孔;孔内添加Barrier层,之后通过PVD工艺制作铜种子层;经过曝光、刻蚀、显影工序制作下层铜线,铺设PI膜后重复上述流程,电镀加厚铜层,去除多余PI膜后铺设介电PI膜,完成单层制作;正反面重复上述流程实现多层结构,过程中配套退火、检测等