1、请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容证券研究报告证券研究报告|20232023年年0606月月1919日日超配超配存储专题存储专题AIAI 发展驱动发展驱动 HBMHBM 高带宽存储器放量高带宽存储器放量核心观点核心观点行业研究行业研究行业专题行业专题电子电子半导体半导体超配超配维持评级维持评级证券分析师：胡剑证券分析师：胡剑证券分析师：胡慧证券分析师：胡慧021-60893306021-S0980521080001S0980521080002证券分析师：周靖翔证券分析师：周靖翔证券分析师：李梓澎证券分析师：李梓澎021-603754020755-S0980522100001S0980

2、522090001证券分析师：叶子证券分析师：叶子联系人：詹浏洋联系人：詹浏洋0755-81982153010-S0980522100003联系人：李书颖联系人：李书颖0755-市场走势资料来源：Wind、国信证券经济研究所整理相关研究报告射频电源行业专题-等离子体加工设备核心零部件，实现设备自主可控的必要条件 2023-04-19半导体 5 月投资策略及英伟达复盘-半导体周期已触底，3 月全球销售额环比微增 2023-05-14半导体行业一季报业绩综述：基金重仓股变化显著，半导体周期已触底 2023-05-07半导体 4 月投资策略及英特尔复盘-AI+开启半导体新周期，看好设备国产化提速及服

3、务器产业链 2023-04-17半导体 3 月投资策略及美光科技复盘-继续推荐封测龙头及产品、客户拓展顺利的设计企业 2023-03-06HBMHBM 是当前是当前GPUGPU 存储单元理想解决方案，存储单元理想解决方案，AIAI 发展驱动发展驱动HBMHBM 放量。放量。HBM（高带宽存储器，High Bandwidth Memory）是由 AMD 和 SK Hynix 发起的基于 3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合。AI 大模型的数据计算量激增，需要应用并行处理数据的GPU 作为核心处理器，而“内存墙”的存在限制了GPU 数据处理能力，HBM突破了内存容量与带宽

4、瓶颈，可以为GPU 提供更快的并行数据处理速度，打破“内存墙”对算力提升的桎梏，被视为GPU 存储单元理想解决方案，将在AI 发展中持续收益。TSVTSV技术是技术是HBMHBM 的核心技术之一的核心技术之一，中微公司是中微公司是TSVTSV设备主要供应商设备主要供应商。硅通孔技术（TSV）为连接硅晶圆两面并与硅衬底和其他通孔绝缘的电互连结构，可以穿过硅基板实现硅片内部垂直电互联，是实现2.5D、3D 先进封装的关键技术之一，主要用于硅转接板、芯片三维堆叠等方面。中微公司在 2010年就推出了首台TSV 深孔硅刻蚀设备Primo TSV，提供的8 英寸和12英寸硅通孔刻蚀设备，均可刻蚀孔径从低

5、至1 微米以下到几百微米的孔洞，并具有工艺协调性。ALDALD沉积在沉积在HBMHBM 工艺中不可或缺工艺中不可或缺，雅克科技是雅克科技是ALDALD 前驱体核心供应商前驱体核心供应商，拓荆拓荆科技是科技是ALDALD设备核心供应商设备核心供应商。由于ALD 设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，在HBM 中先进 DRAM 加工工艺和TSV 加工工艺中是必不可少的工艺环节。雅克科技是国内ALD沉积主要材料前驱体供应商，公司前驱体产品供应HBM 核心厂商SK 海力士，High-K、硅金属前驱体产品覆盖先进 1bDRAM、200 层以上 3DNAND 以及3nm 先

6、进逻辑电路等。拓荆科技是国内ALD设备的主要供应商之一，公司PEALD 产品用于沉积SiO2、SiN 等介质薄膜，在客户端验证顺利；Thermal-ALD 产品已完成研发，主要用于沉积Al2O3等金属化合物薄膜。HBMHBM主要应用主要应用2.5D+3D2.5D+3D 先进集成先进集成，ICIC 载板是转接板核心材料载板是转接板核心材料。HBM 借助 TSV技术实现 2.5D+3D 先进集成,而 IC 载板是集成电路先进封装环节的关键载体，建立IC 芯片与 PCB 板之间的讯号连接。在目前应用较广的 2.5D+3D的先进封装集成电路中，都采用 IC 载板作为承载芯片的转接板，如AMD2015