碳化硅是由碳元素和硅元素组成的第三代半导体，被广泛应用于新能源汽车、光伏风电、5G 通信、轨道交通等领域。与硅相比，碳化硅的击穿电场强度是硅的10 倍；禁带接近硅的 3 倍；导热率为硅的 4-5 倍；电子漂移速是硅的 2 倍。碳化硅原材料的核心优势体现在以下几个方面：1) 耐高压：具有低阻抗和宽禁带宽度，可承受更大电流和电压，实现小尺寸产品设计和高效率。2) 耐高频：关断过程中无电流拖尾现象，可大幅提高器件的开关速度（约为硅的 3-10 倍），适用于高频率和快速开关。3) 耐高温：热导率更高，可在 600℃的高温度下工作。