碳化硅产业链相对较长，碳化硅器件形成需经过多步加工。行业属于技术密集型行业，目前一般以高纯碳粉、高纯硅粉为原料合成碳化硅粉，在特殊温场下，采用成熟的物理气相传输法（PVT 法）生长不同尺寸的碳化硅晶锭，晶锭加工后形成碳化硅晶棒，再将晶棒切割形成碳化硅晶片，通过将晶片研磨、抛光、清洗后，最终产出碳化硅衬底。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法 （CVD 法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。