前驱体材料根据形成薄膜材料属性划分，可以分为硅基前驱体与金属基前驱体；根据集成电路晶圆制造工序功能划分，可以分为 High-K 前驱体和 Low-K 前驱体，K 即介电常数，用于衡量一种材料存储电荷的能力，High-K 前驱体用于 High-K 金属栅极（HKMG）薄膜沉积工艺的 High-K 介质层；Low-K 前驱体用于集成电路后端布线工序 BEOL 中金属连线之间的绝缘介质。