电子行业存储专题系列2：如何看待此轮存储周期的不同-260409（21页）.pdf

1、相关研究存储专题系列2：如何看待此轮存储周期的不同投资要点：bullet核心观点：随着AI训练和推理对算力需求的快速增长，数据中心对HBM、大容量DDR5及企业级SSD的存储需求快速增长，行业景气度持续提升。我们预计此轮周期和过去几轮存储周期有本质的不同，此轮存储景气周期是由AI驱动而非消费电子，而存储配置直接关系到AI系统的认知能力、功能实现及运行效率。当前，全球CSP大厂持续加大AI基础设施投入，单颗GPU搭载的HBM、DRAM、企业级SSD用量和容量显著增加，AI训练与推理过程中产生的海量数据（token）及输入输出文件，进一步推高了对存储的需求，形成持续且强劲的驱动力。bullet需求

2、端：AI推理需求爆发是存储需求的主要驱动力。根据TrendForce，预计2026年八大主要CSP的合计资本支出将超越7,100亿美元，同比增长约61%。若未来AI应用爆发，企业盈利有望大幅提升，CSP在2027年之后依旧有望大幅提升资本开支。虽然存储涨价对消费电子需求存在较大冲击，但本轮周期是由AI数据中心和云服务商主导，AI推理需求爆发是存储需求的主要驱动力，且AI对存储需求拉动明显高于消费电子下滑对存储需求的影响。bullet供给端：2026年存储原厂目前新建的产能相对有限，新增产能大部分在27H2释放。NAND方面，2026年海外存储大厂仅有铠侠K2,三星西安X2产线、海力士清州M15

3、等厂小幅扩产。DRAM方面，2026年仅有三星P4、海力士M15X等厂小幅扩产。资本开支方面，海外存储大厂资本开支未来主要聚焦AI方向，例如HBM、DDR5以及企业级SSD，而消费电子已不再是未来资本开支的重心。bullet供需关系：预计供需紧张持续至2027年之后。NAND方面，我们测算2025-2027年，NAND总需求分别为988EB、1130EB、1501EB,NAND总供给分别为986EB、1071EB、1447EB，预计2026-2027年NAND供需缺口分别为.5.26%、-3.60%。DRAM方面，我们测算2025-2027年，DRAM总需求分别为40EB、52EB、69EB，

4、DRAM总供给分别为41EB、48EB、68EB，2026-2027年DRAM供需缺口分别为.7.22%、-1.77%。bullet价格端：在AI强劲需求下，我们预计存储价格上涨有望贯穿2026年全年。根据TrendForce最新存储器价格调查,2026Q2因DRAM原厂积极将产能转向HBM、Server应用，并采用“补涨”策略拉近各类产品价差，尽管终端市场面临出货下修风险，预估整体一般型DRAM(ConventionalDRAM)合约价格仍将环比增长58mathrm-63%。NANDFlash市场持续由AI、数据中心需求主导，全产品线连锁涨价的效应不减，预计第二季整体合约价格将环比增长70m

5、athrm-75%。海力士表示在AI客户强劲需求的推动下，当前的存储价格上涨趋势可能贯穿2026全年。bullet风险提示：终端消费电子需求不及预期，资本开支不及预期，行业竞争格局加剧，行业技术发展不及预期。一、如何看待此轮存储周期的不同近期市场对存储板块的担忧集中在价格上涨动力、CSP资本开支、终端消费电子需求、存储行业周期位置及国内存储大厂竞争五个方面。具体包括：我们认为本轮周期实质是AI驱动存储产业从传统的周期性向成长性转变的逻辑，AI拉动HBM、企业级SSD等高附加值产品需求高增长，行业周期属性逐步弱化，存储供需紧张持续至少到2027年。1）目前从产业反馈来看，由于存储市场全面进入卖方

6、市场，具有很强的定价权，我们预计26Q2存储价格环比涨幅仍较高。而由于2026Q1大幅涨价之后基数较高，我们认为26Q2涨价略有放缓是合理的，重点关注绝对价格水平仍在快速提升。2）根据TrendForce，预计2026年八大主要CSP的合计资本支出将超越7,100亿美元，同比增长约61%。若未来AI应用爆发，企业盈利有望大幅提升，CSP在2027年之后依旧有望大幅提升资本开支。3）存储涨价对消费电子需求虽存在较大冲击，但本轮周期是由AI数据中心和云服务商主导，这些客户对价格敏感度较低，AI推理需求爆发是存储需求的主要驱动力，我们预计存储下游需求中服务器占比将超过40%。整体来看，AI对存储需求