存储行业报告-PDF版

2023年深度行业分析研究报告正文目录正文目录一,一,半导体存储,半导体存储,数字经济的底盘,数字经济的底盘,集成电路第二大市场集成电路第二大市场,61,1历经半个世纪发展演进,半导体存储成为主流技术.

23人已浏览 2023-09-22 34页 5星级

本公司具备证券投资咨询业务资格,请务必阅读最后一页免责声明证券研究报告1存储器行业专题研究他山之石,探析模组厂的成长路径2023年09月03日存储细分市场复杂多样,模组厂推动晶圆产品化,存储原厂追求经.

18人已浏览 2023-09-05 24页 5星级

半导体存储专题,短期存储周期有望见底,中长期看好国产化加速行业深度报告请通过合法途径获取本公司研究报告,如经由未经许可的渠道获得研究报告,请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容,行业报告电子202.

30人已浏览 2023-08-17 37页 5星级

电子电子,证券研究报告证券研究报告行业深度行业深度2023年年7月月27日日强大于市强大于市公司名称公司名称股票代码股票代码股价股价评级评级兆易创新603986,SH人民币112,90买入东芯股份68.

48人已浏览 2023-07-28 76页 5星级

存储：周期拐点初现，存储：周期拐点初现，AI引领成长引领成长证券研究报告证券研究报告 行业动态报告行业动态报告发布日期：2023年7月16日本报告由中信建投证券股份有限公司在中华人民共和国（仅为本报告目的，不包括香港、澳门、台湾）提供。在遵守适用的法律法规情况下，本报告亦可能由中信建投（国际）证券有限公司在香港提供。同时请务必阅读正文之后的免责条款和声明。分析分析师：章合坤师：章合坤 18616557409SAC 编号：S1440522050001分析师：刘双锋分析师：刘双锋 15013629685 SAC 编号：S1440520070002SFC 编号：BNU539 1核心观点核心观点存储行业处于周期底部存储行业处于周期底部，当前库存仍需消化当前库存仍需消化，原厂耐不住亏损有强烈涨价意愿原厂耐不住亏损有强烈涨价意愿，模组厂正在加快备货模组厂正在加快备货。我们我们对对23Q323Q4存储价格展望乐观存储价格展望乐观，但当前需求端能见度低但当前需求端能见度低，相关厂商业绩同比修复尚需时间相关厂商业绩同比修复尚需时间。存储为存储为“强强beta，弱弱Alpha”行业行业，每一轮景气周期需要应用创新拉动需求每一轮景气周期需要应用创新拉动需求，我们认为下一轮景气周期将由我们认为下一轮景气周期将由AI引领引领，相关相关厂商将在本轮涨价中修复利润厂商将在本轮涨价中修复利润，并获得较大成长并获得较大成长。TVfWgYiXiYaZFU9YgV6M8Q6MsQmMnPsRkPoOqPkPpOpQbRmMrRvPpOqRxNoPqO2摘摘 要要 周期角度周期角度，存储周期探底存储周期探底，静待需求回暖静待需求回暖。存储器具有标准化程度高、供给格局集中、重资产运营等特点，因此周期性显著。供给端，三星、美光进一步减产，下半年供给端将进一步收缩。需求端，服务器、手机、PC等下游持续去库存，AI服务器、智能车等有望拉动存储加速走出周期底部。库存方面，各环节库存水位持续修正，有望于下半年回归正常水位。存储器从景气高点开始持续降价7个季度，主流芯片如DDR4、DDR3、3D NAND价格下跌超60%，主流模组如SSD、内存条、LPDDR等价格下跌超60%，部分产品已跌破现金成本价，原厂有强烈止损意愿，根据Trendforce，23Q3存储器价格仍有小幅下跌，部分型号有望价格止跌反弹。创新角度创新角度，AI算力需求庞大算力需求庞大，刺激存储需求成长刺激存储需求成长。ChatGPT等大模型需要大参数调用及海量数据读存，因此AI服务器需要配置更大容量、更高性能的存储器及配套接口芯片。未来在AI模型逐渐复杂化的趋势下，将刺激更多的存储器用量，并同步带动高容DRAM、企业级SSD以及HBM的需求成长。美光预计AI服务器DRAM容量为常规服务器的68倍，SSD容量为3倍。AI算力拉动存力需求，AI服务器需求高增，有望成为下一轮上行周期的重要驱动力。国产化角度国产化角度，中国企业级存储空间广阔中国企业级存储空间广阔，国内厂商大有可为国内厂商大有可为。服务器中搭载的企业级存储主要由原厂（三星电子、SK海力士 英特尔Solidigm、美光、西部数据等）供应，第三方模组厂少有机会介入。中美贸易摩擦背景下，国内服务器特别是信创领域的国产化需求迫切，在模组、固件、颗粒层面均加快国产导入，中国企业级存储器市场规模约100150亿美金，空间广阔，而国内厂商正开始布局，体量尚小，国产化趋势下国产企业级存储大有可为。投资建议：投资建议：重点关注存储芯片（业绩修复，壁垒高）、封测（稼动率提升）、模组（业绩弹性大、市场空间大）、业务转型（盈利估值提升）。3目录目录一、周期拐点初现，一、周期拐点初现，AI引领成长引领成长二、供给二、供给&需求：供给持续收缩，三大应用弱复苏需求：供给持续收缩，三大应用弱复苏三、库存三、库存&价格：库存持续修正，价格触底即将反弹价格：库存持续修正，价格触底即将反弹五、投资建议五、投资建议附录附录2：存储厂商布局：存储厂商布局附录附录1：存储产业链：存储产业链四、股价四、股价&业绩：美股映射可参考，业绩修复仍需时日业绩：美股映射可参考，业绩修复仍需时日 存储周期拐点初现存储周期拐点初现 存储器为长期高成长赛道，20052022年市场规模复合增速6.5%。前一轮景气周期驱动因素为5G渗透率提升渗透率提升 新冠冲击带来供给受限新冠冲击带来供给受限。我们认为当前周期拐点初现，核心终端复苏核心终端复苏 AI或是下一轮景气周期的重要驱动力。4-40%-20%0 0040060080010001200140016001800200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022DRAMNANDNOR其他yoy-60%-40%-20%0 00040060080010001200140020192020202120222023E 2024E 2025E 2026E 2027EDRAM市场规模yoy-60%-40%-20%0 00200300400500600700800900100020192020202120222023E 2024E 2025E 2026E 2027ENAND市场规模yoy图表：图表：DRAM和和NAND市场规模预测（亿美元）市场规模预测（亿美元）资料来源：IDC，Gartner 2023.05，中信建投制程切换，出货量低终端切换大容量5G手机渗透通用服务器高增新冠冲击，供给受限智能机渗透带来单机存储容量大幅度提升图表：存储周期复盘图表：存储周期复盘 价格回顾价格回顾 芯片端：芯片端：主流型号降价幅度6070%。16Gb DDR4从高点的3.2美金跌到当前的1.2美金，跌幅超60%；4Gb DDR3从高点的3.5美金跌到当前的1.0美金，跌幅超70%；256Gb TLC Flash wafer价格从高点的2.6美金跌到当前的1.0美金，跌幅超60%。部分DRAM、3D NAND，以及利基型存储（SLC NAND、DDR3、NOR Flash）已经跌破现金成本价。模组端：模组端：服务器、PC、手机主流型号存储产品（如下图）高点以来的价格跌幅也超60%。图表：主流图表：主流DRAM和和NAND模组产品价格走势（单位：美元）模组产品价格走势（单位：美元）资料来源：CFM，中信建投5010203040506070802021/5/62021/7/62021/9/62021/11/62022/1/62022/3/62022/5/62022/7/62022/9/62022/11/62023/1/62023/3/62023/5/62023/7/6DDR4 UDIMM 16GB 3200051015202530354045502021/5/62021/7/62021/9/62021/11/62022/1/62022/3/62022/5/62022/7/62022/9/62022/11/62023/1/62023/3/62023/5/62023/7/6SSD 480GB(SATA 3)0510152025302021/5/62021/7/62021/9/62021/11/62022/1/62022/3/62022/5/62022/7/62022/9/62022/11/62023/1/62023/3/62023/5/62023/7/6LPDDR4X 48Gb05101520253035402021/5/62021/7/62021/9/62021/11/62022/1/62022/3/62022/5/62022/7/62022/9/62022/11/62023/1/62023/3/62023/5/62023/7/6UFS 256GB服务器、服务器、PC主流存储器产品主流存储器产品手机主流存储器产品手机主流存储器产品 业绩回顾业绩回顾6-60-40-200204060801001202008 Q22008 Q42009 Q22009 Q42010 Q22010 Q42011 Q22011 Q42012 Q22012 Q42013 Q22013 Q42014 Q22014 Q42015 Q22015 Q42016 Q22016 Q42017 Q22017 Q42018 Q22018 Q42019 Q22019 Q42020 Q22020 Q42021 Q22021 Q42022 Q22022 Q4 Micron Samsung SK Hynix-80-60-40-200204060801001202008 Q22008 Q42009 Q22009 Q42010 Q22010 Q42011 Q22011 Q42012 Q22012 Q42013 Q22013 Q42014 Q22014 Q42015 Q22015 Q42016 Q22016 Q42017 Q22017 Q42018 Q22018 Q42019 Q22019 Q42020 Q22020 Q42021 Q22021 Q42022 Q22022 Q4 Etron Macronix Nanya Winbond-40-200204060 Micron Samsung SK Hynix-100102030405060 Etron Macronix Nanya Winbond 业绩：业绩：海外存储厂商毛利率自21Q4开始下滑，23Q1见底。美光最新一季（对应35月）毛利率有所回升。资料来源：Bloomberg，中信建投图表：海外存储厂商收入同比与毛利率（单位：图表：海外存储厂商收入同比与毛利率（单位：%）存储龙头收入同比存储龙头收入同比中国台湾存储厂收入同比中国台湾存储厂收入同比中国台湾存储厂毛利率中国台湾存储厂毛利率存储龙头毛利率存储龙头毛利率 7目录目录一、周期拐点初现，一、周期拐点初现，AI引领成长引领成长二、供给二、供给&需求：供给持续收缩，三大应用弱复苏需求：供给持续收缩，三大应用弱复苏三、库存三、库存&价格：库存持续修正，价格触底即将反弹价格：库存持续修正，价格触底即将反弹五、投资建议五、投资建议附录附录2：存储厂商布局：存储厂商布局附录附录1：存储产业链：存储产业链四、股价四、股价&业绩：美股映射可参考，业绩修复仍需时日业绩：美股映射可参考，业绩修复仍需时日 供给端：龙头削减资本开支、减产供给端：龙头削减资本开支、减产，加速去库存，加速去库存 龙头厂商相继削减资本开支龙头厂商相继削减资本开支，成熟产品成熟产品、新品投产放缓新品投产放缓，约束供给约束供给。其中，SK海力士2023年资本开支同比削减59%，美光削减41%，三星电子则优化旧制程产线，灵活调整2023年设备方面的资本支出。龙头厂商2023年资本开支同比-19%，超过2019年的-13%；中国台湾厂商2023年资本开支同比-46%，超过2019年的-34%。图表：存储厂商年度资本开支图表：存储厂商年度资本开支资料来源：Bloomberg，各公司财报，中信建投注：统计中国台湾厂商2023年capex yoy时提出了华邦电子2022年的数据8Capex（亿美元）亿美元）2017201820192020202120222023E1、大容量、大容量三星电子379 269 218 319 412 384 398 SK海力士81 146 119 85 109 148 60 Micron47 89 98 82 100 121 71 Western Digital6 8 9 6 11 11 8 合计合计513 512 444 493 633 663 537 yoy0%-13(%5%-19%2、利基（台厂）、利基（台厂）旺宏电子0.7 1.6 4.1 2.1 1.7 3.3 3.0 华邦电子5.1 5.6 4.3 2.8 3.5 14.2 3.9 南亚科技9.7 6.8 1.8 2.9 4.0 7.0 5.9 合计合计15.5 14.0 10.3 7.8 9.2 24.4 12.8 yoy-9%-27%-244%-13%除削减资本开支外，龙头同步减产、裁员，加速去库存。西部数据 铠侠于22Q4宣布减产30%NAND产量，SK海力士宣布围绕收益较低的产品线减产，美光22Q4宣布削减20%综合产量，近期公告扩大减产至30%，三星则在4月份正式宣布减产。随着龙头陆续减产随着龙头陆续减产，稼动率逐步降低稼动率逐步降低，且年内稼动率难以回升且年内稼动率难以回升，减产影响在下半年将继续体现减产影响在下半年将继续体现，供给端将持续收缩供给端将持续收缩。存储原厂存储原厂减少产出减少产出减少资本支出减少资本支出其他措施其他措施西部数据 铠侠调整横滨、北上NAND Flash工厂产量，从2022年10月开始削减约削减约30%产量产量-2022年11月开始实施不超过10%的裁员计划美光削减削减20%综合产量综合产量，2023全年DRAM产量规划低于2022年，NAND Flash略高于2022年；6月底公告减产扩大至月底公告减产扩大至30 23年增本支出由120亿美元调减至70亿美元，减少减少41%，减少2024规划资本支出放缓技术升级，降低运营成本（裁员比例由2022年预计的10%提升至15%）SK海力士围绕收益较低的产品线减产减产2023年资本支出在原有15-20万亿韩元基础上削减削减50%以上以上削减管理岗位人数（20%-30%）三星电子2023年年4月份宣布减产月份宣布减产优化旧制程产线，灵活调整灵活调整2023年设备方面的资本支出集团内部资金拆借支持半导体部门资本支出图表：龙头厂商在供给端的动作图表：龙头厂商在供给端的动作资料来源：Wind，美光，三星，江波龙，中信建投供给端：龙头削减资本开支、减产供给端：龙头削减资本开支、减产，加速去库存，加速去库存9 需求端：核心应用弱复苏需求端：核心应用弱复苏 中长期中长期AI存储驱动存储驱动 核心下游仍在去库存核心下游仍在去库存，需求季度环比改善需求季度环比改善，我们判断我们判断2023年为弱复苏年为弱复苏，中长期中长期AI存储有望成为新一轮驱动力存储有望成为新一轮驱动力。服务器：服务器：23Q1四大CSP（云服务厂商）下修采购量，供应链库存持续调整。AI服务器占比较低，短期难以反转服务器整体市场的疲软。手机：手机：市场需求持续疲软，且库存原因影响各厂商新机发布节奏放缓，预计2023年手机出货将有个位数下滑。笔电：笔电：上半年去库存中，上游拉货缓慢，23Q2部分订单回补，下半年返校潮、节庆促销等有望拉动销量。图表：存储核心下游占比及出货量预测图表：存储核心下游占比及出货量预测资料来源：Trendforce，中信建投10下游下游20222023E展望展望服务器（36%DRAM，23%NAND）出货量（万台）14241384Q1四大CSP下修采购量，供应链库存持续调整。AI服务器占比较低，短期无法反转服务器整体市场的疲软yoy4.70%-2.90%手机（38%DRAM，32%NAND）出货量（百万台）12061170市场需求持续疲软，且库存原因影响各厂商新机发布节奏放缓yoy-11.30%-2.90%笔电（13%DRAM，24%NAND）出货量（百万台）186163去库存中，上游拉货缓慢，Q2部分订单回补，下半年返校潮、节庆促销等yoy-22.90%-12.20%通用服务器：库存持续修正，静待云厂资本开支修复通用服务器：库存持续修正，静待云厂资本开支修复 库存修正：库存修正：由于北美CSP下修资本开支，减少服务器采购，23Q1通用服务器出货同比衰退，需求修复需观察：CSP资本开支计划；库存水位。DDR5渗透：渗透：库存修正后，DDR5有望加速渗透，美光预计24年初DDR5渗透率将超50%，行业普遍预计2024年中DDR5渗透率将超50%。11-20%0 0002003004005002017/3/12017/5/12017/7/12017/9/12017/11/12018/1/12018/3/12018/5/12018/7/12018/9/12018/11/12019/1/12019/3/12019/5/12019/7/12019/9/12019/11/12020/1/12020/3/12020/5/12020/7/12020/9/12020/11/12021/1/12021/3/12021/5/12021/7/12021/9/12021/11/12022/1/12022/3/12022/5/12022/7/12022/9/12022/11/12023/1/12023/3/1北美云厂资本开支yoy-10%-5%0%5 %0020030040050017Q1 17Q2 17Q3 17Q4 18Q1 18Q2 18Q3 18Q4 19Q1 19Q2 19Q3 19Q4 20Q1 20Q2 20Q3 20Q4 21Q1 21Q2 21Q3 21Q4 22Q1 22Q2 22Q3 22Q4 23Q1全球服务器出货量（万台）YoY资料来源：IDC，Bloomberg，中信建投图表：全球服务器出货量及北美云厂资本开支（单位：万台，亿美元）图表：全球服务器出货量及北美云厂资本开支（单位：万台，亿美元）AI服务器：大模型带来海量数据计算及存储需求服务器：大模型带来海量数据计算及存储需求 大参数调用及海量数据读存要求更强的存储能力大参数调用及海量数据读存要求更强的存储能力。ChatGPT需要庞大的通用数据集，作为训练数据的输入，此外训练与推理还需要大参数调用及海量数据读存，数据存储、访问及传输速度对模型的训练及推理效率存在显著影响，因此需要相应的存储服务器存储服务器硬件设施，如温冷存储、数据访问加速、数据湖等；以及对大容量存储的需求，如AI服务器服务器，除了内存需要更大容量的高性能HBM和高容量服务器DRAM外，还需硬盘去存储大量数据；另外还需要专门面向AI定制的一些存储协议、访问协议。根据IDC数据，存储在高性能/推理型/机器学习型服务器中的占比分别达29%/25%/16%，AI服务器有望提高存储市场相关需求。12图表：存储在图表：存储在AI服务器中占有较高比重服务器中占有较高比重20%8%3%8(%8#%g#%9%0 0Pp0%基础型高性能型推理型机器学习型其他storagememoryGPUCPU资料来源：IDC，DRAMexchage，SIA，中信建投 主流主流AI芯片大多搭载芯片大多搭载HBM NVIDIA、AMD、Intel以及国内厂商的高端以及国内厂商的高端AI芯片中大多选择搭载芯片中大多选择搭载HBM。目前NVIDIA的A100及H100，各搭载达80GB的HBM2e及HBM3，在其最新整合CPU及GPU的Grace Hopper芯片中，单颗芯片HBM搭载容量再提升20%，达96GB。另外，AMD的MI300也搭配HBM3，其中，MI300A容量与前一代相同为128GB，更高端MI300X则达192GB，提升了50%。HBM市场格局集中市场格局集中，SK海力士占有主导地位海力士占有主导地位。根据TrendForce，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士53%、三星电子约38%、美光约9%。此外，高阶深度学习AI GPU的规格也刺激HBM产品更迭，2023下半年伴随NVIDIA H100与AMD MI300的搭载，三大原厂也已规划相对应规格HBM3的量产。国内方面，目前没有能够生产符合HBM要求的内存颗粒厂商。13图表：历代图表：历代HBM参数对比参数对比资料来源：半导体行业观察，中信建投图表：图表：HBM结构示意图结构示意图资料来源：半导体行业观察，中信建投 高容高容DRAM、HBM、eSSD需求旺盛需求旺盛 AI服务器刺激更多存储器用量服务器刺激更多存储器用量，大容量大容量DRAM、HBM、eSSD需求旺盛需求旺盛。根据Trendforce，目前服务器DRAM（模组形态为常规内存条）的普遍配置约为500600GB，而AI服务器在单条模组上则多采64128GB，平均容量可达1TB以上。对于企业级SSD，由于AI服务器追求的速度更高，其要求优先满足DRAM或HBM（high bandwidth memory）需求，在SSD的容量提升上则呈现非必要扩大容量的态势。相较于一般服务器而言，AI服务器多增加GPGPU的使用，以NVIDIA A100 80GB配置4或8张计算，HBM用量约为320640GB。未来在AI模型逐渐复杂化的趋势下，将刺激更多的存储器用量，并同步带动服务器DRAM、企业级SSD以及HBM的需求成长。14服务器整体服务器整体常规服务器常规服务器AI服务器服务器年份年份20222023模组形态模组形态数量数量模组价格模组价格/美元美元数量数量模组价格模组价格/美元美元DRAM容量（GB）538603RDIMM等11块18001624块36005400yoy18%NAND容量（GB）33514167eSSD4块1500812块30004500yoy24$%HBM008块8000RaidRiad卡1块1001块100图表：常规服务器和图表：常规服务器和AI服务器存储器配置对比（估算）服务器存储器配置对比（估算）资料来源：集微网，美光，Trendforce，中信建投 HBM对对DRAM市场需求贡献可观市场需求贡献可观 当前当前AI服务器出货占比较低服务器出货占比较低，未来弹性可观未来弹性可观。2022年全球AI服务器出货量为14.2万台，占整体服务器市场的1%，美光预计AI服务器DRAM容量为常规服务器的68倍，SSD容量为3倍。实际上实际上，1%的统计口径较为狭窄的统计口径较为狭窄，根据根据Trendforce的统计的统计，若考虑若考虑AI训练卡训练卡、推推理卡理卡、FPGA、ASIC等加速卡等加速卡，则则2022年年AI服务器出货量占比可达到服务器出货量占比可达到6%，而这些而这些AI服务器普遍搭载高容服务器普遍搭载高容DDR5、HBM，满插内存条满插内存条，因此需求占比高于测算数据因此需求占比高于测算数据。量：量：根据Trendforce，2023年市场上主要的AI加速芯片（如NVIDIA的H100及A100、AMD的MI200及MI300及Google的TPU等）搭载HBM总容量将达2.9亿GB，成长率近60%，2024年将持续成长30%以上。参考Gartner测算的2023年DRAM行业需求288亿GB，2023年HBM需求占比为1%。价：价：单GB价格在13美金以上（常规DRAM单GB价格为1.6美金）。考虑HBM单GB价格为常规DRAM的8倍（由于工艺难度、良率等），HBM贡献的DRAM市场空间可观。15图表：全球图表：全球AI服务器出货量预测（万台）服务器出货量预测（万台）资料来源：Trendforce，中信建投98&%0 0P00100015002000250020222023E2024E2025E2026EAI服务器出货量yoy 16手机手机 笔电：大盘预计于笔电：大盘预计于2023年继续年继续下滑，下滑，2024年恢复增长年恢复增长 手机：手机：2022年全球手机整体表现低迷，出货12.06亿台，同比下降11.3%。23Q1全球手机市场继续下滑14.5%。预计2023年手机出货个位数下滑，主要原因包括：市场持续受到需求疲软和宏观经济挑战的影响；库存原因导致各厂商新机发布节奏放缓。预计2024年全球手机市场恢复正增长，主要驱动力包括：宏观经济和消费信心逐步恢复；成熟市场有一个被压抑的重大换机周期；新兴市场种智能手机持续渗透。笔电：笔电：类似手机，笔电市场在库存修正完成后，有望于2024年迎来正增长。图表：全球手机季度出货量及同比增速图表：全球手机季度出货量及同比增速资料来源：IDC，中信建投图表：全球手机年度出货量及同比增速图表：全球手机年度出货量及同比增速-1.7%-7.0%6.1%-11.3%-2.9%5.6004006008001,0001,2001,4001,60020192020202120222023E2024E全球智能手机出货（百万台）yoy-4.4%-2.3%0.8%-1.2%-13.3%-17.0%-1.3%1.5%.0.3%-5.5%-1.8%-8.9%-8.7%-9.7%-18.3%-14.5%-7.3%-50 100 150 200 250 300 350 400全球智能手机出货（百万台）yoy 17目录目录一、周期拐点初现，一、周期拐点初现，AI引领成长引领成长二、供给二、供给&需求：供给持续收缩，三大应用弱复苏需求：供给持续收缩，三大应用弱复苏三、库存三、库存&价格：库存持续修正，价格触底即将反弹价格：库存持续修正，价格触底即将反弹五、投资建议五、投资建议附录附录2：存储厂商布局：存储厂商布局附录附录1：存储产业链：存储产业链四、股价四、股价&业绩：美股映射可参考，业绩修复仍需时日业绩：美股映射可参考，业绩修复仍需时日 库存：终端库存趋于合理，原厂库存：终端库存趋于合理，原厂 渠道库存持续修正渠道库存持续修正 芯片原厂：芯片原厂：库存堆积趋缓，部分玩家库存开始下降，如美光本财季（35月）库存开始下降。18010000200003000040000500006000070000800002019Q12019Q22019Q32019Q42020Q12020Q22020Q32020Q42021Q12021Q22021Q32021Q42022Q12022Q22022Q32022Q42023Q1EtronMacronixMicrochipMicronNanyaSamsungSK HynixToshibaWinbond0102030405060708020Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q1兆易创新北京君正东芯股份普冉股份聚辰股份澜起科技图表：海外存储芯片厂商库存图表：海外存储芯片厂商库存图表：国内存储芯片厂商库存图表：国内存储芯片厂商库存资料来源：Bloomberg，Wind，中信建投单位：百万美金单位：亿元 库存：终端库存趋于合理，原厂库存：终端库存趋于合理，原厂 渠道库存持续修正渠道库存持续修正 国内（大陆 台湾）的头部模组厂商模组厂商库存开始下降，且有主动备库存动作；OEM/ODM厂商厂商库存去化较好。19106 11096115132 131112101132156175195238 233211 204 21101002003004005002019/3/12019/6/12019/9/12019/12/12020/3/12020/6/12020/9/12020/12/12021/3/12021/6/12021/9/12021/12/12022/3/12022/6/12022/9/12022/12/12023/3/1群联威刚宜鼎十铨创见宇瞻35.937.437.340.237.436.70102030405060708021Q422Q122Q222Q322Q423Q1江波龙德明利佰维存储朗科科技02,0004,0006,0008,00010,00012,00014,00016,00018,0002019/3/12019/6/12019/9/12019/12/12020/3/12020/6/12020/9/12020/12/12021/3/12021/6/12021/9/12021/12/12022/3/12022/6/12022/9/12022/12/12023/3/1鸿海仁宝和硕广达纬创华擎神达精英英业达图表：存储模组及图表：存储模组及ODM/OEM厂商库存厂商库存资料来源：Bloomberg，Wind，中信建投单位：亿元单位：亿新台币单位：亿新台币 库存：终端库存趋于合理，原厂库存：终端库存趋于合理，原厂 渠道库存持续修正渠道库存持续修正 服务器整机服务器整机、手机终端手机终端、笔电终端厂商笔电终端厂商库存持续修正，23Q1有所反弹，终端厂商在手零部件库存较低。200501001502002503002019/3/12019/7/12019/11/12020/3/12020/7/12020/11/12021/3/12021/7/12021/11/12022/3/12022/7/12022/11/12023/3/1DellLenovoHPASUS资料来源：Bloomberg，Wind，中信建投0501001502002502019/3/12019/6/12019/9/12019/12/12020/3/12020/6/12020/9/12020/12/12021/3/12021/6/12021/9/12021/12/12022/3/12022/6/12022/9/12022/12/12023/3/10204060801001201401601802019/3/12019/6/12019/9/12019/12/12020/3/12020/6/12020/9/12020/12/12021/3/12021/6/12021/9/12021/12/12022/3/12022/6/12022/9/12022/12/12023/3/1Apple小米集团传音控股服务器厂商库存（浪潮）服务器厂商库存（浪潮）手机厂商库存手机厂商库存PC/笔电厂商库存笔电厂商库存图表：终端厂商库存图表：终端厂商库存单位：亿元单位：亿美金单位：亿美金 价格：利基型价格：利基型DRAM价格筑底价格筑底资料来源：Wind，中信建投 价格周期性：价格周期性：DDR3的价格可追踪时间较长，具有一定参考性，以DDR3为例复盘，DDR3价格呈现周期性，大致4年一个周期。价格水位：价格水位：22Q323Q1经历单季度15 %的价格下降，23Q2降价幅度约为10%，当前DDR3跌破前一轮周期底部，一是因为供需失衡造成库存高企，二是因为老型号产品会自然降价。图表：不同容量图表：不同容量DDR3历史现货平均价历史现货平均价21 价格：主流产品跌破现金成本，预计价格：主流产品跌破现金成本，预计Q3部分型号价格反弹部分型号价格反弹资料来源：Trendforce，CFM，中信建投 价格与成本：价格与成本：本轮存储下游周期已有7个季度，主流型号产品价格跌幅超60%，目前3D NAND、DRAM、利基存储（SLC NAND/NORFlash/DDR3）均有型号跌破现金成本价。例如，3D NAND Flash（512Gb TLC 128L）在CFM的报价为1.4美金，跌破1.52.0美金的现金成本；DDR4（8Gb 1Ynm）在CFM的报价为1.141.62美金，接近现金成本。（注：注：CFM报价为渠道报价报价为渠道报价，现金成本为个别供应商的产品现金成本为个别供应商的产品）展望：展望：Trendforce预计，23Q3存储器价格仍有小幅下跌，部分型号（LPDDR5X、eMMC）价格止跌反弹。图表：图表：3D NAND Flash及及DRAM价格分拆价格分拆22DRAM23Q223Q3EPCDDR4：down 1520R5：down 1318%Blended ASP：down 1520R4：down 38R5：down 05%Blended ASP：down 05%ServerDDR4：down 1823R5：down 1318%Blended ASP：down 1520R4：down 38R5：down 05%Blended ASP：down 05%Mobiledown 1318%LPDDR4X：down 05%LPDDR5X with HKMG：up 05%Graphicsdown 1015%down 05%Consumerdown 1015%down 05%Totaldown 1318%down 05%NAND23Q223Q3EeMMCUFSconsumer：down 813%mobile：down 1520%consumer：mostly flatmobile：down 813%Enterprise SSDdown 1318%down 510%Client SSDdown 1520%down 813= NAND wafersTLC&QLCdown 813%down 05%Totaldown 1015%down 05= NAND Flash（512Gb TLC 128L）现金成本1.52.0美金折旧摊销1.11.4美金总成本2.63.5美金CFM报价1.4美金DDR4（8Gb 1Xnm）现金成本0.91.1美金折旧摊销0.81.0美金总成本1.72.1美金CFM报价1.141.62美金图表：不同容量图表：不同容量DDR3历史现货平均价对比历史现货平均价对比资料来源：Trendforce 2023.07，中信建投 23目录目录一、周期拐点初现，一、周期拐点初现，AI引领成长引领成长二、供给二、供给&需求：供给持续收缩，三大应用弱复苏需求：供给持续收缩，三大应用弱复苏三、库存三、库存&价格：库存持续修正，价格触底即将反弹价格：库存持续修正，价格触底即将反弹五、投资建议五、投资建议附录附录2：存储厂商布局：存储厂商布局附录附录1：存储产业链：存储产业链四、股价四、股价&业绩：美股映射可参考，业绩修复仍需时日业绩：美股映射可参考，业绩修复仍需时日 股价表现：股价表现：Micron股价股价 vs DDR3价格价格资料来源：Wind，中信建投美光股价领先美光股价领先DRAM价格价格12个季度个季度24 股价表现：股价表现：Micron股价股价 vs 全球半导体月度销售额同比全球半导体月度销售额同比资料来源：Wind，中信建投25美光股价领先半导体营收同比增速美光股价领先半导体营收同比增速12个季度个季度 股价表现：股价表现：Micron PB资料来源：Wind，中信建投 美光当前PB 1.7倍，最近3轮周期PB下轨0.85倍，上轨2.63.7倍。26 业绩表现：台股业绩表现：台股DRAM vs 全球半导体（月度营收同比）全球半导体（月度营收同比）资料来源：Wind，中信建投台股指标领先全球半导体台股指标领先全球半导体12个季度个季度台股指标触底反弹台股指标触底反弹 台股DRAM营收同比数据为有效领先指标，领先12个季度，2023年3月触底反弹。27 业绩表现：台股业绩表现：台股DRAM营收同比营收同比 vs DRAM价格价格资料来源：Wind，中信建投 台股DRAM营收同比领先于DRAM价格触底。台股月度收入同比领先台股月度收入同比领先DRAM价格价格12个季度个季度28 29目录目录一、周期拐点初现，一、周期拐点初现，AI引领成长引领成长二、供给二、供给&需求：供给持续收缩，三大应用弱复苏需求：供给持续收缩，三大应用弱复苏三、库存三、库存&价格：库存持续修正，价格触底即将反弹价格：库存持续修正，价格触底即将反弹五、投资建议五、投资建议附录附录2：存储厂商布局：存储厂商布局附录附录1：存储产业链：存储产业链四、股价四、股价&业绩：美股映射可参考，业绩修复仍需时日业绩：美股映射可参考，业绩修复仍需时日 投资建议投资建议 存储行业处于周期底部存储行业处于周期底部，当前库存仍需消化当前库存仍需消化，原厂耐不住亏损有强烈涨价意愿原厂耐不住亏损有强烈涨价意愿，模组厂正在加快备货模组厂正在加快备货。我们对我们对23Q323Q4存储价格存储价格展望乐观展望乐观，但当前需求端能见度低但当前需求端能见度低，相关厂商业绩同比修复尚需时间相关厂商业绩同比修复尚需时间。存储为存储为“强强beta，弱弱Alpha”行业行业，每一轮景气周期需要应用每一轮景气周期需要应用创新拉动需求创新拉动需求，我们认为下一轮景气周期将由我们认为下一轮景气周期将由AI引领引领。存储周期探底存储周期探底，静待需求回暖静待需求回暖。存储器具有标准化程度高、供给格局集中、重资产运营等特点，因此周期性显著。供给端，SK海力士、美光、西部数据、三星电子陆续宣布削减2023年资本开支，调低产能利用率，三星于4月份宣布减产，美光于6月份宣布加大减产力度，下半年行业供给端将进一步收缩。需求端，服务器、手机、笔电等下游持续去库存，AI服务器、智能车等需求旺盛有望拉动存储加速走出周期底部。库存方面，国内外存储器原厂库存爬升，23Q1库存堆积趋缓，部分原厂如美光23Q2库存开始下降，而模组厂、ODM/OEM、终端客户库存水位持续修正，有望于下半年回归正常水位。存储器从景气高点开始持续降价7个季度（21Q423Q2），主流芯片如DDR4、DDR3、3D NAND价格下跌超60%，主流模组如SSD、内存条、LPDDR等价格下跌超60%。主流存储器已跌破现金成本价，原厂有强烈止损意愿，Trendforce预计23Q3存储器价格仍有小幅下跌，部分型号（LPDDR5X、eMMC）价格止跌反弹。AI算力需求庞大算力需求庞大，刺激存储需求成长刺激存储需求成长。ChatGPT等大模型需要庞大的通用数据集，作为训练数据的输入，此外训练与推理还需要大参数调用及海量数据读存，因此AI服务器需要配置更大容量、更高性能的存储器及配套接口芯片。相较于一般服务器而言，AI服务器多增加GPGPU的使用，以NVIDIA A100 80GB配置4或8张计算，单机HBM用量约为320640GB。未来AI模型逐渐复杂化，将刺激更多的存储器用量，并同步带动高容DRAM、企业级SSD以及HBM的需求成长。若考虑AI训练卡、推理卡、FPGA、ASIC等加速卡，AI服务器出货占全球服务器比例可达6%。行业龙头普遍预计AI服务器DRAM容量为常规服务器的68倍，SSD容量为3倍。AI算力拉动存力需求，AI服务器需求高增，有望成为下一轮景气周期的重要驱动力。30 投资建议投资建议 中国企业级存储空间广阔中国企业级存储空间广阔，国内厂商大有可为国内厂商大有可为。不同于消费类的手机、PC市场，作为国际存储器厂商的核心市场，服务器中搭载的企业级存储主要由原厂（三星电子、SK海力士 英特尔Solidigm、美光、西部数据等）供应，第三方模组厂很较少有机会介入。中美贸易摩擦背景下，国内服务器特别是信创领域的国产化需求迫切，在模组、固件、颗粒层面均加快国产导入。根据2022年全球存储器市场规模及中国需求占比估算，中国企业级存储器市场规模约100150亿美金，空间广阔，而国内厂商正开始布局，主要厂商如亿恒创源、大普微、江波龙企业级存储等体量尚小，国产化趋势下国产企业级存储大有可为。相关标的：相关标的：1、存储芯片：存储芯片：东芯股份、兆易创新、北京君正、普冉股份、恒烁股份；2、封装测试：封装测试：深科技；3、存储模组：存储模组：江波龙、佰维存储、德明利、朗科科技、同有科技；4、配套芯片：配套芯片：澜起科技（内存接口）、聚辰股份；5、经销：经销：香农芯创；6、业务转型：业务转型：国科微、协创数据、万润科技、香农芯创；7、存储材料：存储材料：雅克科技。31 风险提示风险提示 下游市场需求不达预期风险下游市场需求不达预期风险。宏观环境的不利因素将可能使得全球经济增速放缓，导致主要下游行业需求不及预期。此外，存储器主要应用于服务器、手机、笔电、安防、汽车、医疗等领域，如果这些市场未实现预计内的增长和发展，或者由于无法控制的原因，下游客户在相关市场的产品销售及推广节奏有所迟滞，可能会对相关公司的产品需求造成不利影响。产品研发进展不及预期风险产品研发进展不及预期风险。持续开发新产品是存储器厂商在市场中保持竞争优势的重要手段，但如存储器厂商不能及时准确的把握市场需求，将导致其新产品不能获得市场认可，对其市场竞争力产生不利影响。外协加工风险外协加工风险。国内主要存储器设计厂商采用Fabless运营模式，主要存储模组厂采用封测委外代工的运营模式。在行业产能供应紧张来临时，晶圆厂和封测厂的产能能否保障相关公司的采购需求存在不确定性。同时，随着行业中晶圆厂和封测厂在不同产品中产能的切换以及产线的升级，或带来的相关公司采购单价的变动，若外协加工服务的采购单价上升，会对相关公司的毛利造成不利影响。市场竞争加剧导致毛利率下降风险市场竞争加剧导致毛利率下降风险。国内厂商正积极推进国产替代，国内厂商之间亦存在竞争，若未来市场竞争加剧，可能导致价格战致使毛利率下降。价格波动风险价格波动风险。存储器具有强周期属性，价格波动对于厂商的盈利有巨大影响，若下游需求不及预期或产能扩张过渡，存储器价格可能大幅下滑，冲击相关公司的盈利。32 33附录附录1：存储产业链：存储产业链资料来源：ofweek，中信建投晶圆制造设备晶圆制造设备国产设备企业国产设备企业国际对标国际对标长晶炉晶盛机电PVA TePla光刻机上海微ASML涂胶显影芯源微TEL去胶设备屹唐股份PSKLamPVD北方华创AMATCVD北方华创拓荆科技AMATTELLamALD北方华创TEL拓荆科技ASM刻蚀设备北方华创Lam中微公司TEL屹唐股份AMAT热处理北方华创AMAT屹唐股份离子注入中科信AMAT凯世通AxceilsCMP华海清科AMAT中电装备清洗设备盛美上海Screen芯源微北方华创至纯科技量测设备上海精测KLA上海睿励中科飞测测试机华峰测控泰瑞达长川科技爱德万探针台长川科技东京电子深圳矽电东京精密分选机长川科技CohuXcerra存储存储IDM厂（晶圆）厂（晶圆）海外海外国内国内闪存闪存34%6%主控芯片厂主控芯片厂国内国内海外海外封装测试厂封装测试厂国内国内海外海外存储模组存储模组/技术方案技术方案存储品牌商存储品牌商存储模组存储模组/技术方案技术方案存储品牌商存储品牌商终端应用终端应用设备厂商设备厂商市场份额市场份额2-3%原厂自己做模组原厂自己做模组第三方做模组第三方做模组 附录附录2：本土厂商布局：本土厂商布局34公司名称公司名称大容量存储大容量存储利基存储利基存储配套芯片配套芯片代工代工封测封测模组模组品牌品牌DRAMNANDNOR FlashSLC NANDDRAMSRAMEEPROM接口接口主控主控长鑫存储*长江存储*兆易创新澜起科技北京君正东芯股份普冉股份恒烁股份聚辰股份芯天下*武汉新芯*深科技江波龙佰维存储朗科科技德明利香农芯创协创数据同有科技万润科技忆恒创源*忆联信息*国科微联芸科技*得一微*大普微*资料来源：Wind，中信建投注：带*的公司未上市 分析师介绍分析师介绍刘双锋：刘双锋：中信建投证券电子首席分析师。3年深南电路，5年华为工作经验，从事市场洞察、战略规划工作，涉及通信服务、云计算及终端领域，专注于通信服务领域，2018年加入中信建投通信团队。2018年IAMAC最受欢迎卖方分析师通信行业第一名团队成员，2018水晶球最佳分析师通信行业第一名团队成员。章合坤：章合坤：中信建投证券电子分析师。上海交通大学材料科学与工程硕士，2020年加入中信建投电子团队，专注研究存储芯片、MCU等领域。评级说明评级说明投资评级标准评级说明报告中投资建议涉及的评级标准为报告发布日后6个月内的相对市场表现，也即报告发布日后的6个月内公司股价（或行业指数）相对同期相关证券市场代表性指数的涨跌幅作为基准。A股市场以沪深300指数作为基准；新三板市场以三板成指为基准；香港市场以恒生指数作为基准；美国市场以标普 500 指数为基准。股票评级买入相对涨幅15以上增持相对涨幅5中性相对涨幅-5%5之间减持相对跌幅5卖出相对跌幅15以上行业评级强于大市相对涨幅10%以上中性相对涨幅-10-10%之间弱于大市相对跌幅10%以上35 分析师声明分析师声明本报告署名分析师在此声明：（i）以勤勉的职业态度、专业审慎的研究方法，使用合法合规的信息，独立、客观地出具本报告,结论不受任何第三方的授意或影响。（ii）本人不曾因，不因，也将不会因本报告中的具体推荐意见或观点而直接或间接收到任何形式的补偿。法律主体说明法律主体说明本报告由中信建投证券股份有限公司及/或其附属机构（以下合称“中信建投”）制作，由中信建投证券股份有限公司在中华人民共和国（仅为本报告目的，不包括香港、澳门、台湾）提供。中信建投证券股份有限公司具有中国证监会许可的投资咨询业务资格，本报告署名分析师所持中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格证书编号已披露在报告首页。在遵守适用的法律法规情况下，本报告亦可能由中信建投（国际）证券有限公司在香港提供。本报告作者所持香港证监会牌照的中央编号已披露在报告首页。一般性声明一般性声明本报告由中信建投制作。发送本报告不构成任何合同或承诺的基础，不因接收者收到本报告而视其为中信建投客户。本报告的信息均来源于中信建投认为可靠的公开资料，但中信建投对这些信息的准确性及完整性不作任何保证。本报告所载观点、评估和预测仅反映本报告出具日该分析师的判断，该等观点、评估和预测可能在不发出通知的情况下有所变更，亦有可能因使用不同假设和标准或者采用不同分析方法而与中信建投其他部门、人员口头或书面表达的意见不同或相反。本报告所引证券或其他金融工具的过往业绩不代表其未来表现。报告中所含任何具有预测性质的内容皆基于相应的假设条件，而任何假设条件都可能随时发生变化并影响实际投资收益。中信建投不承诺、不保证本报告所含具有预测性质的内容必然得以实现。本报告内容的全部或部分均不构成投资建议。本报告所包含的观点、建议并未考虑报告接收人在财务状况、投资目的、风险偏好等方面的具体情况，报告接收者应当独立评估本报告所含信息，基于自身投资目标、需求、市场机会、风险及其他因素自主做出决策并自行承担投资风险。中信建投建议所有投资者应就任何潜在投资向其税务、会计或法律顾问咨询。不论报告接收者是否根据本报告做出投资决策，中信建投都不对该等投资决策提供任何形式的担保，亦不以任何形式分享投资收益或者分担投资损失。中信建投不对使用本报告所产生的任何直接或间接损失承担责任。在法律法规及监管规定允许的范围内，中信建投可能持有并交易本报告中所提公司的股份或其他财产权益，也可能在过去12个月、目前或者将来为本报告中所提公司提供或者争取为其提供投资银行、做市交易、财务顾问或其他金融服务。本报告内容真实、准确、完整地反映了署名分析师的观点，分析师的薪酬无论过去、现在或未来都不会直接或间接与其所撰写报告中的具体观点相联系，分析师亦不会因撰写本报告而获取不当利益。本报告为中信建投所有。未经中信建投事先书面许可，任何机构和/或个人不得以任何形式转发、翻版、复制、发布或引用本报告全部或部分内容，亦不得从未经中信建投书面授权的任何机构、个人或其运营的媒体平台接收、翻版、复制或引用本报告全部或部分内容。版权所有，违者必究。中信建投证券研究发展部中信建投证券研究发展部中信建投（国际）中信建投（国际）北京东城区朝内大街2号凯恒中心B座12层电话：(8610)8513-0588联系人：李祉瑶邮箱：上海浦东新区浦东南路528号南塔2106室电话：(8621)6882-1612联系人：翁起帆邮箱：深圳福田区福中三路与鹏程一路交汇处广电金融中心35楼电话：（86755）8252-1369联系人：曹莹邮箱：香港中环交易广场2期18楼电话：（852）3465-5600联系人：刘泓麟邮箱：charleneliucsci.hk36

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本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 1 存储器行业专题研究 双墙阻碍算力升级，探讨四大新型存储应用 2023 年 07 月 05 日 传统存储难破双墙阻碍，智联时代新型存储应运而生。AIoT、5G、智能汽车等新兴应用场景对数据存储在容量、速度、功耗、成本、可靠性等层面提出更高要求。但 CPU 与存储芯片间的“性能墙”与各级存储芯片间的“存储墙”成为限制传统存储器应用于新兴领域的两座难关。基于材料介质改造或技术升级的 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 FeRAM 四大类新型存储，或将成为未来存储器的发展趋势之一。模糊外存和主存界限，PCRAM 产业化面临障碍。PCRAM（相变存储器）通过改变温度实现相变材料电阻变化，以此为基础存储数据信息。PCRAM 目前无物理极限，厚度 2nm 的相变材料可以实现存储功能，因此可能解决存储器工艺的物理极限问题，成为未来通用的新一代半导体存储器件之一。国际厂商英特尔先后与三星、美光合作开展 PCRAM 研发，国内厂商时代全芯也已掌握研发、生产工艺和自主知识产权。但 PCRMA 对温度的高敏感度、存储密度过低、高成本、低良率等问题限制其大规模产业化，2021 年美光宣布停止基于3D XPoint 技术产品的进一步开发。MRAM 产品进入量产，eMRAM 替代 SRAM 空间大。MRAM（磁存储器）的基本单位为磁隧道结（MTJ），Everspin 为独立式 MRAM 龙头，IBM、三星、瑞萨走在嵌入式 MRAM 技术前沿。其中，独立式 MRAM 目前已经应用于航空、航天、军工等对可靠性要求较高的领域，但市场规模较小。嵌入式MRAM 已成功进入 MCU 嵌入式系统，并逐步替代慢速 SRAM 成为工作缓存新方案，应用于相机 CMOS 等。未来嵌入式 MRAM 更具成长空间，提速降价后有望替代 SRAM 或 eDRAM 等高速缓存，进入手机 SoC 和 CPU 等产品。ReRAM 有望替代 eFlash，成长空间广阔。ReRAM（可变电阻式存储器）以基本单位电阻变化存储数据。Data Bridge 测算 2022 年全球 ReRAM 市场规模为 6.07 亿美元，预计 2030 年有望达到 21.60 亿美元。松下、富士通等为ReRAM 产品主要设计厂商，国内兆易创新与昕原半导体也基本实现商业化。其中，独立式 ReRAM 目前在工业级小容量存储得到广泛应用，并在 IoT 领域逐步替代 NOR FLASH，突破容量和读写速度后有望替代闪存进入企业级存储市场。嵌入式 ReRAM 目前已替代 eFLash 可用于模拟芯片内，进一步有望进入 MCU 芯片等，技术长足发展后有望进入 CPU 作为最后一级高速缓存。FeRAM 研发正当时，多种优势突破传统存储限制。FeRAM 具有非易失性、读写速度快、寿命长、功耗低、可靠性高等特点。小部分 FeRAM 产品已实现量产。但FeRAM存储密度较低，容量有限，无法完全取代DRAM与NAND Flash，在对容量要求不高、读写速度要求高、读写频率高、使用寿命要求长的场景中拥有发展潜力。国际厂商英飞凌、富士通等已实现 FeRAM 在汽车电子的应用，国内厂商汇峰已实现 130nm 制程 FeRAM 产品小批量量产。目前FeRAM 技术瓶颈尚在，仍需继续研究突破。四种新型存储优势各异。持久性方面，MRAM、FeRAM 较高；存储密度方面，FeRAM 较低，MRAM、PCM、RRAM 较高；读写速度方面，FeRAM最快；读写功耗方面，PCM 最高，MRAM、FeRAM、RRAM 均较低；抗辐射方面，除 MRAM 外，其他均较高。风险提示：技术进展不及预期的风险/市场规模增速不及预期的风险 推荐 维持评级 分析师 方竞 执业证书：S0100521120004 邮箱： 分析师 童秋涛 执业证书：S0100522090008 邮箱： 相关研究 1.电子行业点评：AI 智能汽车率先落地，重视板块重估值潜力-2023/07/05 2.电子行业周报：美光财报超预期，存储周期拐点已近-2023/07/04 3.电子行业周报：荷兰设备出口管制落地，成熟制程扩产无虞-2023/07/02 4.电子行业 2023 年中期投资策略：AI 与电子共舞-2023/06/29 5.电子行业周报：设备投资额稳步修复，看好设备零部件国产化机遇-2023/06/19 行业专题研究/电子 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 2 目录 1 传统存储难破双墙阻碍，智联时代助推新型存储.3 1.1 模糊外存和主存界限，PCRAM 产业化面临障碍.5 1.2 MRAM 产品进入量产，eMRAM 替代 SRAM 空间大.7 1.3 ReRAM 替代 eFlash 成长空间广阔.8 1.4 FeRAM 研发正当时，多种优势突破传统存储限制.10 1.5 四种新型存储优势各异，市场化程度也有不同.12 2 风险提示.13 插图目录.14 表格目录.14 AUnUeZiVcZfZMB8ZtO7NdN7NmOnNpNnOiNoOpQjMnNoQaQoPnNNZmMqOvPnMvN行业专题研究/电子 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 3 1 传统存储难破双墙阻碍，智联时代助推新型存储 存储技术伴随应用场景变化，新兴领域催生更高需求。存储行业兴起于 1960s，现被广泛应用于各种领域的电子设备。据 WSTS 数据，2022 年存储器市场规模1297.7 亿美元，占全球半导体行业规模的 22.6%，是半导体产业的重要分支。WSTS 预计 2023 年存储市场规模因终端市场需求疲软将下滑至 840.4 亿美元，但 2024 年受益于经济复苏和供需矛盾缓和，市场规模将同比上升 43%，恢复至1203.3 亿美元。图1：存储器市场规模及在半导体行业占比 资料来源：WSTS，民生证券研究院 存储器技术演变路径跟随应用场景变化逐步发展：上世纪 70 年代，Intel 推出第一款 DRAM 商用芯片，由于其具有读写速度快、存储密度大、成本低等优势成为存储芯片市场上的主要产品；1980s，东芝提出了“闪存”概念，指可在断电情况下保留数据的非易失性存储器件。此后，读取速度快、容量小、成本高的 NOR Flash 技术与容量较大，改写速度快的 NAND Flash 结构相继于 1988 年、1989 年被 intel、东芝开发出来。至此，闪存技术开始逐渐普及，成为现代电子产品中不可或缺的重要组成部分；1990s-2000s，随着进入小容量存储的功能手机时代，NOR Flash 由于具有可在闪存内直接运行应用程序的特点，有读写速度快、可靠性高、使用寿命长、传输效率高等优点，导致其应用在小容量存储中具有很高的成本效益，市场规模陡增；2000s 以后，伴随智能终端的兴起，容量成为存储的主要需求之一。此时，具有高存储密度、单位容量成本低等特点的 NAND Flash 逐步成为0 0%-20.00 40.00 60.00 80.00 100.00 120.00 140.00 160.00 180.002002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023F2024F存储器市场规模(十亿美元)存储器在半导体行业占比行业专题研究/电子 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 4 市场的最佳选择。现在，随着 AIoT、5G、智能汽车等新兴应用场景出现，存储行业的市场需求进一步增加，对数据存储在容量、速度、功耗、成本、可靠性等层面提出更高要求。图2：存储行业演变历程 资料来源：半导体行业观察，民生证券研究院“性能墙”与“存储墙”成为限制传统存储器应用于新兴领域的两座难关。“性能墙”源于处理器与存储器发展失衡。随着半导体产业的发展，处理器和存储器分别走向了不同工艺路线。由于二者工艺、封装、需求的不同，从 1980 年到 2000 年，处理器性能的年增长速度约为 60，而存储器性能每年提高的幅度低于 10，导致“存-算“的失配速度以每年 50%的速率增加。因此，处理器和存储器之间出现数据交换通路狭窄现象，及由此引发的高能耗问题，二者成为存储与运算间的“性能墙”。图3：处理器和存储器的性能差距 资料来源：Juniper Networks，民生证券研究院“存储墙”来源于计算架构中多级存储的特性差异。现代计算系统通常采取高行业专题研究/电子 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 5 速缓存(SRAM)、主存(DRAM)、外部存储(NAND Flash)的三级存储结构。由于各级存储的应用特性不同，三级架构间均存在较大的响应时间及传输带宽差距，形成了制约系统性能的“存储墙”。其中，靠近运算控制单元的存储器需要响应速度更快，但受到功耗、散热等因素制约，其存储容量也越小，例如 SRAM 响应时间在纳秒级，NAND Flash 则仅为 100 微秒级，但后者的存储容量较大，造价低廉，且具备非易失的低功耗特性，适用于长期存储海量信息。随着新兴应用下处理器的速度和核数持续增加，“存储墙”成为制约处理器性能发挥的主要因素之一。图4：常见的存储系统架构及存储墙 资料来源：中国电子报，民生证券研究院 受益于万物智联时代的新兴应用发展，由于传统存储器存在“性能墙”和“存储墙”问题，新型存储器的研发和产业化逐渐进入历史舞台。基于材料介质改造或技术升级，出现 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 FeRAM 四大类型的新型存储，我们将于下文中逐一探讨。1.1 模糊外存和主存界限，PCRAM 产业化面临障碍 以相变材料为存储介质的新型存储PCRAM。PCRAM（相变存储器）的原理是通过改变温度，让相变材料在结晶态（导电）与非结晶态（非导电）状态间相互转换，并利用两个状态的导电性差异来区分“0”态和“1”态，从而实现数据存储。PCRAM 具有外存 NAND Flash 的非易失性，以及主存 DRAM 高读写速度和长寿命的特点，同时兼具低延时、密度高、功耗低、可兼容 CMOS 工艺等优点，具有将外存和主存合二为一的可能性，未来有希望应用于高性能数据中心、服务器、物联网等场景。此外，目前 PCRAM 还未发现有明确的物理极限，研究表明即使相变材料降行业专题研究/电子 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 6 至 2nm 厚度，存储器件依旧可以发生相变。因此，PCRAM 可能解决存储器工艺的物理极限问题，成为未来通用的新一代半导体存储器件之一。图5：PCRAM 结构图（左图）和工作时电阻-电压曲线（右图）资料来源：基于新型忆阻器的存内计算作者：林钰登，高 滨，王小虎，钱 鹤，吴华强等，民生证券研究院 PCRAM 在 1968 年被提出，现代半导体工艺技术助力发展。在 1968 年，Stanford Ovshinsky 首次提出了基于相变理论的存储器，阐述了非晶体和晶体状态下，材料会呈现不同的光学和电阻特性，可用于代表“0”和“1”来存储数据。但由于过去半导体工艺的限制，造成相变单元所需驱动电流过大，导致早期的相变存储器没有赢得太多青睐。而后，得益于半导体加工工艺的进步，使具有较小的驱动电流器件成为可能，迎来了 PCRAM 的发展契机。PCRAM 作为新型存储产业化的先行者，国内外厂商争相布局。2006 年，Intel和 Samsung 生产第一款商用 PCRAM 芯片。2015 年，Intel 和 Micron 合作开发名为 3D XPoint 的 PCRAM 存储技术。2019 年 8 月，时代全芯发布国内首款PCRAM 产品2 兆位可编程只读相变存储器，成为继 Micron、Samsung 后少数掌握相变存储器研发、生产工艺和自主知识产权的公司。图6：PCRAM 的技术布局 资料来源：SISPAD 2021 Plenary Talk，民生证券研究院 然而，2018 年 Intel 和 Micron 结束了 3D XPoint 的联合开发工作，此后Micron 于 2021 年宣布停止基于 3D XPoint 技术产品的进一步开发。至此，PCRAM 的产业化陷入困境。PCRAM 现阶段具有较多应用瓶颈，致使商业化停滞。首先，由于 PCRAM 存行业专题研究/电子 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 7 储过程依赖温度调节，具有对温度的高敏感度，导致其无法应用于宽温场景。其次，PCRAM 存储器采取多层结构，以具备兼容 CMOS 工艺的特点，致使存储密度过低，无法满足替代 NAND Flash 的容量条件。此外，成本和良率也成为其大规模产业化的瓶颈之一。1.2 MRAM 产品进入量产，eMRAM 替代 SRAM 空间大 磁存储器（MRAM）的基本单位为磁隧道结（MTJ）。MTJ 由一对被薄绝缘材料层隔开的铁磁金属板组成，其中一块金属板（固定层）的磁场方向永不变化，另一块板（自由层）的磁场方向可以因外部磁场的改变而改变。MTJ 通过电阻大小表示数据，由于隧道磁阻效应，如果两个板具有相同的磁化方向（低电阻状态），则将其视为“1”，而如果方向反平行（高电阻状态），则表示“0”。但传统 MRAM单纯用奥斯特场对普通的 MTJ 进行状态切换，存在严重的不稳定性和严苛的应用条件。图7：磁隧道结工作原理 资料来源：Everspin，民生证券研究院 MRAM 于 1984 年发明，后经不断改进。1984 年，供职于霍尼韦尔的 Arthur Pohm 与 James Daughton 发明了首个磁存储器。由于对环境条件敏感等问题，对 MRAM 的改进从未停止。1996 年 10 月，Berger 和 Slonczewski 不约而同地提出了 STT-MRAM 方案。2000 年 Spintec 实验室获得首个 STT-MRAM 专利。STT-MRAM（自旋扭矩转递）为当前主流商业化方案。自 2000 年 Spintec实验室获得首个 STT 技术专利开始，STT-MRAM 凭借更快的读写速度与更小的尺度逐渐成为主流商业化方案。2005 年 11 月，瑞萨科技与 Grandis 合作开发 65 nm 工艺的 STT-MRAM。2005 年 12 月，索尼推出首款实验室 STT-MRAM 产品。2008 年 11 月，三星与海力士宣布合作开发 STT-MRAM。2012 年 11 月，Everspin 首次推出 64Mb 容量的独立式 STT-MRAM 产品。2019 年 3 月，三星28nm 工艺的嵌入式 STT-MRAM 产品开始量产。S NS NNSS N自由层绝缘层固定层低电阻状态“1”高电阻状态“0”行业专题研究/电子 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 8 Everspin 为独立式 MRAM 龙头，IBM、三星、瑞萨走在嵌入式 MRAM 技术前沿。独立式 MRAM 产品主要替代闪存等作为外部存储，与闪存相比 MRAM具有读写速度更快等优势。独立式 MRAM 市场由于容量和价格等原因，目前规模较小，属于利基型市场。Everspin 公司 2008 年剥离自飞思卡尔公司，专注于MRAM 产品开发，目前为独立式 MRAM 产品主要供货商。2019 年 1 月，Everspin公司推出基于 28nm 工艺容量为 1Gb 的 STT-MRAM 产品，为目前最成熟、容量最大的独立式 MRAM 量产产品。嵌入式 MRAM（eMRAM）主要替代 SRAM 应用于嵌入式系统中，可避免因电源故障等导致的内存丢失问题。嵌入式 MRAM 目前受到各大厂商关注，2020 年 12 月 IBM 展出世界首个 14nm STT-MRAM 产品。2022 年 6 月，瑞萨宣布已开发出 22nm 嵌入式 STT-MRAM 电路技术。2022 年 10 月，三星研究人员称成功开发 14nm eMRAM。MRAM 增长点为替代闪存与嵌入式缓存。由于价格较高，容量短时间无法赶超 NAND FLASH 等原因，独立式 MRAM 目前主要应用于工业、航空、航天、军工等对可靠性和读写速度要求较高、容量无需太大的领域。随着容量进一步提升，独立式 MRAM 产品已逐渐进入数据中心等更大规模的市场，未来随着价格下降和容量扩大有望替代 NAND FLASH 等成为主力外部存储产品。目前嵌入式 MRAM已成功进入 MCU 嵌入式系统，并逐步替代慢速 SRAM 成为工作缓存新方案，应用于相机 CMOS 等。未来嵌入式 MRAM 提速降价后有望替代 SRAM 或 eDRAM等高速缓存，进入手机 SoC 和 CPU 等产品。图8：MRAM 应用方向 资料来源：Yole，民生证券研究院 1.3 ReRAM 替代 eFlash 成长空间广阔 可变电阻式存储器（ReRAM）以基本单位电阻变化存储数据。氧化层释放氧离子后产生的氧空位（Vacancy）与金属层中氧离子的运动共同决定了基本单位的行业专题研究/电子 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 9 电阻，高低电阻分别对应“0”和“1”。图9：ReRAM 原理图 资料来源：Investigation of switching mechanism in HfOx-ReRAM under low power and conventional operation modes作者 Wei Feng,Hisashi Shima,Kenji Ohmori，Hiroyuki Akinaga 等，民生证券研究院 ReRAM 市场成长性好，目前以美日厂商为主。根据 Data Bridge 测算，2022年 ReRAM 全球市场规模约为 6.07 亿美元，2030 年有望达到 21.60 亿美元，年复合增长率达 17.20%。国际厂商中，松下、富士通、Adesto、Crossbar 和 Rambus为 ReRAM 产品主要设计厂商。国内方面，2018 年兆易创新与 Rambus 宣布建立合资公司，目的是实现 RRAM 技术商业化。2022 年 2 月，我国昕原半导体主导建设的国内首条具备自主知识产权的 12 英寸、28/22 纳米 ReRAM 中试生产线顺利建成。嵌入式 ReRAM 替代 eFlash 进入模拟芯片为主要增长点，独立式替代 NOR FLASH 成长空间可期。独立式 ReRAM 在读写速度等方面不及 MRAM 和 FLASH等技术，但价格较低，易于制造。目前独立式 ReRAM 在工业级小容量存储得到广泛应用，并在 IoT 领域逐步替代 NOR FLASH。随着容量进一步提升和读写速度的突破，独立式 ReRAM 有望替代闪存进入企业级存储市场。嵌入式 ReRAM 按位寻址、对辐射和电磁场的高耐受性和较低的功耗等优点有效解决了目前嵌入式闪存（eFlash）在模拟芯片、医疗和工业以及 IoT 等领域面临的问题，目前已替代eFLash 可用于音频芯片、LED 驱动芯片等模拟芯片市场，在技术得到进一步验证后有望进入 MCU 芯片等。随着技术进一步发展，ReRAM 有望进入 CPU 作为最后一级高速缓存。行业专题研究/电子 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 10 图10：ReRAM 应用场景 资料来源：Yole，民生证券研究院 1.4 FeRAM 研发正当时，多种优势突破传统存储限制 FeRAM 是一种断电时可以保存数据的非易失存储器，存储机制和铁磁存储的滞后行为类似。当一个电场被施加到铁晶体管时，中心原子顺着电场停在低能量状态 I 位置，反之，当电场反转被施加到同一铁晶体管时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动并停在另一低能量状态 II，大量中心原子在晶体单胞中移动耦合形成铁电畴，铁电畴在电场作用下形成极化电荷。铁电畴在电场下反转所形成的极化电荷较高，铁电畴在电场下无反转所形成的极化电荷较低，这两种反差状态可以被记作“1”或“0”，FeRAM 可以用二进制的方式来存储数据。FeRAM 具有非易失性、读写速度快、寿命长、功耗低、可靠性高等特点。FeRAM 读写速度快；寿命长，可重复读写，重复次数可达到万亿次；功耗低，待机电流低，无需后备电池或采用充电泵电路；更加可靠，兼容 CMOS 工艺，工作温度范围宽，可靠性高。FeRAM 既有 ROM 的非易失性数据存储特性，又有 RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等特性，多种优势加持，正在成为存储器未来发展方向之一。图11：FeRAM 工作原理示意图 资料来源：维基百科，民生证券研究院 行业专题研究/电子 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 11 图12：FeRAM 工作原理示意图 资料来源：维基百科，民生证券研究院 FeRAM 最早在麻省理工大学达德利艾伦巴克在 1952 年提出的硕士论文中被提及，论文中提到，FeRAM 有比闪存更低的耗电量、更高的写入速度、更长的读写寿命等优势。由于存算一体的特性和诸多优势，FeRAM 成为新型存储的主流产品之一。1993 年 Ramtron 公司推出 4Kb FeRAM 产品，为全球首款可量产FeRAM 产品，此后，FeRAM 的更多研发和应用开启新篇章。FeRAM 小部分产品实现量产，潜力可见度提高。根据新思界产业研究中心发布的2022-2027 年中国 FRAM（铁电存储器）行业市场深度调研及发展前景预测报告，FRAM存储密度较低，容量有限，无法完全取代DRAM与NAND Flash，但在对容量要求不高、读写速度要求高、读写频率高、使用寿命要求长的场景中拥有发展潜力。在消费电子领域中，可以用于智能手表、智能卡以及物联网设备制造；汽车领域中，可以用于高级驾驶辅助系统（ADAS）制造；在工业机器人领域中，可以用于控制系统制造等诸多领域。国内外多家厂商正在积极研发 FeRAM 存储器，台积电正在探索铁电薄膜和堆叠及其可控性、状态保持性、持久性和可扩展性，以实现与先进 CMOS 技术集成的高密度、高容量数字存储器；国内拍字节、汇峰等企业也正在积极研究并助推以 HfO2 为镀膜的 FeRAM 的产业化落地，拍字节目前还在实验室研发阶段有望量产，汇峰目前已经有 130nm 制程 FeRAM 产品可以实现小批量量产。并且，已有部分 FeRAM 存储器成功应用在汽车领域，代表公司 Ramtron 和 Symetrix、英飞凌、日本富士通半导体。FeRAM 技术瓶颈尚在，仍需继续研究突破。当前，FeRAM 的工作模式主要包括 DRO（破坏性读出）和 NDRO（非破坏性读出）两种。在 DRO 模式中，FeRAM 读出后需重新写入数据，信息读取过程中存在着大量的擦除/重写操作，由于不断地极化反转，FeRAM 容易发生疲劳失效的问题。NDRO 模式无需使栅极的极化状态反转，读出方式是非破坏性的，是一种比较理想的存储方式，但目前这种 FeRAM 尚处于实验室研究阶段，还未达到实用层面。行业专题研究/电子 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 12 1.5 四种新型存储优势各异，市场化程度也有不同 四种新型存储都能在一定程度上有效解决传统存储的“性能墙”和“存储墙”的问题，打破冯诺依曼体系架构，实现存算一体，消数据访存带来的延迟和功耗，实现更高的算力和能效比，但是四种新型存储的具体技术特点和商业化程度有所不同。四种存储商业化阶段不同，MRAM 产业化程度最高。目前 MRAM 存储已进入产业化阶段，在独立式存储和嵌入式存储上均有量产，三星在 2019 年为索尼代工的卫星定位模块中使用 MRAM 技术，台积电在 2020 年集成电路设计领域ISSCC 国际会议上发布了 32 Mb 嵌入式 STT-MRAM；其次，FeRAM 有小规模应用，汇峰目前已经有 130nm 制程 FeRAM 产品可实现小批量量产；PCRAM 主要在混合固态盘和持久内存方面有少量应用，2015 年英特尔与美光联合研发的128 Gb 3D Xpoint 芯片是目前唯一大规模商用的 PCM 产品；RRAM 目前商业化还未真正落地。在寿命、读写速度、功耗、抗辐射方面，四种存储各有优势。持久性方面，MRAM、FeRAM 较高；存储密度方面，FeRAM 较低，MRAM、PCRAM、RRAM较高；读写速度方面，FeRAM 最快；读写功耗方面，PCRAM 最高，MRAM、FeRAM、RRAM 均较低；抗辐射方面，除 MRAM 外，其他均较高。表1：四种新型存储性能对比 存储芯片类型 PCRAM MRAM ReRAM FeRAM 持久性 中 高 中 高 存储密度 高 高 高 低 读速度 中 快 快 快 读功耗 低 低 低 低 写速度 快 快 中 快 写功耗 高 低 低 低 抗辐射 强 弱 强 强 资料来源：半导体行业观察，永鑫行研，民生证券研究院 行业专题研究/电子 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 13 2 风险提示 1）技术进展不及预期的风险。目前新型存储技术研发主要依靠海外厂商投入，若应用市场需求有限，厂商投入动力不足，将影响产业化进展。2）市场规模增速不及预期的风险。新型存储技术目前仍在探索阶段，尚未被完全规模化，若技术被验证无法用于替代目前主流存储产品，市场规模增速不及预期。行业专题研究/电子 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 14 插图目录 图 1：存储器市场规模及在半导体行业占比.3 图 2：存储行业演变历程.4 图 3：处理器和存储器的性能差距.4 图 4：常见的存储系统架构及存储墙.5 图 5：PCRAM 结构图（左图）和工作时电阻-电压曲线（右图）.6 图 6：PCRAM 的技术布局.6 图 7：磁隧道结工作原理.7 图 8：MRAM 应用方向.8 图 9：ReRAM 原理图.9 图 10：ReRAM 应用场景.10 图 11：FeRAM 工作原理示意图.10 图 12：FeRAM 工作原理示意图.11 表格目录 表 1：四种新型存储性能对比.12 行业专题研究/电子 本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 15 分析师承诺 本报告署名分析师具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格并登记为注册分析师，基于认真审慎的工作态度、专业严谨的研究方法与分析逻辑得出研究结论，独立、客观地出具本报告，并对本报告的内容和观点负责。本报告清晰准确地反映了研究人员的研究观点，结论不受任何第三方的授意、影响，研究人员不曾因、不因、也将不会因本报告中的具体推荐意见或观点而直接或间接收到任何形式的补偿。评级说明 投资建议评级标准 评级 说明 以报告发布日后的 12 个月内公司股价（或行业指数）相对同期基准指数的涨跌幅为基准。其中：A 股以沪深 300 指数为基准；新三板以三板成指或三板做市指数为基准；港股以恒生指数为基准；美股以纳斯达克综合指数或标普500 指数为基准。公司评级 推荐 相对基准指数涨幅 15%以上 谨慎推荐 相对基准指数涨幅 5%之间 中性 相对基准指数涨幅-5%5%之间 回避 相对基准指数跌幅 5%以上 行业评级 推荐 相对基准指数涨幅 5%以上 中性 相对基准指数涨幅-5%5%之间 回避 相对基准指数跌幅 5%以上 免责声明 民生证券股份有限公司（以下简称“本公司”）具有中国证监会许可的证券投资咨询业务资格。本公司不会因接收人收到本报告而视其为客户。本报告仅为参考之用，并不构成对客户的投资建议，不应被视为买卖任何证券、金融工具的要约或要约邀请。本报告所包含的观点及建议并未考虑个别客户的特殊状况、目标或需要，客户应当充分考虑自身特定状况，不应单纯依靠本报告所载的内容而取代个人的独立判断。在任何情况下，本公司不对任何人因使用本报告中的任何内容而导致的任何可能的损失负任何责任。本报告是基于已公开信息撰写，但本公司不保证该等信息的准确性或完整性。本报告所载的资料、意见及预测仅反映本公司于发布本报告当日的判断，且预测方法及结果存在一定程度局限性。在不同时期，本公司可发出与本报告所刊载的意见、预测不一致的报告，但本公司没有义务和责任及时更新本报告所涉及的内容并通知客户。在法律允许的情况下，本公司及其附属机构可能持有报告中提及的公司所发行证券的头寸并进行交易，也可能为这些公司提供或正在争取提供投资银行、财务顾问、咨询服务等相关服务，本公司的员工可能担任本报告所提及的公司的董事。客户应充分考虑可能存在的利益冲突，勿将本报告作为投资决策的唯一参考依据。若本公司以外的金融机构发送本报告，则由该金融机构独自为此发送行为负责。该机构的客户应联系该机构以交易本报告提及的证券或要求获悉更详细的信息。本报告不构成本公司向发送本报告金融机构之客户提供的投资建议。本公司不会因任何机构或个人从其他机构获得本报告而将其视为本公司客户。本报告的版权仅归本公司所有，未经书面许可，任何机构或个人不得以任何形式、任何目的进行翻版、转载、发表、篡改或引用。所有在本报告中使用的商标、服务标识及标记，除非另有说明，均为本公司的商标、服务标识及标记。本公司版权所有并保留一切权利。民生证券研究院：上海：上海市浦东新区浦明路 8 号财富金融广场 1 幢 5F；200120 北京：北京市东城区建国门内大街 28 号民生金融中心 A 座 18 层；100005 深圳：广东省深圳市福田区益田路 6001 号太平金融大厦 32 层 05 单元；518026

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证券研究报证券研究报告告证监会审核华创证券投资咨询业务资格批文号,证监许可,2009,1210号未经许可,禁止转载未经许可,禁止转载行业研究行业研究半导体半导体2023年年06月月29日日半导体存储行.

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请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容证券研究报告证券研究报告,20232023年年0606月月1919日日超配超配存储专题存储专题AIAI发展驱动发展驱动HBMHBM高带宽存储器放量高带宽存储.

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证券研究报告行业深度报告电子东吴证券研究所东吴证券研究所116请务必阅读正文之后的免责声明部分请务必阅读正文之后的免责声明部分电子行业深度报告存储行业拐点渐显,产业国产化势在必行存储行业拐点渐显,产业.

48人已浏览 2023-06-13 16页 5星级

请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 证券研究报告|行业深度 2023 年 04 月 11 日 电子电子“AI 革命”革命”存储篇存储篇：算力拉动，拐点提前算力拉动，拐点提前 ChatGPT 带动算力需求飙升，存算侧带动硬件全面受益。带动算力需求飙升，存算侧带动硬件全面受益。据 NVIDIA 估算，训练 GPT-3，假设单个机器的显存/内存容量足够的前提下，8 张 V100显卡训练时长预计达 36 年，1024 张 80GB A100 显卡完整训练 GPT-3 的时长为 1 个月，算力侧硬件需求全面增长。此外，大模型训练需要海量数据传输，由此将对以服务器交换机为代表的数据传输设备产生更多需求，相关高算力芯片需求量将相应增长。整体来看，ChatGPT 将从算力侧和数据传输端全面带动显卡及高算力芯片需求，进而对算力芯片、应用端、存算一体、先进封装、封装设备、IC 载板等多个领域硬件产生增量需求。国产化存储产业链迎来布局时刻国产化存储产业链迎来布局时刻。1）AI 服务器带来存力硬件需求上行：根据美光数据测算，人工智能服务器中 DRAM 内容是普通服务器的 8 倍，NAND 内容将是普通服务器的 3 倍，而大容量存储器将是算力数据迭代运算的重要基础。2）库存边际改善，价格修复在即：美光 2023 年 Q2 会计期末库存约为 81.29 亿美金，同比下降 2.75%，有望持续改善。AI 服务器有望带动存储行业景气度及需求快速提升，加速存储行业库存进一步清出。根据 TrendForce 数据，美光及 SK 海力士在内的部分供应商已启动DRAM减产计划，2023年第二季度DRAM价格跌幅将收窄至10%到15%。3）国产化存储产业链迎来布局时刻：国内存储产业链多元化布局，2023年有望完成产品结构快速升级。存储行业公司市场广阔，行存储行业公司市场广阔，行业业近期近期有望触底回升。有望触底回升。根据 IC Insight 数据，2011 年全球 DRAM 市场规模为 296 亿美金，而 2022 年全球 DRAM 市场规模将达 758 亿美金，CAGR 达 8.9%，其中 DDR4 需求疲软之下价格一路下行。根据中金企信统计数据，预计到 2025 年全球 NAND Flash 市场规模有望达到 931.9 亿美元，2021 年至 2025 年 CAGR 增速 7.4%，其中三星依旧占领较大的市场份额，但还未形成绝对的寡头地位。国内储存行业链公司有望持续发展，国产化替代空间广阔。DRAM&NAND Flash 强周期属性强周期属性，人工智能需求增长有望带动行业快人工智能需求增长有望带动行业快速修复速修复。DRAM 是存储器第一大产品，占比全球储存市场 53%的市场份额。当前以三星、海力士和美光三大家为主。看 DRAM 产品迭代，DDR4系当前主流，DDR5 接力入场。NAND Flash 供给端，呈现 CR6 市场规模占比约 99%，寡头市场持续集中。价格方面，我们认为主流及利基型产品价格 2022 年以来下跌跌幅将逐步趋缓。需求端，车规级储存受汽车智能化发展速度加快，AI 等高算力设备推动巨量数据存储或将有望成为新的快速增长点。人工智能算力及数据量增长，带动存储行业人工智能算力及数据量增长，带动存储行业技术迅速发展技术迅速发展。1）HBM：截至 2021 年，SK 海力士和 Rambus 已发布了数据传输速率为 5.2Gbps 和8.4Gbps 的 HBM3 产品，每个堆叠将提供超过 665GB/s 和 1075GB/s 的传输速率，有望快速在 AI 服务器中替代。2）存算一体：目前存算一体大致分为近存计算（PNM）、存内处理（PIM）、存内计算（CIM）。特斯拉、阿里达摩院、三星等大厂所选择的便是近存计算（PNM），未来技术成熟度或将快速提高，突破算力存力中间壁垒。3）3D NAND 堆叠：3D NAND将成为主流方向，可突破存储容量限制瓶颈。3D NAND 将解决方案从提高制程工艺转变为多层堆叠，解决了 2D NAND 在增加容量的同时性能出现下降的问题，实现容量、速度、能效及可靠性等多方位的提升。风险提示风险提示：下游需求不及预期，新品迭代不及预期。增持增持（维持维持）行业行业走势走势 作者作者 分析师分析师 郑震湘郑震湘 执业证书编号：S0680518120002 邮箱：分析师分析师 佘凌星佘凌星 执业证书编号：S0680520010001 邮箱：相关研究相关研究 1、电子：三星存储芯片或将减产，LLM 开启算力新时代2023-04-10 2、电子：“AI 革命”算力篇2023-04-08 3、电子：先进封装引领“后摩尔时代”，国产供应链新机遇2023-04-05-32%-16%02 22-042022-082022-122023-04电子沪深300 2023 年 04 月 11 日 P.2 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 内容目录内容目录 一、AI 带动存力芯片用量快速提升.6 1.1 AI 带动算力及存力需求快速提升.6 1.2 AI 服务器需求快速增长，有望带动存储行业困境修复.8 1.3 海外龙头减产缩支，国产化存储产业链或将加快布局.12 二、DRAM：周期轮动，价格底部.16 2.1 DRAM：强周期属性，高垄断格局.16 2.2 行业寒冬，周期视角下的底部.19 2.2.1 供需端：需求短期等待修复，DRAM 厂商难逃行业寒冬.19 2.2.2 价格端：高水位库存 低需求市场，降价持续.21 三、NAND Flash:市场有望快速修复.23 3.1 NAND Flash 市场规模持续增长.25 3.2 等待下游需求恢复，价格欲将企稳修复.26 3.2.1 供需端:产业链进一步集中，供需逐渐修复.26 3.2.2 价格端：环比下降收窄，价格将逐步企稳.32 四、存储创新技术适配 AI 快速发展.34 4.1 HBM 突破技术瓶颈，逐渐凸显应用价值.34 4.1.1 HBM 堆叠技术进一步提高传输速率.34 4.1.2 HBM 技术已迅速发展，人工智能将带动技术快速突破.36 4.2 存算一体：嵌入计算能力，有效提升数据效率.38 4.2.1 存算一体，后摩尔时代发展的必然要求.38 4.2.2 国外龙头占据行业垄断地位，国内厂商积极布局.40 4.3 3D NAND：突破存储容量限制瓶颈.41 五、重点关注标的.44 5.1 兆易创新：业绩高速增长，看平台化公司如何打造.44 5.2 北京君正：收购北京矽成进入存储芯片市场，业绩高速增长、利润率有所修复.45 5.3 雅克科技：全球前驱体核心供应商，深度受益高性能存储需求.47 5.4 东芯股份：国内 SLC NAND 龙头，短期业绩有望快速修复.48 5.5 深科技：存储芯片封测领先者，定增加码产能.49 5.6 普冉股份：存储行业新星，发力工业控制和车载领域.50 5.7 佰维存储：存储芯片小巨人，短期业绩承压.52 5.8 香农芯创：AI 服务器需求增长，带动内存有望提升.53 六、风险提示.54 图表目录图表目录 图表 1：ChatGPT 模型训练之路.6 图表 2：ChatGPT 所需数据量.6 图表 3：3072 张 80GBA100 训练 GPT，最大规模模型参数量是 GPT-3 原版规模的 5 倍.7 图表 4：GPT-3 VS GPT-4.7 图表 5：3D 堆叠封装显著降低成本.8 图表 6：先进封装提升性能及效率.8 图表 7：全球服务器出货量（万台）及增速（%）.8 图表 8：全球服务器市场规模预测（亿美元）同比（%）.8 图表 9：AI 服务器（推理）出货量预测及复合增速（千台，%）.9 4WdYkZnVeYmVsXvUrY6M9R7NpNoOoMpMjMmMrNlOqRpN6MpPvMuOqMwPvPrQnQ 2023 年 04 月 11 日 P.3 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 10：2022 年采购 AI 服务器占比（%）.9 图表 11：英伟达 DGX A100 产品.9 图表 12：英伟达 DGX H100 产品.9 图表 13：H100/A100/V100 产品算力对比.10 图表 14：DGX H100 vs DGX A100 平台升级.11 图表 15：华为 Atlas 800 型号 9010 训练服务器.11 图表 16：美光分业务营收.12 图表 17：美光 FQ3-23 业绩指引.13 图表 18：三星电子 2022 年及 2022 年 Q4 业绩.13 图表 19：海力士 FY2022 业绩.14 图表 20：海力士分产品业绩说明.14 图表 21：全球存储器细分市场结构占比.16 图表 22：DRAM 市场波动剧烈.16 图表 23：DRAM 全球市场规模.17 图表 24：2021 年全球 DRAM 下游应用分布（%）.17 图表 25：2019 年全球 dram 区域分布占比情况（%）.17 图表 26：2021 年 DRAM 市场格局.18 图表 27：各代 DRAM 产品情况.18 图表 28：全球 DRAM 市场结构拆分.19 图表 29：DRAM 的分支与演进.19 图表 30：供需位元状况及预测（%）.19 图表 31：DRAM 市场营收半年度情况.20 图表 32：DRAM 全球市场规模季度变化.20 图表 33：2022 年 Q4 各原厂 DRAM 营收排名(百万美元).20 图表 34：美光各季度库存（亿美元）.21 图表 35：DRAM 产品价格变动预测.21 图表 36：DRAM 主流合约平均价（美元）.22 图表 37：DRAM 主流现货平均价（美元）.22 图表 38：利基合约平均价（美元）.23 图表 39：利基现货平均价（美元）.23 图表 40：Flash 储存位元结构.23 图表 41：NAND Flash 基本构成.23 图表 42：嵌入式存储性能情况.24 图表 43：NAND Flash 出货形态应用情况.24 图表 44：2020-2023 年全球 NAND 闪存颗粒下游市场格局.24 图表 45：2016-2025 年全球 NAND Flash 市场规模预测.25 图表 46：全球 2D/3D NAND Flash 市场收入占比.25 图表 47：NAND Flash 行业格局.26 图表 48：等效 12”NAND Flash 产能情况（千片/月）.26 图表 49：NAND Flash 厂商技术路径汇总.27 图表 50：全球智能手机季度出货量.28 图表 51：智能手机 NAND 闪存平均容量（GB）.28 图表 52：全球 PC 季度出货量.29 图表 53：全球平板电脑年度出货量.29 图表 54：SSD 在电脑市场搭载率（%）.30 图表 55：SSD 近三年在台式机及笔电搭载率（%）.30 2023 年 04 月 11 日 P.4 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 56：全球数据储存量情况（ZB）及增速.31 图表 57：云数据及企业级数据储存需求（百万/GB）.31 图表 58：2022 年全球新能源汽车销量（分企业，万辆）.32 图表 59：中国新能源汽车月销量（辆）.32 图表 60：MLC NAND Flash 芯片现货平均价（美金）.33 图表 61：MLC NAND Flash 芯片合约价平均价（美金）.33 图表 62：各代 HBM 产品的传输路径配置.34 图表 63：HBM 内存堆叠示意图.35 图表 64：HBM 2 与其他几种内存方案的参数对比.35 图表 65：HBM 性能演进.37 图表 66：三星 DRAM Roadmap.37 图表 67：HBM 技术性能发展.38 图表 68：算力发展速度远超存储.38 图表 69：存算一体发展简史.39 图表 70：存内计算架构（右）在传输带宽上优于传统计算架构（左）.39 图表 71：存算一体技术的分类.39 图表 72：国内存算一体芯片市场规模估算.40 图表 73：国内存算一体芯片公司布局（按照应用场景大-小排序）.41 图表 74：2D 对比 3D NAND.42 图表 75：厂商 3D NAND 技术发展.42 图表 76：SK 海力士第 8 代 3D NAND 闪存技术.43 图表 77：三星 3D V-NAND.43 图表 78：兆易创新营收及增速.44 图表 79：兆易创新归母净利润及增速.44 图表 80：研发支出及同比.45 图表 81：销售利润率.45 图表 82：北京君正营收及增速.46 图表 83：北京君正营收及增速.46 图表 84：北京君正研发支出及同比.46 图表 85：北京君正利润率水平.46 图表 86：雅克科技营收及增速.47 图表 87：雅克科技归母净利润及增速.47 图表 88：雅克科技研发支出及同比增速.47 图表 89：雅克科技销售利润率.47 图表 90：东芯股份营收及增速.48 图表 91：东芯股份归母净利润及增速.48 图表 92：东芯股份研发支出及同比增速.49 图表 93：东芯股份销售利润率.49 图表 94：深科技营收及增速.50 图表 95：深科技归母净利润及增速.50 图表 96：深科技研发支出及同比增速.50 图表 97：深科技销售利润率.50 图表 98：普冉股份营收及增速.51 图表 99：普冉股份归母净利润及增速.51 图表 100：普冉股份研发支出及同比增速.51 图表 101：普冉股份销售利润率.51 2023 年 04 月 11 日 P.5 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 102：佰维存储营收及增速.52 图表 103：佰维存储归母净利润及增速.52 图表 104：佰维存储研发支出及同比增速.52 图表 105：佰维存储销售利润率.52 图表 106：香农芯创营收及增速.54 图表 107：香农芯创归母净利润及增速.54 图表 108：香农芯创研发支出及同比增速.54 图表 109：香农芯创销售利润率.54 2023 年 04 月 11 日 P.6 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 一、一、AI 带动存力芯片用量快速提升带动存力芯片用量快速提升 1.1 AI 带动算力及存力需求快速提升带动算力及存力需求快速提升 ChatGPT 是 OpenAI 开发的一款聊天机器人，能够更高层次理解人类需求并解决复杂问题。ChatGPT 基于 Transformer 架构算法，可用于处理序列数据模型，通过连接真实世界中大量的语料库来训练模型，可进行语言理解并通过文本输出，做到与真正人类几乎无异的聊天场景进行交流。ChatGPT 应用场景广泛，海外已有龙头落地成功案例：1）文字创意的生成：文字创意的生成：快速生成文章段落结构。2）客服系统：客服系统：与客户更流畅的交流。3）虚拟）虚拟人物对话：人物对话：传统虚拟人物会设定对话标准答案，ChatGPT 能够更自然真实地与人对话。4）结合）结合 Office 软件：软件：生成文档、表格、PPT 等。5）搜索：）搜索：替代部分搜索需求。6）咨询领域：）咨询领域：提供值得思考或探索的方向。ChatGPT 海外已有应用方案落地：为 BuzzFeed 提供个性化测试服务以及为 Amazon 解决工程师技术难题等。图表 1：ChatGPT 模型训练之路 图表 2：ChatGPT 所需数据量 资料来源：360 技术工程，国盛证券研究所 资料来源：360 技术工程，国盛证券研究所 ChatGPT 带动算力需求飙升，存算侧硬件全面增量需求。带动算力需求飙升，存算侧硬件全面增量需求。据 NVIDIA 估算，训练 GPT-3，假设单个机器的显存/内存容量足够的前提下，8 张 V100 显卡训练时长预计达 36 年，1024 张 80GBA100 显卡完整训练 GPT-3 的时长为 1 个月，算算力力侧硬件侧硬件需求需求全面全面增长增长。2023 年 04 月 11 日 P.7 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 3：3072 张 80GBA100 训练 GPT，最大规模模型参数量是 GPT-3 原版规模的 5 倍 资料来源：EfficientLarge-Scale Language Model Training on GPU Clusters，国盛证券研究所 ChatGPT4 多模态演绎，算力需求进一步激增。多模态演绎，算力需求进一步激增。ChatGPT4 为多模态模型，使用图像、视频等多媒体数据进行训练，文件大小远超文字，进一步驱动算力需求飙升。以 LAION-5B 图文数据集为例，其包含 58.5 亿个 CLIP 过滤的图像文本数据集，我们认为图像、视频类训练数据将驱动算力需求进一步飙升。此外，大模型训练需要海量数据传输，由此由此将对以服务器交换机为代表的将对以服务器交换机为代表的数据传输设备产生更多需求数据传输设备产生更多需求，相关高算力芯片需求量将相相关高算力芯片需求量将相应增长。应增长。图表 4：GPT-3 VS GPT-4 资料来源：恒沙云，国盛证券研究所 高算力时代，高算力时代，Chiplet 助力突破芯片助力突破芯片制程制程瓶颈。瓶颈。在速度方面，采取 3D 封装技术的 chiplet缩短了线路传输距离，指令的响应速度得到大幅提升，寄生性电容和电感也得以降低，此外，更多更密集的 I/O 接点数，电路密度提升将提高功率密度。3D 封装由于采用更细小、更密集的电路，信号传输不需要过多的电信号，从而功耗也会相应降低。2023 年 04 月 11 日 P.8 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 5：3D 堆叠封装显著降低成本 图表 6：先进封装提升性能及效率 资料来源：AMD，国盛证券研究所 资料来源：AMD，国盛证券研究所 整体来看，ChatGPT 将从算力侧和数据传输端全面带动显卡及高算力芯片需求，由此将从算力芯片、应用端、存算一体、先进封装、封装设备、IC 载板等多个领域带动硬件市场增量需求。1.2 AI 服务器服务器需求快速增长，有望需求快速增长，有望带动存储行业困境带动存储行业困境修复修复 根据中商产业研究院数据，2021 年全球服务器出货量达 1315 万台，同比增长 7.8%，对应全球市场规模达 995 亿美元。根据 Counterpoint 预计，2022 年全球服务器市场规模有望达到 1117 亿美元，同比增长 17.0%。预计云服务提供商数据中心扩张增长驱动力主要来自于汽车、5G、云游戏和高性能计算。图表 7：全球服务器出货量（万台）及增速（%）图表 8：全球服务器市场规模预测（亿美元）同比（%）资料来源：Wind，中商产业研究院，国盛证券研究所 资料来源：Counterpoint，国盛证券研究所 AI 服务器渗透率依旧较低，增长空间巨大。服务器渗透率依旧较低，增长空间巨大。根据 TrendForce 数据，截止 2022 年全球搭载 GPGPU 的 AI 服务器（推理）出货量占整体服务器比重约 1%，同时 TrendForce 预测2023 年伴随 AI 相关应用加持，年出货量增速达到 8%，20222026 年 CAGR 为 10.8%。根据 TrendForce 数据，2022 年全球 AI 服务器采购中，Microsoft、Google、Meta、AWS为前四大采购商，合计占比 66.2%。中国地区 ByteDance（字节跳动）采购比例最高，达到 6.2%。-4%0%4%8 0040060080010001200140016002016201720182019202020212022E全球服务器出货量预测趋势图（万台）同比（%）-5%0%5 004006008001000120020182019202020212022F全球服务器市场规模（亿美元）同比（%）2023 年 04 月 11 日 P.9 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 9：AI 服务器（推理）出货量预测及复合增速（千台，%）图表 10：2022 年采购 AI 服务器占比（%）资料来源：TrendForce，国盛证券研究所 资料来源：TrendForce，国盛证券研究所 人工智能已成为解决艰巨业务挑战的首选解决方案。AI 正在为各行各业的企业组织开辟创新之路，从改善客户服务、优化供应链、获取商业智能，到设计新产品和服务等。NVIDIA作为 AI 基础架构的先行者，NVIDIA DGX 系统可提供更强大、完整的 AI 平台，将企业组织的核心想法付诸实践。目前 AI 大规模训练方面，NVIDIA 推出的最新 DGX 系统包括A100、H100、BasePOD、SuperPOD 四款产品，其中，DGX A100、DGX H100 为英伟达当前服务于 AI 领域的服务器产品。图表 11：英伟达 DGX A100 产品 图表 12：英伟达 DGX H100 产品 资料来源：NVIDIA，国盛证券研究所 资料来源：NVIDIA，国盛证券研究所 H100 采用先进工艺芯片采用台积电 4N 工艺 台积电 CoWoS 2.5D 封装，有 800 亿个晶体管对比 A100 有 540 亿个晶体管，同时搭载了 HBM3 显存，可实现近 5TB/s 的外部互联带宽。H100 是首款支持 PCIe 5.0 的 GPU，也是首款采用 HBM3 标准的 GPU，单个H100 可支持 40Tb/s 的 IO 带宽，实现 3TB/s 的显存带宽。Microsoft19%Google17%Meta16%AWS14%ByteDance6%Tencent2idu2%Alibaba2%Others22 23 年 04 月 11 日 P.10 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 13：H100/A100/V100 产品算力对比 资料来源：anandtech，国盛证券研究所 DGX H100 带来性能的快速飞跃，通过全新张量处理格式 FP8 实现。其中 FP8 算力是4PetaFLOPS，FP16 达 2PetaFLOPS，TF32 算力为 1PetaFLOPS，FP64 和 FP32 算力为60TeraFLOPS。在 DGX H100 系统中，拥有 8 颗 H100 GPU，整体系统显存带宽达 24TB/s，硬件上支持系统内存 2TB，及支持 2 块 1.9TB 的 NVMe M.2 硬盘作为操作系统及 8 块3.84TB NVMe M.2 硬盘作为内部存储。根据官网信息，NVIDIA DGX H100 对比上一代产品具有 6 倍的性能及 2 倍的网络速度和高速可扩展性，同时英伟达表示目前新款 DGX H100 已经全面投入生产。2023 年 04 月 11 日 P.11 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 14：DGX H100 vs DGX A100 平台升级 DGX H100 DGX A100 GPU 8 个 NVIDIA H100 Tensor Core GPU 8 个 NVIDIA A100 80GB Tensor Core GPU GPU 显存 共 640GB 共 640GB 性能 32 petaFLOPS FP8 5 petaFLOPS AI/10 petaOPS INT8 NVIDIA NVSwitch 4x 6 系统功耗 最高 10.2kW 最大 6.5kW 系统内存 2TB 2TB 存储 操作系统：2 块 1.9TB NVMe M.2 硬盘 内部存储：8 块 3.84TB NVMe U.2 硬盘 操作系统：2 块 1.92TB NVME M.2 硬盘 内部存储：30TB（8 块 3.84TB）NVMe U.2 硬盘 系统软件 DGX H100 系统预安装 DGX 操作系统，该操作系统基于 Ubuntu Linux，包含DGX 软件堆栈（所有必要软件包和驱动均针对 DGX 优化）。客户可以选择单独安装Ubuntu Linux或Red Hat Enterprise Linux 以及必要的 DGX 软件堆栈。Ubuntu Linux 操作系统同时支持：Red Hat 企业级 Linux CentOS 运行温度范围 5 至 30C 5C 至 30C 资料来源：NVIDIA，国盛证券研究所 国内华为的昇腾 Atlas 800（型号 9010）训练服务器是基于昇腾 910 Intel Cascade Lake的 AI 训练服务器，具有高计算密度、高能效比与高网络带宽易拓展、易管理等特点，该服务器广泛应用于深度学习模型开发和 AI 训练服务场景，适用于公有云、互联网、运营商等需要大算力的行业领域。AI 处理器昇腾 910 是一款具有超高算力的 AI 处理器，其最大功耗为 310W，华为自研的达芬奇架构大大提升了其能效比。八位整数精度（INT8）下的性能达到 640TOPS，16 位浮点数（FP16）下的性能达到 320 TFLOPS。图表 15：华为 Atlas 800 型号 9010 训练服务器 资料来源：华为，国盛证券研究所 Atlas 800（型号 9010）训练服务器从配置来看，拥有 8 个昇腾 910 模组，单模组支持 2023 年 04 月 11 日 P.12 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 HBM2e技术，且拥有32GB容量及1228GB/s传输速度，AI算力达2.24 PFLOPS FP16/1.76 PFLOPS FP16。本地存储支持 2 个 2.5 SATA 8 个 2.5 SAS/SATA 或 2 个 2.5 SAS/SATA 6个 2.5 NVMe。AI 服务器带来存力硬件需求服务器带来存力硬件需求快速快速扩展扩展。根据美光数据测算，人工智能服务器中 DRAM 内容是普通服务器的 8 倍，NAND 内容将是普通服务器的 3 倍，而大容量及高速率存储器将是算力数据迭代运算的重要基础。我们认为，人工智能计算量日益增加，对于 AI 服务器硬件需求将进一步提升。从服务器硬件配置角度，HBM 技术将快速在 AI 服务器中普及，其价格远高于现有基础服务器配置，未来 AI 服务器需求将带领存储芯片出现量价齐升的趋势。1.3 海外龙头减产海外龙头减产缩支缩支，国产化，国产化存储存储产业链或将加快布局产业链或将加快布局 1.美光科技美光科技 公司最新发布公司最新发布 2023 年年 Q2 财报披露财报披露。2023 年 Q2 公司总收入约 36.93 亿美元，环比下降约 9.6%，同比下降约 52.6%，营业利润亏损 22.13 亿美金。2023 年 Q2 会计期末库存约为 81.29 亿美元，较上一季度环比回落 2.75%，有望持续改善。2023 年 Q2 财年的非 GAAP 每股亏损为 1.91 美元，低于上一季度的每股亏损 0.04 美元和上一年的每股收益 2.14 美元，其中 Q2 财政每股收益包括约 1.34 美元的库存减记损失。2023 年 Q2 财政的公司分存储芯片业务收入：a.DRAM：收入为 27 亿美元，占总收入的 74%。DRAM 收入环比下降 4%，出货量在预期范围内微增，其中价格下降约 20%。b.NAND 收入为 8.85 亿美元，占总收入的 24。NAND 收入环比下降 20，价格下降在 20%范围内。图表 16：美光分业务营收 资料来源：美光科技，国盛证券研究所 美光科技对于 2023 财年第三季度的 GAAP 收入指引为 37 亿2 亿美元，较 2022 财年第三季度 GAAP 收入的 86.42 亿美元同比下降约 57%，环比有望持平。公司认为财务业绩已在 2023 年第二财季达到较低位置，并看好未来几个季度的财务业绩快速修复。在经历整体市场及公司财务业绩低迷之后，公司预计将根据长期财务模型恢复正常的增长和盈利能力。2023 年 04 月 11 日 P.13 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 17：美光 FQ3-23 业绩指引 资料来源：美光科技，国盛证券研究所 2.三星电子三星电子 2023 年 4 月 7 日三星电子发布 2023 年 Q1 业绩，公司初步报表（未审计）预计 23Q1营收 63 万亿韩元，yoy-19%，营业利润为 6000 亿韩元，同比-95.8%。2022 全年公司业绩收入 302.23 万亿韩元，yoy 8.1%；毛利率 37.1%，yoy-3.4pcts；研发费用率 8.2%，yoy 0.2pcts；营业利润 43.38 万亿韩元，yoy-16.0%；营业利润率14.4%，yoy-4.1pcts；净利率 18.4%，yoy 4.1pcts。22Q4 单季度公司业绩收入 70.46万亿韩元，yoy-8.0%，qoq-8.2%；毛利率 31.0%，yoy-10.3pcts，qoq-6.4pcts；研发费用率 9.2%，yoy 0.8pcts，qoq 1.0pcts；营业利润 4.31 万亿韩元，yoy-68.9%，qoq-60.3%；营业利润率 6.1%，yoy-12.0pcts，qoq-8.0pcts；净利率 33.8%，yoy 19.6pcts，qoq 21.6pcts。（净利率大幅提升主因前期与子公司股息相关的递延所得税负债减少）图表 18：三星电子 2022 年及 2022 年 Q4 业绩 资料来源：三星电子，国盛证券研究所 基于 2022 年全年公司分产品业绩：1）DRAM：22Q4 ASP 下降了 30%，预计 23Q1 DRAM 市场出现低个位数下降，公司与市场保持同步。2）NAND：22Q4 ASP 下降了 20%，预计 23Q1 NAND 市场出现中个位数下降，公司表现略优于市场水平。3）出货量：移动端，22Q4 智能手机出货量为 5800 万部，ASP 为 240 美元，平板电脑 2023 年 04 月 11 日 P.14 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 出货量为 800 万部；预计 23Q1 智能手机出货量和 ASP 将上升，但平板电脑出货量将下降；电视端，22Q4 液晶电视销量增长了 15%，预计 23Q1 销量将下降 10%。3.海力士海力士 2022 全年业绩收入 44.65 万亿韩元，yoy 4%；营业利润 7.01 万亿韩元，yoy-44%；营业利润率 16%，yoy-13pcts；净利润 2.44 万亿韩元，yoy-75%。2022Q4 业绩收入 7.70万亿韩元，yoy-38%，qoq-38%；营业亏损 1.70 万亿韩元，上年同期为盈利 4.20 万亿韩元；营业利润率-22%，上季度为 15%，去年同期为 34%；净亏损 3.52 万亿韩元，上年同期为净盈利 3.32 万亿韩元。图表 19：海力士 FY2022 业绩 资料来源：海力士，国盛证券研究所 分产品业绩分产品业绩 1）NAND：NAND 产品在 2022Q4 收入为 2.39 万亿韩元，占 2022Q4 公司总收入 31%。从应用上来讲，SSD&Mobile 共占 NAND 的应用收入的 90%，USB，Card 和其他的应用占剩余的 10%。2）DRAM：DRAM 产品在 2022Q4 收入为 4.62 万亿韩元，占 2022Q4 公司总收入 60%。3）从 应 用 上 来 讲，Server 占 DRAM 的 应 用 收 入 的 50%，PC 占 20%，Graphics,Consumer&Mobile 占应用收入的剩下 30%。图表 20：海力士分产品业绩说明 资料来源：海力士，国盛证券研究所 2023 年 04 月 11 日 P.15 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 4.海外公司海外公司资本开支：资本开支：1）美光：美光：率先宣布将削减投资计划。之前美光已大幅削减资本开支，2023 年第二财季将进一步削减 2023 财年资本开支，目前预计投资约 70 亿美元，同比下降 40%，同时芯片设备方面的支出削减最多达 50%，以放缓供应增长。2）三星电子：三星电子：公司表示由于全球经济疲软以及客户专注于用完库存而放缓采购，内存需求急剧下降，从而进一步影响了行业定价及公司业绩。基于现有供给保障，公司将把存储芯片的产量降到一个较为平衡的水平。我们认为，公司相较之前减产态度有所改变，短期内或有望削减生产计划，但长期来看公司也将对基础设施及研究进行长期投资，以确保其行业领先地位。3）海力士：海力士：相比 2022 年海力士由于经济周期下行、设备交期等因素及芯片供给过剩，9 月底开始对设备商进行砍单。据韩媒 BusinessKorea 报道，公司 2022 年资本支出 19万亿韩元，2023 年将大幅缩减资本支出 50%。公司预期 2023 年 H2 整体存储行业需求端或将复苏，但资本支出削减有助于公司灵活经营业务。美光、三星、海力士对于行业价格及景气度预估将在 23 年 H2 恢复，各家公司减产及缩减资本开支有利行业快速触底反弹。我们认为，行业周期属性显著，缩减资本开支是周期的一部分，可以有效改善供需错配关系，优化行业格局和过剩产能，同时推动行业从周期底部向上修复。5.中国网信网公告对美光公司在华销售进行安全审查中国网信网公告对美光公司在华销售进行安全审查 根据 2023 年 3 月 31 日，中国网信网公告，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据中华人民共和国国家安全法中华人民共和国网络安全法，网络安全审查办公室按照网络安全审查办法，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。国产化存储产业链迎来布局时刻。国产化存储产业链迎来布局时刻。我们认为，随我国存储产业布局逐步完善，国内将对美光及一部分国外公司的依赖度将逐渐降低，国内存储产业链公司有望快速崛起。1）AI 服务器带来存力硬件需求上行：根据美光数据测算，人工智能服务器中 DRAM 内容是普通服务器的 8 倍，NAND 内容将是普通服务器的 3 倍，而大容量存储器将是算力数据迭代运算的重要基础。2）库存边际改善，价格修复在即：美光 2023 年 Q2 会计期末库存约为 81.29 亿美金，同比下降 2.75%，有望持续改善。AI 服务器有望带动存储行业景气度及需求快速提升，加速存储行业库存进一步清出。根据 TrendForce 数据，美光及 SK 海力士在内的部分供应商已启动 DRAM 减产计划，2023 年第二季度 DRAM 价格跌幅将收窄至 10%到 15%。3）国产化存储产业链迎来布局时刻：国内存储产业链多元化布局，2023 年有望完成产品结构快速升级。2023 年 04 月 11 日 P.16 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 二、二、DRAM：周期轮动，价格底部周期轮动，价格底部 2.1 DRAM：强周期属性：强周期属性，高垄断格局，高垄断格局 DRAM 系存储器第一大产品，占比全球储存市场 53%的市场份额。DRAM 属于易失存储器，多用于 cpu 和图像系统缓存的临时数据存储，若断电则存储数据会丢失。DRAM 产品缓存空间越大则可同时处理和储存的数据也相应更多，系电子设备不可或缺的组成部分。图表 21：全球存储器细分市场结构占比 资料来源：中商产业研究院，国盛证券研究所 复盘复盘 DRAM 历史周期变化情况，市场波动剧烈，周期历史周期变化情况，市场波动剧烈，周期属性属性较强较强。在过去 30 年中，DRAM市场经历过若干轮的惊人增长和毁灭性崩溃。2021年DRAM行业迎来42%的高速增长，而根据 IC Insight 预计，2022 年 DRAM 行业增速转而下降 18%。图表 22：DRAM 市场波动剧烈 资料来源：IC Insights，国盛证券研究所 波动上升，市场规模呈增长趋势。波动上升，市场规模呈增长趋势。DRAM 系千亿美金大市场，下游覆盖消费、PC、服务全球存储细分市场结构占比DRAMNANDNOR其他 2023 年 04 月 11 日 P.17 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 器等众多领域，行业规模在周期轮动中不断上升。根据 IC Insight，2011 年全球 DRAM市场规模为 296 亿美金，而 2022 年全球 DRAM 市场规模将达 758 亿美金，CAGR 达8.9%。图表 23：DRAM 全球市场规模 资料来源：IC Insight，国盛证券研究所 DRAM 下游应用主要在智能手机、PC 以及服务器三大领域，美国和中国系前两大市场。2021 年 DRAM 第一大应用领域智能手机占比 39%，第二大应用领域服务器占比 34%，PC 端整体出货量同比 2020 年增长 14.8%，但受核心配件价格高涨和办公需求萎缩的影响，整体占比下降，仅为 13%。从区域分布看，美国和中国系 DRAM 前两大市场，2019年合计份额超 70%。图表 24：2021 年全球 DRAM 下游应用分布（%）图表 25：2019 年全球 dram 区域分布占比情况（%）资料来源：华经情报网，国盛证券研究所 资料来源：华经产业研究院，国盛证券研究所 强周期属性大浪淘沙，集中度不断提升。在经历“需求提出需求提出-供不应求供不应求-价格上涨价格上涨-产能产能扩扩张张-供给供给过剩过剩-价格下跌价格下跌-重新洗牌重新洗牌”的多轮周期往复后，当前全球 DRAM 厂商形成了以三星电子（韩国）、SK 海力士(韩国)和美光(美国)三大巨头垄断的局面。2021 年全球市场份额中，三星、海力士、美光合计份额占比达 94%。020040060080010001200201120122013201420152016201720182019202020212022EDRAM市场规模（亿美元）2021年全球DRAM下游应用分布智能手机服务器PC其他2019年全球DRAM区域分布占比情况美国中国欧洲日本其他 2023 年 04 月 11 日 P.18 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 26：2021 年 DRAM 市场格局 资料来源：华经产业研究院，国盛证券研究所 DDR 技术不断演进，行业对于产品性能、内存容量和功耗的追求也越来越高，标准工作电压越来越低，芯片容量越来越大，同时 IO 速率也越来越高。从最早的 128Mbps 的 DDR发展到了如今的 6400Mbps 的 DDR5，每一代 DDR 产品的发布都伴随着数据传输速率的翻倍增长。图表 27：各代 DRAM 产品情况 资料来源：半导体行业观察，国盛证券研究所 DRAM 产品中，产品中，DDR4 系当前主流，系当前主流，DDR5 接力入场。接力入场。DRAM 产品有明显的新产品逐步取代老产品的趋势，老款 DRAM 逐步转为利基型 DRAM 直至停产淘汰。第一代 DDR 产品已停产，DDR2 在 2010 年占比高达 30%，而到了 2020 年仅占 1%，应用于利基市场。当前 DRAM 市场 DDR4 系主流，2020 年占比达 78%左右。根据 Yole，两代内存之间的过渡时间大约只需要两年，这意味着到 2023 年，DDR5 内存的市场份额将高于 DDR4。而到 2026 年，DDR4 份额或将降至 5%以下。全球DRAM市场格局（%）三星海力士美光南亚其他DRAMDRAM历代名称历代名称发行年份发行年份BUS频率BUS频率(MHZ)(MHZ)资料传资料传输速率输速率(MT/s)(MT/s)工作电压工作电压(V)(V)记忆体记忆体TopologyTopologyPrefetchPrefetch记忆体记忆体连结形式连结形式SDRAMSDRAM1993100-166100-1663.3T-Branch1n多重分支DDRDDR2000133-200266-4002.5T-Branch2n多重分支DDR2DDR22003266-400533-8001.8T-Branch4n多重分支DDR3DDR32007533-8001066-16001.5Fly-by8n多重分支DDR4DDR420141066-16002133-32001.2Fly-by8n点对点DDR5DDR520191600-32003200-64001.1Fly-by16n点对点 2023 年 04 月 11 日 P.19 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 28：全球 DRAM 市场结构拆分 图表 29：DRAM 的分支与演进 资料来源：华经产业研究院，国盛证券研究所 资料来源：半导体行业观察，国盛证券研究所 2.2 行业寒冬，周期视角下的底部行业寒冬，周期视角下的底部 2.2.1 供需端供需端：需求短期需求短期等待修复等待修复，DRAM 厂商难逃行业寒冬厂商难逃行业寒冬 2022 年年供需供需位元差加大位元差加大，供大于求困局供大于求困局未破未破。根据 TrendForce，2023 年 DRAM 市场需求位元成长率为 8.3%，系近年来首次低于 10%，远低于供给位元成长的 14.1%。因此2023 年的 DRAM 市场在供过于求的情势或愈演愈烈，供大于求仍是当前困局。图表 30：供需位元状况及预测（%）资料来源：Trendforce，国盛证券研究所 下游需求疲软，下游需求疲软，DRAM 市场规模连续多季度萎缩市场规模连续多季度萎缩。2022 年疲弱的经济状况和高通胀率降低了全球范围内个人电脑、智能手机和其他消费电子产品的需求，DRAM 需求也因此下降。预计 2022 年下半年 DRAM 销售额将下降-40%至 293 亿美元，而 2022 年上半年销售额达 490 亿美元。同时，根据 CFM 闪存市场，三季度存储市场规模环比大跌 29.72%至 177.64 亿美元，创 10 个季度新低，预计 2022 年 Q4 市场规模将进一步环比下跌。全球DRAM市场结构拆分DDR4及以上DDR3DDR2DDR10%5 %-4%-3%-2%-1%0%1%2%3%4%5%6%7 182019202020212022E2023F供需位元差Supply Bit GrowthDemand Bit Growth 2023 年 04 月 11 日 P.20 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 31：DRAM 市场营收半年度情况 图表 32：DRAM 全球市场规模季度变化 资料来源：科技号，国盛证券研究所 资料来源：CFM 闪存市场，国盛证券研究所 2022 年 Q4 多厂商业绩下行，行业平均下跌达 30%。三星：2022 年 Q4，DRAM 销售收入达 54.05 亿美元，环比减少 23.6%，市场份额为44.5%。DRAM Bit 出货量环比高个位数增长，ASP 环比下跌超 30%。SK 海力士：2022 年 Q4，DRAM 收入达 34.07 亿美元，环比减少 35.3%，DRAM 出货量环比持平，ASP 下跌超 30%。美光：2022 年 Q4，DRAM 收入为 28.29 亿美元，环比下跌 41.2%，DRAM Bit 出货量环比下降约 25%，DRAM ASP 环比减少 20%以上。南亚科技：2022 年 Q4，DRAM 收入环比减少 30.3%至 2.53 亿美元。华邦电子:2022 年 Q4，DRAM 收入环比减少 29.8%至 1.06 亿美元。图表 33：2022 年 Q4 各原厂 DRAM 营收排名(百万美元)资料来源：CFM 闪存市场，国盛证券研究所-40%-30%-20%-10%0 0010015020025030020Q120Q321Q121Q322Q122Q323Q1EDRAM全球市场规模季度变化（亿美元）同比（%）排名排名公司公司DRAM销售收入（百万美元）DRAM销售收入（百万美元）市场份额市场份额环比环比1三星540544.5%-23.6%2海力士340728.0%-35.3%3美光282923.3%-41.2%4南亚2532.1%-30.3%5华邦电子1060.9%-29.8%其他1551.3%-27.1%总计12155100%-31.8 23 年 04 月 11 日 P.21 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 2.2.2 价格端价格端：高水位库存高水位库存 低需求市场，降价持续低需求市场，降价持续 库存端，以美光各季库存进行追踪，自 2021 年 Q1 开始，公司库存逐步进入下降通道，至 2021 年 Q4 达到底部。自此开始，受下游需求疲软影响，公司库存水位逐步增加，至2023Q1，公司库存水位已达近三年最高点，为 81.29 亿美元，环比 2022 年 Q4 增幅超18%。高库存水位下，各厂商去库存压力迫在眉睫，同时叠加需求疲软，直接导致 DRAM市场产品价格大幅下跌。图表 34：美光各季度库存（亿美元）资料来源：wind，国盛证券研究所 供需对峙供需对峙下下，存储厂商存储厂商唯有降价唯有降价。根据 Trendforce，2023 年 Q1 下游各领域产品价格均有超过 10%的下降。目前来看，PC 制造商仍有 9 至 13 周的 DRAM 库存等待消化，但移动设备领域的库存水平相对健康，不过定价仍预计要下降 10-15%。由于消费者对 DRAM的需求低迷，供应商将销售的目光投向了服务器方面，然而这却导致服务器 DRAM 库存的大量堆积。图表 35：DRAM 产品价格变动预测 资料来源：TrendForce，国盛证券研究所 考虑到 DRAM 主流产品和利基产品的定位、单价和格局等不尽相同，我们对 DRAM 价格分主流产品和利基产品两大类进行跟踪。主流产品：主流产品：现货和合约价均下跌。现货和合约价均下跌。合约价：以合约价：以 DDR4 8Gb 1Gx8 2133Mbps(基于 8G 存储)为例，在经历 2022 年 10 月份合约平均价稳定后，至 2023 年 1 月价格进一步下跌至 1.81 美元，月度环比跌幅约 22%。01020304050607080902019Q12019Q32020Q12020Q32021Q12021Q32022Q12022Q32023Q1美光科技库存（亿美元）1Q23E2Q23FPC DRAMDDR4:down 15-20R5:down 18-23R4:down 8-13R5:down 10-15%Blended ASP:down 10-15%Server DRAMDDR4:down 20-25R5:down 23-28%Blended ASP:down 20-25R4:down 13-18R5:down 15-20%Blended ASP:down 13-18%Mobile DRAMdown 13-18%down 10-15%Graphics DRAMdown 18-23%down 10-15%Consumer DRAMdown 18-23%down 10-15%Total DRAMdown-20%down 10-15 23 年 04 月 11 日 P.22 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 现货价：现货价：以 DDR4 16G(2G*8)2666 Mbps 和 DDR4 8G(1G*8)2666 Mbps 为例，整体下跌趋势延续已久，进入 2023 年主流现货平均价跌幅趋缓，但仍未见反弹。截至 2023 年 4 月 6 日，以上所述的 16GB 和 8GB 产品现货价格分别为 3.21 美元和1.65 美元。图表 36：DRAM 主流合约平均价（美元）图表 37：DRAM 主流现货平均价（美元）资料来源：wind，DRAMexchange，国盛证券研究所 资料来源：wind，DRAMexchange，国盛证券研究所 利基产品：利基产品：价格仍在探底价格仍在探底。合约价合约价：DDR4：我们以 DDR4 4Gb 256Mx16 为例。下跌未见放缓趋势，截至 2023 年 2 月底产品价格为 1.24 美元，月度环比跌幅约 4.6%。DDR3:我们以 DDR3 4Gb 256Mx16 为例。与 DDR4 利基产品同样保持下探趋势，截至 2023 年 2 月底产品价格为 1.30 美元，月度环比跌幅约 5.7%。现货价：现货价：我们以 DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz 产品为例，现货价格已至上一轮周期底部，利基市场主要面向存储速度性能不太高的市场，上一轮 DDR3 周期价格上行系三星、海力士等龙头厂商为准备利润更高的 DDR5 生产，逐步淘汰 DDR3 产能，导致 DDR3 短期内供需失衡所致。同样，在本轮的 DDR3 价格下行周期中，三星放缓 line13 的 DDR3 产能转换至 CIS，也给供给端带来更多压力。本轮底部区间，在行业面临寒冬，下游需求疲软，供给过剩的背景下，价格反弹压力较大。0123452020-11-30 2021-05-31 2021-11-29 2022-05-31 2022-11-30合约平均价:DRAM:DDR4 8Gb 1Gx8 2133Mbps(基于8G存储)合约平均价:DRAM:DDR4 8Gb 1Gx8 2133Mbps(基于8G存储)01234567892021-08-022021-08-302021-09-292021-10-272021-11-242021-12-222022-01-192022-02-232022-03-232022-04-222022-05-232022-06-212022-07-192022-08-162022-09-132022-10-112022-11-082022-12-062023-01-032023-02-072023-03-072023-04-04现货平均价:DRAM:DDR4 16G(2G*8)2666 Mbps现货平均价:DRAM:DDR4 8G(1G*8)2666 Mbps 2023 年 04 月 11 日 P.23 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 38：利基合约平均价（美元）图表 39：利基现货平均价（美元）资料来源：wind，DRAMexchange，国盛证券研究所 资料来源：wind，DRAMexchange，国盛证券研究所 三、三、NAND Flash:市场有望快速修复市场有望快速修复 NAND Flash 作为非易失性存储，被广泛应用在下游设备资料储存的应用领域。NAND Flash 从特性来看断电后不会丢失储存信息特征，在生产过程中主流产品已具备规模化、标准化的能力，同时容量大、价格较低，现阶段作为主流的储存介质，被广泛的应用于智能手机领域、笔电领域、服务器领域及汽车领域等。从微观结构基本构成来看，NAND Flash 的结构从小到大分别为 cell-line-page-block-plane-die。例如三星型号为 K9K8G08U0A 的 Nand Flash，其内部有两个 K9F4G08U0A的 chip，chip#1 和 chip#2，每个 K9F4G08U0A 的 chip 包含了 2 个 Plane，每个 Plane是 2Gb bit，所以 K9F4G08U0A 的大小是 2Gb2=4Gb=512MB，因此，K9K8G08U0A内部有 2 个 K9F4G08U0A，或者说 4 个 Plane，总大小是256MB1GB。图表 40：Flash 储存位元结构 图表 41：NAND Flash 基本构成 资料来源：与非网，国盛证券研究所 资料来源：与非网，国盛证券研究所 通过下游领域划分，其最终储存介质的出货形态划分以 eMMC/UFS（主要应用在移动设备）、SSD（主要应用在服务器和 PC）产品为主，及 SD/闪存盘（移动储存 SD 卡及 U 盘）为辅的产品设备中。在移动设备领域，相较于 eMMC 的封装形式，UFS 封装的闪存有着00.511.522.532020-11-302021-05-312021-11-292022-05-312022-11-30合约平均价:DRAM:DDR4 4Gb 256Mx16合约平均价:DRAM:DDR3 4Gb 256Mx1600.511.522.533.542019-01-022019-03-152019-05-232019-07-302019-10-042019-12-102020-02-212020-04-282020-07-072020-09-102020-11-182021-01-252021-04-082021-06-152021-08-192021-10-272021-12-312022-03-152022-05-242022-07-292022-10-042022-12-082023-02-20现货平均价:DRAM:DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz现货平均价:DRAM:DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz 2023 年 04 月 11 日 P.24 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 更高的写入速度，更好的性能。智能手机端从 eMMC 发展现阶段 UFS3.1 规格储存，读写速度进一步提升，远超于 eMMC 几倍的速率。SSD 产品则依据下游应用场景对容量和速度的要求部分，分为消费级、数据中心级和企业级固态硬盘。图表 42：嵌入式存储性能情况 资料来源：三星，国盛证券研究所 根据闪存市场 CFM 数据，2021 年 NAND Flash 市场容量达到 5700 亿 GB，预计 2022 年将增长 30%，达到 7410 亿 GB。其中，2021 年 NAND Flash 主要以应用于 mobile 市场的 UFS、eMMC、eMCP 和 uMCP 产品为主的嵌入式存储产品，和应用于 PC 等消费类渠道市场的 cSSD、以及应用于服务器市场的 eSSD 产品为主，占比分别为 39%、25%和22%。根据 Trendforce 的数据统计，未来到 2023 年，智能手机板块的需求将小幅度上涨，而服务器的需求将大幅上涨，与此形成对应的则是在 PC 端的需求小幅下降。图表 43：NAND Flash 出货形态应用情况 图表 44：2020-2023 年全球 NAND 闪存颗粒下游市场格局 资料来源：闪存市场 CFM，国盛证券研究所 资料来源：Trendforce，国盛证券研究所 0 0Pp0 2020212022EMobilecSSDeSSD储存卡/UFD其他0 0Pp0 202023EPC服务器手机游戏控制其他 2023 年 04 月 11 日 P.25 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 3.1 NAND Flash 市场规模持续增长市场规模持续增长 根据中金企信统计数据，NAND Flash2020 年市场规模为 534.1 亿美元，预计到 2025 年，全球 NAND Flash 市场规模讲达到 931.9 亿美元，2021 年至 2025 年，CAGR 增速 7.4%。随着 PC 及智能手机平均储存容量的上升，及工业设备、传感器、汽车系统和医疗系统等设备中，人工智能和机器学习对海量数据处理需求增长，基于 NAND Flash 的储存趋势也将继续发展。图表 45：2016-2025 年全球 NAND Flash 市场规模预测 资料来源：中金企信国际咨询，国盛证券研究所 NAND Flash 技术一直基于二维平面的 NAND 技术，也就是我们说的 2D NAND 闪存。2D在平面上对晶体管尺寸进行微缩，从而获得更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩遇到物理极限，现已面临瓶颈，达到发展极限。为了在维持性能的情况下实现容量提升，3D NAND 成为发展主流。根据 International business strategies 数据显示，2019 年，3D NAND 的渗透率为 72.6，已远超 2D NAND，且未来仍将持续提高，预计 2025 年 3D NAND 将占闪存总市场的 97.5。图表 46：全球 2D/3D NAND Flash 市场收入占比 资料来源：International business strategies，国盛证券研究所-40%-30%-20%-10%0 0P002003004005006007008009001000201620172018201920202021E2022E2023E2024E2025E市场规模（亿美元）YoY（%）2023 年 04 月 11 日 P.26 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 3.2 等待等待下游需下游需求恢复，价格欲将企稳修复求恢复，价格欲将企稳修复 3.2.1 供供需需端端:产业链进一步集中产业链进一步集中，供需逐渐修复，供需逐渐修复 NAND Flash 寡头地位逐步增强，根据 Trendforce 数据显示，CR6 包括三星、铠侠、西部数据、美光、英特尔、海力士总体市场规模占比约 99%，其中三星、铠侠、西部数据三家行业龙头，约占比 70%的市场份额，在市场上有较大的影响力。图表 47：NAND Flash 行业格局 资料来源：Trendforce，国盛证券研究所 根据 Trendforce 数据的预测，预计受益于下游新增需求的快速发展，NAND Flash 的需求量也会有增长趋势。从行业供给格局来看，三星依旧占领较大的市场份额，但还未形成绝对的寡头地位，且国内公司长江储存也将持续发展，有望进一步提升市场份额。图表 48：等效 12”NAND Flash 产能情况（千片/月）资料来源：TrendForce，国盛证券研究所 2022 年 10 月 25 日，存储芯片大厂铠侠(Kioxia)和西部数据(Western Digital)在日本庆祝0 0Pp0 18Q12018Q22018Q32018Q42019Q12019Q22019Q32019Q42020Q12020Q22020Q32020Q42021Q12021Q22021Q32021Q42022Q12022Q22022Q32022Q4三星铠侠西部数据美光英特尔海力士其他02004006008001000120014001600180020001Q212Q213Q214Q211Q222Q223Q224Q22E1Q23F2Q23F3Q23F4Q23FSamsungKioxia/WDCSK hynixSolidigm（Intel）MicronYMTCothers 2023 年 04 月 11 日 P.27 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 位于四日市最先进制程晶圆厂 Fab7 完工。此 Fab7 晶圆厂第一期的总投资约为 1 万亿日元(约合人民币 487.97 亿元)，具备生产第六代 162 层 NAND Flash 闪存和未来更先进 3D NAND Flash 闪存的能力，计划于 2023 年初开始出货 162 层 NAND Flash 闪存。头部厂商已正逐步覆盖 3D NAND 236 及 256 层甚至更高叠层工艺制程，持续技术迭代更新。图表 49：NAND Flash 厂商技术路径汇总 资料来源：全球半导体观察，国盛证券研究所 NAND Flash 需求端受到全球人工智能和机器学习对海量数据处理，其市场规模正快速增长。而 NAND Flash 主要覆盖的下游应用设备为手机、服务器、PC 及车载工控等，我们认为，手机及 3C 产品的储存容量和硬盘搭载率提升将推动 NAND Flash 需求量持续增高。对于服务器设备，云端储存及处理数据场景越发增长，服务器需求量及单设备搭载量同样推动 NAND Flash 市场的需求量提升。除此传统需求领域外，随着车载智能化的逐步提升，车载 NAND Flash 市场也有望迎来高速增长。1)手机及传统手机及传统 3C 产品，产品，NAND 单机搭载量提升单机搭载量提升 近十年，智能手机作为成熟市场，每年全球手机出货维持在 11 至 13 亿部左右，保持稳定波动。而随手机智能化水平越发提升，其摄影摄像功能、高清显示功能及各类多功能软件所消耗的储存空间持续增长，用户对于手机的储存空间越发增加。智能手机市场对应 Flash 市场的增长逻辑，主要来源于单机搭载量的持续提升。2023 年 04 月 11 日 P.28 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 50：全球智能手机季度出货量 资料来源：IDC，国盛证券研究所 根据 Counterpoint 数据显示，2020 年智能手机 NAND 闪存平均容量首次突破 100GB 大关。在 iOS 和 Android 手机中有所不同。在 iOS 手机中，2020 年第四季度的平均 NAND容量达到 140.9GB，而同期 Android 手机的平均容量为 95.7GB。Android 手机的平均容量在过去几年中一直在快速增长。2020 年 iOS 和 Android 手机的平均容量分别增长了5.6%和 20.5%。同时根据 Trendforce 数据显示，预估 2023 年智能手机 NAND Flash 单机搭载容量年成长仍能维持 22.1%。我们认为，IPhone 产品组合仍全线往更高容量 1TB靠拢；Android 高端机种也跟进将 512GB 做为标准配备，中低端机储存空间则随硬件规格持续升级而提高，因此整体平均容量仍有增长空间。图表 51：智能手机 NAND 闪存平均容量（GB）资料来源：Counterpoint，国盛证券研究所 全球 PC 市场（包括笔电、桌面 PC、工作站等）在 2020-2021 年期间迎来强换机周期且居家办公刺激需求端提前消费，根据 IDC 数据统计，2021 年全球 PC 出货量达 3.46 亿-20%-15%-10%-5%0%5 %001001502002503003504004505002016Q12016Q22016Q32016Q42017Q12017Q22017Q32017Q42018Q12018Q22018Q32018Q42019Q12019Q22019Q32019Q42020Q12020Q22020Q32020Q42021Q12021Q22021Q32021Q42022Q12022Q22022Q32022Q4全球手机出货量（百万台）YoY（%）2023 年 04 月 11 日 P.29 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 台。2022 年需求迎来疲软态势，根据 IDC 数据预测，2022 年整体出货量将下滑至 2.93亿台，同比降低 15.2%。另外，由于消费市场需求减缓，教育市场也获基本满足，及因经济状况弱化同样使商用市场需求遭到挤压。根据 IDC 数据预测，预计 2023 年全球 PC 市场将进一步萎缩。PC 加上平板电脑的整体市场预估 2023 年下降 2.6%，预计在 2024 年恢复成长。图表 52：全球 PC 季度出货量 资料来源：IDC，国盛证券研究所 根据 IDC 数据，由于 2020-2021 年受到居家办公的提前消费影响，平板电脑（包括二合一的可拆卸式平板在内）市场在 2020/2021 年出货量达到 1.65/1.69 亿部，同比增长13.8%/2.4%。但随 2022 年消费逐步疲软，根据 IDC 数据，2022 年全球出货量同比下滑 3.6%至 1.63 亿台。图表 53：全球平板电脑年度出货量 资料来源：IDC，国盛证券研究所-40%-30%-20%-10%0 0Pp020304050607080901002018Q12018Q22018Q32018Q42019Q12019Q22019Q32019Q42020Q12020Q22020Q32020Q42021Q12021Q22021Q32021Q42022Q12022Q22022Q32022Q4全球PC季度出货量（百万台）YOY（%）-20%-15%-10%-5%0%5 .511.522.520152016201720182019202020212022全球平板年度出货量（亿台）YoY（%）2023 年 04 月 11 日 P.30 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 PC 及移动平板电脑作为存量市场，整体年度出货量波动不大，基本维持亿部的出货量。近些年随电脑固态硬盘替代传统硬盘趋势及单机储存量提升，其中SSD搭载率有所提升。据中国闪存市场 ChinaFlashMarket 数据，预计到 2018 年 SSD 240GB 价格与 1TB HDD同价的，在笔记本电脑上的搭载率将达到 52%。到 2019 年 SSD 480GB 价格与 1TB HDD同价的时候，在笔记本电脑上的搭载率将达到 65%以上。另外，消费类 SSD 在零售渠道市场每个月也有 200 万片硬盘升级 SSD 的出货量。图表 54：SSD 在电脑市场搭载率（%）资料来源：中国闪存市场，国盛证券研究所 据中国闪存市场数据显示，2020 年笔记本市场 SSD 的搭载率已经高达 80%，且 512GB SSD 出货量大幅增加。其中价位更加低廉的中低端市场是其成长驱动力。图表 55：SSD 近三年在台式机及笔电搭载率（%）资料来源：中国闪存市场，国盛证券研究所 2)AI 带动带动服务器及云端数据储存服务器及云端数据储存有望快速放量有望快速放量，进一步进一步推动推动 NAND Flash 需求需求 云计算时代市场的快速增长，云储存、云计算的数据量不断提高。在数字化时代的发展下，随工作量的云上迁移和云本地应用的加速开发，在移动互联网技术不断迭代升级的背景下，全球数据量呈现爆发式增长。根据 IDC 数据显示，全球数据储量由 2016 年的16ZB 增长至 2021 年的 54ZB，复合年均增长率为 27.5%，随着数字经济的不断发展，预计 2022 年全球数据储量将达 61ZB。0 0Pp 15201620172018201920202021SSD在电脑市场搭载率（%）0 0Pp 1920202021台式机搭载率（%）笔电搭载率（%）2023 年 04 月 11 日 P.31 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 56：全球数据储存量情况（ZB）及增速 资料来源：IDC，国盛证券研究所 根据 Omdia 数据，云数据及企业级数据储存需求将在 2026 年达到 5255 亿每 GB 当量，2021 年至 2026 年，CAGR 将达到 33.0%。图表 57：云数据及企业级数据储存需求（百万/GB）资料来源：Omdia，国盛证券研究所 3)车载车载 NAND Flash 有望受汽车智能化持续增长有望受汽车智能化持续增长 2022 年全球新能源汽车销量突破千万。根据 Clean Technica 数据，2022 年全球新能源汽车销量突破千万达 1009.12 万辆，占整体汽车市场 14%份额，其中比亚迪以 184.77万辆的全年销售数据获得全球销量冠军。根据中国汽车工业协会数据，2023 年 1 月和 2月我国新能源汽车月度销量分别为 40.78 万辆和 52.50 万辆，由于 1-2 月为汽车销量传统淡季，2023 年 1 月与 2 月销量与 2022 年 12 月 81.38 万辆的月销量相比仍有差距。后续随着汽车电动化进程不断深化，我们认为全球范围内新能源汽车销量将会维持高速增长态势。0 0P02030405060702016201720182019202020212022E全球数据储存量（ZB）YoY（%）010000020000030000040000050000060000020212022E2023E2024E2025E2026E云数据及企业级需求 2023 年 04 月 11 日 P.32 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 58：2022 年全球新能源汽车销量（分企业，万辆）图表 59：中国新能源汽车月销量（辆）资料来源：Clean Technica，国盛证券研究所 资料来源：中国汽车工业协会，Wind，国盛证券研究所 根据 IDC 及 IHS 数据显示，车用 DRAM 和 NAND 市场规模将从 2020 年的 20.4 亿和 12.6亿，增长到 2025 年的 85 亿美元和 61 亿美元，预计年复合增长率为 33%和 37%。车规级 NAND Flash 需要符合 AEC-Q100 等车规标准，随着汽车行业智能化、网联化的演进，与 SOTA（软件在线升级），MaaS（出行即服务）得以实现，市场对车载存储的程序和处理的数据量提出更多的新需求。车用存储芯片规模成长的驱动因素，主要为三个方面，首先为智能座舱产生巨量数据交互，其次是 ADAS 系统及车载娱乐系统。随着自动驾驶的普及及自动驾驶等级的提升（L2L5），会产生大量的道路和环境数据，用于收集车辆运行和周边环境数据的各类传感器也会越来越多，包括摄像头、毫米波雷达、激光雷达等，根据安全和功能需要对数据进行处理和保存，从而产生了大容量 NAND 存储的需求。英特尔估计，自动驾驶汽车每天将产生 4000GB 的数据量，即再低等级的自动驾驶车辆也需要大量车载数据存储。根据 Semico Research 数据显示，L1/L2 级别的自动驾驶需要 8GB 的 NAND 容量，而 L3为 256GB，到 L5 的时候需要 1TB，自动驾驶技术升级对 NAND 需求呈现指数级的增长。3.2.2 价格端价格端：环比下降收窄，价格将逐步企稳环比下降收窄，价格将逐步企稳 考虑到 NAND Flash 主流产品和利基产品的定位、单价和格局等不尽相同，我们对 NAND Flash 价格分主流产品和利基产品两大类进行跟踪。主流价格：现货价增长后企稳，合约价自 2022 年 6 月开始下跌。现货价：以 MLC NAND Flash 64Gb（8Gx8）及 MLC NAND Flash 32Gb（4Gx8）为例，经历 2022 年 4 月涨价后，价格逐步企稳跌幅趋缓。截至 2023 年 4 月 7 日，以上两款64Gb 和 32Gb 价格分别为 3.85 美金和 2.13 美金。020406080100120140160180200比亚迪特斯拉上汽通用五菱大众宝马奔驰广汽上汽长安奇瑞起亚吉利现代东风沃尔沃奥迪哪吒福特理想标致2022年全球新能源乘用车分企业销量情况（万辆）01000002000003000004000005000006000007000008000009000002018-012018-052018-092019-012019-052019-092020-012020-052020-092021-012021-052021-092022-012022-052022-092023-01中国新能源汽车月销量（辆）2023 年 04 月 11 日 P.33 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 60：MLC NAND Flash 芯片现货平均价（美金）资料来源：DRAMexchange，WIND，国盛证券研究所 合约价：以 MLC NAND Flash 128Gb（16Gx8）、MLC NAND Flash 64Gb（8Gx8）及 MLC NAND Flash 32Gb（4Gx8）三款为例，从 2021 年 7 月价格稳定后，在 2022 年 6 月开始出现价格下降，截至 2023 年 2 月 24 日，以上三款合约价分别为 4.14/2.98/2.59 美金。图表 61：MLC NAND Flash 芯片合约价平均价（美金）资料来源：DRAMexchange，WIND，国盛证券研究所 00.511.522.533.544.52018-01-2018-02-2018-04-2018-05-2018-07-2018-08-2018-10-2018-12-2019-01-2019-03-2019-05-2019-06-2019-08-2019-09-2019-11-2019-12-2020-02-2020-04-2020-05-2020-07-2020-08-2020-10-2020-11-2021-01-2021-03-2021-04-2021-06-2021-07-2021-09-2021-10-2021-12-2022-01-2022-03-2022-05-2022-06-2022-08-2022-09-2022-11-2022-12-2023-02-NAND Flash:64Gb 8Gx8 MLCNAND Flash:32Gb 4Gx8 MLC01234562018-01-312018-03-302018-05-312018-07-312018-09-282018-11-302019-01-312019-03-292019-05-312019-07-312019-09-302019-11-292020-01-302020-03-312020-05-292020-07-312020-09-302020-11-302021-01-292021-03-312021-05-312021-07-302021-09-302021-11-302022-01-282022-03-312022-05-312022-07-292022-09-302022-11-302023-01-31NAND Flash:NAND 128Gb 16Gx8 MLCNAND Flash:NAND 64Gb 8Gx8 MLCNAND Flash:NAND 32Gb 4Gx8 MLC 2023 年 04 月 11 日 P.34 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 四、存储创新技术适配四、存储创新技术适配 AI 快速发展快速发展 4.1 HBM 突破突破技术技术瓶颈，逐渐凸显应用价值瓶颈，逐渐凸显应用价值 4.1.1 HBM 堆叠技术堆叠技术进一步提高进一步提高传输速率传输速率 高带宽存储器（英文：High Bandwidth Memory，缩写 HBM）是三星电子、超微半导体和 SK 海力士发起的一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，用于图形处理器、网络交换及转发设备（如路由器、交换器）等。HBM 主要是通过硅通孔（Through Silicon Via，简称“TSV”）技术进行芯片堆叠，以增加吞吐量并克服单一封装内带宽的限制，将数个 DRAM 裸片像楼层一样垂直堆叠。图表 62：各代 HBM 产品的传输路径配置 资料来源：半导体行业行业观察，国盛证券研究所 HBM 有两个核心特征：1）DRAM 颗粒以 3D 封装方式垂直摆放。2）3D DRAM 与 GPU/CPU 通过 interposer 合封，实现直接连接。这两个技术特征，目的是解决传统 DRAM 与 CPU/GPU 通过主板（Motherboard）连接的信号延迟与电磁干扰。2023 年 04 月 11 日 P.35 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 63：HBM 内存堆叠示意图 资料来源：AMD，国盛证券研究所 HBM 对比其他 DRAM 内存（如 DDR4 或 GDDR6）相比，拥有较宽内存总线。一个 HBM stack 由 4 个 DRAM die（4-Hi）堆叠而成，并拥有 8 个 128 位信道（每个 die 上 2 个），总宽度为 1024 位。因此，具有四个 4-Hi HBM stack 的 GPU 将拥有 4096 位宽度的内存总线。相比之下，GDDR 存储器的总线宽度为 32 位，同样 16 个信道则只具有 512 位存储器接口。HBM 支持每个 package 的容量最多为 4GB。对比第一代 HBM，第二代高带宽存储 HBM2，该标准指定了每个 stack 多达 8 个 die，将 pin 传输速率提高一倍来到 2 GT/s。保留 1024 位宽的存取，HBM2 能够达到每个 package 256GB/s 存储带宽。HBM2规范允许每个 package 容量高达 8GB，其性能也是超于同期 DRAM 内存。图表 64：HBM 2 与其他几种内存方案的参数对比 资料来源：集微网，国盛证券研究所 HBM 技术或将应用于高算力服务器、人工智能计算或是大型密集计算的数据中心。HBM其架构因为使用额外的硅联通层，通过晶片堆叠技术与处理器连接，其封装及工艺难度远大于现有技术，每个 HBM 堆叠都有上千个连接，使得其良率现阶段较现有传统 DRAM较低，同时单产品成本也相对较高。现阶段很难应用到成本敏感度较高的消费电子设备 2023 年 04 月 11 日 P.36 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 中，还是以数据中心服务器及高算力设备等应用为主。但随整体人工智能带动高算力设备的发展，对于存储传输速率的需求将逐步提高，未来或将有利于 HBM 技术的进一步发展。4.1.2 HBM 技术已迅速发展，人工智能将带动技术快速突破技术已迅速发展，人工智能将带动技术快速突破 HBM 技术已经发展了很长时间。在 2013 年推出的高带宽内存（HBM）是一种高性能 3D堆叠 SDRAM 架构，其数据传输速率约为 1Gbps。2016 年发布的 HBM2 继承了前一代产品的特点，每个堆叠包含最多 8 个内存芯片，并将管脚传输速率提升一倍至 2Gbps。HBM2 实现了每个封装 256GB/s 的内存带宽（DRAM 堆叠），支持 HBM2 规格，每个封装最大容量可达 8GB。首款使用高带宽存储器的设备是 AMD Radeon Fury 系列显示核心。2013年10月，高带宽存储器正式被JEDEC采纳为业界标准，第二代高带宽存储器（HBM2）于 2016 年 1 月被 JEDEC 采纳，同时 NVIDIA 在该年发表的新款旗舰型 Tesla 运算加速卡“Tesla P100”，AMD 的“Radeon RX Vega”系列及 Intel 的“Knight Landing”也采用了第二代高带宽存储器。2018 年底，JEDEC 宣布推出 HBM2E 规范，以满足增长的带宽和容量需求。当传输速率提升至每管脚 3.6Gbps 时，HBM2E 可实现每堆叠 461GB/s 的内存带宽。此外，HBM2E支持最多 12 个 DRAM 的堆叠，内存容量最高可达每堆叠 24GB。HBM2E 具备实现巨大内存带宽的能力。连接到一个处理器的四块 HBM2E 内存堆叠将提供超过 1.8TB/s 的带宽。通过 3D 堆叠内存，可在极小的空间内满足高带宽和高容量需求。NVIDIA 最新一代的 SXM4 A100 GPU 采用了 HBM2E 内存。从芯片内部结构图可见，A100计算核心两侧共有 6 个 HBM 内存放置空间。在 SXM4 A100 GPU 发布时，NVIDIA 实际上仅使用了其中 5 个 HBM 内存放置空间，提供 40GB HBM2E 内存容量，这意味着每个HBM2E 内存上堆叠了 8 个 1GB DRAM Die。对于升级版的 80GB SXM4 A100 GPU，每个HBM2E 内存上则采用了 8 个 2GB DRAM Die 进行堆叠。截至 2021 年，SK 海力士和 Rambus 已分别发布了最高数据传输速率为 5.2Gbps 和8.4Gbps 的 HBM3 产品，每个堆叠将提供超过 665GB/s 和 1075GB/s 的传输速率。同一时期，JEDEC 组织正式发布了新一代高带宽内存 HBM3 的标准规范，继续在存储密度、带宽、通道、可靠性、能效等各个层面进行扩充升级，具体包括：主接口使用 0.4V 低摆幅调制，运行电压降低至 1.1V，进一步提升能效表现。传输数据率在 HBM2 基础上再次翻番，每个引脚的传输率为 6.4Gbps，配合 1024-bit 位宽，单颗最高带宽可达 819GB/s。如果使用四颗，总带宽就是 3.2TB/s，六颗则可达 4.8TB/s。独立通道数从 8 个翻番到 16 个，再加上虚拟通道，单颗支持 32 通道。支持 4 层、8 层和 12 层 TSV 堆栈，并为未来扩展至 16 层 TSV 堆栈做好准备。每个存储层容量 8/16/32Gb，单颗容量起步 4GB(8Gb 4-high)、最大容量 64GB(32Gb 16-high)。支持平台级 RAS 可靠性，集成 ECC 校验纠错，支持实时错误报告与透明度。2023 年 04 月 11 日 P.37 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 65：HBM 性能演进 资料来源：海力士，国盛证券研究所 2022 年三星也发布器 HBM3 技术产品，在三星发布的路线图中，其单芯片接口宽度可达1024bit，接口传输速率可达 6.4Gbps，相比上一代提升 1.8 倍，从而实现单芯片接口带宽 819GB/s，如果使用 6 层堆叠可以实现 4.8TB/s 的总带宽。图表 66：三星 DRAM Roadmap 资料来源：GizChina，国盛证券研究所 我们认为 2024-2025 年随人工智能算力需求进一步提升，将快速提高对存储器件高带宽的高传输速率要求，2024 年预计在不考虑高级封装技术带来的高多层堆叠和内存宽度提升下，将实现接口速度高达 7.2Gbps 的 HBM3p，从而将数据传输率相比这一代进一步提升 10%，从而将堆叠的总带宽提升到 5TB/s 以上。我们认为，2025 年将看到更多搭载HBM 下一代技术的产品服役于人工智能服及高算力设备中。2023 年 04 月 11 日 P.38 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 67：HBM 技术性能发展 资料来源：CSDN，Rambus，国盛证券研究所 4.2 存算一体存算一体：嵌入计算能力，有效提升：嵌入计算能力，有效提升数据效率数据效率 4.2.1 存算一体，后摩尔时代发展的必然要求存算一体，后摩尔时代发展的必然要求 存算一体（存算一体（Computing in Memory）是在存储器中嵌入计算能力，以新的运算架构进）是在存储器中嵌入计算能力，以新的运算架构进行二维和三维矩阵乘法行二维和三维矩阵乘法/加法运算，即利用存储器对数据进行计算，从而避免数据搬运加法运算，即利用存储器对数据进行计算，从而避免数据搬运产生的“存储墙”和“功耗墙”，提高数据的并行和效率。产生的“存储墙”和“功耗墙”，提高数据的并行和效率。经典冯诺依曼框架下，数据的存储和计算是分开的，处理器和存储器之间通过数据总线进行数据交换。在过去二十年，处理器性能以每年大约 55%的速度提升，内存性能的提升速度每年只有 10%左右。结果长期下来，不均衡的发展速度造成了当前的存储速度严重滞后于处理器的计算速度。因此在存储器和处理器之间形成了“存储墙”，严重限制了芯片的整体性能。由于处理器和存储器的分离，在处理数据的过程中，首先需要将数据从存储器通过总线搬运到处理器，处理完成后，再将数据搬运回存储器进行存储。搬运时间往往是运算时间的成百上千倍，能效非常低即称为“功耗墙”。图表 68：算力发展速度远超存储 资料来源：amirgholamigithub，国盛证券研究所 存算一体概念历史悠久，为打破冯诺依曼计算架构瓶颈，学术界和工业界尝试了多种方法。1969 年，斯坦福研究所的 Kautz 等人提出了存算一体计算机的概念。但受限于当时的芯片制造技术和算力需求的匮乏，那时存算一体仅仅停留在理论研究阶段，并未得到实际应用。后随着人工智能等大数据应用的兴起，存算一体技术得到国内外学术界与产 2023 年 04 月 11 日 P.39 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 业界的广泛研究与应用。图表 69：存算一体发展简史 时间时间 发展历史发展历史 1969 斯坦福研究所的 kautz 等人提出了存算一体概念。1997 加州大学伯克利分校的 Patterson 等人成功把处理器集成在 DRAM 内存芯片中，实现智能存算一体计算架构。2010 惠普实验室 Williams 教授团队用忆阻器实现简单布尔逻辑功能。2016 美国加州大学圣塔芭芭拉分校谢源教授团队提出使用 RRAM 构建存算一体架构的深度学习神经网络。2017 英伟达、英特尔、微软、三星、加州大学圣塔芭芭拉分校等推出存算一体系统模型。2020 美国存算一体 AI 芯片初创公司 Mythic 于 2020 年底推出第一代 AI 芯片 M1108。资料来源：国盛电子根据公开资料整理，国盛证券研究所 目前存算技术按照以下历史路线顺序演进：A、查存计算（、查存计算（Processing With Memory）：）：GPU 中对于复杂函数就采用了这种计算方法，是早已落地多年的技术。通过在存储芯片内部查表来完成计算操作。这是最早期的技术。B、近存计算（、近存计算（Computing Near Memory）：）：典型代表是 AMD 的 Zen 系列 CPU。计算操作由位于存储区域外部的独立计算芯片/模块完成。这种架构设计的代际设计成本较低，适合传统架构芯片转入。将 HBM 内存（包括三星的 HBM-PIM）与计算模组（裸 Die）封装在一起的芯片也属于这一类。近存计算技术早已成熟，被广泛应用在各类 CPU 和 GPU上。C、存内计算（存内计算（Computing In Memory）：）：典型代表是 Mythic、千芯科技、闪亿、知存、九天睿芯等。计算操作由位于存储芯片/区域内部的独立计算单元完成，存储和计算可以是模拟的也可以是数字的。这种路线一般用于算法固定的场景算法计算。D、存内逻辑（存内逻辑（Logic In Memory）：）：这是较新的存算架构，典型代表包括 TSMC（在2021 ISSCC 发表）和千芯科技。这种架构数据传输路径最短，同时能满足大模型的计算精度要求。通过在内部存储中添加计算逻辑，直接在内部存储执行数据计算。图表 70：存内计算架构（右）在传输带宽上优于传统计算架构（左）图表 71：存算一体技术的分类 资料来源：知乎，陈巍谈芯，国盛证券研究所 资料来源：知乎，陈巍谈芯，国盛证券研究所 存算一体的优势是成百上千倍存算一体的优势是成百上千倍的提高计算效率，降低成本的提高计算效率，降低成本。存算一体属于非冯诺伊曼架构，在特定领域可以提供更大算力（1000TOPS以上）和更高能效（超过10-100TOPS/W），2023 年 04 月 11 日 P.40 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 明显超越现有 ASIC 算力芯片。除了用于 AI 计算外，存算技术也可用于感存算一体芯片和类脑芯片，代表了未来主流的大数据计算芯片架构。存算一体技术的核心优势包括：（1）减少不必要的数据搬运。（降低能耗至 1/101/100）（2）使用存储单元参与逻辑计算提升算力。（等效于在面积不变的情况下规模化增加计算核心数）4.2.2 国外龙头占据行业垄断地位，国内厂商积极布局国外龙头占据行业垄断地位，国内厂商积极布局 进入互联网时代后，全球数据产生量快速攀升，数据产生量爆发式增长，特别是在人工智能、云计算、物联网背景的发展下，根据 IDC 预计 2025 年数据产生量将达到 175ZB，市场对数据的收集、存储、处理要求将不断提高。存算一体芯片必将从端侧小算力市场逐步扩展到整个 AI 芯片领域。未来行业将会呈现持续走高的态势。量子位智库预估 2025年，国内存算一体芯片市场规模为 125 亿元，2030 年为 1136 亿人民币，CAGR 为 55%。图表 72：国内存算一体芯片市场规模估算 资料来源：量子位智库，国盛证券研究所 目前可用于存算一体的成熟存储器有 NOR FLASH、SRAM、DRAM、RRAM、MRAM、NVRAM等。SRAM 在速度方面和能效比方面具有优势，特别是在存内逻辑技术发展起来之后具有明显的高能效和高精度特点。DRAM 成本低，容量大，但是速度慢，且需要电力不断刷新。适用存算一体的新型存储器有 PCAM、MRAM、RRAM 和 FRAM 等。其中忆阻器RRAM 在神经网络计算中具有特别的优势，是除了 SRAM 存算一体之外的，下一代存算一体介质的主流研究方向。目前 RRAM 距离工艺成熟还需要 2-5 年，材料不稳定，但RRAM 具有高速、结构简单的优点，有希望成为未来发展最快的新型存储器。学术界和产业界对存算一体的技术路径尚未形成统一的分类，目前主流的划分方法是依照计算单元与存储单元的距离，将其大致分为近存计算（PNM）、存内处理（PIM）、存内计算（CIM）。特斯拉、阿里达摩院、三星等大厂所选择的便是近存计算（特斯拉、阿里达摩院、三星等大厂所选择的便是近存计算（PNM）。）。特斯拉特斯拉：在 Hot Chips 大会上，公司测算 Dojo（AI 训练计算机）所用的 D1 芯片相比于统一时间的业内其他芯片，同成本下性能提升 4 倍，同能耗下性能提高 1.3 倍，占用空间节省 5 倍。阿里达摩院：阿里达摩院：在 2021 年，发布采用混合键合（Hybrid Bonding）的 3D 堆叠技术相比传统 CPU 计算系统。公司测算，相比一时间的存算一体芯片的性能提升 10 倍以上，能效提升超过 300 倍。三星：三星：在 2022 年 10 月，基于存内处理架构，发布存储器产品 HBM-PIM（严格意义上是PNM）。公司测算，与其他没有 HBM-PIM 芯片的 GPU 加速器相比，HBM-PIM 芯片将 AMD GPU 加速卡的性能提高了一倍，能耗平均降低了约 50%。与仅配备 HBM 的 GPU 加速器相比，配备 HBM-PIM 的 GPU 加速器一年的能耗降低了约 2100GWh。02004006008001000120020252030市场规模（亿元）2023 年 04 月 11 日 P.41 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 知存科技：2022 年 3 月量产的基于 PIM 的 SoC 芯片 WTM2101 正式投入市场，公司认为，对比统一时间产品实现 10 倍以上的能效提升。亿铸科技：基于 CIM 框架、RRAM 存储介质的研发“全数字存算一体”大算力芯片，通过减少数据搬运提高运算能效比，同时利用数字存算一体方法保证运算精度，适用于云端 AI 推理和边缘计算。智芯科微：于 2022 年底推出业界首款基于 SRAM CIM 的边缘侧 AI 增强图像处理器。特斯拉、三星、阿里巴巴等拥有丰富生态的大厂以及英特尔，IBM 等传统的芯片大厂，几乎都在布局 PNM；而知存科技、亿铸科技、智芯科等初创公司，在押注 PIM、CIM 等“存”与“算”更亲密的存算一体技术路线。大厂对存算一体架构提出的需求是“实用、落地快”，而近存计算作为最接近工程落地的技术，成为大厂们的首选。而中国初创公司们，由于成立时间较短、技术储备薄弱：缺乏先进 2.5D 和 3D 封装产能和技术，为打破美国的科技垄断，中国初创企业聚焦的是无需考虑先进制程技术的 CIM。图表 73：国内存算一体芯片公司布局（按照应用场景大-小排序）厂商厂商 建立时间建立时间 存储介质存储介质 应用场景应用场景 亿铸科技 2020 RRAM GPT 等大模型云计算、自动驾驶、边缘计算 千芯科技 2019 SRAMRRAMMARM 云计算、自动驾驶、智慧安防 阿里达摩院 2017 异质集成嵌入式 DRAM VRAR、无人驾驶、天文数据计算 闪亿半导体 2017 新型忆阻器 PLRAM 智能手机、智能出行、LOT、VRAR、数据中心 新忆科技 2018 40nm RRAM 物联网、航空航天、工业控制、汽车电子 九天睿芯 2018 SRAM 手机平板、XR、物联网、自动驾驶 苹芯科技 2021 28nm SRAM 智慧城市、智能家居、工业物联网、以及各种智慧终端、可穿戴设备、自主无人系统 恒烁半导体 2015 NOR FLASH 可穿戴设备、AMOLED、智能家居、汽车电子 知存科技 2017 嵌入式 flash 工艺 智能可穿戴设备、智能家居、安防监控、玩具机器人 智芯科微 2019 A LOT 及智能穿戴设备 资料来源：偲睿咨询，国盛电子根据公开资料整理，国盛证券研究所 国内的头部初创公司（10 家左右），知存目前到了 B1 轮，其余均在 A 轮前后。由此可见，国内存算一体处于行业较为早期的阶段。国外方面比较有名的存算一体初创企业包括 Mythic、Syntiant。大多公司的融资已进入 C/D 轮，几家头部企业如 STT、Syntiant 和Mythic 走在全球商业化前列，芯片出货量最高达 2000 万级别（国内最高百万级），并有约 15 家公司实现了超 100 亿美元的营收（我国仅 1-2 家）。4.3 3D NAND：突破存储容量限制瓶颈突破存储容量限制瓶颈 NAND 从从 2D 到到 3D 是大势所趋，可突破存储容量限制瓶颈。是大势所趋，可突破存储容量限制瓶颈。2D NAND 是在平面上对晶体管尺寸进行微缩，从而获得更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩存在物理极限，发展已趋缓。要在维持性能的情况下实现容量提升，3D NAND 成为主流方向。3D NAND 将解决方案从提高制程工艺转变为多层堆叠，解决了 2D NAND 在增加容量的同时性能出现下降的问题，实现容量、速度、能效及可靠性等多方位的提升。2023 年 04 月 11 日 P.42 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 74：2D 对比 3D NAND 资料来源：搜狐，国盛证券研究所 3D NAND 的层数一直在发展。从最早的 24 层、48 层，发展到现在 238 层甚至 300 层，在未来甚至会突破 500 层。据 TechPowerup 介绍，SK 海力士最新第 8 代 3D NAND 闪存，容量为 1Tb（128GB），具有三级单元和超过 20Gb/mm的位密度（bit density）。该芯片的页容量（page size）为 16KB，拥有四个 planes，接口传输速率为 2400MT/s，最高吞吐量为 194MB/s（相比第 7 代 238 层 3D NAND 闪存提高了 18%）。密度的提升将降低制造过程中每 Tb 的成本，终端消费者最终能从性能和容量的提升中受益。图表 75：厂商 3D NAND 技术发展 资料来源：微型计算机，国盛证券研究所 2023 年 04 月 11 日 P.43 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 三星已经完成了第八代 V-NAND 技术产品的开发，堆栈层数达到了 236 层，2022 年 11月已量产。SK 海力士已宣布研发出了 238 层 NAND 闪存，预计 2023 年 H1 大规模量产。美光 232 层 NAND 已于 2022 年 12 月为消费类设备出货。国内厂商长江存储也于今年 8月份发布了 232 层的 3D NAND 闪存芯片 X3-9070，且于 2022 年 12 月或将应用于国内部分品牌客户产品。图表 77：三星 3D V-NAND 资料来源：三星，国盛证券研究所 在下游应用领域中，移动设备和数据中心是 3D NAND 技术的主要应用领域，随 ChatGPT等人工智能带来大数据存储的巨量级需求增加，未来 3D NAND 技术或将快速且进一步升级。图表 76：SK 海力士第 8 代 3D NAND 闪存技术 资料来源：TechPowerup，SK 海力士，国盛证券研究所 2023 年 04 月 11 日 P.44 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 五、五、重点关注标的重点关注标的 5.1 兆易创新：兆易创新：业绩高速增长，看平台化公司如何打造业绩高速增长，看平台化公司如何打造 立足中国覆盖全球，产品品类不断扩展。立足中国覆盖全球，产品品类不断扩展。兆易创新成立于 2005 年 4 月，是一家立足中国的全球化芯片设计公司。公司致力于各类存储器、控制器及周边产品的设计研发。公司在上海、合肥、中国香港设有全资子公司、在深圳设有分公司，在中国台湾省设有办事处，并在日韩、美国等地通过产品分销商为客户提供本地化服务。公司产品包括 NOR Flash、NAND Flash、DRAM 以及 MCU 等，广泛应用于移动终端、消费电子、个人电脑、办公设备、汽车电子及工业控制设备等多个领域。公司作为 NorFlash 龙头积极拓展 DRAM 市场，已于 2021 年 6 月成功量产自有品牌19nmDRAM，未来将朝 17nm 演进。公司 2023 年 3 月 1 日公告，与合肥长鑫存储发生采购 DRAM 产品及代工业务，22 年与长鑫的实际采购额 8.74 亿元（其中自研 2.61 亿元，代销 6.13 亿元），预计 23H1 与长鑫关联交易金额预计约为 5.55 亿元（其中自研2.08 亿元，代销 3.47 亿元）。公司营收近年来稳步增长，即使在今年芯片行业寒冬的大背景下，公司前三季度营收依然维持正增长。更为可贵的是，公司的扣非归母净利润延续 2021 年远高于营收增速的态势，2022 前三季度，公司归母净利润同比增速达 26.92%。图表 78：兆易创新营收及增速 图表 79：兆易创新归母净利润及增速 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 公司业绩高增的一大原因系常年高投入的研发支出，带来了良好的成果转化，并以此建立深厚的技术壁垒。利润率水平来看，公司毛利率水平基本维持在 40%左右，且近两年有所上升，2022 年前三季度公司毛利率达 48%，对应净利润率达 31%。0 0Pp0020304050607080902018/12/312020/12/312022/9/30营业总收入(亿元)同比(%)0 00000101520252018/12/312020/12/312022/9/30归属母公司股东的净利润(亿元)同比(%)2023 年 04 月 11 日 P.45 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 80：研发支出及同比 图表 81：销售利润率 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 公司围绕智能化时代数据的感、存、算、控、联五个方面，涵盖消费、汽车、工业等多个领域，以存储器件为切入点，提供核心 IC 器件和相应软件一体化配套。具体来看：1）产品类别扩张：）产品类别扩张：围绕智能化不断扩张以内生发展（募集资金用于 DRAM 研发）和外延并购（收购上海思立微电子）为主，逐步从 NOR Flash、NAND Flash 和 MCU 扩展至DRAM 和 Sensor。2）平台化搭建：平台化搭建：通过应用领域的扩张完善以智能化为核心的产品布局，并实现已有产品已有产品的不断迭代的不断迭代和工艺制程的持续升级工艺制程的持续升级，驱动公司平台体系建设日趋完善。其中：（a）NOR Flash：工艺平台从 2018 年的 65nm 逐步实现 55nm 量产，并于 2022 年推动 45nm 工艺平台的研发。同时不断针对产品性能进行打磨，推陈出新。（b）NAND Flash：工艺制程从 2018 年的 38nm 逐步实现 24nm 量产，并开始进行19nm 的研发。同时不断针对车规市场进行开拓布局和研发。（c）MCU：产品覆盖逐步从 55nm 至 40nm 再到 22nm 制程，并针对物联网、工控和汽车领域不断扩张。（d）DRAM：逐步实现从 19nm DDR4 产品量产至 17nm DDR3 产品研发。（e）Sensor：在已有 LCD 较全品类的基础上进行 OLED 相关产品的研发，并即将推出OLED 相关产品。风险提示：新品孵化及技术升级不及预期风险，下游需求不及预期风险。5.2 北京君正：北京君正：收购北京矽成进入存储芯片市场，业绩高速增长、利润率有收购北京矽成进入存储芯片市场，业绩高速增长、利润率有所修复所修复 老牌老牌 IC 设计企业，收购北京矽成进军拓展存储市场。设计企业，收购北京矽成进军拓展存储市场。北京君正于 2005 年成立，是一家集成电路设计企业，拥有全球领先的 32 位嵌入式 CPU 技术和低功耗技术。公司主营业务为微处理器芯片、智能视频芯片等 ASIC 芯片产品及整体解决方案的研发和销售，拥有较强的自主创新能力，且已形成可持续发展的梯队化产品布局，各类芯片产品分别面0 0Pp234567892018/12/31 2019/12/31 2020/12/31 2021/12/31 2022/9/30研发费用同比(%)0 0P 18/12/31 2019/12/31 2020/12/31 2021/12/31 2022/9/30销售毛利率(%)销售净利率(%)2023 年 04 月 11 日 P.46 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 向不同市场领域。北京君正于 2020 年完成对北京矽成（ISSI）及其下属子品牌 Lumissil的收购，拥有其 100%股份。ISSI 存储部门有高速低功耗 SRAM，低中密度 DRAM，NOR/NAND Flash，嵌入式 Flash pFusion，及 eMMC 等芯片产品。受益车规受益车规产品放量，公司业绩实现高速增长。产品放量，公司业绩实现高速增长。2021 年公司营收达 52.74 亿元，同比增长143.07%，2022 年前三季度公司营收达 42.19 亿元，同比增长 11.23%。2021 年公司扣非归母净利润达 8.94 亿元，同比增速达 4265%，2022 年前三季度公司扣非归母净利润达 7.17 亿元，同比增长 16.83%。图表 82：北京君正营收及增速 图表 83：北京君正营收及增速 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 公司研发投入高速增长，利润率水平得到修复。公司研发投入高速增长，利润率水平得到修复。2022 年前三季度公司研发支出达 4.64亿元，远超 2020 年全年水平，同比 2021 年增长达 26.78%。公司毛利率始终维持较高水平，2020 年毛利率下滑系收购子公司存货增值导致的毛利率下跌，2021 年公司调整迅速，毛利率和净利率水平已基本恢复至正常水平。2022 年前三季度公司毛利率达38.65%，净利率达 17.19%。图表 84：北京君正研发支出及同比 图表 85：北京君正利润率水平 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 风险提示：下游需求不及预期，产品竞争加剧，新品研发不及预期。00 0000P00020304050602018/12/312020/12/312022/9/30营业总收入(亿元)同比(%)0 000000000023456789102018/12/312020/12/312022/9/30归属母公司股东的净利润(亿元)同比(%)0 0Pp0234562020/9/302021/9/302022/9/30研发费用(亿元)同比(%)0%5 %05E 18年12月2020年12月2022年9月销售毛利率(%)销售净利率(%)2023 年 04 月 11 日 P.47 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 5.3 雅克科技：雅克科技：全球前驱体核心供应商，深度受益高性能存储需求全球前驱体核心供应商，深度受益高性能存储需求 公司 1 月 19 日发布 2022 年业绩预告，归母净利润盈利 5.2-5.9 亿元，同比提升 55.34%-76.25%。公司认为，LNG 保温复合材料及安装工程取得较大幅度增长，带动公司整体业绩增长和毛利率上升。公司 2022 年前三季度业绩，营收 31.67 亿元，同比提升 17.63%，公司实现归母净利润4.63 亿元，同比上升 18.88%。2022 年 Q3 单季度看，实现营业收入 11.08 亿元，同比上升 324.67%，实现归母净利润 1.82 亿元，同比提升 23.21%。图表 86：雅克科技营收及增速 图表 87：雅克科技归母净利润及增速 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 图表 88：雅克科技研发支出及同比增速 图表 89：雅克科技销售利润率 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 前驱体等半导体材料业务持续受益于国产替代。前驱体主要用于薄膜沉积环节，产品价值量、用量随制程迭代快速增长。全球领先玩家包括默克、法液空、SKM、DNF 等，公司市场份额有望稳步提升。看业务空间，1）高算力芯片搭配 HBM，HBM 对前驱体需求及价值量显著提升；2）海外存储客户整体稼动率见底，预计 2023 年 H2 将有所回升，同时美光科技被审查进一步提升国产份额，利好国产材料供应商；3）国内存储厂持续扩产，公司国内前驱体业务随下游爬坡放量持续成长。复合板材是 LNG 运输船核心材料，竞争格局极佳，进入高景气周期。LNG 船需要在-163的极低温下运输液化天然气，且体积被压缩超过 600 倍的液化天然气若在有限空间内泄漏，急剧膨胀会产生物理爆炸。因此，LNG 运输船被人们称为“沉睡的氢弹”。而复合板0 0Pp101520253035402018/12/312020/12/312022/9/30营业总收入(亿元)同比(%)-50%0P00 0%0005023452018/12/312020/12/312022/9/30归属母公司股东的净利润(亿元)同比(%)0%5 %05.20.40.60.811.22018/12/312020/12/312022/9/30研发费用(亿元)同比(%)0%5 %05 18/12/31 2019/12/31 2020/12/31 2021/12/31 2022/9/30销售毛利率(%)销售净利率(%)2023 年 04 月 11 日 P.48 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 材作为 LNG 运输船核心材料，由金属薄膜、增强硬质闭孔聚氨酯泡沫、特殊配方树脂制成，不仅起到保温隔热功能，且对 LNG 运输船只的安全性作用关键。LNG 船复合板材具有极佳的竞争格局和较长的下游认证周期，公司作为国内造船厂核心供应商，具有全球领先的深冷复合材料技术。我们认为此次沪东造船厂订单有望成为公司 LNG 板材业务需求超预期的开始。此外，公司复合材料业务产业链的持续完善，有望使得业务盈利能力提升，板材业务进入高景气周期。光刻胶、电子特气、LDS、硅微粉等其他电子材料方面：我们认为，跟随下游客户稼动率提升，公司持续完善产品品类，持续推进客户导入和产能建设，实现稳步增长。风险提示：下游需求不及预期。5.4 东芯股份东芯股份：国内国内 SLC NAND 龙头龙头，短期业绩有望快速修复，短期业绩有望快速修复 公司披露业绩 2022 年年度业绩快报。2022 年公司营收 11.49 亿元，同比增长 1.34%。公司实现归母净利润 1.85 亿元，同比下降 29.51%。单季度看，公司 2022 年 Q3 实现营业收入 2.34 亿元，环比下降 36.63%，同比下降29.17%，实现归母净利润 5644 万元，环比减少 46.01%，同比下降 36.01%，2022 年第三季度业绩下滑主要系市场景气度下降所致。盈利能力方面，2022 年 Q3 单季度毛利率为 30.27%，整体前三季度毛利率达 42.23%，同比提升 3.64pct。费用方面，公司前三季度研发费用达8393万元，同比增长77.08%，研发费率达到8.86%，同比提升2.82pct。图表 90：东芯股份营收及增速 图表 91：东芯股份归母净利润及增速 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 0 0P4681012142018/12/312020/12/312022/12/31营业总收入(亿元)同比(%)-400%-200%0 0000000000%-1-0.500.511.522.532018年12月2020年12月2022年12月归属母公司股东的净利润(亿元)同比(%)2023 年 04 月 11 日 P.49 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 92：东芯股份研发支出及同比增速 图表 93：东芯股份销售利润率 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 公司逐步实现产品产品线拓展及技术创新 1）NAND Flash 方面：公司作为 SLC NAND 领域龙头企业，核心技术优势明显，实现了从 1Gb 到 32Gb 系列产品设计研发的全覆盖。公司开发的车规产品正在进行 AEC-Q100验证，同时先进制程的 19nm 已完成首轮晶圆流片，处于国际领先地位。2）NOR Flash 方面：公司自主设计的 SPI NORFlash 存储容量覆盖 2Mb 至 256Mb。支持多种数据传输模式，目前公司已经为三星电子、LG、传音控股、歌尔股份等中外知名终端客户提供产品。3）DRAM 方面：公司研发的 DDR3 具有高带宽、低延时等特点，在研的 LPDDR4x 进度符合公司预期，主要针对基带市场和模块类客户。风险提示：下游需求不及预期，产品竞争加剧，新品研发不及预期。5.5 深科技：深科技：存储芯片封测领先者存储芯片封测领先者，定增加码产能定增加码产能 存储芯片封测领先者。存储芯片封测领先者。在半导体封测业务领域，公司主要从事高端存储芯片的封装与测试，产品包括动态随机存取存储器（DRAM）、NAND 型闪存（NAND FLASH）以及嵌入式存储芯片，具体有双倍速率同步动态随机存储器（DDR3、DDR4、DDR5）、低功耗双倍速率同步动态随机存储器（LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5）、符合内嵌式存储器标准规格的低功耗双倍速率同步动态随机存储器（eMCP4）等。定增加码定增加码存储芯片封测产能。存储芯片封测产能。公司定增募资 14.62 亿元投向存储先进封测与模组制造项目。合肥沛顿已通过现有客户封装产品大规模量产审核，计划下半年进一步积极导入新客户。公司积极布局高端封测，规划建设凸点（Bumping）项目，目前净化间施工和首线设备采购正同步进行。未来，公司将以满足重点客户产能需求和加强先进封装技术研发为目标，聚焦倒装工艺（Flip-chip）、POPt 堆叠封装技术的研发、16 层超薄芯片堆叠技术的优化，致力成为存储芯片封测标杆企业。公司披露业绩 2022 年第三季度业绩报告。2022 前三季度公司营收 120 亿元，同比下滑2.08%，公司实现归母净利润 5.75 亿元，同比上升 11.32%。单季度看，公司 2022 年Q3 实现营业收入 44.6 亿元，环比上升 14.3%，同比上升 3.43%，实现归母净利润 1.2-10%0 0Pp.10.20.30.40.50.60.70.80.92020/9/302021/9/302022/9/30研发费用(亿元)同比(%)-20%-10%0 0P 18/12/312019/12/312020/12/312021/12/31 2022/9/30销售毛利率(%)销售净利率(%)2023 年 04 月 11 日 P.50 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 亿元，环比减少 43.66%，同比下降 50.9%。盈利能力方面，2022 年 Q3 单季度毛利率为 3.31%，整体前三季度毛利率达 11.24%，同比提升 16.6%。费用方面，公司前三季度研发费用达 2.25 亿元，同比下降 27.4%，研发费率 1.87%，与上一年度基本持平。图表 94：深科技营收及增速 图表 95：深科技归母净利润及增速 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 图表 96：深科技研发支出及同比增速 图表 97：深科技销售利润率 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 风险提示：下游需求不及预期，产品竞争加剧，新品研发不及预期。5.6 普冉股份：存储行业新星，发力普冉股份：存储行业新星，发力工业控制和车载领域工业控制和车载领域 存储行业新星，两大产品线齐头并进存储行业新星，两大产品线齐头并进。公司主要产品包括 NOR Flash 和 EEPROM 两大类非易失性存储器芯片、微控制器芯片以及模拟产品。公司披露 2022 年年度业绩快报。2022 年公司营收 9.25 亿元，同比下滑 16.15%。公司实现归母净利润 0.83 亿元，同比下降 71.44%。业绩下滑主要受市场需求疲软，产品线出货量和价格下降影响。单季度看，公司 2022 年 Q4 实现营业收入 1.61 亿元，同比下降 42.31%，实现归母净利润-0.55 亿元，同比减少 180.49%。费用方面，公司 2022 年研发费用达 1.49 亿元，同比上升 64%。-20%-15%-10%-5%0%504060801001201401601802018年12月2020年12月2022年9月营业总收入(亿元)同比(%)-50%0P00 0234567892018年12月2020年12月2022年9月归属母公司股东的净利润(亿元)同比(%)-30%-20%-10%0 0P.511.522.533.52020/9/302021/9/302022/9/30研发费用(亿元)同比(%)0%2%4%6%8 18/12/312020/12/312022/9/30销售毛利率(%)销售净利率(%)2023 年 04 月 11 日 P.51 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 98：普冉股份营收及增速 图表 99：普冉股份归母净利润及增速 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 图表 100：普冉股份研发支出及同比增速 图表 101：普冉股份销售利润率 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 持续拓展品类，发力工业控制和车载领域。持续拓展品类，发力工业控制和车载领域。公司 EEPROM 车载产品完成 AEC-Q100 标准的全面考核，在车身摄像头、车载中控、娱乐系统等应用上实现了海内外客户的批量交付，汽车电子产品营收占比显著提升；目前公司超大容量 EEPROM 系列开发完成，支持SPI/I2C 接口和最大 4Mb 容量，其中 2Mb 产品批量用于高速宽带通信和数据中心。公司产品介绍如下：1）NOR Flash：公司 NOR Flash 产品采用电荷俘获(SONOS)及浮栅(ETOX)工艺结构，提供了 512Kbit 到 128Mbit 容量的系列产品，覆盖 1.65V-3.6V 的操作电压区间，具备低功耗、高可靠性、快速擦除和快速读取的优异性能，下游应用领域集中在蓝牙、IOT、TDDI、AMOLED、工业控制等相关市场。目前 NOR Flash 行业主流工艺制程为 55nm，公司 40nm工艺制程下 4Mbit 到 128Mbit 容量的全系列产品均已实现量产，处于行业内领先技术水平。2）EEPROM：公司已形成覆盖 2Kbit 到 4Mbit 容量的 EEPROM 产品系列，操作电压覆盖1.7V-5.5V，主要采用 130nm 工艺制程，具有高可靠性、面积小、性价比高等优势，可擦写次数可达到 400 万次，数据保持时间可达 200 年。公司 EEPROM 产品应用领域集中在手机摄像头模组、工业控制、汽车电子、家电、计算机周边等领域。目前 EEPROM 产品国内行业主流工艺制程为 130nm，公司 95nm 及以下工艺制程下产品已实现量产，领先于业界主流工艺制程。-40%-20%0 00046810122018/12/312020/12/312022/12/31营业总收入(亿元)同比(%)-100%-50%0P00 0%000.511.522.533.52018年12月2020年12月2022年12月归属母公司股东的净利润(亿元)同比(%)0 0Pp.20.40.60.811.21.41.62020/9/302021/9/302022/12/31研发费用同比(%)0%5 %05 18年12月2020年12月2022年12月销售毛利率(%)销售净利率(%)2023 年 04 月 11 日 P.52 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 风险提示：下游需求不及预期，产品竞争加剧，新品研发不及预期。5.7 佰维存储：佰维存储：存储存储芯片小巨人，短期业绩承压芯片小巨人，短期业绩承压 存储芯片小巨人，嵌入式存储为业务基石。存储芯片小巨人，嵌入式存储为业务基石。公司主要从事半导体存储器的存储介质应用研发、封装测试、生产和销售，主要产品及服务包括嵌入式存储、消费级存储、工业级存储及先进封测服务。根据中国闪存市场调研数据，公司 eMMC 及 UFS 在全球市场占有率达到 2.4%，排名全球第 8，国内第 2。公司披露 2022 年年度业绩快报。2022 年公司营收 29.74 亿元，同比增长 13.98%。公司实现归母净利润 0.73 亿元，同比下降 37.24%。业绩下滑主要受市场需求疲软，研发投入加大影响。单季度看，公司 2022 年 Q3 实现营业收入 8.01 亿元，同比上升 42.27%，实现归母净利润 0.27 亿元，达到上一年度 26 倍。盈利能力方面，2022 年 Q3 单季度毛利率为 3.25%，整体前三季度毛利率达 14.77%，同比下降 15.84%。费用方面，公司前三季度研发费用达 0.94 亿元，同比下降 12.15%，研发费率 4.28%，较上一年度上升 4.39%。图表 102：佰维存储营收及增速 图表 103：佰维存储归母净利润及增速 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 图表 104：佰维存储研发支出及同比增速 图表 105：佰维存储销售利润率 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所-20%-10%0 0Pp1015202530352018/12/312020/12/312022/9/30营业总收入(亿元)同比(%)-100%-50%0P00 0%00050%-1.5-1-0.500.511.52018年12月2020年12月2022年12月归属母公司股东的净利润(亿元)同比(%)-20%0 0.20.40.60.811.22018/12/31 2019/12/31 2020/12/31 2021/12/31 2022/9/30研发费用(亿元)同比(%)-15%-10%-5%0%5 18年12月2020年12月2022年9月销售毛利率(%)销售净利率(%)2023 年 04 月 11 日 P.53 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 公司产品可分为如下三类：1）嵌入式存储：）嵌入式存储：公司嵌入式存储产品类型覆盖了 ePOP、eMCP、eMMC、UFS、BGASSD、LPDDR、MCP、SPI NAND 等，广泛应用于手机、平板、智能穿戴、无人机、智能电视、笔记本电脑、智能车载、机顶盒、智能工控、物联网等领域。其中，车载存储器产品的设计和生产达到车规标准，于 2018 年获得 IATF16949:2016 汽车质量管理体系认证。2）消费级存储：）消费级存储：公司的消费级存储包括固态硬盘、内存条和移动存储器产品，主要应用于消费电子领域。公司固态硬盘产品传输速率最高可达 7,400MB/s，处于行业领先地位；公司已正式发布 DDR5 内存模组，传输速率已达 5,200Mbps，未来可达 6,400Mbps。3）工业级存储：）工业级存储：包括工规级 SSD、车载 SSD 及工业级内存模组等，主要面向工业类细分市场，应用于 5G 基站、智能汽车、智慧城市、工业互联网、高端医疗设备、智慧金融等领域。风险提示：下游需求不及预期，产品竞争加剧，新品研发不及预期。5.8 香农芯创香农芯创：AI 服务器需求增长服务器需求增长，带动带动内存内存有望提升有望提升 公司 1 月 16 日发布 2022 年业绩预告，归母净利润盈利 2.6-3.4 亿元，同比提升 16.16%-51.90%。公司 2022 年前三季度业绩，营收 107.67 亿元，同比提升 132.20%，公司实现归母净利润 1.55 亿元，同比上升 10.47%。2022 年 Q3 单季度看，实现营业收入 21.23亿元，同比下降 52.74%，实现归母净利润-0.09 亿元，同比降低 111.90%。在国内外多重因素影响下，自 2022 年第三季度存储器需求放缓、价格下滑。因此第三季度，公司半导体分销板块的收入下降、利润下滑。公司作为海外大客户国内分销厂商，将积极开发新客户，巩固与核心原厂的合作关系。公司将在维护现有客户、提高客户黏性的同时，发挥自身在优势领域的竞争优势和良好口碑，持续开发新客户，不断巩固与核心原厂的合作关系。同时公司将积极维护与现有主要客户的合作关系，深度挖掘客户需求及多维度合作的可能性，提升服务质量，根据市场情况适时调整经营策略。公司认为，云计算是典型的重资产行业，需要持续、大量的资本投入。目前国内主流云厂商资本支出和市场占有率与全球云服务巨头亚马逊网络服务（AWS）、微软（Microsoft Azure）、谷歌（Google Cloud）相比仍有较大差距。受益于国家政策支持以及数据中心应用场景的不断丰富，加之数字化转型为长期、系统性的趋势，存储器采购需求上表现为刚性及稳定的特点，为公司的持续、稳定发展提供了坚实的基础。2023 年 04 月 11 日 P.54 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 106：香农芯创营收及增速 图表 107：香农芯创归母净利润及增速 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 图表 108：香农芯创研发支出及同比增速 图表 109：香农芯创销售利润率 资料来源：wind，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所 风险提示：下游需求不及预期。六、风险提示六、风险提示 下游需求不及预期下游需求不及预期：存储器行业面向下游消费电子、PC、服务器、汽车等多个市场，若下游需求不及预期，存储器行业产品将面临难以售出风险，对业内公司业绩产生不利影响。产产品研发不及预期品研发不及预期风险风险：存储器行业系充分竞争行业，行业壁垒高，头部公司竞争优势显著，若行业内公司产品迭代不及预期，或将丢失下游相应份额，从而对公司业绩造成不利影响。行业竞争加剧风险：行业竞争加剧风险：存储器行业系周期性行业，在需求疲弱时，若行业内其他公司存在供给端增加产能等措施，则有可能引起产品价格战，从而对公司业绩造成不利影响。-500%0P00000 00%000005000004060801001202018/12/312020/12/312022/9/30营业总收入(亿元)同比(%)-100%-50%0P00 0%000.511.522.52018/12/312020/12/312022/9/30归属母公司股东的净利润(亿元)同比(%)-29%-29%-28%-28%-27%-27%-26%-26.050.10.150.20.252018/12/312020/12/312022/9/30研发费用(亿元)同比(%)0%5 %05 18/12/312019/12/312020/12/312021/12/31 2022/9/30销售毛利率(%)销售净利率(%)2023 年 04 月 11 日 P.55 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 免责声明免责声明 国盛证券有限责任公司（以下简称“本公司”）具有中国证监会许可的证券投资咨询业务资格。本报告仅供本公司的客户使用。本公司不会因接收人收到本报告而视其为客户。在任何情况下，本公司不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损失负任何责任。本报告的信息均来源于本公司认为可信的公开资料，但本公司及其研究人员对该等信息的准确性及完整性不作任何保证。本报告中的资料、意见及预测仅反映本公司于发布本报告当日的判断，可能会随时调整。在不同时期，本公司可发出与本报告所载资料、意见及推测不一致的报告。本公司不保证本报告所含信息及资料保持在最新状态，对本报告所含信息可在不发出通知的情形下做出修改，投资者应当自行关注相应的更新或修改。本公司力求报告内容客观、公正，但本报告所载的资料、工具、意见、信息及推测只提供给客户作参考之用，不构成任何投资、法律、会计或税务的最终操作建议,本公司不就报告中的内容对最终操作建议做出任何担保。本报告中所指的投资及服务可能不适合个别客户，不构成客户私人咨询建议。投资者应当充分考虑自身特定状况，并完整理解和使用本报告内容，不应视本报告为做出投资决策的唯一因素。投资者应注意，在法律许可的情况下，本公司及其本公司的关联机构可能会持有本报告中涉及的公司所发行的证券并进行交易，也可能为这些公司正在提供或争取提供投资银行、财务顾问和金融产品等各种金融服务。本报告版权归“国盛证券有限责任公司”所有。未经事先本公司书面授权，任何机构或个人不得对本报告进行任何形式的发布、复制。任何机构或个人如引用、刊发本报告，需注明出处为“国盛证券研究所”，且不得对本报告进行有悖原意的删节或修改。分析师声明分析师声明 本报告署名分析师在此声明：我们具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格或相当的专业胜任能力，本报告所表述的任何观点均精准地反映了我们对标的证券和发行人的个人看法，结论不受任何第三方的授意或影响。我们所得报酬的任何部分无论是在过去、现在及将来均不会与本报告中的具体投资建议或观点有直接或间接联系。投资评级说明投资评级说明 投资建议的评级标准投资建议的评级标准 评级评级 说明说明 评级标准为报告发布日后的 6 个月内公司股价（或行业指数）相对同期基准指数的相对市场表现。其中 A 股市场以沪深 300 指数为基准；新三板市场以三板成指（针对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的）为基准；香港市场以摩根士丹利中国指数为基准，美股市场以标普 500 指数或纳斯达克综合指数为基准。股票评级 买入 相对同期基准指数涨幅在 15%以上 增持 相对同期基准指数涨幅在 5%之间 持有 相对同期基准指数涨幅在-5% 5%之间 减持 相对同期基准指数跌幅在 5%以上 行业评级 增持 相对同期基准指数涨幅在 10%以上 中性 相对同期基准指数涨幅在-10% 10%之间 减持 相对同期基准指数跌幅在 10%以上 国盛证券研究所国盛证券研究所 北京北京 上海上海 地址：北京市西城区平安里西大街 26 号楼 3 层 邮编：100032 传真：010-57671718 邮箱：地址：上海市浦明路 868 号保利 One56 1 号楼 10 层 邮编：200120 电话：021-38124100 邮箱：南昌南昌 深圳深圳 地址：南昌市红谷滩新区凤凰中大道 1115 号北京银行大厦 邮编：330038 传真：0791-86281485 邮箱：地址：深圳市福田区福华三路 100 号鼎和大厦 24 楼 邮编：518033 邮箱：

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免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。1 证券研究报告 电子电子 关注关注存储存储龙头龙头业绩业绩和手机和手机销售数据销售数据 华泰研究华泰研究 电子电子 增持增持(维持维持)研究员 黄乐平，黄乐平，PhD SAC No.S0570521050001 SFC No.AUZ066 (852)3658 6000 研究员 陈旭东陈旭东 SAC No.S0570521070004 SFC No.BPH392 (86)21 2897 2228 研究员 丁宁丁宁 SAC No.S0570522120003 (86)21 2897 2228 研究员 张皓怡张皓怡 SAC No.S0570522020001 (86)21 2897 2228 研究员 刘溢刘溢 SAC No.S0570522070002 (86)21 2897 2228 联系人 张宇张宇 SAC No.S0570121090024 SFC No.BSF274 (86)10 6321 1166 联系人 胡宇舟胡宇舟 SAC No.S0570121040041 SFC No.BOB674 (852)3658 6000 联系人 黄礼悦黄礼悦 SAC No.S0570121070191 SFC No.BRH099 (852)3658 6000 行业行业走势图走势图 资料来源：Wind，华泰研究 2022年12月25日中国内地 专题研究专题研究 华泰观点华泰观点：关注关注美光科技业绩及小米人员变动美光科技业绩及小米人员变动 海外方面，美光披露 1Q23 业绩，FY1Q23（9-11 月）收入环比/同比下滑39/47%，低于公司指引中位数。公司预计 FY2Q23 收入同比下滑 52%。公司下调 FY23 年资本开支至 70-75 亿美金（FY22：120 亿美金），并预计 FY24资本开支会进一步下降，拖累美股半导体设备股整体回调，公司预计行业存货水平到明年年中回到健康水平。手机方面，12/15，统计局公布的 11 月社会消费品零售总额显示，通讯器材类销售金额同比下滑 17.6%，较 10 月-5.7%同比降幅进一步扩大。据财新报道，上周小米进行年底人员优化和组织精简，反映 4Q22 及明年上半年手机需求仍有较大下行压力。A 股：股：SW 电子下跌电子下跌 5.9%，跑输上证指数（，跑输上证指数（-3.9%）上周全部 A 股日均成交额合计 6,470 亿元，环比下跌 20.7%。电子板块涨幅居前企业包括：小鹏汽车（2.5%）、海康威视（ 0.8%）；跌幅居前企业包括：拓荆科技（-15.3%）、盛美上海（-12.7%）、芯原股份（-12.5%）。北向资金上周合计净流入 44 亿元，主要增持紫光国微、工业富联、海康威视，减持歌尔股份、京东方 A、韦尔股份。TMT 其它板块，SW 通信跌 3.7%，SW 计算机跌 2.9%，SW 传媒跌 0.6%。上周杰华特，微导纳米，源杰等 IPO。港股：港股：恒生科技指数下跌恒生科技指数下跌 0.6%，跑输恒生指数（，跑输恒生指数（ 0.7%）上周全部港股日均成交额合计 714 亿港元，环比下跌 31.6%。恒生科技主要成分股中涨幅居前的企业包括：哔哩哔哩（ 4.2%）、美团（ 4.2%）、网易（ 2.8%）；跌幅居前企业包括：阿里健康（-11.9%）、平安好医生（-11.6%）、比亚迪电子（-9.7%）。传媒互联网板块：美团涨 4.2%、腾讯涨 1.1%、阿里巴巴涨 0.1%、快手跌 0.2%、百度跌 0.4%。南向资金上周合计净流出 4 亿港元，主要增持小鹏、中芯国际、中国联通，减持腾讯、美团、舜宇。海外：海外：纳斯达克中概股下跌纳斯达克中概股下跌 1.4%，纳指下跌，纳指下跌 1.9%，标普，标普 500 下跌下跌 0.2%上周纳斯达克中概股跌 1.4%，纳指跌 1.9%，标普 500 跌 0.2%，费城半导体指数跌 3.8%。十年期美债利率上升 27bp 至 3.75%。半导体板块涨幅居前为博通（ 0.2%），跌幅较大的为东京电子（-10.5%）、英伟达（-8.2%）、拉姆研究（-7.2%）。互联网板块：SEA 跌 7.0%、亚马逊跌 3.0%、Meta 跌1.2%、谷歌跌 1.2%。美股汽车板块：特斯拉跌 18.0%，理想跌 8.2%，蔚来跌 5.4%，小鹏跌 2.3%。上周比特币跌 0.01%。上周亿咖通美股上市。风险提示：海外疫情升级风险，宏观下行风险，创新品渗透不及预期风险。本研报中涉及到未上市公司或未覆盖个股内容，均系对其客观公开信息的整理，并不代表本研究团队对该公司、该股票的推荐或覆盖。(42)(32)(21)(11)0Dec-21Apr-22Aug-22Dec-22(%)电子沪深300 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。2 电子电子 图表图表1：NASDAQ100 前向前向 PE 与十年期美债收益率与十年期美债收益率 资料来源：Bloomberg，华泰研究 图表图表2：恐惧与贪婪指数和恐惧与贪婪指数和 VIX 恐慌指数走势图恐慌指数走势图 注：指数往上反映投资者对市场越乐观（越贪婪），往下反映投资者对市场越悲观（越恐慌）资料来源：CNN，CBOE，Wind，华泰研究 0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.505101520253035402012/122013/032013/062013/092013/122014/032014/062014/092014/122015/032015/062015/092015/122016/032016/062016/092016/122017/032017/062017/092017/122018/032018/062018/092018/122019/032019/062019/092019/122020/032020/062020/092020/122021/032021/062021/092021/122022/032022/062022/092022/12(X)S&P 500前向PE纳斯达克100前向PE10年美债收益率（右轴）(%)051015202530354001020304050607080902021/032021/042021/052021/062021/072021/082021/092021/102021/112021/122022/012022/022022/032022/042022/052022/062022/072022/082022/092022/102022/112022/12CNN Fear&Greed IndexCBOE Volatility Index（右轴）XYpXaUhUfUoPvNpN6MaO7NsQqQsQpNjMmNpNiNpNpR7NpPxOuOsPyRuOmPwP 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。3 电子电子 图表图表3：沽空占市场成交额比例沽空占市场成交额比例 vs 恒生指数恒生指数 注：做空比例=全日卖出金额/（市场成交额-Warrant 和 CBBC 金额）资料来源：Wind，华泰研究 图表图表4：A 股成交额股成交额 vs 万得全万得全 A 指数指数 资料来源：Wind，华泰研究 5 %0,00017,00019,00021,00023,00025,00027,00029,00031,00033,000Jan-21Feb-21Mar-21Apr-21May-21Jun-21Jul-21Aug-21Sep-21Oct-21Nov-21Dec-21Jan-22Feb-22Mar-22Apr-22May-22Jun-22Jul-22Aug-22Sep-22Oct-22Nov-22Dec-22恒生指数沽空比例4,0004,5005,0005,5006,0006,50002,0004,0006,0008,00010,00012,00014,00016,00018,000Jan-21Feb-21Mar-21Apr-21May-21Jun-21Jul-21Aug-21Sep-21Oct-21Nov-21Dec-21Jan-22Feb-22Mar-22Apr-22May-22Jun-22Jul-22Aug-22Sep-22Oct-22Nov-22Dec-22A股成交量总额万得全A指数（右轴）(亿元)免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。4 电子电子 图表图表5：科技硬件板块科技硬件板块半导体公司半导体公司上周股价变动一览上周股价变动一览 注：此表中北向/南向资金流入=北向/南向资金流入股数*周交易均价，使用 Wind 一致预期。资料来源：Wind，华泰研究 2022E2023E2022E2023E1W1MYTD半导体半导体0522 HKASMPTHKD202 54.77.88.81.11.1-2.6%-4.7%-31.5%0.02.00.9688008 CH澜起科技CNY717 63.353.336.417.611.8-3.3%-6.0%-24.2%-0.825.53.4688099 CH晶晨股份CNY300 72.727.320.54.73.6-3.4%-3.8%-44.2%-0.24.51.4600703 CH三安光电CNY874 17.551.032.65.94.5-3.4%-2.9%-53.1%0.01.90.3688107 CH安路科技-UCNY232 57.9592.5281.420.714.0-3.5%-7.7%-19.2%n.a.n.a.0.0300623 CH捷捷微电CNY151 20.539.124.48.05.1-3.8%-2.3%-34.5%0.21.00.8603160 CH汇顶科技CNY228 49.972.032.95.14.3-4.2%-4.2%-53.6%0.00.80.30981 HK中芯国际USD1,696 16.770.581.217.916.8-4.5%-1.4%-10.3%0.9245.817.7688981 CH中芯国际USD1,696 41.126.927.76.65.9-4.5%0.5%-22.5%0.01.60.2603501 CH韦尔股份CNY937 79.124.217.94.03.2-5.0%-2.7%-65.5%-2.880.68.2002156 CH通富微电CNY262 17.327.419.61.31.1-5.3%-0.2%-11.0%-0.84.41.8688187 CH时代电气CNY642 52.631.126.74.23.6-5.4%-5.5%-35.4%0.112.410.6688123 CH聚辰股份CNY117 97.131.821.111.98.2-5.4%-14.9C.4%n.a.n.a.0.0603290 CH斯达半导CNY520 304.564.746.318.512.4-5.5%-9.9%-19.9%0.055.319.1688608 CH恒玄科技CNY138 115.046.528.87.45.3-6.3%-14.2%-62.2%n.a.n.a.0.0300604 CH长川科技CNY265 43.947.931.49.56.6-6.9%-23.8%-23.5%0.77.63.6688041 CH海光信息CNY932 40.192.856.218.011.9-7.0%-3.3%-33.3%n.a.n.a.0.0603893 CH瑞芯微CNY289 69.248.232.29.56.8-7.0%-10.5%-49.1%0.00.90.61347 HK华虹半导体USD312 26.792.484.914.012.8-7.1%-0.7%-37.9%-0.556.415.0688508 CH芯朋微CNY73 64.658.932.39.36.5-7.1%-11.6%-43.8%n.a.n.a.0.0688120 CH华海清科CNY238 223.255.435.314.18.9-7.4%-0.4%-0.4%n.a.n.a.0.0300661 CH圣邦股份CNY589 165.058.545.518.113.8-7.6%-6.8%-19.7%-0.136.86.1002185 CH华天科技CNY269 8.421.218.52.01.7-7.6%-4.5%-33.6%-0.25.01.7688396 CH华润微CNY693 52.526.623.86.55.5-7.7%-1.1%-18.5%0.28.43.3300782 CH卓胜微CNY570 106.840.431.913.611.1-8.0%-7.2%-47.5%-0.126.65.5300373 CH扬杰科技CNY271 52.923.618.74.43.4-8.2%-6.6%-21.0%0.714.44.9300672 CH国科微CNY178 81.8N.A.N.A.N.A.N.A.-8.3%-3.8%-55.7%0.01.51.0688012 CH中微公司CNY621 100.855.643.213.610.1-8.4%2.4%-20.4%0.029.84.4603986 CH兆易创新CNY632 94.723.019.76.45.2-8.6%-6.0%-45.7%-0.928.14.1605111 CH新洁能CNY161 75.833.625.38.36.2-8.9%-15.3%-40.2%0.43.73.2600584 CH长电科技CNY408 22.912.611.31.21.1-8.9%-8.2%-25.4%-0.811.82.6688018 CH乐鑫科技CNY72 89.540.626.94.83.7-9.0%-10.7%-52.2%n.a.n.a.0.0300223 CH北京君正CNY337 70.031.724.65.64.5-9.4%-11.3%-47.7%0.75.31.7688536 CH思瑞浦CNY329 275.077.144.716.211.8-9.5%-11.7%-46.6%0.14.82.4002371 CH北方华创CNY1,151 217.857.041.67.95.9-9.7%-2.3%-37.2%-1.850.13.9688126 CH沪硅产业-UCNY475 17.4216.4148.313.410.4-9.7%-9.7%-32.6%-0.31.90.6600460 CH士兰微CNY465 32.838.028.85.03.8-10.4%-10.3%-39.3%0.211.12.1301269 CH华大九天CNY477 87.9251.5184.159.443.9-10.4%-6.4.1%n.a.n.a.0.0688200 CH华峰测控CNY237 260.044.133.021.215.7-10.7%5.6%-24.5%0.513.67.8688206 CH概伦电子CNY118 27.1232.1173.241.228.8-10.8%-11.6%-26.0%n.a.n.a.0.0688595 CH芯海科技CNY52 36.758.327.56.64.8-11.6%-10.4%-58.6%n.a.n.a.0.0688048 CH长光华芯CNY125 92.383.249.323.914.7-11.6%-13.9.5%n.a.n.a.0.0688256 CH寒武纪-UCNY226 56.5-22.5-35.723.015.7-11.7%-11.0%-40.6%n.a.n.a.0.0603690 CH至纯科技CNY119 37.132.222.44.03.0-12.1%-12.9%-22.9%-0.12.51.8300327 CH中颖电子CNY118 34.625.720.66.24.9-12.2%-10.1%-43.6%-0.35.94.5688052 CH纳芯微CNY303 300.089.658.517.512.0-12.4%-9.4.8%n.a.n.a.0.0688521 CH芯原股份-UCNY228 45.7316.6137.78.46.5-12.5%-4.2%-40.9%n.a.n.a.0.0688082 CH盛美上海CNY325 74.958.145.111.88.5-12.7%-5.1%-41.4%n.a.n.a.0.0688072 CH拓荆科技-UCNY252 199.299.664.317.211.1-15.3%-5.65.8%n.a.n.a.0.0ACMR US盛美半导体USD31 7.6N.A.N.A.N.A.N.A.-15.3%-16.3%-73.3%n.a.n.a.n.a.非半导体非半导体6088 HKFIT HON TENGUSD134 2.195.081.63.33.24.1.04.0%0.45.33.7002415 CH海康威视CNY3,266 34.620.516.83.63.10.8%9.9%-31.9%0.916.60.5002475 CH立讯精密CNY2,234 31.522.717.01.00.8-0.8%1.8%-35.8%-1.2177.87.9300408 CH三环集团CNY590 30.832.824.39.87.6-1.1%1.9%-30.3%-0.525.34.40992 HK联想集团USD690 6.439.437.11.11.1-1.4%-3.5%-25.3%0.116.42.11810 HK小米集团-WCNY2,413 10.838.719.40.90.8-1.6%4.7%-42.9%-0.6352.915.8002841 CH视源股份CNY415 59.218.515.21.81.5-1.8%-3.4%-26.3%-0.49.93.7688301 CH奕瑞科技CNY298 409.545.835.318.413.7-1.9%-9.5%-17.1%0.45.02.9002938 CH鹏鼎控股CNY635 27.413.512.21.71.5-3.0%-5.7%-34.4%-0.320.93.3002916 CH深南电路CNY372 72.621.417.52.42.0-3.2%-3.9%-39.7%-0.912.03.12382 HK舜宇光学科技CNY895 91.132.523.53.02.6-3.2%0.2%-62.7%-2.7130.912.71888 HK建滔积层板HKD234 8.4N.A.N.A.N.A.N.A.-3.3%4.2%-29.7%0.01.00.4601138 CH工业富联CNY1,823 9.28.37.50.40.3-3.4%0.3%-18.9%1.651.62.7002484 CH江海股份CNY176 21.026.920.83.83.0-3.4%-4.1%-22.6%-0.24.22.5002236 CH大华股份CNY353 11.79.47.71.00.8-4.0%-1.9%-49.5%-0.420.48.62018 HK瑞声科技CNY183 16.924.918.11.00.9-4.0%-5.8%-45.1%-0.112.86.0002635 CH安洁科技CNY84 12.325.418.21.91.5-4.4%-6.8%-26.9%-0.11.12.2002241 CH歌尔股份CNY575 16.813.310.30.60.5-4.7%-7.3%-68.7%-7.329.75.6601231 CH环旭电子CNY351 16.011.810.10.50.4-4.7%-10.0%1.3%0.010.42.9TUYA US涂鸦智能USD72 1.8-7.1-9.05.14.7-4.8P.4%-71.4%n.a.n.a.n.a.300433 CH蓝思科技CNY524 10.527.817.61.11.0-4.8%-0.8%-53.7%0.117.63.2002138 CH顺络电子CNY205 25.431.322.44.43.6-4.9%0.3%-32.5%-0.115.27.8600183 CH生益科技CNY340 14.617.713.71.81.6-4.9%-3.1%-35.6%-0.115.14.2000100 CHTCL科技CNY637 3.7133.314.80.40.3-5.1%-7.2%-37.4%-0.915.83.0002463 CH沪电股份CNY220 11.617.313.22.72.2-5.2%-8.5%-29.3%-0.218.68.0000050 CH深天马ACNY216 8.832.317.90.70.6-5.4%-4.1%-32.0%-0.13.61.7300296 CH利亚德CNY142 5.618.413.51.51.2-5.6%-4.3%-44.8%-0.21.51.2000725 CH京东方ACNY1,293 3.423.113.10.70.6-5.6%-5.3%-29.1%-3.056.64.3300136 CH信维通信CNY155 16.019.914.61.71.4-5.8%-5.2%-36.6%0.03.82.7600563 CH法拉电子CNY329 146.132.124.38.56.5-6.0%-7.5%-36.5%-0.520.75.9000049 CH德赛电池CNY128 42.814.112.00.60.5-6.7%-14.4%-25.1%0.01.10.8300115 CH长盈精密CNY122 10.2198.617.90.90.7-7.9%-12.3%-48.7%0.53.82.9688036 CH传音控股CNY600 74.720.214.01.31.0-8.3%-3.9%-51.6%0.312.31.90285 HK比亚迪电子CNY487 24.227.718.40.50.4-9.7%-4.9%-14.9%0.142.07.0000636 CH风华高科CNY169 14.628.418.93.92.9-10.7%-6.0%-50.2%-0.11.20.7汽车电子汽车电子9868 HK小鹏汽车-WCNY741 41.8-8.8-15.12.41.42.5$.2%-77.6%1.655.49.9002405 CH四维图新CNY271 11.496.454.46.85.20.0%-3.5%-28.5%-0.710.64.02015 HK理想汽车-WCNY1,485 79.6-102.9451.73.51.7-3.0%1.9%-35.2%3.6133.69.4300496 CH中科创达CNY474 103.751.137.28.05.8-3.1%-9.4%-24.8%-0.431.58.8002036 CH联创电子CNY130 12.142.124.41.21.1-5.4%-5.8%-50.1%-0.23.12.39866 HK蔚来-SWCNY1,340 88.4-14.1-22.92.81.5-6.4%1.5%-44.4%n.a.n.a.n.a.688326 CH经纬恒润-WCNY160 133.468.447.83.72.8-6.5%-17.43.4%n.a.n.a.0.0002920 CH德赛西威CNY599 107.852.035.54.33.1-8.4%-2.0%-23.6%-0.324.83.8002906 CH华阳集团CNY159 33.538.327.12.72.1-9.4%-3.6%-38.7%0.21.60.9南向南向/北向资金持股北向资金持股比例（比例（%）代码代码公司名称公司名称财报财报货币货币市值市值（人民币亿（人民币亿元）元）收盘价（元收盘价（元交易货币）交易货币）P/EP/S股价变动股价变动北向/南向资金流北向/南向资金流入（亿人民币/亿入（亿人民币/亿港元）港元）南向南向/北向资金持股北向资金持股市值市值（亿人民币（亿人民币/亿亿港元）港元）免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。5 电子电子 图表图表6：TMT 板块其他主要公司上周股价变动一览板块其他主要公司上周股价变动一览 注：此表中北向/南向资金流入=北向/南向资金流入股数*周交易均价，使用 Wind 一致预期。资料来源：Wind，华泰研究 收盘价收盘价（当地货币（当地货币 元）元）2022E2023E2022E2023E1W1MYTD通信通信0762 HK中国联通CNY1,370 5.09.38.40.40.48.9.99.0%0.8119.97.80728 HK中国电信CNY3,693 3.310.49.30.60.64.8%3.5B.4%0.8169.537.1CD US秦淮数据CNY196 7.75.74.21.31.02.0%7.7.0%n.a.n.a.n.a.0941 HK中国移动CNY10,136 51.98.78.01.21.10.7%0.3!.4%0.7970.98.89698 HK万国数据-SWCNY263 19.3-20.7-19.53.22.8-0.2B.5%-57.4%n.a.n.a.n.a.688100 CH威胜信息CNY108 21.625.619.14.83.6-0.5%-7.8%-36.5%n.a.n.a.0.0600050 CH中国联通CNY1,527 4.819.717.40.40.4-0.8%8.8&.0%2.951.33.4002123 CH梦网科技CNY86 10.847.028.92.01.6-1.4%-4.3%-37.5%0.01.01.3601728 CH中国电信CNY3,693 4.213.512.10.80.7-2.1%-2.5%5.4%0.3n.a.1.3600941 CH中国移动CNY10,136 69.511.710.81.61.5-2.2%-5.9.6%0.19.02.7300383 CH光环新网CNY148 8.318.215.61.91.8-2.7%-4.9%-44.2%-0.41.71.2300628 CH亿联网络CNY527 58.423.718.510.68.2-2.9%-8.2%-27.5%-0.9n.a.4.0603236 CH移远通信CNY187 99.230.520.21.20.9-3.7%-4.4%-36.5%-0.63.82.0000938 CH紫光股份CNY543 19.021.917.90.70.6-3.7%0.5%-16.5%0.410.01.9300502 CH新易盛CNY118 23.312.611.43.32.7-4.0%-9.9%-40.4%0.02.42.3002396 CH星网锐捷CNY112 19.216.112.40.70.5-4.1%-4.7%-18.2%0.02.72.4002402 CH和而泰CNY129 14.221.716.01.91.5-4.3%-8.4%-47.9%-0.22.92.5000063 CH中兴通讯CNY1,115 25.214.212.00.90.8-4.5%2.7%-23.9%2.130.73.1000988 CH华工科技CNY166 16.517.213.21.21.0-5.4%-4.8%-40.4%-0.35.33.2300308 CH中际旭创CNY211 26.317.814.62.21.8-6.1%-8.0%-37.6%-0.512.66.4002139 CH拓邦股份CNY127 10.021.415.11.41.1-6.5%-7.1%-46.0%-0.14.03.8688048 CH长光华芯CNY125 92.383.249.323.914.7-11.6%-13.9.5%n.a.n.a.0.0计算机计算机0268 HK金蝶国际HKD507 16.3-149.1-245.011.18.97.7&.6%-32.1%-0.7100.817.82013 HK微盟集团HKD132 5.8-15.3-39.36.95.66.83.0%-26.5%0.535.924.3300773 CH拉卡拉CNY130 16.216.713.42.11.85.5.2%-44.1%-0.1n.a.1.1688561 CH奇安信CNY458 67.21610.0136.65.94.43.3.1%-23.6%n.a.n.a.0.0300454 CH深信服CNY463 111.3151.176.75.74.43.0%-0.8%-41.7%-0.719.26.30020 HK商汤科技HKD648 2.2-18.5-26.813.69.71.9.1%-60.7%-0.633.05.9300253 CH卫宁健康CNY219 10.249.037.76.95.61.7.8%-38.9%0.04.62.5600570 CH恒生电子CNY732 38.555.040.210.78.70.3%-3.7%-19.3%-0.6100.213.7002410 CH广联达CNY693 58.270.852.610.08.20.0%4.7%-8.4%1.199.517.3002405 CH四维图新CNY271 11.496.454.46.85.20.0%-3.5%-28.5%-0.7n.a.3.8600588 CH用友网络CNY776 22.6124.579.97.46.1-1.1%-1.4%-36.7%1.261.07.9002230 CH科大讯飞CNY775 33.441.730.13.32.5-1.6%3.4%-36.3%-0.936.15.13888 HK金山软件HKD299 24.5-7.556.94.43.6-1.6%0.0%-28.1%-0.246.814.0600845 CH宝信软件CNY686 39.734.927.55.54.4-2.1%0.8%-13.6%-0.5n.a.5.3002439 CH启明星辰CNY239 25.124.819.44.53.6-2.8%-6.9%-11.9%-0.129.416.2688111 CH金山办公CNY1,135 246.093.467.628.421.5-3.0%-3.8%-6.8%2.252.14.6300496 CH中科创达CNY474 103.751.137.28.05.8-3.1%-9.4%-24.8%-0.430.18.7000977 CH浪潮信息CNY314 21.512.810.40.40.4-3.2%-3.4%-39.8%0.17.12.3688023 CH安恒信息CNY147 186.4286.591.66.24.6-3.2%-6.2%-25.7%n.a.n.a.0.0002153 CH石基信息CNY304 14.5518.4175.48.77.5-3.3%-2.6%-29.5%-0.1n.a.3.0002373 CH千方科技CNY138 8.821.515.61.41.1-3.6%-2.6%-41.4%-0.1n.a.1.0688088 CH虹软科技CNY92 22.767.144.616.313.0-3.6%-6.5%-48.0%-0.10.30.4300033 CH同花顺CNY522 97.228.222.513.911.5-3.8%-3.4%-31.5%1.616.56.3688777 CH中控技术CNY427 85.953.640.36.85.0-3.8%-5.5.7%0.913.24.7600271 CH航天信息CNY193 10.420.918.70.80.8-4.0%-5.3%-20.8%0.0n.a.0.2688083 CH中望软件CNY144 166.488.358.919.214.4-5.5%-7.9%-33.2%-0.11.01.28083 HK中国有赞HKD31 0.2-10.2-20.72.32.0-6.1%6.9%-65.6%n.a.n.a.n.a.002065 CH东华软件CNY183 5.7N.A.N.A.N.A.N.A.-6.1%-4.2%-26.3%-0.23.52.1002268 CH卫士通CNY261 30.865.043.77.15.5-7.1%-12.5%-44.9%0.67.32.8688188 CH柏楚电子CNY297 203.851.238.230.321.9-9.9%-12.3%-25.5%0.010.23.4传媒传媒&互联网互联网300413 CH芒果超媒CNY570 30.526.722.43.93.410.6!.0%-46.5%0.417.05.59626 HK哔哩哔哩-SWHKD667 186.2-9.5-15.03.42.74.2F.8%-48.1%n.a.n.a.n.a.3690 HK美团HKD10,153 183.2-136.9199.15.24.04.2.0%-18.7%-5.21064.910.5002555 CH三七互娱CNY390 17.612.811.02.32.03.4%-0.6%-32.5%-0.2n.a.10.19999 HK网易-SHKD3,332 113.318.818.13.83.52.8%4.3%-26.7%n.a.n.a.n.a.0772 HK阅文集团HKD271 29.928.120.23.53.22.4%7.2%-39.1%-0.236.612.19618 HK京东集团HKD6,371 227.863.735.80.70.61.2%4.1%-14.9%0.015.20.20700 HK腾讯HKD27,453 320.227.221.85.54.91.1.5%-27.4%-11.52837.79.3002027 CH分众传媒CNY965 6.728.618.29.07.00.6.5%-16.6%-0.7146.615.29988 HK阿里巴巴HKD16,406 86.522.217.12.01.80.1%8.3%-27.2%n.a.n.a.n.a.1024 HK快手-WHKD2,673 69.4-21.8-68.13.22.7-0.2.6%-3.7%-10.0305.312.4002624 CH完美世界CNY249 12.814.512.62.92.4-0.3%-5.7%-31.3%0.017.17.39888 HK百度HKD2,772 112.040.320.82.52.2-0.4.2%-22.5%n.a.n.a.n.a.300251 CH光线传媒CNY246 8.457.625.917.710.7-1.4%1.4%-33.0%0.37.73.3002739 CH万达电影CNY305 14.0-67.727.02.82.1-3.7%4.6%-9.7%1.14.71.6指数指数HSI.HI恒生指数19,593.10.7%5.4%-16.3%HXC.O纳斯达克中概股指数0.00.0%0.0%0.0%HSTECH.HI恒生科技4,124.3-0.6%8.6%-27.31760.SI传媒(申万)529.6-0.6%0.4%-27.51750.SI计算机(申万)3,819.5-2.9%-3.0%-26.51770.SI通信(申万)1,816.3-3.7%-5.3%-16.6%北向北向/南向资金流入南向资金流入（亿人民币（亿人民币/亿港亿港元）元）南向南向/北向资金持股北向资金持股市值（亿人民币市值（亿人民币/亿亿港元）港元）南向南向/北向资金北向资金持股比例持股比例（%）财报货币财报货币市值市值（人民币（人民币亿元）亿元）P/EP/S股价变动股价变动代码代码公司名称公司名称 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。6 电子电子 图表图表7：恒生科技指数成份股票涨跌幅恒生科技指数成份股票涨跌幅 注：市值、股价取 12 月 23 日收盘价，采用 Wind 汇率 资料来源：Wind，华泰研究 公司公司板块分类板块分类成分占比成分占比交易货币交易货币市值市值股价股价（亿元港币）（亿元港币）（港币（港币 元）元）1W30DYTD恒生科技指数成份恒生科技指数成份0268 HK金蝶国际资讯科技2.61%HKD72616.307.7&.6%-48.426 HK哔哩哔哩-SW资讯科技1.37%HKD955186.204.2F.8%-76.7690 HK美团资讯科技8.21%HKD14,544183.204.2.0%-37.899 HK网易-S资讯科技6.11%HKD4,773113.302.8%4.3%-21.268 HK小鹏非必须性消费0.87%HKD1,06141.802.5$.2%-74.772 HK阅文集团非必须性消费1.03%HKD38929.852.4%7.2%-50.920 HK商汤科技资讯科技0.17%HKD9282.161.9.1%-47.718 HK京东集团资讯科技8.89%HKD9,127227.801.2%4.1%-31.800 HK腾讯资讯科技7.66%HKD39,326320.201.1.5%-41.188 HK阿里巴巴资讯科技8.21%HKD23,50086.500.1%8.3%-62.8f90 HK海尔智家非必须性消费4.40%HKD3,20026.600.0%3.9%-1.898 HK万国数据资讯科技0.49%HKD37719.30-0.2B.5%-78.624 HK快手-W资讯科技6.96%HKD3,82969.35-0.2.6%-76.988 HK百度资讯科技4.64%HKD3,971112.00-0.4.2%-55.661 HK携程集团-S非必须性消费0.76%HKD2,282277.20-0.6.7%-1.192 HK联想集团资讯科技3.29%HKD9886.35-1.4%-3.5%-4.760 HK众安在线金融业1.15%HKD39520.95-1.4%4.2%-42.109 HK明源云资讯科技0.45%HKD1837.27-1.5!.0%-84.7888 HK金山软件资讯科技1.50%HKD42824.50-1.6%0.0%-50.610 HK小米集团-W资讯科技8.19%HKD3,45610.80-1.6%4.7%-67.5 15 HK理想非必须性消费2.64%HKD2,12779.55-3.0%1.9%-32.0#82 HK舜宇光学科技工业5.39%HKD1,28291.10-3.2%0.2%-45.5 18 HK瑞声科技工业0.74%HKD26116.92-4.0%-5.8%-60.781 HK中芯国际资讯科技4.95%HKD2,43016.74-4.5%-1.4%-24.3f18 HK京东健康医疗保健业4.28%HKD2,94972.30-5.7%6.2%-51.866 HK蔚来非必须性消费0.64%HKD1,91988.40-6.4%1.5%-44.447 HK华虹半导体资讯科技0.95%HKD44826.70-7.1%-0.7%-39.385 HK比亚迪电子资讯科技1.15%HKD69824.15-9.7%-4.9%-39.833 HK平安好医生医疗保健业0.76%HKD31822.15-11.6.8%-76.441 HK阿里健康医疗保健业1.51%HKD1,2307.09-11.9.0%-69.0%恒生科技指数成份恒生科技指数成份股价涨跌幅股价涨跌幅 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。7 电子电子 图表图表8：全球主要科技股票涨跌幅全球主要科技股票涨跌幅 注：市值、股价取 12 月 23 日收盘价，采用 Wind 汇率 资料来源：Wind，华泰研究 代码代码公司公司交易货币交易货币市值市值股价股价（百万 美元）（百万 美元）23-Dec1W30DYTD软件软件CRM USSALESFORCE塞富时USD129,440129.440.9%-19.2%-41.8N USACCENTURE-A埃森哲USD175,323266.090.6%-11.6%4.5BE USADOBE奥多比USD157,345338.450.0%-1.9%-32.3%SNOW USSNOWFLAKESnowflakeUSD44,538138.49-2.8%-3.1%-50.8%MSFT USMICROSOFT微软USD1,779,606238.73-2.4%-6.4%9.2%NOW USSERVICENOWServiceNowUSD77,136381.86-3.2%-8.3%-30.6%SHOP USSHOPIFYShopifyUSD42,88033.71-6.6%-17.5%-70.2%半导体半导体AVGO USBROADCOM博通USD230,853552.430.2%1.14.1$54 TTMTK联发科TWD34,371660.000.0%-10.0%-11.60660 KSSK HYNIXSK海力士KRW44,13677,800.00-0.8%-8.5%-34.3%KLAC USKLA科天USD53,483377.39-2.1%-4.0I.45930 KSSAMSUNG ELEC三星电子KRW270,28158,100.00-2.4%-6.6%-28.3%AMD USADVANCED MICRO DEVICESAMD超威半导体USD104,02964.52-1.4%-16.9%-29.6%IFX NTRINFINEON TECHNOLOGIES英飞凌EUR028.68-3.0%-10.4%-9.1%TXN USTEXAS INSTRUMENTS德州仪器USD149,187164.38-3.0%-8.9%5.4%INTC USINTEL英特尔USD107,67326.09-3.1%-13.2%-44.1%QCOM USQUALCOMM高通公司USD124,252110.84-3.2%-12.4%-24.3#30 TTTSMC台积电TWD388,385455.00-3.4%-7.1%-14.2%NXPI USNXP SEMICONDUCTORS恩智浦USD40,858157.67-3.7%-9.9%2.3%ASML NAASML HOLDING阿斯麦EUR221,982516.90-4.4%-7.90.0%MU USMICRON TECHNOLOGY镁光USD54,77750.20-3.6%-12.9%-32.7#03 TTUMC联电TWD15,80441.95-5.3%-8.4%-11.0%AMAT USAPPLIED MATERIAL应用材料USD82,06797.22-7.2%-11.3.5%LRCX USLAM RESEARCH拉姆研究USD56,205412.12-7.2%-12.4%-10.7%NVDA USNVIDIA英伟达USD374,068152.06-8.2%-10.1.735 JPTOKYO ELECTRON东京电子JPY46,58939,200.00-10.5%-13.1%4.2%互联网互联网3690 HKMEITUAN-W美团HKD145,441183.204.2.0%-37.800 HKTENCENT腾讯HKD393,259320.201.1.5%-41.124 HKKUAISHOU-W快手HKD38,29269.35-0.2.6%-76.9%META USMETA PLATFORMSMetaUSD312,989118.04-1.2%-0.1%-56.8%GOOG USALPHABET-C谷歌USD1,158,43489.81-1.2%-11.5%2.5%AMZN USAMAZON亚马逊USD869,69185.25-3.0%-11.7%-47.7%SE USSEASEAUSD27,84249.92-7.0%-14.5%-74.9%硬件硬件CSCO USCISCO SYSTEMS思科USD195,05347.48-0.7%-4.5.610 HKXIAOMI-W小米HKD34,56110.80-1.6%4.7%-67.5PL USAPPLE苹果USD2,097,644131.86-2.0%-10.9%0.6h61 JPKEYENCEKEYENCEJPY94,43151,360.00-7.5%-10.1%-11.0%汽车汽车XPEV USXPENG小鹏USD10,60810.06-2.3%-6.9%-76.5%NIO USNIO蔚来USD19,18910.97-5.4%-14.2%-77.511 HKBYD COMPANY比亚迪HKD92,835194.10-6.7%1.4%-4.4%LI USLI AUTO理想USD21,27118.77-8.2%-14.7%-34.9%LCID USLUCID GROUPLucidUSD11,2596.70-9.1%-33.9%-33.1%RIVN USRIVIAN AUTOMOTIVERivianUSD17,62719.14-14.9%-40.3%-81.0%TSLA USTESLA特斯拉USD388,877123.15-18.0%-36.7%-47.6%指数指数HXC.O纳斯达克中概股0.00.0%0.0%0.0%SPX.GI标普5003,844.8-0.2%-5.8%-19.3%IXIC.GI纳斯达克指数10,497.9-1.9%-8.5%-32.96752.MIMSCI全球信息科技393.4-2.3%-7.7%-31.5%SOX.GI费城半导体指数2,535.5-3.8%-10.3%-35.7%股价涨跌幅股价涨跌幅 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。8 电子电子 图表图表10：过去一周公告股东增减持更新过去一周公告股东增减持更新 证券代码证券代码 证券简称证券简称 变动方向变动方向 股东名称股东名称 公告日期公告日期 方案进度方案进度（拟）减持股数（万股）（拟）减持股数（万股）(拟拟)变动数量上限变动数量上限 占总股本比占总股本比(%)300260 CH 新莱应材 减持 翁鹏斌等 2022-12-17 进行中 4.82 0.0212 002436 CH 兴森科技 减持 蒋威 2022-12-24 进行中 6.19 0.0037 002587 CH 奥拓电子 减持 彭世新 2022-12-24 完成 150.00 0.23 资料来源：Wind，华泰研究 图表图表11：过去一周股权激励一览过去一周股权激励一览 证券代码证券代码 证券简称证券简称 公告日期公告日期 方案进度方案进度 激励方式激励方式 激励股数激励股数（万股）（万股）期权初始期权初始 行权价格行权价格 主要公司层面行权条件主要公司层面行权条件 002402 CH 和而泰 2022-12-20 股东大会通过 上市公司定向发行股票 1,800.00 7.91 第一个解除限售期 2023 年以 2021 年为基数，2023 年营业收入或净利润不低于 2021 年营业收入或净利润的 1.25 倍。第二个解除限售期 2024 年以 2021 年为基数，2024 年营业收入或净利润不低于 2021 年营业收入或净利润的 1.60 倍。第三个解除限售期 2025 年 以 2021 年为基数，2025 年营业收入或净利润不低于 2021 年营业收入或净利润的2.10 倍。资料来源：Wind，华泰研究 图表图表12：过去一周过去一周 TMT 板块板块 IPO 情况情况 证券代码证券代码 公司公司 状态状态 上市上市/过会日期过会日期 市值市值（亿元（亿元 当地货币）当地货币）上市板上市板 发行价格发行价格（元当地货币）（元当地货币）新股发行数量新股发行数量（万股）（万股）（拟）募资总额（拟）募资总额（亿元当地货币）（亿元当地货币）688147 CH C 微导 已上市 2022-12-23 124.75 科创板 24.21 4,544.55 11.00 688141 CH C 杰华特 已上市 2022-12-23 226.75 科创板 38.26 5,808.00 22.22 872190 CH 雷神科技 已上市 2022-12-23 13.75 北证 25.00 1,437.50 3.59 688498 CH C 源杰 已上市 2022-12-21 70.22 科创板 100.66 1,500.00 15.10 831526 CH 凯华材料 已上市 2022-12-22 3.54 北证 4.00 2,070.00 0.83 ECX US 亿咖通 已上市 2022-12-21 30.08 纳斯达克 2076 HK BOSS 直聘 已上市 2022-12-22 694.32 港交所 A22364 CH 达梦数据 已过会 2022-12-22 科创板 资料来源：Wind，华泰研究 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。9 电子电子 图表图表13：全球大类资产一周涨跌幅总览全球大类资产一周涨跌幅总览 注：纳斯达克中概股采用纳斯达克中国金龙指数（Wind 代码 HXC.O）资料来源：Wind，华泰研究 图表图表14：全球大类资产全球大类资产 YTD 涨跌幅总览涨跌幅总览 注：纳斯达克中概股采用纳斯达克中国金龙指数（Wind 代码 HXC.O）；截至 12 月 23 日收盘 资料来源：Wind，华泰研究-24%-21%-18%-15%-12%-9%-6%-3%0%3%6%9%美国国债巴西IBOVESPA中国国债日元原油英国富时100小麦道琼斯工业指数巴黎CAC40英镑恒生指数MSCI全球/资本市场指数欧洲STOXX600铜 德国DAX指数纳斯达克中概股俄罗斯MOEX比特币MSCI发达市场指数标普500黄金人民币印度卢比澳元MSCI新兴市场恒生科技传媒(申万)大豆印度Nifty纳斯达克指数FAAMNGVIX计算机(申万)沪深300创业板通信(申万)费城半导体指数上证指数深证成指日经225卢布电子(申万)天然气股市债券货币大宗商品其它-80%-40%000%美国国债天然气VIX原油大豆卢布澳元印度Nifty巴西IBOVESPA中国国债英国富时100俄罗斯MOEX纳斯达克中概股黄金小麦道琼斯工业指数日经225巴黎CAC40人民币欧洲STOXX600英镑印度卢比铜 德国DAX指数日元恒生指数上证指数通信(申万)标普500MSCI发达市场指数MSCI新兴市场沪深300MSCI全球/资本市场指数计算机(申万)深证成指恒生科技传媒(申万)创业板纳斯达克指数FAAMNG费城半导体指数电子(申万)比特币股市债券货币大宗商品其它 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。10 电子电子 图表图表15：过去一周内过去一周内 A股各行业涨跌幅股各行业涨跌幅 图表图表16：A 股各行业股各行业 YTD 涨跌幅涨跌幅 注：使用申万指数 资料来源：Wind，华泰研究 注：使用申万指数；截至 12 月 23 日收盘 资料来源：Wind，华泰研究 图表图表17：过去一周内港股各行业涨跌幅过去一周内港股各行业涨跌幅 图表图表18：港股各行业港股各行业 YTD 涨跌幅涨跌幅 注：使用港交所行业分类 资料来源：Wind，华泰研究 注：使用港交所行业分类；截至 12 月 23 日收盘 资料来源：Wind，华泰研究-7%-6%-5%-4%-3%-2%-1%0%采掘传媒休闲服务食品饮料银行综合轻工制造计算机商业贸易农林牧渔家用电器非银金融通信纺织服装交通运输公用事业建筑材料房地产有色金属国防军工机械设备钢铁医药生物汽车化工建筑装饰电子电气设备-45%-35%-25%-15%-5%5%综合采掘休闲服务交通运输商业贸易房地产建筑装饰银行农林牧渔食品饮料纺织服装通信公用事业化工家用电器轻工制造汽车有色金属医药生物机械设备非银金融钢铁建筑材料计算机传媒电气设备国防军工电子-4%-3%-2%-1%0%1%2%3%4%资讯科技业必需性消费电讯业综合企业金融业非必需性消费医疗保健业能源业地产建筑业公用事业原材料业工业-40%-30%-20%-10%0 0%能源业电讯业必需性消费地产建筑业原材料业非必需性消费金融业综合企业医疗保健业资讯科技业工业公用事业 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。11 电子电子 图表图表19：申万电子一年内涨跌幅申万电子一年内涨跌幅 图表图表20：过去一周内电子指数走势过去一周内电子指数走势 资料来源：Wind，华泰研究 资料来源：Wind，华泰研究 图表图表21：各细分板块一年内涨跌幅各细分板块一年内涨跌幅 图表图表22：过去一周内各细分板块走势过去一周内各细分板块走势 资料来源：Wind，华泰研究 资料来源：Wind，华泰研究 图表图表23：上证上证 A股成交额与指数股成交额与指数 图表图表24：港股成交额与恒生指数港股成交额与恒生指数 资料来源：Wind，华泰研究 资料来源：Wind，华泰研究 50p000 21/082021/092021/102021/112021/122022/012022/022022/032022/042022/052022/062022/072022/082022/092022/102022/112022/12SW电子深证成指上证综合指数成份SW申万A股成份-3.9%-3.9%-4.2%-5.9%-7%-6%-5%-4%-3%-2%-1%0%1%上证综合指数成份深证成指SW申万A股成份SW电子40Pp0000 21/082021/092021/102021/112021/122022/012022/022022/032022/042022/052022/062022/072022/082022/092022/102022/112022/12CS半导体CS元器件CS光学光电CS消费电子CS其他电子零组件-6.0%-6.2%-6.3%-7.0%-9.2%-11%-9%-7%-5%-3%-1%1%CS光学光电CS元器件CS消费电子CS其他电子零组件CS半导体05001,0001,5002,0002,5003,0003,5004,00001,0002,0003,0004,0005,0006,0007,0008,0002019/092019/122020/032020/062020/092020/122021/032021/062021/092021/122022/032022/062022/092022/12上证A股上证指数（右轴）成交金额(亿元人民币)14,00016,00018,00020,00022,00024,00026,00028,00030,00032,00005001,0001,5002,0002,5002019/102019/122020/022020/042020/062020/082020/102020/122021/022021/042021/062021/082021/102021/122022/022022/042022/062022/082022/102022/12全部港股恒生指数（右轴）成交金额(亿元港币)免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。12 电子电子 图表图表25：A/H 手机产业链板块总市值与手机产业链板块总市值与 1 年前向市盈率变化年前向市盈率变化 图表图表26：A 股半导体板块总市值与股半导体板块总市值与 1 年前向市盈率变化年前向市盈率变化 资料来源：Wind，华泰研究 资料来源：Wind，华泰研究 图表图表27：恒生指数、标普恒生指数、标普 500、上证综指年内周度涨跌幅、上证综指年内周度涨跌幅 图表图表28：纳斯达克、费城半导体、恒生科技、申万电子年内周度涨跌纳斯达克、费城半导体、恒生科技、申万电子年内周度涨跌幅幅 资料来源：Wind，华泰研究 资料来源：Wind，华泰研究 图表图表29：恒生科技指数一年内涨跌幅恒生科技指数一年内涨跌幅 图表图表30：恒生科技指数恒生科技指数 P/E（1 年前向）估值变化年前向）估值变化 资料来源：Wind，华泰研究 资料来源：Wind，华泰研究 0510152025303505,00010,00015,00020,00025,00030,0002018/032018/062018/092018/122019/032019/062019/092019/122020/032020/062020/092020/122021/032021/062021/092021/122022/032022/062022/092022/12A/H手机产业链总市值预测市盈率(未来12个月)(中值)P/E(X)中位数中位数=18=18(亿元人民币)010203040506070809005,00010,00015,00020,00025,00030,00035,0002018/032018/062018/092018/122019/032019/062019/092019/122020/032020/062020/092020/122021/032021/062021/092021/122022/032022/062022/092022/12A股半导体总市值预测市盈率(未来12个月)(中值)(亿元人民币)P/E(X)中位数中位数=42-10%-8%-6%-4%-2%0%2%4%6%8 22/08/122022/08/192022/08/262022/09/022022/09/092022/09/162022/09/232022/09/302022/10/142022/10/212022/10/282022/11/042022/11/112022/11/182022/11/252022/12/022022/12/092022/12/162022/12/23恒生指数标普500上证综指-15%-10%-5%0%5 22/08/122022/08/192022/08/262022/09/022022/09/092022/09/162022/09/232022/09/302022/10/142022/10/212022/10/282022/11/042022/11/112022/11/182022/11/252022/12/022022/12/092022/12/162022/12/23费城半导体纳斯达克恒生科技电子（申万）0 00 21/092021/102021/112021/122022/012022/022022/032022/042022/052022/062022/072022/082022/092022/102022/112022/12恒生科技指数恒生指数05101520253035402020/082020/102020/122021/022021/042021/062021/082021/102021/122022/022022/042022/062022/082022/102022/12(X)恒生科技指数恒生综合指数 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。13 电子电子 图表图表31：科技巨头、科技巨头、SOX、SPX 指数涨跌幅指数涨跌幅 图表图表32：美股科技巨头、费城半导体、标普美股科技巨头、费城半导体、标普 500P/E（1 年前向）年前向）注：科技巨头包括谷歌，亚马逊，苹果，微软 资料来源：Wind，华泰研究 注：科技巨头包括谷歌，亚马逊，苹果，微软 资料来源：Bloomberg，华泰研究 图表图表33：SOX 指数一致预期营收同比增速指数一致预期营收同比增速 图表图表34：SOX 指数一致预期指数一致预期 EPS 同比增速同比增速 资料来源：Bloomberg，华泰研究 资料来源：Bloomberg，华泰研究 图表图表35：Nasdaq100 指数一致预期营收同比增速指数一致预期营收同比增速 图表图表36：Nasdaq100 指数一致预期指数一致预期 EPS 同比增速同比增速 资料来源：Bloomberg，华泰研究 资料来源：Bloomberg，华泰研究 0 00000000 12/062012/122013/062013/122014/062014/122015/062015/122016/062016/122017/062017/122018/062018/122019/062019/122020/062020/122021/062021/122022/062022/12费城半导体标普500美股科技巨头051015202530354045502012/122013/062013/122014/062014/122015/062015/122016/062016/122017/062017/122018/062018/122019/062019/122020/062020/122021/062021/122022/062022/12(X)SOX 前向PES&P 500前向PEBig Tech前向PE0%5 %0 22/012022/012022/022022/032022/032022/042022/052022/052022/062022/072022/082022/082022/092022/102022/102022/112022/12彭博一致预期SOX每股营业收入（2022E)彭博一致预期SOX每股营业收入（2023E)0%5 %05 22/012022/022022/032022/032022/042022/052022/052022/062022/072022/082022/082022/092022/102022/102022/112022/12彭博一致预期SOX每股盈利（2022E)彭博一致预期SOX每股盈利（2023E)0%2%4%6%8 22/012022/022022/032022/042022/052022/062022/072022/082022/092022/102022/112022/12彭博一致预期NDX每股营业收入（2022E)彭博一致预期NDX每股营业收入（2023E)0%5 %05 22/012022/022022/032022/042022/052022/062022/072022/082022/092022/102022/112022/12彭博一致预期NDX每股盈利（2022E)彭博一致预期NDX每股盈利（2023E)免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。14 电子电子 图表图表37：比特币交易量与价格变化比特币交易量与价格变化 资料来源：Yahoo Finance，华泰研究 图表图表38：以太币交易量与价格变化以太币交易量与价格变化 资料来源：Yahoo Finance,华泰研究 图表图表39：比特币在网算力与价格变化比特币在网算力与价格变化 资料来源：Yahoo Finance,B，华泰研究 010,00020,00030,00040,00050,00060,00070,00080,0000501001502002503003504002017/022017/042017/062017/082017/102017/122018/022018/042018/062018/082018/102018/122019/022019/042019/062019/082019/102019/122020/022020/042020/062020/082020/102020/122021/022021/042021/062021/082021/102021/122022/022022/042022/062022/082022/102022/12成交量收盘价(右轴)收盘价(美元/个)成交量(十亿美元）01,0002,0003,0004,0005,0006,0002017/022017/042017/062017/082017/102017/122018/022018/042018/062018/082018/102018/122019/022019/042019/062019/082019/102019/122020/022020/042020/062020/082020/102020/122021/022021/042021/062021/082021/102021/122022/022022/042022/062022/082022/102022/120102030405060708090成交量收盘价（右轴）成交量(十亿美元)收盘价(美元/个)010,00020,00030,00040,00050,00060,00070,00080,0000501001502002503003502017/022017/042017/062017/082017/102017/122018/022018/042018/062018/082018/102018/122019/022019/042019/062019/082019/102019/122020/022020/042020/062020/082020/102020/122021/022021/042021/062021/082021/102021/122022/022022/042022/062022/082022/102022/12比特币在网算力比特币价格（右轴）(EH/s)(美元)免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。15 电子电子 上周沪深港通持仓变化上周沪深港通持仓变化 图表图表40：北向资金流入流出情况北向资金流入流出情况 资料来源：Wind，华泰研究 图表图表41：南向资金流入流出情况南向资金流入流出情况 资料来源：Wind，华泰研究(600)(400)(200)0200400600(5,000)(4,000)(3,000)(2,000)(1,000)-1,000 2,000 3,000 4,000 5,0002021/012021/022021/032021/042021/052021/062021/072021/082021/092021/102021/112021/122022/012022/022022/032022/042022/052022/062022/072022/082022/092022/102022/112022/12北向资金流入北向资金流出北向资金净流入（右轴）(亿元人民币)(亿元人民币)(1,000)(800)(600)(400)(200)02004006008001,000(3,000)(2,000)(1,000)-1,000 2,000 3,0002021/012021/022021/032021/042021/052021/062021/072021/082021/092021/102021/112021/122022/012022/022022/032022/042022/052022/062022/072022/082022/092022/102022/112022/12南向资金流入南向资金流出南向资金净流入（右轴）(亿港元)(亿港元)免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。16 电子电子 图表图表42：沪沪/深股通电子板块持仓情况（按持股市值排名）深股通电子板块持仓情况（按持股市值排名）注：此表中北向/南向资金流入=北向/南向资金流入股数*周交易均价 资料来源：Wind，华泰研究 收盘价收盘价北向资金流入北向资金流入23/Dec1W1W1M1MYTDYTD（亿元人民币）（亿元人民币）002475 CH立讯精密CNY31.5-0.8%1.8%-35.8%-1.27.9175.2603501 CH韦尔股份CNY79.1-5.0%-2.7%-65.5%-2.87.973.8603290 CH斯达半导CNY304.5-5.5%-9.9%-19.9%0.019.152.2601138 CH工业富联CNY9.2-3.4%0.3%-18.9%1.62.851.4000725 CH京东方ACNY3.4-5.6%-5.3%-29.1%-3.04.150.5002371 CH北方华创CNY217.8-9.7%-2.3%-37.2%-1.83.843.5002049 CH紫光国微CNY122.7-5.4%-6.7%-23.6%1.93.637.6002008 CH大族激光CNY25.3-6.1%-4.6%-52.4%-0.615.037.2300661 CH圣邦股份CNY165.0-7.6%-6.8%-19.7%-0.16.133.9603986 CH兆易创新CNY94.7-8.6%-6.0%-45.7%-0.93.924.8300408 CH三环集团CNY30.8-1.1%1.9%-30.3%-0.54.324.6300782 CH卓胜微CNY106.8-8.0%-7.2%-47.5%-0.15.424.4688008 CH澜起科技CNY63.3-3.3%-6.0%-24.2%-0.83.323.9002241 CH歌尔股份CNY16.8-4.7%-7.3%-68.7%-7.34.221.4002938 CH鹏鼎控股CNY27.4-3.0%-5.7%-34.4%-0.33.219.9002236 CH大华股份CNY11.7-4.0%-1.9%-49.5%-0.48.419.3600563 CH法拉电子CNY146.1-6.0%-7.5%-36.5%-0.55.819.0600745 CH闻泰科技CNY52.7-6.4%-4.3%-59.1%0.72.818.2002415 CH海康威视CNY34.60.8%9.9%-31.9%0.90.617.7002463 CH沪电股份CNY11.6-5.2%-8.5%-29.3%-0.27.917.4300433 CH蓝思科技CNY10.5-4.8%-0.8%-53.7%0.13.216.8300207 CH欣旺达CNY22.0-5.8%-9.3%-47.8%0.14.014.9000733 CH振华科技CNY107.9-2.8%-5.5%-13.0%0.12.614.8002384 CH东山精密CNY23.4-4.1%-9.8%-13.0%-0.64.514.8002138 CH顺络电子CNY25.4-4.9%0.3%-32.5%-0.17.814.3600183 CH生益科技CNY14.6-4.9%-3.1%-35.6%-0.14.214.2000100 CHTCL科技CNY3.7-5.1%-7.2%-37.4%-0.92.814.1300373 CH扬杰科技CNY52.9-8.2%-6.6%-21.0%0.75.113.9688036 CH传音控股CNY74.7-8.3%-3.9%-51.6%0.31.911.6002916 CH深南电路CNY72.6-3.2%-3.9%-39.7%-0.92.910.7持股市值（亿持股市值（亿元人民币）元人民币）股价变动股价变动北向资金持股北向资金持股比例（%）比例（%）代码代码公司名称公司名称交易货币交易货币 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。17 电子电子 图表图表43：港股通科技公司持仓情况（按持股市值排名）港股通科技公司持仓情况（按持股市值排名）注：此表中北向/南向资金流入=北向/南向资金流入股数*周交易均价 资料来源：Wind，华泰研究 收盘价收盘价12/231W1MYTD0700 HK腾讯控股HKD320.21.1.5%-27.4%-11.59.32837.73690 HK美团-WHKD183.24.2.0%-18.7%-5.210.51064.90941 HK中国移动HKD51.90.7%0.3!.4%0.78.8970.91810 HK小米集团-WHKD10.8-1.6%4.7%-42.9%-0.615.8346.50981 HK中芯国际HKD16.7-4.5%-1.4%-10.3%0.917.8235.70728 HK中国电信HKD3.34.8%3.5B.4%0.837.1169.51211 HK比亚迪股份HKD194.1-6.7%1.4%-27.2%0.27.4158.62382 HK舜宇光学科技HKD91.1-3.2%0.2%-62.7%-2.712.4124.19868 HK中国联通HKD5.08.9.99.0%0.87.8119.90268 HK金蝶国际HKD16.37.7&.6%-32.1%-0.717.8100.80762 HK小鹏汽车-WHKD41.82.5$.2%-77.6%1.610.158.31347 HK华虹半导体HKD26.7-7.1%-0.7%-37.9%-0.514.952.03888 HK金山软件HKD24.5-1.6%0.0%-28.1%-0.214.046.80285 HK比亚迪电子HKD24.2-9.7%-4.9%-14.9%0.17.038.00763 HK中兴通讯HKD16.8-5.5%-0.9%-19.5%-0.122.027.90992 HK联想集团HKD6.4-1.4%-3.5%-25.3%0.12.116.32018 HK瑞声科技HKD16.9-4.0%-5.8%-45.1%-0.16.012.20788 HK中国铁塔HKD0.8-4.5%0.0%1.2%0.22.710.60751 HK创维集团HKD3.21.3%7.1%-38.0%0.010.48.50732 HKFIT HON TENGHKD2.14.1.04.0%0.44.05.91478 HK丘钛科技HKD4.2-4.1%4.8%-58.4%0.09.54.76869 HK长飞光纤光缆HKD12.9-10.1%-9.6%2.0%0.010.34.70552 HK中国通信服务HKD2.80.7%3.7%-22.3%0.05.73.81070 HKTCL电子HKD3.1-6.4%-3.8%-20.9%-0.13.82.96088 HK信利国际HKD1.2-3.9%-10.3%-59.5%0.06.12.40522 HKASMPTHKD54.7-2.6%-4.7%-31.5%0.00.92.01888 HK建滔积层板HKD8.4-3.3%4.2%-29.7%0.00.40.90303 HKVTECH HOLDINGSHKD49.9-1.0%3.3%-10.3%0.00.20.30698 HK通达集团HKD0.1-5.2%1.6%-48.8%n.a.0.70.1南向南向/北向资金持北向资金持股比例（股比例（%）持股市值持股市值（亿港元）（亿港元）股价变动股价变动南向资金流入南向资金流入(亿港元）亿港元）代码代码公司名称公司名称交易货币交易货币 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。18 电子电子 附：附：中国宏观数据中国宏观数据 图表图表44：10 月固定资产投资分项均回落月固定资产投资分项均回落 图表图表45：CPI 11 月环比分项数据月环比分项数据 资料来源：Wind，华泰研究 资料来源：CEIC,Wind,华泰研究 图表图表46：11 月，美月，美元计价，元计价，进出口同比增速下行进出口同比增速下行 图表图表47：11 月制造业月制造业 PMI 下降至下降至 48.0%，服务业，服务业 PMI 下降至下降至 46.7%资料来源：Wind，华泰研究 资料来源：Wind，华泰研究 图表图表48：国债收益率国债收益率&7 天逆回购加权利率变化天逆回购加权利率变化 图表图表49：公开市场操作净投放量公开市场操作净投放量 资料来源：Wind，华泰研究 资料来源：Wind，华泰研究(45)(35)(25)(15)(5)5152535455505-0606-0607-0608-0609-0610-0611-0612-0613-0614-0615-0616-0617-0618-0619-0620-0621-0622-06固定资产投资同比基建投资同比制造业投资同比房地产投资同比%年同比-0.80-0.20.3-0.300.10.20(1)01食品非食品服务衣着生活用品及服务医疗保健交通通信教育文化和娱乐居住CPI分项环比增速分项环比增速可选及非食品分项(%月环比)-8.7%-10.6%-20%-10%0 0 16-112017-112018-112019-112020-112021-112022-11出口当月同比进口当月同比48.046.7 404244464850525456586011-1012-1013-1014-1015-1016-1017-1018-1019-1020-1021-1022-10制造业PMI非制造业PMI%1.51.92.32.73.13.52020/102020/122021/022021/042021/062021/082021/102021/122022/022022/042022/062022/082022/102022/12中债国债到期收益率:10年银行间质押式回购加权利率:7天:30日移动平均(%)(10,000)(8,000)(6,000)(4,000)(2,000)02,0004,0006,0008,00010,0002021/122021/122022/012022/022022/022022/032022/042022/042022/052022/062022/072022/072022/082022/092022/092022/102022/112022/112022/12公开市场操作净投放量（亿元）(亿元)免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。19 电子电子 图表图表50：中国主要宏观经济指标中国主要宏观经济指标 资料来源：Wind，华泰研究 图表图表51：出口价格指数走势出口价格指数走势 图表图表52：出口数量指数同比变化出口数量指数同比变化 资料来源：Wind，华泰研究 资料来源：Wind，华泰研究 图表图表53：11 月中国新能源汽车销量月中国新能源汽车销量 78.6 万台，环比增长万台，环比增长 10.1%图表图表54：11 月中国汽车销量月中国汽车销量 232.8 万辆，环比下降万辆，环比下降 7.1%资料来源：中汽协，华泰研究 资料来源：中汽协，华泰研究 一周宏观数据一周宏观数据 指标指标周期周期单位单位本期本期上期上期变化变化M2：同比2022.11.40.80%0.60%社会融资规模：当月值2022.11亿元19900907910821.00新增人民币贷款2022.1110061525948.00工业增加值：当月同比2022.11%2.20%5.00%-2.80%固定资产投资：累计同比2022.11%5.30%5.80%-0.50%房地产开发投资：累计同比2022.11%-9.80%-8.80%-1.00%社会消费品零售总额：当月同比2022.11%-5.90%-0.50%-5.40%城镇调查失业率2022.11%5.70%5.50%0.20%食用农产品价格11.28-12.4（周）较上周变动0.00%-0.70%0.70%生产资料价格11.28-12.4（周）较上周变动0.00%-0.60%0.60%大宗商品价格指数（CCPI）12.5-12.11（周）指数188.94190.83-1.897天银行间质押式回购加权利率2022.12.23周五时点数据1.95%2.11%-0.16年国债到期收益率2022.12.23周五时点数据2.83%2.89%-0.06901001101201302018-012018-042018-072018-102019-012019-042019-072019-102020-012020-042020-072020-102021-012021-042021-072021-102022-012022-042022-072022-10出口价格总指数出口价格指数：车辆、航空器、船舶及运输设备出库价格指数：机电、音像设备及其零件、附件出口价格：化学工业及其相关工业的产品-100%00 000 18-012018-042018-072018-102019-012019-042019-072019-102020-012020-042020-072020-102021-012021-042021-072021-102022-012022-042022-072022-10出口数量总指数出口数量指数：车辆、航空器、船舶及运输设备出库数量指数：机电、音像设备及其零件、附件出口数量：化学工业及其相关工业的产品4333483045605967717179020406080100Jan Feb MarApr May JunJulAug Sep Oct Nov Dec（万辆）202020212022253174223118186250242238261250233050100150200250300JanFebMarAprMay JunJulAug SepOctNov Dec（万辆）202020212022 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。20 电子电子 图表图表55：11 月动力电池装车量环比月动力电池装车量环比上升上升 12.2%图表图表56：10 月光伏电池产量同比增长月光伏电池产量同比增长 70%资料来源：Wind，华泰研究 资料来源：Wind，华泰研究 图表图表57：中国光伏新增装机量中国光伏新增装机量 图表图表58：中国新增储能累计装机规模中国新增储能累计装机规模 资料来源：CPIA，华泰研究 资料来源：CNESA，华泰研究 图表图表59：10 月中国大陆智能手机出货同比下降月中国大陆智能手机出货同比下降 16%图表图表60：中国中国 PC 出货量出货量 资料来源 IDC，华泰研究 资料来源：IDC，华泰研究 05,00010,00015,00020,00025,00030,00035,00040,0002019/022019/042019/072019/092019/112020/012020/032020/052020/072020/092020/112021/012021/032021/052021/072021/092021/112022/012022/032022/052022/072022/092022/11（兆瓦时）三元材料磷酸铁锂锰酸锂钛酸锂其它-10%0 0Pp001,0001,5002,0002,5003,0003,500Mar-17Jun-17Sep-17Dec-17May-18Aug-18Nov-18Apr-19Jul-19Oct-19Mar-20Jun-20Sep-20Dec-20May-21Aug-21Nov-21Apr-22Jul-22Oct-22（万千瓦）光伏电池产量同比（右轴）-100%00 0000P01015202530351Q163Q161Q173Q171Q183Q181Q193Q191Q203Q201Q213Q211Q223Q22光伏装机yoy(GW/h)0 00000,0002,0003,0004,0005,0006,0007,0002015201620172018201920202021（MW）中国新型储能累计装机规模YOY-右轴-100%-50%0P00 0,000,00010,000,00015,000,00020,000,00025,000,00030,000,00035,000,00040,000,00045,000,0002018/1/12019/1/12020/1/12021/1/12022/1/1中国智能手机出货量yoy（右轴）(台）-20%-10%0 0P020304050607080901002020Q12020Q22020Q32020Q42021Q12021Q22021Q32021Q42022Q12022Q22022Q3(百万 台)出货量同比增长 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。21 电子电子 图表图表61：主要国家和地区手机出口主要国家和地区手机出口同比变化同比变化 注：印度最新数据截止至 2022 年 10 月 资料来源：Wind，Bloomberg，华泰研究 图表图表62：主要国家和地区半导体出口主要国家和地区半导体出口同比变化同比变化 注：日本、马来西亚最新数截止至 2022 年 10 月 资料来源：Wind，Bloomberg，华泰研究-100%-50%0P00 0%000500 18/012018/032018/052018/072018/092018/112019/012019/032019/052019/072019/092019/112020/012020/032020/052020/072020/092020/112021/012021/032021/052021/072021/092021/112022/012022/032022/052022/072022/092022/11中国大陆韩国越南印度-40%-20%0 18/012018/032018/052018/072018/092018/112019/012019/032019/052019/072019/092019/112020/012020/032020/052020/072020/092020/112021/012021/032021/052021/072021/092021/112022/012022/032022/052022/072022/092022/11中国大陆日本中国台湾韩国马来西亚 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。22 电子电子 附：全球宏观数据附：全球宏观数据 图表图表63：美国美国 11 月半粘性和非粘性通胀水平快速下降月半粘性和非粘性通胀水平快速下降 资料来源：Bloomberg，华泰研究 图表图表64：租金是租金是 11 月美国月美国 CPI 最大的环比拉动项最大的环比拉动项 资料来源：Bloomberg，华泰研究 图表图表65：美国美国 11 月零售消费同比快速下滑月零售消费同比快速下滑 图表图表66：主要经济失业率：美国主要经济失业率：美国 11 月失业率月失业率无明显变化无明显变化 资料来源：Wind，Bloomberg，华泰研究 资料来源：Wind，Bloomberg，华泰研究 7.16.5 5.9 10.1(10)(5)05101520252000-11 2002-11 2004-11 2006-11 2008-11 2010-11 2012-11 2014-11 2016-11 2018-11 2020-11 2022-11%美国美国CPI：大类指标同比表现（月度）：大类指标同比表现（月度）整体CPI滞后指标/粘性核心通胀（租金、水电、对疫情不敏感的服务业等）半粘性核心通胀（汽车/电子等耐用品、对疫情敏感的“重启相关”服务业）非核心、低粘性通胀（食品、燃油等）注：“滞后-粘性核心通胀”含租金、在外就餐、重启相关和医疗以外的服务业；“半粘性核心通胀”含机动车、家具/电子等耐用品，重启相关服务业、以及医疗服务；“非核心-低粘性通胀”含家庭支出敏感性高的非耐用品、在家食品、以及能源。0.1(0.5)(0.3)(0.1)0.10.30.50.70.91.11.31.521-0321-0521-0721-0921-1122-0122-0322-0522-0722-0922-11%各主要分项对各主要分项对CPI环环比增速的贡献（比增速的贡献（百分点百分点）机动车交运 娱乐 在外就餐 能源租金其它商品其它服务家庭食品CPI（分项拉动加总）6.48(30)(20)(10)01020304050603,0004,0005,0006,0007,00021-0521-0821-1122-0222-0522-0822-11（亿美元）美国零售总额:季调美国零售总额:季调同比（%，右轴）2.66.63.03.7024681012141694-1198-1102-1106-1110-1114-1118-1122-11美国:失业率:季调%日本:失业率%欧元区:失业率:季调%德国:调和失业率%免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。23 电子电子 图表图表67：工业生产指标：工业生产指标：10 月美国、中国月美国、中国同比同比增速增速均下降均下降 图表图表68：最近一周最近一周 EIA 商业原油库存下降商业原油库存下降 资料来源：Wind，Bloomberg，华泰研究 资料来源：Wind，Bloomberg，华泰研究 图表图表69：美美联储继续下调联储继续下调 2023/2024 年增长预期、上调通胀预期年增长预期、上调通胀预期 资料来源：Bloomberg，华泰研究 风险提示风险提示 1）海外疫情升级，影响产品供需与公司海外布局风险；2）宏观经济下行风险；3）创新品渗透不及预期，导致公司增长不及预期风险。4）本研报中涉及到未上市公司或未覆盖个股内容，均系对其客观公开信息的整理，并不代表本研究团队对该公司、该股票的推荐或覆盖。(30)(20)(10)010203040506019-10 20-02 20-06 20-10 21-02 21-06 21-10 22-02 22-06 22-10(%)各国生产指标对比各国生产指标对比中国美国德国日本韩国01,0002,0003,0004,0005,0006,0007,0008,00025,00030,00035,00040,00045,00050,00055,00060,00008-1210-1212-1214-1216-1218-1220-1222-12库存量:EIA商业原油:全美（万桶）库存量:商业原油:俄克拉何马库欣（万桶，右轴）指标指标时间时间2021年12月值2021年12月值20222022年年3 3月值月值20222022年年6 6月值月值20222022年年9月值9月值20222022年12年12月值月值20224.0%2.8%1.7%0.2%0.5 232.2%2.2%1.7%1.2%0.5 242.0%2.0%1.9%1.7%1.6 25-1.8%1.8 26及之后1.8%1.8%1.8%1.8%1.8 222.7%4.1%4.3%4.5%4.8 232.3%2.6%2.7%3.1%3.5 242.1%2.3%2.3%2.3%2.5 25-2.1%2.1 223.5%3.5%3.7%3.8%3.7 233.5%3.5%3.9%4.4%4.6 243.5%3.6%4.1%4.4%4.6 25-4.3%4.5 26及之后4.0%4.0%4.0%4.0%4.0 220.9%1.9%3.4%4.4%4.4 231.6%2.8%3.8%4.6%5.1 242.1%2.8%3.4%3.9%4.1 25-2.9%3.1 26及之后2.5%2.4%2.5%2.5%2.5%GDP增速核心PCE失业率联邦基金利率 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。24 电子电子 免责免责声明声明 分析师声明分析师声明 本人，黄乐平、陈旭东、丁宁、张皓怡、刘溢，兹证明本报告所表达的观点准确地反映了分析师对标的证券或发行人的个人意见；彼以往、现在或未来并无就其研究报告所提供的具体建议或所表迖的意见直接或间接收取任何报酬。一般声明及披露一般声明及披露 本报告由华泰证券股份有限公司（已具备中国证监会批准的证券投资咨询业务资格，以下简称“本公司”）制作。本报告所载资料是仅供接收人的严格保密资料。本公司不因接收人收到本报告而视其为客户。本报告基于本公司认为可靠的、已公开的信息编制，但本公司及其关联机构(以下统称为“华泰”)对该等信息的准确性及完整性不作任何保证。本报告所载的意见、评估及预测仅反映报告发布当日的观点和判断。在不同时期，华泰可能会发出与本报告所载意见、评估及预测不一致的研究报告。同时，本报告所指的证券或投资标的的价格、价值及投资收入可能会波动。以往表现并不能指引未来，未来回报并不能得到保证，并存在损失本金的可能。华泰不保证本报告所含信息保持在最新状态。华泰对本报告所含信息可在不发出通知的情形下做出修改，投资者应当自行关注相应的更新或修改。本公司不是 FINRA 的注册会员，其研究分析师亦没有注册为 FINRA 的研究分析师/不具有 FINRA 分析师的注册资格。华泰力求报告内容客观、公正，但本报告所载的观点、结论和建议仅供参考，不构成购买或出售所述证券的要约或招揽。该等观点、建议并未考虑到个别投资者的具体投资目的、财务状况以及特定需求，在任何时候均不构成对客户私人投资建议。投资者应当充分考虑自身特定状况，并完整理解和使用本报告内容，不应视本报告为做出投资决策的唯一因素。对依据或者使用本报告所造成的一切后果，华泰及作者均不承担任何法律责任。任何形式的分享证券投资收益或者分担证券投资损失的书面或口头承诺均为无效。除非另行说明，本报告中所引用的关于业绩的数据代表过往表现，过往的业绩表现不应作为日后回报的预示。华泰不承诺也不保证任何预示的回报会得以实现，分析中所做的预测可能是基于相应的假设，任何假设的变化可能会显著影响所预测的回报。华泰及作者在自身所知情的范围内，与本报告所指的证券或投资标的不存在法律禁止的利害关系。在法律许可的情况下，华泰可能会持有报告中提到的公司所发行的证券头寸并进行交易，为该公司提供投资银行、财务顾问或者金融产品等相关服务或向该公司招揽业务。华泰的销售人员、交易人员或其他专业人士可能会依据不同假设和标准、采用不同的分析方法而口头或书面发表与本报告意见及建议不一致的市场评论和/或交易观点。华泰没有将此意见及建议向报告所有接收者进行更新的义务。华泰的资产管理部门、自营部门以及其他投资业务部门可能独立做出与本报告中的意见或建议不一致的投资决策。投资者应当考虑到华泰及/或其相关人员可能存在影响本报告观点客观性的潜在利益冲突。投资者请勿将本报告视为投资或其他决定的唯一信赖依据。有关该方面的具体披露请参照本报告尾部。本报告并非意图发送、发布给在当地法律或监管规则下不允许向其发送、发布的机构或人员，也并非意图发送、发布给因可得到、使用本报告的行为而使华泰违反或受制于当地法律或监管规则的机构或人员。本报告版权仅为本公司所有。未经本公司书面许可，任何机构或个人不得以翻版、复制、发表、引用或再次分发他人(无论整份或部分)等任何形式侵犯本公司版权。如征得本公司同意进行引用、刊发的，需在允许的范围内使用，并需在使用前获取独立的法律意见，以确定该引用、刊发符合当地适用法规的要求，同时注明出处为“华泰证券研究所”，且不得对本报告进行任何有悖原意的引用、删节和修改。本公司保留追究相关责任的权利。所有本报告中使用的商标、服务标记及标记均为本公司的商标、服务标记及标记。中国香港中国香港 本报告由华泰证券股份有限公司制作,在香港由华泰金融控股（香港）有限公司向符合证券及期货条例及其附属法律规定的机构投资者和专业投资者的客户进行分发。华泰金融控股（香港）有限公司受香港证券及期货事务监察委员会监管，是华泰国际金融控股有限公司的全资子公司，后者为华泰证券股份有限公司的全资子公司。在香港获得本报告的人员若有任何有关本报告的问题,请与华泰金融控股（香港）有限公司联系。免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。25 电子电子 香港香港-重要监管披露重要监管披露 华泰金融控股（香港）有限公司的雇员或其关联人士没有担任本报告中提及的公司或发行人的高级人员。紫光国微（002049 CH）：华泰金融控股（香港）有限公司、其子公司和/或其关联公司实益持有标的公司的市场资本值的 1%或以上。盛美上海（688082 CH）、芯原股份（688521 CH）：华泰金融控股（香港）有限公司、其子公司和/或其关联公司在本报告发布日担任标的公司证券做市商或者证券流动性提供者。有关重要的披露信息，请参华泰金融控股（香港）有限公司的网页 https:/.hk/stock_disclosure 其他信息请参见下方“美国“美国-重要监管披露”重要监管披露”。美国美国 在美国本报告由华泰证券（美国）有限公司向符合美国监管规定的机构投资者进行发表与分发。华泰证券（美国）有限公司是美国注册经纪商和美国金融业监管局（FINRA）的注册会员。对于其在美国分发的研究报告，华泰证券（美国）有限公司根据1934 年证券交易法（修订版）第 15a-6 条规定以及美国证券交易委员会人员解释，对本研究报告内容负责。华泰证券（美国）有限公司联营公司的分析师不具有美国金融监管（FINRA）分析师的注册资格，可能不属于华泰证券（美国）有限公司的关联人员，因此可能不受 FINRA 关于分析师与标的公司沟通、公开露面和所持交易证券的限制。华泰证券（美国）有限公司是华泰国际金融控股有限公司的全资子公司，后者为华泰证券股份有限公司的全资子公司。任何直接从华泰证券（美国）有限公司收到此报告并希望就本报告所述任何证券进行交易的人士，应通过华泰证券（美国）有限公司进行交易。美国美国-重要监管披露重要监管披露 分析师黄乐平、陈旭东、丁宁、张皓怡、刘溢本人及相关人士并不担任本报告所提及的标的证券或发行人的高级人员、董事或顾问。分析师及相关人士与本报告所提及的标的证券或发行人并无任何相关财务利益。本披露中所提及的“相关人士”包括 FINRA 定义下分析师的家庭成员。分析师根据华泰证券的整体收入和盈利能力获得薪酬，包括源自公司投资银行业务的收入。网易-S（9999 HK）、网易（NTES US）：华泰证券股份有限公司、其子公司和/或其联营公司在本报告发布日之前的 12 个月内担任了标的证券公开发行或 144A 条款发行的经办人或联席经办人。网易-S（9999 HK）、网易（NTES US）：华泰证券股份有限公司、其子公司和/或其联营公司在本报告发布日之前12 个月内曾向标的公司提供投资银行服务并收取报酬。网易-S（9999 HK）、网易（NTES US）：华泰证券股份有限公司、其子公司和/或其联营公司预计在本报告发布日之后 3 个月内将向标的公司收取或寻求投资银行服务报酬。紫光国微（002049 CH）：华泰证券股份有限公司、其子公司和/或其联营公司实益持有标的公司某一类普通股证券的比例达 1%或以上。盛美上海（688082 CH）、芯原股份（688521 CH）：华泰证券股份有限公司、其子公司和/或其联营公司在本报告发布日担任标的公司证券做市商或者证券流动性提供者。华泰证券股份有限公司、其子公司和/或其联营公司,及/或不时会以自身或代理形式向客户出售及购买华泰证券研究所覆盖公司的证券/衍生工具，包括股票及债券（包括衍生品）华泰证券研究所覆盖公司的证券/衍生工具，包括股票及债券（包括衍生品）。华泰证券股份有限公司、其子公司和/或其联营公司,及/或其高级管理层、董事和雇员可能会持有本报告中所提到的任何证券（或任何相关投资）头寸，并可能不时进行增持或减持该证券（或投资）。因此，投资者应该意识到可能存在利益冲突。本报告所载的观点、结论和建议仅供参考，不构成购买或出售所述证券的要约或招揽，亦不试图促进购买或销售该等证券。如任何投资者为美国公民、取得美国永久居留权的外国人、根据美国法律所设立的实体（包括外国实体在美国的分支机构）、任何位于美国的个人，该等投资者应当充分考虑自身特定状况，不以任何形式直接或间接地投资本报告涉及的投资者所在国相关适用的法律法规所限制的企业的公开交易的证券、其衍生证券及用于为该等证券提供投资机会的证券的任何交易。该等投资者对依据或者使用本报告内容所造成的一切后果，华泰证券股份有限公司、华泰金融控股（香港）有限公司、华泰证券（美国）有限公司及作者均不承担任何法律责任。免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。26 电子电子 评级说明评级说明 投资评级基于分析师对报告发布日后 6 至 12 个月内行业或公司回报潜力（含此期间的股息回报）相对基准表现的预期（A 股市场基准为沪深 300 指数，香港市场基准为恒生指数，美国市场基准为标普 500 指数），具体如下：行业评级行业评级 增持：增持：预计行业股票指数超越基准 中性：中性：预计行业股票指数基本与基准持平 减持：减持：预计行业股票指数明显弱于基准 公司评级公司评级 买入：买入：预计股价超越基准 15%以上 增持：增持：预计股价超越基准 5%持有：持有：预计股价相对基准波动在-15%5%之间 卖出：卖出：预计股价弱于基准 15%以上 暂停评级：暂停评级：已暂停评级、目标价及预测，以遵守适用法规及/或公司政策 无评级：无评级：股票不在常规研究覆盖范围内。投资者不应期待华泰提供该等证券及/或公司相关的持续或补充信息 法律实体法律实体披露披露 中国中国：华泰证券股份有限公司具有中国证监会核准的“证券投资咨询”业务资格，经营许可证编号为：91320000704041011J 香港香港：华泰金融控股（香港）有限公司具有香港证监会核准的“就证券提供意见”业务资格，经营许可证编号为：AOK809 美国美国：华泰证券（美国）有限公司为美国金融业监管局（FINRA）成员，具有在美国开展经纪交易商业务的资格，经营业务许可编号为：CRD#:298809/SEC#:8-70231 华泰证券股份有限公司华泰证券股份有限公司 南京南京 北京北京 南京市建邺区江东中路228号华泰证券广场1号楼/邮政编码：210019 北京市西城区太平桥大街丰盛胡同28号太平洋保险大厦A座18层/邮政编码：100032 电话：86 25 83389999/传真：86 25 83387521 电话：86 10 63211166/传真：86 10 63211275 电子邮件：ht-电子邮件：ht-深圳深圳 上海上海 深圳市福田区益田路5999号基金大厦10楼/邮政编码：518017 上海市浦东新区东方路18号保利广场E栋23楼/邮政编码：200120 电话：86 755 82493932/传真：86 755 82492062 电话：86 21 28972098/传真：86 21 28972068 电子邮件：ht-电子邮件：ht-华泰金融控股（香港）有限公司华泰金融控股（香港）有限公司 香港中环皇后大道中 99 号中环中心 58 楼 5808-12 室 电话： 852-3658-6000/传真： 852-2169-0770 电子邮件：http:/.hk 华泰证券华泰证券（美国美国）有限公司有限公司 美国纽约公园大道 280 号 21 楼东（纽约 10017）电话： 212-763-8160/传真： 917-725-9702 电子邮件:Huataihtsc-http:/www.htsc-版权所有2022年华泰证券股份有限公司

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请务必阅读正文之后的重要声明部分请务必阅读正文之后的重要声明部分、全球市场超全球市场超 7070 亿美金，大厂退出格局优化亿美金，大厂退出格局优化 DDR3DDR3 存储器行业深度报告存储器行业深度报告 电子 证券研究报告证券研究报告/行业深度报告行业深度报告 2 2022022 年年 0 06 6 月月 0 07 7 日日 评级：评级：增持增持（维持维持）分析师：王芳分析师：王芳 执业证书编号：执业证书编号：S0740521120002 Email：分析师：杨旭分析师：杨旭 执业证书编号：执业证书编号：S0740521120001 Email：研究助理：赵晗泥研究助理：赵晗泥 Email：基本状况基本状况 上市公司数 3 行业总市值(百万元)157213 行业流通市值(百万元)129550 行业行业-市场走势对比市场走势对比 相关报告相关报告 1【中泰电子】存储板块追踪一：服务器需求旺盛，存储合约价提前止跌回稳 重点公司基本状况重点公司基本状况 简称 股价(元)EPS PE PEG 评级 2020 2021 2022E 2023E 2020 2021 2022E 2023E 兆易创新 143 1.3 3.5 4.8 6.3 108 41 30 22 0.79 买入 北京君正 93 0.2 1.9 2.3 3.0 617 49 40 31 1.79 买入 东芯股份 39 0.0 0.6 0.8 1.1 1212 60 46 36 1.44 未评级 备注：采用 2022/6/8 股价；EPS 按最新股本数全面摊薄；PEG 使用 2022 年数据计算；未评级股票采用 wind 一致预期 报告摘要报告摘要 市场：利基市场：利基 DRAM 主要产品，全球市场超主要产品，全球市场超 70 亿美金。亿美金。存储是半导体第二大细分市场，2021/2020 年全球市场规模为 1534/1175 亿美金，占半导体整体规模的比例为28%/27%。DRAM 是存储器第一大市场，2021/2020 年全球市场规模为 930/643 亿美金，占存储整体规模的比例为 61%/55%。DDR3 是 DDR SDRAM 第三代产品，从 2007年推出至今已发展十五年，2014 年占存储市场的比例达 84%，后随着更高端产品 DDR4推出，逐渐被替代为利基产品，目前是利基 DRAM 的主要品类。2022/2021 年，DDR3占存储整体规模的比例为 8%/8%，达 75/74 亿美金。格局：主流以韩美为主力，利基大厂退出格局持续优化。格局：主流以韩美为主力，利基大厂退出格局持续优化。1）主流 DRAM 市场，2021年三星、海力士、美光占有率依次为 43%、28%、23%，合计达 94%，行业呈现“三足鼎立”之势。从 2013 年至今，三大原厂合计市占率持续超过 90%，在 2019 年达到顶峰 99%，2020 年和 2021 年随着大陆厂商扩产，市占率略微下滑到 94%。2）利基DDR3 市场，根据我们的测算，2021 年存储大厂三星、美光、海力士分别占据 40%、23%、4%份额，台系南亚、华邦的市占率分别为 22%、5%，三星和海力士今明两年陆续退出，台系厂商扩产有限，行业格局优化。我们也从制程演进、料号数量角度对比海内外发展进度：从制程看，三大原厂 DDR3 制程为 20nm，南亚为 20nm，华邦为 25nm，兆易 DDR3 采用长鑫 17nm 制程，北京君正（ISSI）和东芯股份采用力晶 25nm 制程，由此可见在 DDR3 领域，兆易 DDR3 产品制程最为先进；从料号布局看，三大原厂 DDR4料号数量遥遥领先，中国台湾厂商利基产品料号数量瞩目，大陆兆易、君正、东芯主要发力 DDR3 和小容量 DDR4，其中东芯布局较为完善，兆易料号增加速度明显。应用：主流以手机应用：主流以手机 PC 服务器三大市场为主，利基偏重长尾市场。服务器三大市场为主，利基偏重长尾市场。主流 DRAM 市场，2021 年手机、服务器、PC 依次占比 39%、34%、13%，合计占比 86%，三大市场推动发展。利基 DDR3 市场，消费电子占比 79%，是第一大应用，工业占比 12%，汽车占比 9%，整体看主要应用于对容量、速率要求低的领域。从应用形式看，DDR3 主要是与主控芯片（如 MCU、MPU、Soc）配套使用，满足主控芯片的存储需求。在 TI、高通、瑞萨、Mobileye、安霸、NXP 的主控芯片中都有配臵 DDR3，NXP 在 MCU 等主控芯片领域是领先者，我们详细梳理了 NXP 官网列示的 8175 款配有 DDR3 的主控芯片的下游应用情况（截至 2022/4），DDR3 广泛应用于消费电子、通讯基础设施、工业和汽车中，其中配臵 DDR3 的应用于消费电子及通讯基础设施的主控芯片达 4702 款，占比 58%，工业控制主控芯片 1869 款，占比 23%，汽车电子主控芯片 1586 款，占比19%，一般在 1 款主控芯片中根据存储需求配臵 1-2 颗 DDR3。结构优化叠加长尾市场，DDR3 价格表现优于其他 DRAM 产品，且与同容量的 DDR4 产品价格出现倒挂。长鑫引领大陆长鑫引领大陆 DRAM 产业发展，大陆积极布局产业发展，大陆积极布局 DDR3 市场市场。大陆厂商聚焦利基产品，在利基 DRAM、SLC NAND、Nor Flash、EEPROM 等利基产品全面布局，多为 fabless模式，长鑫定位 IDM、发力主流 DRAM，另外北京君正、兆易创新、东芯股份等均在DDR3 领域有所布局。兆易创新早于 2016 年开始布局 DRAM 领域，2021 年 6 月量产首款自研 19nm 4G DDR4 产品，2022 年拟推出 17nm DDR3 产品，从 2022 年产品手册可见，2Gb DDR3 料号数量 12 种，4Gb 料号数量 12 种，聚焦商规和工规。北京君正通过收购 ISSI 迅速切入存储芯片领域，目前在大陆 DRAM 领域布局最为全面，通过官网统计可见，DDR1、DDR2、DDR3、DDR4 均有布局，其中料号分布依次为 26%、21%、44%、9%，公司也是全球车规 DRAM 领先企业，市占率 15%，为第二大厂商。东芯股份为大陆 SLC NAND 龙头，收购韩国 Fidelix，加速 DRAM 研发过程。2021 年东芯 DRAM 营收 0.79 亿元，占公司总营收比例为 7%，yoy 67%，是增速最快的产品线。2020 年，DDR3 占营收的比例为 2%，1Gb、2Gb、4Gb 料号数量分别为 3、3、4，消费电子是主要下游应用。投资建议：投资建议：DDR3 全球市场超 70 亿美金，海外及台系厂商高度垄断。2021 年三大原厂 请务必阅读正文之后的重要声明部分请务必阅读正文之后的重要声明部分-2-行业深度行业深度报告报告 三星、美光、海力士分别占据 40%、23%、4%份额，台系厂商南亚、华邦的市占率分别为 22%、5%。目前，韩系龙头三星、海力士逐渐淡出市场，转向 DDR4、DDR5，中国台湾厂商新增产能有限，DDR3 行业竞争格局优化。大陆厂商以在 DDR3 领域有所布局。建议关注：兆易创新（Nor 全球第三、大陆第一，DRAM 大力发展，DDR3 今年量产）、北京君正（车载存储全球第二、大陆龙头，DDR3 产品丰富）、东芯股份（大陆 SLC NAND 龙头，DDR3 有所布局）。风险提示：风险提示：下游需求不及预期、产能瓶颈的束缚、大陆厂商技术进步不及预期、中美贸易摩擦加剧、研报使用的信息更新不及时、市场测算不及预期、统计误差风险。nMsNqRsRwOqNnPmPvMnPqRaQaOaQmOmMtRnPlOmMpRkPoPoOaQmMzQxNmPsRxNtRtM 请务必阅读正文之后的重要声明部分请务必阅读正文之后的重要声明部分-3-行业深度行业深度报告报告 内容目录内容目录 1、利基、利基 DRAM 主要产品，全球市场超主要产品，全球市场超 70 亿美金亿美金.-4-1.1 DDR3 隶属利基 DRAM，十五年发展历经辉煌与没落.-4-1.2 全球市场超 70 亿美金，市场萎缩但生命力持久.-11-2、中国台湾占据半壁江山，长尾市场较为稳定、中国台湾占据半壁江山，长尾市场较为稳定.-13-2.1 主流以韩美为主力，利基市场台系占据半壁江山.-13-2.2 主流以手机 PC 服务器三大市场为主，利基偏重长尾市场.-18-2.3 价格：DDR3 结构优化，与 DDR4 价格倒挂.-22-3、长鑫引领大陆、长鑫引领大陆 DRAM 产业发展，大陆积极布局产业发展，大陆积极布局 DDR3 市场市场.-27-3.1 长鑫引领大陆产业，大陆设计公司聚焦利基 DDR3.-27-3.2 兆易创新：DRAM 开始贡献营收，17nm DDR3 值得期待.-29-3.3 北京君正：大陆车载存储龙头，DDR3 产品丰富.-32-3.4 东芯股份：大陆 SLC NAND 龙头，DDR3 有所布局.-38-4、投资建议、投资建议.-40-5、风险提示、风险提示.-41-请务必阅读正文之后的重要声明部分请务必阅读正文之后的重要声明部分-4-行业深度行业深度报告报告 1、利基利基 DRAM 主要产品，全球市场超主要产品，全球市场超 70 亿美金亿美金 1.1 DDR3 隶属利基隶属利基 DRAM，十五年发展历经辉煌与没落，十五年发展历经辉煌与没落 存储是半导体第二大细分存储是半导体第二大细分品类品类，周期波动性最强，周期波动性最强，历史历史成长性最好。成长性最好。1）市场规模：2021/2020/2019 年全球存储市场规模为 1534/1175/1064亿美金，占半导体规模的比例为 28%/27%/26%，是全球第二大细分品类。2）周期波动：存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致，但波动性远大于其他细分品类。3）成长性：2002-2021 年、2011-2021 年、2016-2021 年存储 CAGR 分别为 9.5%、9.7%、14.9%，均为半导体成长性最优细分产品，且近 5 年增速显著高于近十年和近二十年增速，成长性显著提升。图图 1 1：半导体市场规模（亿美金）半导体市场规模（亿美金）图图 2 2：半导体细分市场占比半导体细分市场占比 来源：WSTS，中泰证券研究所 来源：WSTS，中泰证券研究所 图图 3 3：半导体细分市场增速半导体细分市场增速 图图 4 4：半导体细分市场半导体细分市场 CAGRCAGR 来源：WSTS，中泰证券研究所 来源：WSTS，中泰证券研究所 D DRAMRAM 是是存储器存储器第第一一大市场，周期波动性最强，大市场，周期波动性最强，历史历史成长性最成长性最优优。1）市场规模：2021/2020/2019 年全球 DRAM 市场规模为 930/643/625 亿010002000300040005000600020022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021分立、光电器件、传感器 模拟芯片 微型元件 逻辑芯片 存储器 0 0 022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021分立、光电器件、传感器 模拟芯片 微型元件 逻辑芯片 存储器-40%-20%0 0420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021分立、光电器件、传感器 集成电路 模拟芯片 微型元件 逻辑芯片 存储器 0%5 02-21年CAGR 2011-21年CAGR 2016-21年CAGR 存储器 逻辑芯片 微型元件 模拟芯片 请务必阅读正文之后的重要声明部分请务必阅读正文之后的重要声明部分-5-行业深度行业深度报告报告 美金，占存储的比例为 61%/55%/59%，是存储第一大细分品类。2）周期波动：DRAMNANDNor 及其他，DRAM 周期波动性大于存储平均水平，是存储细分市场中周期性波动最大细分市场。3）成长性：从 2009-21 年、2011-21 年、2016-21 年存储器各细分品类CAGR 看，DRAMNANDNor 及其他，DRAM 成长性大于存储平均水平，且近5 年增速显著高于近十年增速，成长性显著提升。图图 5 5：存储器各细分市场占比存储器各细分市场占比 来源：WSTS，中泰证券研究所 图图 6 6：存储器细分市场增速存储器细分市场增速 图图 7 7：存储器细分市场存储器细分市场 CAGRCAGR 来源：WSTS，中泰证券研究所 来源：WSTS，中泰证券研究所 DRAM 属于半导体存储器，是易失性存储器的一种，主要用于电子设备属于半导体存储器，是易失性存储器的一种，主要用于电子设备的内存。的内存。半导体存储器分为非易失性存储器和易失性存储器，非易失性存储器在断电时仍然可以保存数据，包括 NAND Flash、NOR Flash 等，易失性存储器在断电状态下数据会丢失，包括动态随机存储器（DRAM）和静态随机存储器（SRAM）。在易失性存储器中，DRAM 和 SRAM 的应用场景各有不同。SRAM 的读写速度在所有的存储器中最快，但同时制造成本高，常用于对容量要求较小的高速缓冲存储器，如 CPU 的一级、二级缓存等。DRAM 利用电容储存电荷的多少存储数据，需要定时刷新电路克服电容的漏电问题，读写速度比 SRAM 慢，但快于所有的只读存储器（ROM），且集成度高、功耗低、体积小，制造成本低，常用0 0Pp0 09 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021DRAMNANDNor等-60%-40%-20%0 09201020112012201320142015201620172018201920202021存储器 DRAMNANDNOR及其他-10%-5%0%5 09-21年CAGR 2011-21年CAGR 2016-21年CAGR 存储器 DRAMNANDNOR及其他 请务必阅读正文之后的重要声明部分请务必阅读正文之后的重要声明部分-6-行业深度行业深度报告报告 于容量较大的主存储器，如计算机、智能手机、服务器的内存等。除半导体存储器外，按照存储介质的不同，存储器还包括光学存储器和磁性存储器。光学存储器根据激光等特性进行数据存储，常见的有 DVD、CD 等，磁性存储器利用磁性特征进行数据存储，常见的有磁盘、软盘等。图图 8 8：DRAMDRAM 是易失性存储器的一种是易失性存储器的一种（2 2021021 年的市场规模）年的市场规模）来源：SIA,IC Insights，中泰证券研究所 图图 9 9：D DRAMRAM 属于临时存储区域属于临时存储区域 图图 1010：DRAM DRAM 与与 CPUCPU、SSD SSD 的传输关系的传输关系 来源：存储系统，中泰证券研究所 来源：三星，中泰证券研究所 存储器光学存储磁性存储半导体存储DVD，CD，CD-ROM等RAM：随机存储器，断电数据会丢失ROM：只读存储器，断电数据不会丢失新型RAM：断电数据不会丢失SRAM：静态随机存储器DRAM：动态随机存储器异步存储：FP DRAM,EDO DRAM同步存储：SDRAM等伪静态随机存储器：PSRAM显存平台：GDDR1-4笔记本平台：LPDDRPC平台：SDR,DDR1-4EEPROMPROMEPROM掩膜ROMFLASHNOR FLASH串行 NOR并行 NORNAND FLASH:eMMC,SSD,USB3.0嵌入式存储3D-XpointRRAM:阻变MRAM:磁阻FRAM:铁电PCM:相变磁带、软盘、机械硬盘等930亿美元591亿美元 560亿美元固态硬盘（SSD）移动存储eMMCUFSSATA接口NVMe接口SD/Micro SD等存储卡闪存盘（“U盘”）31美元 请务必阅读正文之后的重要声明部分请务必阅读正文之后的重要声明部分-7-行业深度行业深度报告报告 图图 1111：DRAMDRAM 所处位置示意图（以三星所处位置示意图（以三星 4GB HBM24GB HBM2 为例）为例）来源：三星，中泰证券研究所 表表 1 1：SRAMSRAM 和和 DRAMDRAM 的性能比较的性能比较 存储信息存储信息 破坏性读出破坏性读出 需要刷新需要刷新 送行列地址送行列地址 运行速度运行速度 集成度集成度 发热量发热量 存储成本存储成本 SRAM 触发器 否 否 同时 快 低 大 高 DRAM 电容 是 是 分两次 慢 高 小 低 来源：CSDN，中泰证券研究所 同步同步 D DRAMRAM 速度更快速度更快，替代替代异步异步 D DRAMRAM。按照 RAM 和 CPU 是否同频，DRAM可分为同步 DRAM（Synchronous DRAM，简称 SDRAM）和异步 DRAM（Asynchronous DRAM）。在异步 DRAM 中，CPU 与 RAM 之间没有公共的时钟信号，当 RAM 不能及时提供数据时，CPU 需等待内存数据，这严重影响性能。为解决该问题，同步 DRAM 应运而生，在 RAM 中加入时钟输入引脚，使得 CPU 与 RAM 之间有公共的时钟信号、实现同步，此时 CPU 无需等待数据，读写速度加快、数据的传输效率大幅提升。异步 DRAM 通常适用于低速存储系统，但不适用于现代高速存储系统，在 1996-2002 年期间，同步 DRAM 逐步取代了异步 DRAM，逐步占领了内存市场。同步同步 DRAMDRAM 不断不断迭代，新迭代，新 D DDRDR 逐步替换老逐步替换老 D DDRDR 是行业规律是行业规律。根据时钟边沿读取数据，同步 DRAM 分为 SDR（Single Data Rate）和 DDR(Double Data Rate)技术，在 2003 年之后，SDR SDRAM（有时也简称为 SDRAM）逐渐被存取速度更快的 DDR SDRAM 取代。DDR SDRAM 已经发展至第五代，分别是：第一代 DDR SDRAM，第二代 DDR2 SDRAM，第三代 DDR3 SDRAM，第四代 DDR4 SDRAM，第五代 DDR5 SDRAM。每一次迭代，基本都能实现芯片性能翻倍，当新一代性能更好的 DDR 出现时，老一代 DDR 会逐渐被替代。请务必阅读正文之后的重要声明部分请务必阅读正文之后的重要声明部分-8-行业深度行业深度报告报告 图图 1212：不同代际不同代际 DRAMDRAM 标准的标准的发布发布时间时间 来源：IMEC、CSDN、ResearchGate，中泰证券研究所 代数越高，功耗越低，传输速率和理论容量越高，每一代较前一代性能代数越高，功耗越低，传输速率和理论容量越高，每一代较前一代性能翻倍翻倍。相较 1997 年发布的 SDR SDRAM，后面每一代 DDR SDRAM 在功耗、容量和传输速率上都不断改进，顺应电子设备大容量、省电、低功耗的发展趋势。其中，容量提升是来自芯片集成度的提高，传输速率的提升主要是来自预取倍数的增加。1）功耗方面，从 SDR 支持的 3.3V 降低到DDR5 的 1.1V，功耗降低 67%。2）容量方面，随着芯片制程的缩小，存储器的集成度提高，DDR5单颗密度将从8GB起步，理论密度最高可达64GB，是 SDR 单颗容量的 8 倍不止。3）传输速率方面，通过增加预取倍数、Bank Group、DDR 等技术，DDR5 可以轻松实现 4266MT/s 的高运行速率，最高运行速率可达 6400MT/s，是 SDR 的 40 倍。表表 2 2：不同代的标准：不同代的标准 D DDRDR 的的对比对比 SDR SDRAM DDR DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 发布时间 1997 2000 2003 2007 2012 2020 Vdd（主电源）3.3V 2.5V 1.8V 1.5V/1.35V 1.2V 1.1V 内部时钟频率/核心时钟频率（MHz)100-150 100-200 100-266（OC）133-300（OC）133-300（OC）133-200 外部时钟频率/I/O 时钟频率（MHz)100-150 100-200 200-533 533-1200 1066-2400 2133-3200 预取位数 1n 2n 4n 8n 8n 16n 数据的传输速率（MT/s)100-150 200-400 400-1066 1066-2400 2133-4800 4266-6400 内存条的传输带宽（GB/s）0.8-1.6 1.6-3.2 3.2-8.5 6.4-19.2 19.2-38.4 34.1-51.2 Bank 数量 4 个 4 个 8 个 8 个 16 个 32 个 Bank 组数 0 0 0 0 4 组 8 组 颗粒密度 128MB-512MB 256MB-1GB 512MB-4GB 1GB-8GB 4GB-32GB 8GB-64GB 典型内存条的密度 512MB 1GB 4GB 8GB 16GB 32GB 内存条的引脚数量 168 184 240 240 288 288 通道位宽 64 位 64 位 64 位 64 位 64 位 64 位（32x2）通道数量 1 1 1 1 1 2 颗粒位宽 x4,x8,x16 x4,x8,x16 x4,x8,x16 x4,x8,x16 x4,x8,x16 x4,x8,x16 SDRAM1997DDR2000DDR22003DDR32007DDR42012DDR52020标准发布时间标准发布时间性能性能 请务必阅读正文之后的重要声明部分请务必阅读正文之后的重要声明部分-9-行业深度行业深度报告报告 CAS 延迟周期 2,3 2-3 3-7 5-16 10-19-来源：IMEC、CSDN、ResearchGate，中泰证券研究所 技术实现路径：内部时钟频率提升不大，每一代主要通过翻倍预取来实技术实现路径：内部时钟频率提升不大，每一代主要通过翻倍预取来实现数据现数据的的传输速度的提升。传输速度的提升。DDR 中有两个时钟频率，一个是内部时钟频率（也称为核心频率），是内存收到指令到将数据的传输到 I/O 接口上所需要的反应速度，这主要由存储单元内部的电容、晶体管、放大器等微观结构决定，提升难度大，所以从 SDR 到 DDR5，内部时钟频率虽有提升但提升幅度不大；另一个是外部时钟频率（也称为 I/O 时钟频率），外部时钟频率在核心时钟频率的基础上，通过翻倍预取提高速度。1）SDR SDRAM：在一个时钟周期里只在上升沿传输数据，所以 SDR 也叫Single Data Rate SDRAM，此时数据的传输速率的提升主要是靠提升内部时钟频率。2）DDR1 SDRAM：内部时钟频率提升难度大,因此通过在时钟周期的上升沿和下降沿各输出一次数据，相当于在一个时钟周期需要预取 2 倍数据，即每当读取一笔数据的时候，都会一共读取 2 笔的数据。因此在内部时钟频率不变的情况下，DDR1 的数据的传输速率实现翻倍。3）DDR2 SDRAM：预取 4 倍数据，数据的传输速率达到内部时钟频率的 4倍，较 DDR1 提升 2 倍。4）DDR3 SDRAM：预取 8 倍数据，此时数据的传输速率达到内部时钟频率的 8 倍，较 DDR2 提升 2 倍。5）DDR4 SDRAM：标准型 DDR 的总线位宽是 64bit，若进行 16 倍预取，总共有 128Byte 的数据，超过了目前主流处理器的 Cacheline size（用于处理器缓存的基本数据单元）64Byte 的数据通道，由于 Cacheline 的限制，DDR4 没有将预取加倍，而是使用 Bank Group 技术，通过两个不同 Bank Group 的 8 倍预取来拼凑出一个 16 倍的预取，当 DRAM 获得了两笔数据的读命令，并且这两笔数据的内容分布在不同的Bank Group中时，由于每个 Bank Group 可以独立完成读取操作，两个 Bank Group 几乎可以同时准备好这两笔 8 倍数据。然后这两笔 8 倍数据被拼接成 16 倍的数据，数据的传输速度达到内部时钟频率的 16 倍，较 DDR3 提升 2 倍。6）DDR5 SDRAM：在 Bank Group 技术的基础上，使用通道拆分技术增加预取倍数，将 64 位的总线分成 2 个独立的 32 位通道，此时每个通道都只提供 32bit 数据，将预取增加到 16 倍，仍然保证了 Cacheline 的大小还是 64Byte。通道拆分带来的 16 倍预取，叠加 Bank Group 增加的 2 倍，数据的传输速率达到内部时钟频率的 32 倍，较 DDR4 又提升 2 倍。请务必阅读正文之后的重要声明部分请务必阅读正文之后的重要声明部分-10-行业深度行业深度报告报告 图图 1313：SDRSDR SDRAMSDRAM 到到 DDR3DDR3 SDRAMSDRAM 的预取倍数的预取倍数 图图 1414：DDR4DDR4 SDRAMSDRAM 的预取倍数的预取倍数 来源：imec，中泰证券研究所 来源：imec，中泰证券研究所 按照应用场景，按照应用场景，D DRAMRAM 分成标准分成标准 D DDRDR、L LPDDRPDDR、G GDDRDDR 三类。三类。JEDEC（固态技术协会，微电子产业的领导标准机构）定义并开发了以下三类 SDRAM 标准，以帮助设计人员满足其目标应用的功率、性能和尺寸要求。1 1）标准型）标准型 DDRDDR：Double Data Rate SDRAM，针对服务器、云计算、网络、笔记本电脑、台式机和消费类应用程序，允许更宽的通道宽度、更高的密度和不同的外形尺寸。2 2）L LPDDRPDDR：Low Power Double Data Rate SDRAM，针对尺寸和功率非常敏感的移动和汽车领域，有低功耗的特点，提供更窄的通道宽度。3 3）G GDDRDDR：Graphics Double Data Rate SDRAM，适用于具有高带宽需求的计算领域，例如图形相关应用程序、数据中心和 AI 等，与 GPU 配套使用。另外，DRAM 按照市场流行程度可分为主流 DRAM 和利基型 DRAM。图图 1515：D DRAMRAM 在不同应用场景下有不同产品在不同应用场景下有不同产品 SDRAM利基型利基型DRAMLPDDRGDDR标准标准DDRDDR1PC、服务器、服务器、数据中心、家电数据中心、家电手机、汽车、手机、汽车、平板等平板等显卡、游戏机、显卡、游戏机、高性能计算领域高性能计算领域DDR2DDR3DDR4GDDR3LPDDR1LPDDR2LPDDR3LPDDR4LPDDR5GDDR1GDDR2DDR5GDDR4GDDR5主流主流DRAM应用领域应用领域注注：根据：根据DRAMexchange数据，目前数据，目前DDR4 4GB DDR4 8Gb 512M*16 属于利基型属于利基型DRAM 请务必阅读正文之后的重要声明部分请务必阅读正文之后的重要声明部分-11-行业深度行业深度报告报告 来源：Semiconductor Engineering，中泰证券研究所 DDR3DDR3 是利基产品是利基产品，目前主流是，目前主流是 D DDR4DR4，D DD DR R5 5 跑马进场跑马进场。产品不断迭代，按照市场流行程度可分为主流产品和利基产品，利基产品一般是从主流规格中退役的产品。目前市场主流 DRAM 是容量 8GB 的 DDR4/DDR5，容量在 4GB 及以下的 DDR4、DDR3 等现阶段属于利基 DRAM。DDR3 主要应用于液晶电视、数字机顶盒、播放机等消费型电子与网络通讯等领域，需求较为稳定，很多都是客制化晶片，不属于大众规格产品，价格主要受供给影响。图图 1616：D DDR3DR3 属于利基产品属于利基产品 来源：中泰证券研究所 表表 3 3：利基：利基 D DRAM VS RAM VS 主流主流 D DRAMRAM DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 利基利基 DRAM DDR2 512Mb 32M*16 DDR2 1Gb 64M*16 DDR3 1Gb 64M*16 DDR3 2Gb 128M*16 DDR3 4Gb 256M*16 DDR4 4Gb 256M*16 DDR4 8Gb 512M*16 主流主流 DRAM DDR4 8Gb 1G*8 DDR4 16Gb 2G*8 DDR4 8GB U-DIMN DDR4 8GB SO-DIMM DDR4 16GB U-DIMM DDR4 16GB SO-DIMM DDR5 16Gb 2G*8 DDR5 8GB U-DIMM DDR5 8GB SO-DIMM DDR5 16GB U-DIMM DDR5 16GB SO-DIMM 来源：DRAMexchange，中泰证券研究所 1.2 全球市场超全球市场超 70 亿美金，市场萎缩但生命力持久亿美金，市场萎缩但生命力持久 DDR3DDR3 市场规模超市场规模超 7 70 0 亿亿美金美金，市场逐渐萎缩，但生命力持久、中短期，市场逐渐萎缩，但生命力持久、中短期仍仍占据一定行业地位。占据一定行业地位。1 1）市场规模：）市场规模：自 2007 年 JEDEC 发布 DDR3 标准至今，DDR3（包括标准DDR3、LPDDR3）已发展 15 年，2020 年在 DRAM 市场占比 20%，预计 2021利基产品利基产品SLC NAND,MLC/TLC NAND 4GBPC/Mobile/Server（Faster than DDR3/LPDDR3）总投入总投入总收入总收入 请务必阅读正文之后的重要声明部分请务必阅读正文之后的重要声明部分-12-行业深度行业深度报告报告 年占比 8%，2022 年有望维持 8%的占比。预计 2021 年、2022 年市场规模将分别达到 74 亿美金、75 亿美金。2 2）市场逐渐萎缩：）市场逐渐萎缩：2020 年 DDR4/DDR4 占比超过 80%，目前处于 DDR4 替代 DDR3 的切换期。DDR3 市场在逐渐萎缩，其市场规模在 2014 年达到最大值 394 亿美金，到 2020 年缩小到 129 亿美金，市场规模年复合增长率为-20%。3 3）被替代速度放缓，中短期仍）被替代速度放缓，中短期仍占据一定行业地位占据一定行业地位。从 DDR3 标准的推出，到 2010 年 DDR3 市场规模超过 DDR2，历经三年时间；从 2012 年 JEDEC推出 DDR4 标准，到 2018 年 DDR4 市场规模超过 DDR3，耗时 6 年。DDR3被 DDR4 完全替代的速度相对放缓。我们认为原因有二：主流 DDR3 时代导入的产品量远大于主流 DDR2 时导入的产品量，仅从全球 PC 年出货量看，根据 IDC 的数据，2007 年（DDR3 新发布，DDR2 是主流）出货 2.7 亿台，2014 年（DDR4 发布，DD3 是主流）出货 3.5 亿台，增长近 30%，因为各代 DDR 之间不兼容，如果升级 DDR，需要将 CPU、主板等一并更换，替换成本高，替换成 DDR4 的动力减弱。DDR3 目前主要需求落在大量的低容量低端消费电子领域。该领域产品不追求高性能，短时间内无升级需求，如 WiFi 路由器、家电等消费性电子产品的首选仍是 DDR3，另外在汽车、工业领域，DDR3 也有其较为稳定的市场，同时从 DDR3 切换到 DDR4 仰赖主控芯片厂的芯片迭代、终端市场的共同推进。DDR3 的需求是来自于技术迭代过程中的滞后性，硬件迭代速度慢，我们预计这种滞后性在中短期内仍将存在。图图 1717：D DRAMRAM 市场规模拆分市场规模拆分 来源：IC Insights,Statistia，中泰证券研究所 34UsvRRE %8%8%0 0Pp0 06200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021e2022eDDR1/OtherDDR2DDR3DDR4/DDR4 请务必阅读正文之后的重要声明部分请务必阅读正文之后的重要声明部分-13-行业深度行业深度报告报告 图图 1818：D DDR3DR3 与与 D DRAMRAM 市场规模（亿美金）市场规模（亿美金）图图 1919：D DRAMRAM 出货量拆分（出货量拆分（L LPDDRPDDR、GDDRGDDR 拆分）拆分）来源：IC Insights,Statistia，中泰证券研究所 来源：Omdia，中泰证券研究所 2、中国台湾中国台湾占据半壁占据半壁江山江山，长尾市场较为稳定，长尾市场较为稳定 2.1 主流以韩美为主力，主流以韩美为主力，利基市场利基市场台系占据半壁江山台系占据半壁江山 D DRAMRAM：全球三大全球三大原厂寡头垄断原厂寡头垄断，竞争格局稳定，大陆还看长鑫竞争格局稳定，大陆还看长鑫。1）三足鼎立：DRAM 竞争格局历经洗牌，现阶段韩国三星、韩国海力士、美国美光三大寡头垄断市场，呈现“三足鼎立”之势。2）格局稳定：2021 年三星、海力士、美光市占率依次为 43%、28%、23%，合计占比超 90%，自 2013 年美光收购尔必达后，三大厂商市场率合计始终位于90%以上，2019 年达到 99%，2020-2021 年因大陆厂商扩产等，三大原厂合计市占率略微下降到 94%。图图 2 20 0：D DRAMRAM 厂商数量厂商数量 来源：WSTS，IDC，中泰证券研究所 020040060080010001200DRAM市场规模 DDR3市场规模 0 0Pp0 16201720182019202020212022e2023e2024e2025eDDR3DDR4DDR5LPDDRGDDR051015202519841985198619871988198919901991199219931994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012DRAM厂商数量 请务必阅读正文之后的重要声明部分请务必阅读正文之后的重要声明部分-14-行业深度行业深度报告报告 图图 2 21 1：三星、海力士、美光全球三星、海力士、美光全球 DRAMDRAM 市占率变化情况市占率变化情况 图图 2222：DRAMDRAM 行业集中度持续提升行业集中度持续提升 来源：Trendforce，中泰证券研究所 来源：Trendforce，中泰证券研究所 D DRAMRAM：大陆大陆第二大第二大市场但自给率极低，长鑫引领发展市场但自给率极低，长鑫引领

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?1? ?The Dynamic Report of Chinas General Warehouse Market in 2022? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?The Dynamic Report of Chinas General Warehouse Market?First quarter of 20222022. Q1? ? ? ?d3eeff?2? ?The Dynamic Report of Chinas General Warehouse Market in 2022 ? ? ? ?2? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?2 ? ? ? ? ? ?2? ?24.8424.9013.41.92.07$.88?13.8619.8520.2029.55? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?3? ?The Dynamic Report of Chinas General Warehouse Market in 2022? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?15.0312.7713.2014.45? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?26.9842.4342.2824.8830.4820.7018.98?24.3327.9928.64?4? ?The Dynamic Report of Chinas General Warehouse Market in 2022? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?17.4316.6021.1913.3316.7518.4322.0919.8721.10?22.09?19.17? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?20.0519.4417.4220.5125.87?18.26?5? ?The Dynamic Report of Chinas General Warehouse Market in 2022?20.43.20.46.50%? ? ? ? ? ? ? ? ? ?22.22.11$.51.84%? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?10.04.74.88%9.43.40!.76(.87.94%?6.80.84%?6? ?The Dynamic Report of Chinas General Warehouse Market in 2022? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?9.82.80.62.71.69 .93.77%9.42%9.42%9.56.73%? ? ? ? ?8.46.79.05.99.05%?17.20%?7? ?The Dynamic Report of Chinas General Warehouse Market in 2022? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?0.0010.0020.0030.0040.0050.00? ? ? ? ? ? ? ?0.00.00 .000.00%? ?The Dynamic Report of Chinas General Warehouse Market in 2022?8? ?9? ?The Dynamic Report of Chinas General Warehouse Market in 2022? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

106人已浏览 2022-05-31 9页 5星级

百易存储研究院 中国计算机学会信息存储专委会中国计算机行业协会信息存储与安全专委会 DOIT 传媒 2022 年 4 月 14 日2022分布式存储市场调研报告一、分布式存储的定义与分类 1.定义 2.分类二、分布式存储与其他相关技术的关系 1.与集中式存储的关系 2.分布式存储、软件定义存储和云存储的关系 3.超融合市场现状 4.超融合一体机还是存算分离?5.从超融合到混合云?6.纯软件还是软硬一体机?7.x86 还是专用设备?8.分布式存储是否适用于“关键业务”应用?9.IPFS 分布式存储与去中心化 10.对象存储的话题三、分布式存储市场状况 1.分布式存储市场规模 2.分布式存储市场英雄榜四、分布式存储行业典型的应用场景 1.电信 2.汽车制造 3.医疗 4.基因测序 5.高性能计算 6.卫星遥感 7.高校 8.金融 10.交通 11.证券 12.智慧城市 13.基金五、总结P1P3P12P14P28目录2022 分布式存储市场调研报告 1一.分布式存储的定义与分类1.定义分布式存储发展至今，市场上并没有一个能够被广泛接受并引用的定义。对于分布式存储，百度百科给出的定义是：为了简化用户端的使用，提供了一个分布式缓存系统来提供对此分布式存储系统的访问接口以及本地数据缓冲以降低网络压力。分布式存储系统是将数据分散存储在多台独立的设备上。传统的网络存储系统采用集中的存储服务器存放所有数据，存储服务器成为系统性能的瓶颈，也是可靠性和安全性的焦点，不能满足大规模存储应用的需要。分布式网络存储系统采用可扩展的系统结构，利用多台存储服务器分担存储负荷，利用位置服务器定位存储信息，它不但提高了系统的可靠性、可用性和存取效率，还易于扩展。这个定义或者解释，还非常拗口和难以理解。有几个地方需要说明和解释。首先：分布式存储系统是将数据分散存储在多台独立的设备上，这里的“多台独立的设备”，不要理解成为磁盘或者SSD，可以理解为x86通用服务器、Power服务器等，也可以理解为专门设计和优化的专用存储设备。其中，以 x86 通用服务器最为普遍。为了帮助用户理解分布式存储，百易存储研究院建议用“存储节点”来代替“多台独立的设备”，这里的存储节点，可以是 x86 服务器（或者称为存储服务器、服务器存储）、Power服务器，也可以是专用存储设备，甚至使用传统阵列，其中，最为普遍的还是 x86 通用服务器，其市场较为成熟，非常容易获得，产品性价比非常具有竞争力。其次，“传统的网络存储系统采用集中的存储服务器存放所有数据，存储服务器成为系统性能的瓶颈”的表述中，网络存储系统的表述多用于与直连存储（DAS）的区分，主要突出其能够通过网络被多个应用系统共享，网络存储系统又可以划分为：存储区域网络（SAN）和网络连接存储（NAS），是 SAN、NAS 两种存储系统的统称。这里所说的“存储服务器”主要指的是阵列控制器（也称为机头） 盘阵的设计方式，以往多采用专用集成电路芯片（ASIC）设计控制器，经历了双控到多控的变化，控制器与控制器之间采用专用网络连接，控制器与磁盘之间通过专用后端网络连接，从而实现了连接的全冗余架构设计，具有非常高的可靠性和稳定性。也因为如此，系统成本居高不下。2022 分布式存储市场调研报告 2在系统的扩展性上，可以通过盘阵中盘的数量进行调节，系统具有一定的弹性，所谓 Scale Up，也就是纵向扩展，但受制于机头的性能，整个系统仍然存在性能天花板，用户只能够借助入门级存储、中端存储、高端存储的升级来解决问题。根据以上的判断和理解，百易存储研究院认为用传统存储、传统阵列或者传统磁盘阵列的表述更为便于理解。最后，“分布式网络存储系统采用可扩展的系统结构，利用多台存储服务器分担存储负荷，利用位置服务器定位存储信息，它不但提高了系统的可靠性、可用性和存取效率，还易于扩展”的表述中，分布式网络存储系统就是我们要说的分布式存储；可扩展的系统架构更多是指可以通过增加或者删减存储节点所带来的横向扩展（Scale Out）的架构，存储系统的性能可以随着节点的增加或者减少呈现动态变化的特征。这里提到的“位置服务器更好地理解应该是分布式存储中的全局统一命名空间的元数据管理的部分。通过上述分析，百易存储研究院认为有关分布式存储的定义应该关注几个重要的特征：一是横向扩展，一通过网络连接的存储节点，以及软件统一调度管理全局统一命名空间的存储资源池，这应该符合分布式存储的发展规律。仅仅强调软件定义，或者x86 通用服务器；强调云的弹性管理的特点，都不能够完全准确的描述分布式存储系统，也很难取得市场的广泛共识。根据以上的判断和理解，百易存储研究院认为用传统存储、传统阵列或者传统磁盘阵列的表述更为便于理解。最后，“分布式网络存储系统采用可扩展的系统结构，利用多台存储服务器分担存储负荷，利用位置服务器定位存储信息，它不但提高了系统的可靠性、可用性和存取效率，还易于扩展”的表述中，分布式网络存储系统就是我们要说的分布式存储；可扩展的系统架构更多是指可以通过增加或者删减存储节点所带来的横向扩展（Scale Out）的架构，存储系统的性能可以随着节点的增加或者减少呈现动态变化的特征。这里提到的“位置服务器更好地理解应该是分布式存储中的全局统一命名空间的元数据管理的部分。2.分类传统存储按照功能可以分为 SAN 和 NAS，分别用于块数据、文件数据的存储支持。随着技术的不断发展和用户需求的变化，也出现了统一存储和融合存储的需求，在存储系统的设计上，也出现了软件、硬件分离的设计需求。对于新分布式存储系统而言，最初设计需求就是替代传统 SAN 存储，并用 ServerSAN 以示区分。但是相比于传统存储的全冗余连接设计，分布式存储系统中的存储节点可靠性相对不高，为此，分布式存储系统通过多副本、纠删码的方式来提升系统的可靠性，为了提升这个存储系统的性能，分布式存储系统需要存储节点配备 SSD，充分利用 SSD 高 IO 的特性。与此同时，分布式存储横向扩展的特性，非常适用于海量数据存储，特别是非结构化的文件系统。一个分布式存储系统往往同时满足块、文件、对象、大数据，以及 CIFS、NFS 等的数据访问需求。因此，分布式存储很难按照 SAN、NAS、对象进行分类。对于分布式存储系统，根据是否对外提供应用计算能力，区分为分布式存储和超融合。对于超融合系统而言，最主要的技术突破就体现在存储上，也因为如此，才会把超融合纳入到分布式存储的分类中。在超融合的产品形态上，最初是以一体机的形态呈现，但随着市场的发展，超融合也提供纯存储的形态，支持将超融合一体机作为单一存储系统的场景。分布式存储、超融合也是相互渗透、融合发展的，并没有严格意义上的形态区分，这一点应该引起大家的重视。2022 分布式存储市场调研报告 3二.分布式存储与其他相关技术的关系1.与集中式存储的关系从直连存储到传统磁盘阵列，再到分布式存储的出现，从演进过程来看，传统磁盘阵列要解决的是直连存储无法被其他服务器应用共享的问题，传统磁盘阵列可以被多个应用网络共享。分布式存储的出现，主要源于 CPU 算力的提升和 SSD 固态盘的普及，闪存技术使得 IO 性能显著提升（5 倍左右），这就为基于网络的分布式存储创造了条件，如果没有闪存技术，磁盘 IO 性能是无法满足分布式存储的需求。对于用户来说，事实上就存在着两种存储方式的选择：传统磁盘阵列后来发展到全闪存阵列，与分布式存储后来发展到分布式全闪存，两种存储形式并存。两种存储形式并存无疑增加了用户选型的复杂性，那么在两种存储形式之间，有没有一个相对侧重呢？从应用的角度来看，有稳态和敏态之分，其中，数据库、ERP 等应用多属于关键业务应用，特别强调可靠性、稳定性，比较吻合传统存储阵列的特征；相比互联网应用大多属于敏态应用，强调敏捷、弹性，这与分布式存储横向扩展的特征比较吻合。按照稳态、敏态来选型存储的类型，并不是绝对的。分布式存储也可以使用在数据库、ERP 等应用场景，提供块存储的支持。传统存储阵列中，NAS 应用也是针对文件存储的需要，如今，数据爆炸性增长，主要来自文件等非结构化数据，而分布式存储横向扩展的特征，也完全符合这个趋势。为了提升数据检索的效率，对象存储在互联网行业得到了普遍使用。按照性能、可靠性等指标，也不适于划分传统存储阵列和分布式存储应用，原因很简单，无论是 IOPS，还是延迟，都没有一个适用的指标把二者区别开来。全闪存阵列性能指标，分布式存储并非不能够实现。可靠性方面，传统存储阵列的全冗余设计，的确提供了以盘为单位的数据保护，具有很高的可靠性、稳定保障，但是随着网络技术的不断进步，全闪存阵列等高端存储也摒弃了传统后端存储连接的方式，也开始借助以太网、Infiniband 网络对盘阵进行连接，出现了融合发展的趋势；另外，分布式存储也借助多副本、纠删码等机制对于数据进行保护，当节点或者单盘出现损坏的时候，可以借助全部节点的计算和存储的资源，群策群力对数据进行恢复，确保数据的可靠、不丢失，确保系统性能的稳定。2022 分布式存储市场调研报告 4在传统存储阵列、分布式存储之间并不存在一个清晰、明显的界线。你中有我，我中有你。2.分布式存储，软件定义存储和云存储的关系？日新月异，新技术和概念迭出，这是信息科技（IT）最基本特点，产品供应商为了突出品牌的领导地位，有意无意会选择一些新的概念。分布式存储也是如此，有的厂商选择分布式存储，也有厂商选择软件定义存储，云厂商对外更愿意使用云存储，三者之间会有什么不同吗？我们通过调研问卷获知了许多网友对问题的看法，从数据统计来看，85%的用户选择了分布式存储、软件定义存储和云存储在概念上有差别，但是区别不大。85%受访者认为：分布式存储、软件定义存储、云存储在概念上存在差别分布式存储软件定义存储云存储双层纸箱常用硬件类似软硬件分离通常支持支持不支持专用硬件不详x86 通用服务器软硬件一体纯软件软件 推荐硬件云服务方式提供ToC：云盘 ToB：NAS、SAN从市场产品的形式看，分布式存储大多以硬件加软件一体化的形式来呈现，用户可以选择配置，但是无法选择硬件产品的品牌。与之相比，软件定义存储更加强调纯软件的方式，会为用户提供支持的硬件列表；而云存储更多是以一种云服务形式来交付，其中，被消费者最为熟悉的云存储服务是所谓“云盘”，是一种 to C 性质的服务，主要提供网上的存储空间。“云盘”在企业级应用场景中也有应用，特别是跨国企业在不同国家和地区之间的数据存储和共享。以往，这些跨国企业会租用专线，透过 VPN 传输和共享数据，但是带宽的利用率不高，在性能上也存在差距。通过使用“网盘”的 CDN 加速能力，数据在节点之间自动复制和同步明显加速，如此一来，就减少了企业对广域网连接带宽的需求，实现数据本地上传，就近访问和使用；此外，网盘提供的数据目录功能，也便于用户组织管理和检索数据。对于跨国企业而言，“云盘”提供了类似 NAS 的服务和功能，如今，企业出海已经成为趋势和潮流，具有全球布局能力的“云盘”服务日益受到跨国企业的欢迎。尽管在概念上各有侧重，着重点也不尽相同，百易存储研究院的观点认为三者之间的区别是不大的，特别在技术的本质上没有什么不同。对于消费者而言，不用从概念或者表述上来理解彼此之间的差异，而是应该从所解决问题的角度来理解产品。尽管表述不同，但是它们有共同点，都具有透过网络连接、可横向扩展、支持全局单一命名存储空间的特征，从这个意义上说，他们所使用的技术是一致的，适用的场景也是非常接近的。一句话，分布式存储、软件定义存储以及云存储，没有一个是采用存储阵列技术来实现的，这是理解技术的最重要出发点。2022 分布式存储市场调研报告 5一句话，分布式存储、软件定义存储以及云存储，没有一个是采用存储阵列技术来实现的，这是理解技术的最重要出发点。3.融合市场现状继软件定义存储之后，一种被称为超融合的系统快速发展，超融合的全称是“超融合基础架构（Hyper-Converged Infrastructure，HCI）”，它集计算、存储和网络于一身，在简化部署、管理的同时，还可以透过增加或者减少节点，追求计算和存储资源横向扩展，具有弹性伸缩的能力。对于超融合基础架构而言，计算资源弹性伸缩完全可以借助服务器虚拟化技术实现，当时虚拟化技术已经非常成熟，比较难以实现的是存储资源的弹性调度和伸缩，也可以理解为存储虚拟化，但是从技术的演进发展来看，当时存储虚拟化的主要用途在于实现不同品牌存储阵列的集中管理和调度，以 IBM 为首，提供多种存储虚拟化的设备，连接不同时期、不同品牌的存储阵列产品。所以当初存储虚拟化强调的并不是存储资源池的概念，但是随着软件定义存储技术的发展，存储节点透过网络连接、横向扩展、全局单一命名存储空间技术成为了现实，也为超融合基础架构创造了条件，出现了超融合一体机的产品形式。也因为超融合一体机主要突破的是存储资源池的技术，所以很多分析机构将超融合一体机归类到存储的范畴，成为软件定义存储的一个分支。对外提供存储资源服务的是软件定义存储，与此同时，利用存储节点自身的计算能力，对于上层应用提供支撑的就是超融合，这成为了当时一种普遍的共识。超融合一体机易部署、易管理、弹性伸缩，与同样流行的云计算的特点完全吻合，因此当时也有观点认为超融合更像是云，并以此与软件定义存储进行区分。最初超融合一体机并不支持作为存储系统来使用，强调兼容计算，但是随着市场的发展，也开始支持纯存储的单一应用形式，这就是后话了。最初，超融合系统的分析、比较的对象并不是软件定义存储，而是一种被称为融合基础架构（Converged Infrastructure）的系统，后者是一个工厂定制，整机柜交付的产品设备形式，通过这种方式，简化系统的部署和管理，实现系统的快速上线。融合基础架构（Converged Infrastructure）的价值在于系统集成服务，与超融合系统强调的资源池建设，特别是存储资源池的实现，还是有本质区别的。简单说，融合基础架构（Converged Infrastructure）中所集成的存储，完全有可能是传统存储阵列，不是超融合所强调的软件定义存储。这是二者的主要差别。2022 分布式存储市场调研报告 64.超融合一体机还是存算分离？超融合基础架构最初是以一体机的形式交付的，具有易部署、易管理和弹性伸缩的云计算服务的特征，这也是超融合一体机也被称为云的原因，从单一应用的角度，通过超融合一体机来构建的应用，就相当于云的应用。超融合一体机也可以用来支持多个应用，前提是，其计算资源能够满足多业务应用的需求。超融合一体机云化的特征完美切合中小企业技术能力有限，管理和运维能力不足的问题，超融合一体机的出现，毫无疑问降低了用户业务应用云化的门槛，在市场得到了普遍使用和欢迎。超融合一体机可以帮助业务实现云化，但是无法从根本上替代云计算，换句话说，超融合一体机不能够作为企业私有云建设的基石。原因很简单，云计算基础设施需要集中承载企业的所有业务，动辄成百上千，超融合一体机可以承载少量的应用，如果作为企业云计算基础设施来使用，难免出现小马拉大车的局面，勉为其难。云计算基础设施承载的业务应用更加复杂，类型也更加多样，有计算密集型和存储密集型应用的区分，以节点为单元横向扩展的超融合一体机的方式，相比就不够灵活。云计算所追求的计算、存储资源分离的形式，可以根据不同应用的需要，灵活进行扩充，计算不足扩计算，存储不足扩存储。云计算应用最初的重点是计算资源的虚拟化，这也是为什么服务器虚拟化被称为云操作系统的原因。云计算发展到存算分离阶段，为了和已有产品方案进行区分，有厂商提出了“云计算发展下半场”的概念，并借用了超融合 2.0 的概念，赋予了超融合崭新的含义。相比于超融合 1.0 的超融合一体机，超融合 2.0 在市场上远没有得到普及和流行，很多人的认知还停留在于超融合 1.0的阶段。5.从超融合到混合云？企业私有云建设的首要问题是计算资源池化，服务器虚拟化技术满足资源动态调度的需求，这也是为什么服务器虚拟化被称为云操作系统的原因。在众多私有云开源解决方案中，OpenStack 最终脱颖而出，OpenStack 最初提供的主要功能主要集中在计算资源的调度、监控、协同和管理。云计算下半场强调存算分离，并借用了超融合 2.0 的概念。云计算的发展经历了从 IaaS、PaaS、SaaS 到公有云、私有云和混合云的变化，在国内，用 OpenStack 构建私有云得到用户的普遍认同，国外更加青睐使用公有云。与公有云相比，私有云更能满足数据合规的要求，但在规模和成本上存在差距，混合云就成为国内用户的目标，相比之下，国外更侧重多云的管理。如何构建混合云？帮助用户实现业务目标？对于混合云应用而言，以 OpenStack、vSphere、Hyper-V 为主构建的私有云，与公有云在本质上是异构系统，要实现混合应用是一件非常困难的事情。分步骤、分阶段实施混合云就成为了现实的目标。2022 分布式存储市场调研报告 7作为混合云应用的第一步，数据上云被提了出来，最初是备份数据上云，鉴于备份数据的特殊格式，不易造成数据泄露，且可以很好利用云存储成本低的特点，类似冷数据上云就成为了最初的应用。在这个基础之上，合理利用公有云的计算资源，就可以实现业务应用的容灾。数据上云的核心是数据管理，这是容灾备份厂商的专长，也是数据存储厂商的强项。数据存储的核心，条带化、RAID 也好，本质就是数据管理的问题。在数据管理的基础上，数据存储厂商推出了类似近云存储的解决方案。与此同时，通过与 AWS、Google 等公有云厂商合作，采用 IBM、VMware 所提供的混合云解决方案，用户可以使用所熟悉的技术，在私有云、公有云之间灵活使用资源。另外一方面，公有云厂商也面向大型行业企业用户提供了专属云解决方案，其本质也是一种同构、非异构环境的解决方案。数据与混合云应用需求，为数据存储厂商提供新的用武之地，他们也从存储厂商上升为混合多云解决方案的供应商。为了区分，这里也借用了超融合，提出了超融合 3.0，HCI 也从 Hyper-Converged Infrastructure（超融合基础设施）升级为 Hybrid Cloud Infrastructure(混合云基础设施)，实现了概念到内容的升华。但是对于很多对技术缺乏了解的用户而言，从一体机到混合多云的跨度有点大，让他们很难跟上技术发展的步伐。6.纯软件还是软硬一体机？分布式存储的核心是软件，印象中，纯软件方案具有更好的适用性，也增加了硬件选择的灵活性。但在市场实践中，用户往往会经历一个看似不合逻辑的心路历程，被称为“Crazy illogic Circle”。2022 分布式存储市场调研报告 8我需要一个纯软件方案，我要能够更好利用工业标准硬件，你们作为软件方案供应商，有哪些硬件推荐？你们测试过哪些硬件？如果硬件出现问题，联络谁？你们可以提供硬件并提供支持吗？你们可以提供一体化软硬件产品吗？Crazy illogic Circle 让用户从纯软件的一个需求，成功蜕变为软硬件一体化的需求。这里需要关注一个概念：SDS 一体机。什么是 SDS 一体机？与分布式存储、软件定义存储、云存储有什么区别和联系？还是坚持百易存储研究院的一个原则：不拘泥于定义和概念，而是从实际上应用需求出发，SDS一体机所能够解决的具体问题。从应用角度，可以划分为需求如下：为 OpenStack 云提供后端存储、为虚拟化提供所需的块数据存储服务、面向传统架构的统一存储、以及面向海量数据的对象存储。目前SDS一体机强调的是开箱即用，能够提供iSCSI、FC、NFS、CIFS、FTP等全协议支持的支持，显然这比较适合中小企业使用。未来会不会有其他形式的 SDS 一体机出现，应该说一切皆有可能。7.x86 还是专用设备？2022 分布式存储市场调研报告 9这个问题产生还是来自于分布式存储没有普遍接受的定义，在实践中就出现了认知偏差，类似盲人摸象，每个人都从各自角度阐述对问题的理解。实际上，x86 还是专用设备在市场上是并存的，此外还有其他的形式。如果从利用的角度，传统存储阵列是不是也可以作为节点存在呢？所以，问题的分析并不是 x86 vs 专用设备，不同的方案特点不一样，需要用户根据自己的需要灵活加以选择。性能上的高低上下，可以透过 PoC 测试来解决。可靠性和运维的问题，需要专业人员结合实践给出专业的判断。对于用户而言，重要的不是站队，重要的是视野。8.分布式存储是否适用于“关键业务”应用？分布式存储是否可以应用在关键业务应用的场景？市场上之所以有这样的疑问，主要的原因在于缺乏分布式存储的实践。与集中式存储阵列相比，分布式存储还属于新生事物，没有更多的经验作为参考。对于新生事物的应用，有一个逐步探索和实践的过程，用户不会贸然从关键业务入手，往往会选择边缘业务，不断积累实践应用的经验，这是一个审慎稳妥的做法。关键业务应用对于可靠性、稳定性有着极致的需求，强调业务应用的稳定和连续，所以能够用于关键业务应用的产品，在可靠性、稳定性方面采取了非常多的措施，以存储阵列为例，从前端网络连接、控制器、到后端的磁盘连接，全部采用冗余设计，确保系统没有任何单一故障点，这也是存储阵列价格昂贵的主要原因，但是这种极致的可靠性、稳定性能够确保关键业务应用的需求。与之相比，分布式存储阵列也采取了非常多措施来确保系统的可靠性、稳定性，确保存储数据不丢失，利用 x86 通用服务器的成本优势，分布式存储采用多副本、纠删码的技术确保数据的稳定、可靠性和安全，多副本数据被分散到不同的节点、机柜、机架，确保不会因为单一硬件故障，造成数据的丢失和不可逆。但出现单一节点故障之后，分布式存储系统会调用所有的节点，参与数据的恢复，可以确保系统始终处于多副本或者纠删码的保护之下。如今，x86 通用服务器等节点的性能和质量不断提升，已经具备运行关键业务应用的能力，在很多计算应用的场景已经得到了证实，这也为分布式存储奠定了稳定、坚实的基础。此外，分布式存储横向扩展的能力更加有助于用户应对海量数据存储带来的挑战。如今，云原生成为了应用软件发展的主要趋势，透过容器 微服务化设计，云原生应用在适应容器的调度、故障隔离的能力极大增强，也更加能够适应迭代更新的需要，云原生应用的发展也降低了对于单一硬件可靠性的依赖，这种发展趋势，也有助于分布式存储的推广和应用。2022 分布式存储市场调研报告 109.IPFS 分布式存储与去中心化？IPFS（Inter Planetary File System，星际文件系统）存储的出现赋予了分布式存储新的内涵，同时也加剧了市场上分布式存储概念上的混乱。IPFS是一个分布式web，点到点超媒体协议。IPFS协议的目标是取代现有的互联网协议HTTP，IPFS独有的存储和云计算技术，另辟蹊径，也为企业级业务应用提供了新的选择。IPFS 存储是对市场现有存储产品和方案的颠覆性重建，它将 IPFS 存储协议与区块链无缝集成。使用时，IPFS 存储将需要存储的数据文件分片，然后分片存储在各个节点上，如此，数据就被复制了 N 1 份并存放在不同的地区，如果某个地区的数据因人为或自然灾害被毁，通过其他地区的数据备份照样能完整恢复所有数据。区块链技术和 IPFS 存储的完美结合，无论是加密，还是防篡改都有助于保护用户数据的隐私和数据安全性。目前 IPFS 目前仍处于初步发展阶段，更多的应用还是内置经济激励项目 Filecoin 挖矿；与此同时，Filecoin 也提供了海量存储资源，在$/GB 成本上占据优势，对于现有各种存储应用形成了降维打击。对于现有行业/企业用户而言，IPFS 存储或称 Filecoin 无疑具有巨大诱惑，如果它们能够提供 SAN、NAS 或者对象的支持，就会对现有的方案带来冲击。现有行业企业应用如何使用 IPFS 存储，还存在一定的技术障碍，需要一定的技术突破。但是无论如何，IPFS 存储$/GB 的巨大优势，充满了无限遐想的空间。IPFS 存储带来的最大问题是其分布式存储的称谓，容易与现有产品混淆，带来概念上的混乱。IPFS 存储与本报告所说的分布式存储，核心的技术都是去中心化，所不同的是 IPFS 存储主要去的是 HTTP 网络访问的中心化，分布式存储所去的是存储控制器的中心化，二者还是有所区别。对此，应该有一个清晰的界定。从这个思路出发，百易存储研究院建议：用去中心化存储、或者 Web 3.0 存储来代指 IPFS 存储，而将分布式存储称谓保留给现有存储。2022 分布式存储市场调研报告 1110.对象存储的话题对象存储，也叫做基于对象的存储，就像文件一样，对象包含数据，但是和文件不同的是，对象在一个层结构中不会再有层级结构。每个对象都在一个被称作存储池的扁平地址空间的同一级别里，一个对象不会属于另一个对象的下一级。以上是百度百科给出的定义，相对还是比较费解的。简单说，对象存储在互联网领域应用比较广泛，如 S3、Swift，主要用于存储海量非结构化数据。传统行业/企业应用场景大多使用 SAN、NAS，其中 SAN 用于存储结构化数据，NAS 用于存储各种文件数据，它会按照目录结构的方式组织数据，便于文件的访问和查找，类似个人电脑 C 盘的目录和文件夹应用，但企业级 NAS 目录更加复杂，在一些工业应用场景，这种目录结构嵌套会有 5 6 层，100 多个层级。当目录结构变大之后，就需要经过多次点击才能够检索到所需要的数据文件，检索速度变差，效率降低。与 NAS 数据组织方式不同，对象存储的采用了扁平的数据组织结构，文件（切片）被直接存储在根目录的“桶”中，相当于将文件全部存储在 C 盘根目录下，这从根本上规避了维护庞大的文件目录树。抛弃了目录树的方式，结构变得简单。但是文件如何检索呢？为了便于检索和查找，在对象存储的使用过程中，就需要对每个对象（文件切片）进行标注，生成元数据，每个元数据都对应、匹配一个 Index 或者 Key，按照 Key-Value 的方式存储和检索数据。对象存储中的数据，透过REST API接口，可通过HTTP直接访问和使用。互联网服务中的云盘应用，大多是采用对象存储的方式，对于相同的数据文件，直接返回 Index 或者 Key，并不需要重复存储数据，这也是所谓“秒传”的功能。在对象存储的应用过程中，常常会使用到 Key-Value 数据库、Elasticsearch 数据库，主要作用就是数据文件的查找和检索。当存储目录架构变简单之后，数据检索的复杂性就会增加，需要使用到 Key-Value、Elasticsearch 全文检索的能力。对象存储很容易实现横向扩展，最多可以支持 4096 个节点，轻松实现 PB 级海量数据存储。目前已经投入使用的对象存储，已经可以达到 960 节点规模。如今，存储面临的主要挑战来自数据量的快速发展，互联网技术应用缩短了企业和消费者的距离，消费者在网上的一举一动，都可以成为企业了解用户、了解市场的依据，产品技术创新和应用，完全基于数据分析，建立在数据分析的基础之上。由此也带来了海量数据存储的需求，并且以非结构化数据为主。这个存储需求与对象存储的特征高度匹配，这也是为什么对象存储在互联网率先得到应用的原因。传统企业正在云化的过程中，数字化转型、互联网成为企业信息化强有力的工具，必然也会带来对象存储的需求，这个将是大势所趋。与此同时，传统企业有自己熟悉的行为和规范，习惯使用 NAS 存储的方式，要让他们从 NAS 转型到对象存储，会涉及到应用的少量二次开发，这会成为传统企业应用对象存储的瓶颈。如今，对象存储的主流供应商，在功能上，除了提供最基本的对象存储支持之外，也结合实际应用提供了行之有效的工具，如图形格式转换、人脸识别、视频格式转换、OCR 等，这些增值功能和服务，受到了用户的欢迎，部分拉低了对象存储的使用门槛。在这里，百易存储研究院特别提醒用户，对象存储作为一种基础的数据组织和存储方式，是一种最底层的基础设施，它与NAS、SAN 存储之间的关系，并不是一种竞争的关系。对象存储、NAS、SAN不是排他的关系。透过构建目录服务，NAS完成可以构建在对象存储的基础上。在一些典型的应用场景中，如电子邮件，完全有可能是对象存储和 NAS 存储、SAN 存储的混合体，这个是应该引起高度关注的。2022 分布式存储市场调研报告 12配合本次分布式存储的调研报告，调查问卷有一项关于存储引擎的内容，列举了哈希存储引擎、B 树存储引擎、LSM 树存储引擎等三种形式。百易存储研究院的分析师虽然对存储领域有一定的研究，但还有很多的细节搞不清楚，设置这样的内容，我们是希望提醒用户，B 树、LSM 树在数据库技术中经常被提及的技术，如今出现在存储引擎中，说明这都是一种底层的结构，影响的都是数据检索的效率，会在一定程度上，决定存储系统的性能表现。对于性能，最好的做法是 PoC 测试，最能够反映实际应用的性能表现。但是与此同时，既然存在这样的技术发展和流派，也可以增加视野，帮助进行理解和分类。三.分布式存储市场状况1.分布式存储市场规模中国分布式存储市场规模有多大？这是一个很难准确回答的问题，一来分布式存储市场参与的厂商很多，其中很多厂商不是上市企业，没有办法获得销售数据，二来分布式存储没有一个市场可以普遍接纳的定义和分类，会导致数据统计口径混乱，例如分布式存储是否包括去中心化存储、是否包括超融合、是否包括云存储、内涵与界定的不同，市场规模自然也不一样。IDC 给出的统计数据表明：2021 年中国存储市场规模为 42.9 亿美元，其中，软件定义存储 14 亿美元，占比 26.1%；超融合为 12 亿美元，占比 20.3%。本报告中的分布式存储包括 SDS、HCI 两个部分，总体市场规模 26 亿美元，占比 46.3%。配合本次调查报告的调查问卷中，受访者也对市场进行了估算，结果从 10 亿美元 1000 亿人民币不等；超融合市场规模从 30 亿美元 300 亿人民币不等；云存储市场的规模 50 亿（美元）1800 亿（人民币）规模不等。差距和出入非常大，体现了不同消费者的不同理解。目前百易存储研究院没有官方的渠道和数据对存储市场规模进行统计，但是可以肯定，随着数据量的快速增长，数据存储市场会呈现一种快速增长的趋势，IDC 给出的预计，市场增长速率为 54.2%，未来发展不会低于这个增速。在目前的情况下，分布式市场的规模也是仁者见仁、智者见智，但是无论如何，市场发展的趋势是明确和清晰的，未来市场2022 分布式存储市场调研报告 13潜力巨大。2.分布式存储市场英雄榜对于市场而言，2022 分布式存储企业图鉴的意义在于用户可以按图索骥，查找自己需要的产品解决方案线索。2022 分布式存储企业图鉴中的企业可以分为几个类型：1.综合品牌产品供应商以戴尔、浪潮、新华三、华为、联想凌拓、IBM、Red Hat、曙光等厂商为代表。这类厂商具有非常强的综合实力以及品牌影响力。它们不仅仅提供分布式存储，也能够提供计算、网络和软件服务，各个产品之间彼此呼应，市场相互渗透，拥有非常强大的市场服务能力，综合实力保持领先。2.专业存储产品供应商一寸长一寸强，术业有专攻。作为存储专业领域的垂直供应商，这类厂商在产品技术上保持领先，专业技术服务能力非常强，在很多时候，专业存储厂商也为品牌厂商提供存储的 OEM 服务。专业存储产品供应商以国外的 EMC（被戴尔收购）、HDS（更名为 Hitachi Vantara）、NetApp 为代表，国内以同有、宏杉为代表，这些厂商至少有 20 年以上的发展历史，以存储阵列见长，为了能够兼顾到分布式存储的市场，国际厂商多采用并购的方式，国内厂商主要依靠自研的力量。3.创新存储厂商数据作为行业企业最为重要的资产，用户对于存储可靠性的要求往往会超过计算，不容有任何闪失，也因为如此，创新品牌不易被用户市场接受。但是分布式存储技术的出现，改变了这样一种局面，特别是开源技术，也在一定程度上拉低了存储产品的门槛。从 ServerSAN 开始，创新存储市场极为活跃。在资本市场的鼎力支撑下，创新存储市场如雨后春笋，快速发展。国内XSKY、Smart X、杉岩数据、焱融科技、霄云、鹏云、青云、华瑞指数云、瑞驰、云信达、柏科、国鑫、大道云行等表现得比较活跃；国外市场以 Pure Storage、DDN、Cloudian、Scality、Swiftstack、ZADARA、Caringo 为代表，它们当中有些也已经进入中国市场。2022 分布式存储市场调研报告 144.云存储服务供应商云计算改变了传统产业的现状，从购买产品转移到购买服务，屏蔽了底层负载的技术和管理。受云计算服务的影响，存储也正在经历从产品到服务的转型，这也是云存储的由来。云存储最初主要面向 ToC 的市场，其中以云盘作为常见，这也是至今仍然有很多人将云存储称为云盘的原因。但是随着市场的发展，以阿里、腾讯、百度、网易、华为云、青云、华云、金山云、京东云为代表，它们纷纷推出了面向行业的存储定制服务，提供了“专属云”的产品和服务，如此就把云存储的市场从 ToC 向 ToB 进行延伸。云厂商提供的云存储方案和以产品为核心的解决方案有所不同，这些方案更好满足了创新企业的需求，但是与传统产业的结合，还需要磨合。四.分布式存储行业典型的应用场景在这个章节，我们特别征集了分布式存储在一些典型行业应用场景中的应用案例。透过这些案例，我们希望能够帮助大家深入了解分布式存储的技术，打消类似“分布式存储是否适合关键应用”的疑虑，举一反三，扩大分布式存储技术的应用。电信行业典型应用场景：SIM 卡认证和私有云计费业务应用案例：在移动时代，手机号就如同人们的“第二身份证号”，有了它我们才能在现代社会里“吃喝玩乐、出行办事”。只有当手机号经过电信运营商的认证，与我们个人身份相匹配，才能连接入网正常通讯，享受到运营商和服务商提供的各种服务。中国移动为全国 9.61 亿户手机用户提供基本通讯和各类数据服务。同时，移动云平台也为大量企业用户提供了类型广泛、规模庞大的云服务，为了更好地为广泛移动手机用户提供服务，同时优化自身云平台运营，中国移动计划对其块存储资源池进行更新和升级。中国移动块存储平台承载着的大量业务应用：网络云应用场景下的 SIM 卡认证、网络认证、虚拟化网元管理平台；IT 资源池下的私有云计费业务，如内容计费、NGBOSS、BBOSS、网状网、计费账务中心；以及集团和各省的自有业务：移动商城、一级客服系统、安全监测平台、国际漫游计费业务；这些服务都是移动的核心关键应用，一旦出错，不仅给移动的日常运营造成难题，同时，也会严重影响每个人的使用体验。这些业务类型都属于数据库应用，底层通常采用块存储模式为上层应用提供数据服务。中国移动原有的存储系统存在成本高、性能差、可扩展性差、容量不足等问题，在移动基础架构全面云化的大背景下，存储系统的可管理性、可集成性较差，无法满足云时代中国移动对海量存储的需求。为此，中国移动需要打造一个高性能、高可靠、云化、敏捷、智能的块存储数据承载平台。中国移动启动了 2021-2022 年分布式块存储新建部分集采，采购规模总数为 2100 套，其中，紫光股份旗下新华三集团 H3C UniStor X10516 G3 分布式块存储产品以优异测试成绩中标，获得 20%份额，中标总金额达 1.15 亿元。中国移动本次采购的分布式块存储系统，将会承载大量核心关键的移动业务数据，既包括热数据，也包括海量冷数据，为中国移动提供个人通讯服务、以及企业级云服务提供计费、认证、运维管理等等关键运营活动提供底层数据平台；同时，还需要与2022 分布式存储市场调研报告 15Openstack 云平台进行对接，与 Hadoop 生态做全面结合，以服务中国移动“上云”进程。作为承载关

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请务必阅读尾页重要声明请务必阅读尾页重要声明 增持（维持）增持（维持）行业：行业：电子电子行业行业 日期：日期：2021 年年 12 月月 22 日日 行业经济数据跟踪行业经济数据跟踪（2021Q3）通行 销售收入（亿元）20564.58 同比增长 21.98%利润（亿元）1390.33 同比增长 74.21%近近 6 个月个月行业指数行业指数与沪深与沪深 300 比较比较 自立自强高质量发展，拥抱碳中和，自立自强高质量发展，拥抱碳中和，探索元宇宙探索元宇宙 主要观点主要观点 本文将从电子行业年度投资策略的角度探讨2022年整体板块的投资机 会。我们认为，2022年电子行业仍将保持成长性趋势，行业整体的结构 性机会大于板块性机会，需要更加聚焦细分赛道，精选优质个股。我们 提出了明年电子行业投资的三个关键词：自立自强、碳中和、元宇宙。由此对应的三个投资方向为半导体、军工电子及消费电子，并衍生出三 条最优投资主线：半导体设备和材料 军工电子（对应自立自强国产替 代）、新能源车用芯片和零部件（对应科技碳中和）、VR/AR IOT 高清显 示（对应元宇宙基础设施建设）。“自立自强”迈向高质量发展，“自立自强”迈向高质量发展，持续强化国家战略科技力量。持续强化国家战略科技力量。我们认 为，“自立自强”将是未来国家实现高质量发展的重要战略目标之一，其 中离不开电子科技和国防军工领域的自主可控。我国的半导体产业需要 从源头解决“卡脖子”问题，设备与材料的国产化迫在眉睫。我国半导 体产业替代空间较大，在中美贸易摩擦持续、供需错配加速晶圆厂向大 陆转移扩张的背景下，国产厂商迎来较好的投资时间窗口和机会。同 时，国防军工的自立自强将有望进一步强化国家战略科技力量，特种集 成电路、FPGA及红外传感领域有望伴随升级换代迎来高景气周期。“碳中和”目标推动新能源产业高速发展，国产车用芯片及零部件迎来“碳中和”目标推动新能源产业高速发展，国产车用芯片及零部件迎来 长期机会。长期机会。我们认为，“碳中和”下的能源变革将带动新能源车产销快速 增长，受益于此，车用芯片需求出现大幅增长，同时汽车智能化推动科 技创新，为传统车用零部件带来新的成长机会。IGBT 作为功率半导体的 核心产品之一，不仅在电车，更是在充电桩、光伏风电、工业控制等领 域都有较大的市场需求。伴随着中国新能源产业的快速发展，国产厂商 迎来较大的突破成长机会。此外，光学器件与连接器等车用零部件也有 望受益于新能源车迎来新一轮增长。兵马未到粮草先行，兵马未到粮草先行，VR/AR IOT 高清显示是“元宇宙”的底层基础。高清显示是“元宇宙”的底层基础。我们认为，“元宇宙”的初期是基础设施的底层搭建，其中包括了芯片、服务器、网络连接和终端设备等。VR/AR设备、IOT设备、高清显示设备 将是万物连接的基石，是实现“元宇宙”的底层基础。随着VR/AR技术 不断迭代、应用生态逐步完善、终端产品持续升级，产业有望进入快速 成长期。以TWS耳机、智能手表为代表的IOT设备及产业链相关企业迎来 较好的发展机遇，Mini、Micro LED、OLED等终端显示有望受益于“元 宇宙”打开新的成长空间。投资建议投资建议 未来十二个月内，未来十二个月内，维持维持电子行业“电子行业“增持增持”评级。”评级。我们看好“自立自强”带来的半导体设备与材料板块投资机会，推荐拥有国内最强离子注入设 备公司凯世通的万业企业，半导体测试探针后起之秀和林微纳，建议关 注大直径单晶硅材料与硅电极龙头企业神工股份；军工自主可控建议关 注特种集成电路龙头紫光国微、全球红外探测龙头睿创微纳、国内 FPGA 领军企业复旦微电；“碳中和”带来新能源车产业链相关的投资机会，建 议关注 IGBT 龙头时代电气、光学镜头龙头联创电子、连接器龙头瑞可 达；“元宇宙”基础设施建设建议关注 VR/AR 龙头歌尔股份、IOT芯片龙 头恒玄科技、LED芯片龙头三安光电。风险提示风险提示 半导体行业景气度下行，国产替代、新能源行业增长、元宇宙发展低于 预期。-10.00%-5.00%0.00%5.00.00.00 .00!-0621-0721-0821-0921-1021-1121-12 电子(申万)沪深300 证 券 研 究 报 告 证 券 研 究 报 告 行 业 研 究 行 业 研 究 年 度 策 略 年 度 策 略 年度年度策略策略 请务必阅读尾页重要声明请务必阅读尾页重要声明 2 目目 录录 一、一、“自立自强自立自强”迈向高质量发展，持续强化国家战略科技力量迈向高质量发展，持续强化国家战略科技力量.6 1.1“硬科技”重要性凸显，国产替代迎高质量发展.6 1.1.1半导体设备与材料替代空间大，产业转移助力国产 化进程加速.6 1.1.2中美摩擦强化国产化诉求，大基金助推国内集成电 路产业发展.11 1.1.3供需错配推动晶圆厂扩建热潮，国产半导体设备材 料厂商深度受益.14 1.2强化国家战略科技力量，军工电子有望迎来高景气周期 19 1.2.1 信息化程度提升叠加军种装备量产落地，特种集成 电路市场规模快速增长.19 1.2.2 FPGA市场需求强劲，国产替代空间巨大.20 1.2.3 红外传感军民两用稳步增长，中国企业重塑全球格 局.22 二、二、“碳中和碳中和”目标推动新能源产业高速发展，国产车用芯片及目标推动新能源产业高速发展，国产车用芯片及 零部件迎来长期机会零部件迎来长期机会.24 2.1 新能源车进入快速放量期，IGBT迎发展机遇.24 2.1.1 IGBT 是功率半导体核心产品，全球规模有望不断 增长.24 2.1.2 国产新能源车销量持续攀升，IGBT国产化率有望 登上新台阶.27 2.1.3 产业发展带动企业成长，产能扩张带来营利双收 29 2.2 汽车智能化推动科技创新，车载光学与连接器深度受益 32 2.2.1 智能网联化拉动车载感知模块需求，产业链模式变 革增添发展机遇.32 2.2.2 新能源车促进高压/高速连接器应用，量价齐升推动 汽车连接器市场快速成长.33 三、兵马未到粮草先行，三、兵马未到粮草先行，VR/AR IOT VR/AR IOT 高清显示是高清显示是“元宇宙元宇宙”的底的底 层基础层基础.36 3.1 VR/AR应用生态逐步完善，终端需求有望迎来快速增长 36 3.1.1 VR/AR应用生态逐步完善，出货量快速增长.36 3.1.2 终端产品不断进行升级迭代，科技巨头积极布局推 动产业前行.37 3.2 TWS安卓品牌化快速提升，智能手表迎来重大创新.38 3.2.1 TWS安卓端出货快速增加，进入品牌化快速提升期.38 3.2.2 智能手表迎来重大创新，推动从选配到标配迈进.39 3.3 Mini/Micro LED 放量可期，OLED 扩产设备厂迎发展良机.41 3.3.1 Mini LED元年开启，元宇宙助力 Micro LED 高速成 长.41 3.3.2 OLED扩产助力国产设备放量.45 pOpRtRqOqMwOpNoNzQyQxO7NdNbRoMoOtRnMeRqRtRjMpNmP8OrRwPNZmQmOwMqQrR 年度年度策略策略 请务必阅读尾页重要声明请务必阅读尾页重要声明 3 四、投资建议四、投资建议.52 五、风险提示五、风险提示.53 图图 图图 1 芯片生产需要经过上千道工序芯片生产需要经过上千道工序.6 图图 2 芯片生产需要多种专门的半导体设备芯片生产需要多种专门的半导体设备.7 图图 3 芯片生产需要使用上百芯片生产需要使用上百种的半导体材料种的半导体材料.7 图图 4 半导体设备细分市场竞争格局汇总半导体设备细分市场竞争格局汇总.8 图图 5 半导体材料细分市场竞争格局汇总半导体材料细分市场竞争格局汇总.9 图图 6 三次半导体产业转移发展历程三次半导体产业转移发展历程.10 图图 7 全球半导体设备市场中国大陆全球半导体设备市场中国大陆份额持续提升份额持续提升.10 图图 8 全球半导体材料市场中国大陆份额持续提升全球半导体材料市场中国大陆份额持续提升.10 图图 9 全球半导体制造产能分布（分地区，全球半导体制造产能分布（分地区，%）.11 图图 10 中美摩擦事件梳理中美摩擦事件梳理.12 图图 11 全球半导体资本支出展望（十亿美元）全球半导体资本支出展望（十亿美元）.16 图图 12 全球晶圆产能增长全球晶圆产能增长展望（千片展望（千片/月）月）.16 图图 13 国微电子营收情况国微电子营收情况.19 图图 14 国微电子净利润情况国微电子净利润情况.19 图图 15 国微电子毛利率和净利率国微电子毛利率和净利率.20 图图 16 全球全球 FPGA 市场规模市场规模.21 图图 17 国内国内 FPGA 产业规模产业规模.21 图图 18 2020 年上半年全球年上半年全球 FPGA 市场竞争格局市场竞争格局.21 图图 19 2019 年中国年中国 FPGA 芯片市场竞争格局（按出货量）芯片市场竞争格局（按出货量）.21 图图 20 全球军用红外市场规模全球军用红外市场规模.22 图图 21 全球民用红外市场规模全球民用红外市场规模.22 图图 22 全球热成像厂商市占率全球热成像厂商市占率.23 图图 23 中国红外热像仪占全球市场份额中国红外热像仪占全球市场份额.23 图图 24 中国红外市场主要公司营收（亿元）中国红外市场主要公司营收（亿元）.23 图图 25 中国红外市场主要中国红外市场主要公司归母利润（亿元）公司归母利润（亿元）.23 图图 26 功率半导体器件分类功率半导体器件分类.24 图图 27 各种功率器件应用场景各种功率器件应用场景.24 图图 28 全球功率半导体市场规模（亿美元）全球功率半导体市场规模（亿美元）.25 图图 29 全球功率半导体下游市场应用占比全球功率半导体下游市场应用占比.25 图图 30 车用车用 MOSFET 市场（亿元）市场（亿元）.25 图图 31 全球全球 IGBT 市场空间（亿美元）市场空间（亿美元）.27 图图 32 中国中国 IGBT 市场空间（亿元）市场空间（亿元）.27 图图 33 2019 年全球年全球 IGBT 市场份额市场份额.27 图图 34 汽车电动化带来功率器件增量汽车电动化带来功率器件增量.28 图图 35 新能源车载功率半导体价值量增长迅猛新能源车载功率半导体价值量增长迅猛.28 图图 36 中国新能源汽车销量（辆）中国新能源汽车销量（辆）.28 图图 37 全球新能源汽车销量预测（辆）全球新能源汽车销量预测（辆）.28 图图 38 国内车载国内车载 IGBT 市场市场规模展望规模展望.29 图图 39 中国光伏装机量（万千瓦）中国光伏装机量（万千瓦）.30 图图 40 中国风电装机量（中国风电装机量（GW）.30 年度年度策略策略 请务必阅读尾页重要声明请务必阅读尾页重要声明 4 图图 41 家电出货量家电出货量.30 图图 42 全球工控全球工控 IGBT 市场规模（亿元）市场规模（亿元）.30 图图 43 全球功率半导体器件产地份额全球功率半导体器件产地份额.31 图图 44 海外巨头产能受挫海外巨头产能受挫.31 图图 45 国内新车国内新车 ADAS(L0-L2)搭载率快速提升搭载率快速提升.32 图图 46 全球和国内车载摄像头规模对比全球和国内车载摄像头规模对比.32 图图 47 2019 年全球车载镜头份额年全球车载镜头份额.33 图图 48 智能视觉自动驾驶方案的构成智能视觉自动驾驶方案的构成.33 图图 49 全球连接器行业市场规模（亿美元）全球连接器行业市场规模（亿美元）.33 图图 50 中国连接器市场规模（亿美元）中国连接器市场规模（亿美元）.33 图图 51 2019 年中国占据全球连接器约年中国占据全球连接器约 30%的份额的份额.34 图图 52 2019 年全球连接器应用领域分布年全球连接器应用领域分布.34 图图 53 国内汽车连接器企业与下游车企合作情况国内汽车连接器企业与下游车企合作情况.35 图图 54 中国新能源汽车渗透率中国新能源汽车渗透率.35 图图 55 全球连接器细分领域排名全球连接器细分领域排名.35 图图 56 全球全球 VR 出货量及预测出货量及预测.36 图图 57 2020Q4 市场主流市场主流 VR 头显销量对比（千台）头显销量对比（千台）.36 图图 58 截止截止 2021H1 全球主流全球主流 VR 平台内容数量（个）平台内容数量（个）.37 图图 59 Steam 平台平台 VR 头显占比头显占比.37 图图 60 全球全球 AR 眼镜出货量及预测眼镜出货量及预测.37 图图 61 苹果新款苹果新款 XR 设备概念图设备概念图.37 图图 62 HTC VIVE Flow.38 图图 63 Meta 短焦短焦 VR 一体机头显一体机头显 Project Cambria.38 图图 64 苹果品牌苹果品牌 TWS 耳机配售率（万副）耳机配售率（万副）.39 图图 65 安卓品牌安卓品牌 TWS 耳机配售率（万副）耳机配售率（万副）.39 图图 66 智能手表功能受欢迎程度智能手表功能受欢迎程度%.40 图图 67 全球智能手表出货量全球智能手表出货量.40 图图 68 华为首款测量血压智能手表华为首款测量血压智能手表.40 图图 69 不同不同 LED 显示技术芯片显示技术芯片尺寸和像素点间距特征尺寸和像素点间距特征.41 图图 70 Mini/Micro LED 产业链产业链.43 图图 71 全球全球 Mini LED 背光产品出货量预测（百万台）背光产品出货量预测（百万台）.43 图图 72 全球全球 Mini LED 市场规模预测（亿美元）市场规模预测（亿美元）.43 图图 73 全球全球 Micro LED 出货量及预测（百万台）出货量及预测（百万台）.44 图图 74 全球全球 Micro LED 市场规模市场规模（亿美元）（亿美元）.44 图图 75 全球全球 LED 显示市场竞争格局显示市场竞争格局.44 图图 76 OLED 产业链产业链.47 图图 77 2017-2025 年全球刚性和柔性年全球刚性和柔性 AMOLED 显示面板出货量显示面板出货量 情况及预测（亿片）情况及预测（亿片）.48 图图 78 全球全球 AMOLED 市场规模及预测（亿美元）市场规模及预测（亿美元）.48 图图 79 2020 年全球年全球 OLED 产业竞争格局产业竞争格局.49 图图 80 OLED 前段阵列各设备价值量占比前段阵列各设备价值量占比.50 图图 81 OLED 中段阵列各设备价值量占比中段阵列各设备价值量占比.50 图图 82 OLED 后段阵后段阵列各设备价值量占比列各设备价值量占比.50 年度年度策略策略 请务必阅读尾页重要声明请务必阅读尾页重要声明 5 表表 表表 1 国家大基金一期直接投资的国家大基金一期直接投资的 A 股上市公司股上市公司.13 表表 2 国家大基金二期对外投资项目统计国家大基金二期对外投资项目统计.14 表表 3 国内外晶圆厂国内外晶圆厂/IDM 厂商厂商 2020 年以来扩建信息统计年以来扩建信息统计.15 表表 4 国内半导体设备厂商整理国内半导体设备厂商整理.17 表表 5 国内半导体材料厂整理国内半导体材料厂整理.18 表表 6 国内外厂商市场占有率国内外厂商市场占有率.22 表表 7 IGBT 各类产品简介各类产品简介.26 表表 8 中国中国 IGBT 行业需求量与自给率概览行业需求量与自给率概览.29 表表 9 国内企业技术代际已逼近英飞凌国内企业技术代际已逼近英飞凌.31 表表 10 LCD、OLED、Mini LED 和和 Micro LED 性能一览性能一览.42 表表 11 Mini/Micro LED 相关标的相关标的.45 表表 12 CRT、LCD 和和 OLED 显示器技术对比显示器技术对比.46 表表 13 CRT、LCD 和和 OLED 显示器技术对比显示器技术对比.46 表表 14 AMOELD 与与 PMOLED 面板性能对比面板性能对比.47 表表 15 国内面板企业在国内面板企业在 OLED 在建生产线一览（亿元）在建生产线一览（亿元）.49 表表 16 OLED 制造制造各段设备代表企业一览各段设备代表企业一览(不完全统计不完全统计).51 年度年度策略策略 请务必阅读尾页重要声明请务必阅读尾页重要声明 6 一、一、“自立自强”迈向高质量发展，持续强化国“自立自强”迈向高质量发展，持续强化国 家战略科技力量家战略科技力量 1.1“硬科技硬科技”重要性凸显重要性凸显，国产替代国产替代迎高质量发展迎高质量发展 1.1.1 半导体设备与材料替代空间大，产业转移助力国产化进程加半导体设备与材料替代空间大，产业转移助力国产化进程加 速速 芯片芯片生产生产实现硅料实现硅料硅片硅片裸晶圆裸晶圆成品芯片的转变成品芯片的转变需要经需要经 过上千道工序过上千道工序，其中其中每一道工序每一道工序都需要都需要专门的专门的半导体半导体设备设备和和特殊特殊 的的半导体半导体材料材料的协同的协同。芯片生产分成硅片制造、晶圆加工和芯片 封测三个环节：硅片制造从最初的多晶硅料通过拉晶、切磨抛、清洗、检测等工序得到纯净度高达 99.999999999%（11 个 9）的单 晶硅片；晶圆加工通过不断重复热处理、薄膜沉积、涂胶显影、光刻、刻蚀、离子注入、CMP（化学机械抛光）、清洗等工序在单 晶硅片上“雕刻”出集成电路得到裸晶圆；芯片封测通过减薄、切割、键合、塑封、测试等工序对裸晶圆进行封装和品质检测得到成品 芯片。整个芯片生产过程累计会经过上千道工序，生产周期长达 三个月，各种专门的半导体设备以及特殊的半导体材料正是成功 完成各项工序的关键。图图 1 芯片芯片生产生产需要经过上千道工序需要经过上千道工序 数据来源：数据来源：半导体行业观察，半导体行业观察，上海证券研究所上海证券研究所 晶圆制造过程需要不断重复多达上百次以上工序晶圆制造过程需要不断重复多达上百次以上工序 多晶硅拉单晶切割磨削抛光清洗检测 热处理CVD涂胶显影光刻刻蚀离子注入 WAT测试量测（缺陷、关键尺寸等）CMPPVD清洗去胶 硅片制造硅片制造 单晶硅片单晶硅片 裸晶圆裸晶圆 FT测试塑封引线键合切割减薄CP测试成品芯片成品芯片 晶晶圆加工圆加工 芯片封测芯片封测 多晶硅拉晶切片研磨抛光 年度年度策略策略 请务必阅读尾页重要声明请务必阅读尾页重要声明 7 芯片芯片生产生产过程会涉及过程会涉及超超 50 种种专门专门的的半导体半导体设备和设备和超超 300 种种半半 导体导体材料材料，半导体设备、材料是支撑半导体产业稳步向前发展的半导体设备、材料是支撑半导体产业稳步向前发展的 底层基石。底层基石。对应芯片生产的三个环节，半导体设备可分为硅片制 造设备（2.5 薄，1-1.5 薄 薄，0.05 寿命（小时）60K 20K-30K 80K-100K 80K-100K 柔性显示 难 容易 容易 难 LED数量级 100-10000 1000000 成本 低 中等 较高 高 功能 高 约 LCD 60%-80%约 LCD 30%-40%约 LCD 10%可视角度 160 X90 180 X180 180 X180 180 X180 运作温度 40-400 30-85 负 100-120 负 100-120 PPI（可穿戴）最高 250 PPI 最高 300 PPI-1500 PPI 以上 PPI（虚拟显示）最高 500 PPI 最高 600 PPI-1500 PPI 以上 产业化程度 已大规模量产 已规模量产 初步规模量产 研究阶段 产业成熟度 高 中等 较低 低 数据来源：数据来源：前瞻产业研究院前瞻产业研究院，上海证券研究所，上海证券研究所 我国企业已在产业链众多环节均有布局，在全球具备较强的我国企业已在产业链众多环节均有布局，在全球具备较强的 竞争力竞争力。LED 产业借助元宇宙东风，即将乘风起航产业借助元宇宙东风，即将乘风起航。产业链上游 主要包括 RGB Mini/Micro 电灯、玻璃基板、芯片等材料，其中，芯片成本占比高达65%，产业集中度较高，CR6达到80%，三安光 电为产业龙头。中游封装可分为 SMD（表面贴装）、IMD（N 合一）和 COB（板上封装）等方式，预计整体 LED 显示的技术路径将沿 着从 SMD 到 COB 的方向发展，同时 COB 也是 Micro LED 最佳封 装方式，雷曼光电为 COB 封装产业龙头。Mini/Micro LED 应用广 泛，从小尺寸的 AR/VR、手表，到大尺寸的 TV、显示屏等领域均 能搭载。在元宇宙的趋势下，VR/AR 设备将迎来放量。由于 AR/AR 设备使用中屏幕和人眼距离较近，200ppi 的像素密度最为 理想，LCD和 OLED技术并不能很好兼容，Micro LED作为其最为 适合的显示技术，产业发展有望迎来提速。年度年度策略策略 请务必阅读尾页重要声明请务必阅读尾页重要声明 43 图图 70 Mini/Micro LED 产业链产业链 数据来源：数据来源：中商情报网中商情报网，上海证券研究所，上海证券研究所 2021年三星、苹果等多家公司相继推出采用年三星、苹果等多家公司相继推出采用 Mini LED背光的背光的 TV 及平板类产品，及平板类产品，Mini LED 商用元年开启。商用元年开启。现阶段，Mini LED 还处于放量初期，在三星、苹果等国际大厂的推动下，预计采用 LED 背光显示方案的 TV、平板和笔电等产品的出货量将迅速提升。根据群智咨询数据显示，2021年全球 MINI LED背光产品的出货量 为 392 万台，预计 2025 年将达到 1600 万台。根据洛图科技数据显 示，2020 年全球 Mini LED市场规模为 6.1亿美元，预计 2025 年将 达到 15.1亿美元。图图 71 全球全球 Mini LED 背光产品出货量预测（百万台）背光产品出货量预测（百万台）图图 72 全球全球 Mini LED 市场规模预测（亿美元）市场规模预测（亿美元）数据来源：数据来源：群智咨询群智咨询，上海证券研究所，上海证券研究所 数据来源：数据来源：洛图科技洛图科技，上海证券研究所，上海证券研究所 苹果、华为、三星、苹果、华为、三星、Facebook 等多家企业纷纷布局等多家企业纷纷布局 Micro LED 产业，并加大资本开产业，并加大资本开支支，产业有望快速突破技术瓶颈，助推，产业有望快速突破技术瓶颈，助推 成本下降，从而实现大规模应用成本下降，从而实现大规模应用。根据 Omida 预测，2020 年-2025 年度年度策略策略 请务必阅读尾页重要声明请务必阅读尾页重要声明 44 年，Micro LED 的资本支出将达到 80 亿美元。其中，32 亿美元用 于 Micro LED 外延片工艺，48 亿美元用于 Micro LED 批量转移、模块化和组装。研发力度加大将推动 Micro LED成本降低，目前，LED 显示屏价格平均每年下滑 20%-30%。根据 Yole 数据显示，2020年全球 Micro LED产品出货量为 1890万台，预计 2025年将达 到 3.3 亿台。根据 Research and Markets 预测，2019 年全球 Micro LED 市场规模为 6亿美元，预计 2025 年将达到 205亿美元。图图 73 全球全球 Micro LED 出货量及预测（百万台）出货量及预测（百万台）图图 74 全球全球 Micro LED 市场规模市场规模（亿美元）（亿美元）数据来源：数据来源：Yole，上海证券研究所，上海证券研究所 数据来源：数据来源：Research and Markets，上海证券研究所，上海证券研究所 国内厂商一直占据着国内厂商一直占据着 LED 显示市场主要份额，显示市场主要份额，并且正在向并且正在向 Mini/Micro LED 进军进军。据 TrendForce 统计数据，2019 年全球 LED 显示屏市场前七大厂商国内厂商占据五席，分别为利亚德、洲明 科技、强力巨彩、艾比森和上海三思，合计份额达39%，海外厂商 仅达科和三星进入前七名。图图 75 全球全球 LED 显示市场竞争格局显示市场竞争格局 数据来源：数据来源：TransForce，上海证券研究所，上海证券研究所 在元宇宙的趋势下，在元宇宙的趋势下，品牌厂商持续导入品牌厂商持续导入 Mini/Micro LED 作为作为 终端终端产品产品的的显示方案显示方案，叠加叠加众多公司加大资本开支推动产业众多公司加大资本开支推动产业成熟成熟 利亚德,12.10%洲明科技,9.80%达科,8.20%强力巨彩,8.10%艾比森,4.70%上海三思,4.3%三星电子,3.70%其他,49.10%年度年度策略策略 请务必阅读尾页重要声明请务必阅读尾页重要声明 45 度提升度提升，Mini/Micro LED 有望有望迎来高速发展时期迎来高速发展时期。国内已有多家 企业在 Mini/Micro LED 设备、材料、面板制造等领域均有布局，受益于产业景气度上行，相关公司有望打开成长空间。表表 11 Mini/Micro LED 相关标的相关标的 公司名称公司名称 主营业务主营业务 设 备 北方华创 刻蚀机和沉积设备 中微公司 MOVCD 设备 新益昌 LED 固晶机 精测电子 相关检测设备 驱 动 IC 富满电子 Mini LED 驱动 IC 明微电子 Mini LED 驱动 IC 北京君正 Mini LED 背光驱动 IC正在研发 芯 片 三安光电 Mini LED 芯片 华灿光电 Mini LED 芯片 聚灿光电 Mini LED 芯片 乾照光电 Mini/Micro LED芯片 封 装 模 组 国星光电 Mini LED 批量出货 雷曼光电 LED显示屏、LED 照明、LED封装器件 东山精密 Mini LED 封装器件批量供货 聚飞光电 Mini LED 批量出货 兆驰股份 Mini LED 封装已供货，芯片小批量产 木林森 Mini LED 背光和直显均有布局 瑞丰光电 Mini LED 批量出货 SMT 立讯精密 Mini LED SMT 印刷 电路 板 鹏鼎控股 Mini LED 背光板 奥士康 已供货给三星 玻璃 基板 沃格光电 公司 Mini LED玻璃基板可用于直线和背光 显示 奥拓电子 LED显示 洲明科技 LED显示屏、LED 照明 艾比森 LED显示应用与服务 利亚德 LED 显示器 数据来源：数据来源：Wind，上海证券研究所，上海证券研究所 3.3.2 OLED 扩产助力国产设备放量扩产助力国产设备放量 OLED 性能优势显著。性能优势显著。OLED（Organic Light-Emitting Diode）称为有机发光二极管，是继 CRT 与 LCD 技术后的第三代显示技术，具有自发光、每个像素独立照明等特性，已广泛应用于手机、智 能穿戴设备、笔电、平板等领域。相较于 CRT 和 LCD 显示技术，OLED 更适合柔性屏、全面屏、屏下指纹解锁、屏下摄像头等技术 的搭建，并且在厚度、能耗、温度、抗摔性和对比度等方面更具 优势。年度年度策略策略 请务必阅读尾页重要声明请务必阅读尾页重要声明 46 表表 12 CRT、LCD 和和 OLED 显示器技术对比显示器技术对比 指标对比指标对比 CRT LCD OLED 结构结构 形体形体 体积大、真空 型态薄 超薄、固态 工作温度范围工作温度范围 宽 窄 宽 色域色域 宽 窄 宽 响应时间响应时间 1-3毫秒 100-250 毫秒 微秒量级 节能效果节能效果 差 好 好 数据来源：数据来源：OLED产业技术现状及未来展望产业技术现状及未来展望，上海证券研究所，上海证券研究所 刚性刚性 OLED 已有广阔市场，柔性已有广阔市场，柔性 OLED 占据柔性显示主流地占据柔性显示主流地 位。位。OLED 显示面板可分为刚性和柔性，两者在光学性能、电子性 能、可靠性等方面差异不大，但柔性OLED更为轻薄、可弯曲折叠，在产品形态上更具可塑性。现阶段，刚性OLED显示屏幕凭借先发 的技术优势，产品成熟度相对较高，已拥有广阔的应用市场；柔 性屏幕凭借可塑性强、支持弯曲折叠、比刚性屏幕更加轻薄等优 质性能，已广泛用于智能手机领域。目前，柔性OLED在柔性显示 技术领域占据主流地位。表表 13 CRT、LCD 和和 OLED 显示器技术对比显示器技术对比 项目项目 刚性刚性 OLED 柔性柔性 OLED 光学性能 分辨率 无差别 无差别 亮度 无差别 无差别 亮度均匀性 无差别 无差别 对比度 无差别 无差别 色彩饱和度（色域）无差别 无差别 电子性能 响应时间 无差别 无差别 刷新频率 无差别 无差别 功耗 无差别 无差别 功能整合 屏下指纹 可实现 可实现 屏下摄像 可实现 可实现 可靠性 产品寿命 无差别 无差别 温域性能 无差别 无差别 外观形态 厚度 薄 超薄 柔性显示 不可实现 可实现 可弯曲/可折叠 不可实现 可实现 技术工艺 成熟度 相对成熟 成熟度略低 成本价格 成本/价格 中 高 下游应用 应用领域 智能手机、智能穿戴、平板/笔 记本电脑、车载/工控等 无差别，但柔性显示场景下则 更具优势 数据来源：数据来源：和辉光电招股说明书和辉光电招股说明书，上海证券研究所，上海证券研究所 AMOLED 为主流驱动方式。为主流驱动方式。根据驱动方式的不同，OLED 分 年度年度策略策略 请务必阅读尾页重要声明请务必阅读尾页重要声明 47 为 主 动 矩 阵 式（AMOLED）和 被 动 矩 阵 式（PMOLED）。PMOLED 结构简单，制造难度小，成本较低，主要应用在车用显 示、游戏机等中小型显示器领域。AMOLED 在性能方面优势显著，是当前主流的技术路线，但制造良率相对较低，技术壁垒高，主 要应用于数码相机、电视机等、智能手机等中领域中。表表 14 AMOELD 与与 PMOLED 面板性能对比面板性能对比 概述概述 AMOELD PMOLED 制作难度 复杂 简单 产品良率 低 高 显示亮度 高 低 显示能耗 低 高 尺寸 大、中、小尺寸 小尺寸 显示像素 高 低 色彩丰富度 全彩 单色或多彩 成本 高 低 应用终端 数码相机、电视机等、智能 手机等中大型显示器 车用显示、游戏机等中小型 显示 数据来源：数据来源：电子发烧友电子发烧友，上海证券研究所，上海证券研究所 OLED 产业链中设备成本占比最高，国内厂商加大研发投入，产业链中设备成本占比最高，国内厂商加大研发投入，完成从完成从 0 到到 1 的突破。的突破。产业链上游包括设备制造、材料、组装零件，其中设备和有机材料成本占比最高，分别达到 35%和 23%。由于 OLED 上游总体技术门槛较高，产业集中在具有先发优势的海外厂 商手中。近些年国内企业加大研发投入，在部分OLED设备和材料 领域已经顺利完成从 0 到 1 的突破。中游企业负责组装，制成 OLED 显示面板。终端应用包括智能手机、智能穿戴设备和电视，应用占比分别为 70%、10%和 6%。图图 76 OLED 产业链产业链 数据来源：瑞联新材招股说明书，上海证券研究所数据来源：瑞联新材招股说明书，上海证券研究所 年度年度策略策略 请务必阅读尾页重要声明请务必阅读尾页重要声明 48 未来未来 AMOLED产业将呈现柔性高速成长，刚性小幅提升的发产业将呈现柔性高速成长，刚性小幅提升的发 展展趋势趋势。刚性 AMOLED 成熟度、良品率和产能利用率相对较高，制造设备完善，生产成本较低。柔性 AMOLED 则拥有更多的应用 场景，但价格较高，生产良品率相对较低。2020 年全球刚性与柔 性 AMOLED 出货量分别为 3.07 亿片与 2.75 亿片，预计到 2025 年 刚性和柔性出货量将分别达到 4.40和 6.01 亿片。图图 77 2017-2025 年全球刚性和柔性年全球刚性和柔性 AMOLED 显示面板出货量情况及预测（亿片）显示面板出货量情况及预测（亿片）数据来源：数据来源：和辉光电招股说明书和辉光电招股说明书，上海证券研究所，上海证券研究所 小尺寸小尺寸 AMOLED 加速渗透，大尺寸加速渗透，大尺寸 OLED 短期难以形成大短期难以形成大 规模覆盖。规模覆盖。在终端品牌厂商持续导入 AMOLED 以及面板制造厂商 产能逐步释放的加持下，预计短期内中小尺寸OLED的渗透率将进 一步提升。大尺寸 AMOLED 受制于良品率低、制造成本高等因素，短期内难以形成大规模渗透。2020 年全球 AMOLED 面板市场规模 为 343亿美元，预计 2025 年将达到 547亿美元。图图 78 全球全球 AMOLED 市场规模及预测（亿美元）市场规模及预测（亿美元）数据来源：数据来源：和辉光电招股说明书和辉光电招股说明书，上海证券研究所，上海证券研究所 OLED 产能集中在韩国产能集中在韩国和和中国中国，2020 年年 CR3 达达 94.9%。韩国 企业在面板赛道起步较早，积累的经验形成了一定的专利壁垒，年度年度策略策略 请务必阅读尾页重要声明请务必阅读尾页重要声明 49 在行业内拥有较高的话语权。2020 年三星显示全球市占率高达 68.2%，LG 全球市占率为 21.0%。国内面板厂商主要集中在中小尺 寸 OLED 的制造，核心供应商京东方 2020 年全球市占率为 5.7%。随着国内OLED生产线相继投产，国产厂商市占率有望逐步提升。图图 79 2020 年年全球全球 OLED 产业竞争格局产业竞争格局 数据来源：数据来源：UBI，上海证券研究所，上海证券研究所 2021 年中年中-2023 年中京东方、深天马、和辉光电和维信诺对年中京东方、深天马、和辉光电和维信诺对 OLED 设备需求达到设备需求达到 412.30 亿元。亿元。面板产业是典型的资金密集型 与技术密集型产业。根据 Wind 数据统计，2021 半年度年京东方、深天马、和辉光电以及维信诺OLED产线在建工程款共计687.16亿 元。OLED 产线中设备价值量占总投资比例为 60%，经测算，未来 四家 OLED 厂商需要在制造设备端投资 412.30 亿元，我们认为 OLED设备制造企业仍值得关注。表表 15 国内面板企业在国内面板企业在 OLED 在建生产线一览（亿元）在建生产线一览（亿元）生产企业生产企业 生产线名称生产线名称 2018 2019 2020 2021H1 京东方 第 6 代 AMOLED(柔性)生产线-重庆 223.19 第 6 代 AMOLED项目-绵阳 347.54 101.96 95.18 深天马 武汉天马第 6 代 LTPS AMOLED 生产线 99.56 168.12 277.33 和辉光电 第 6 代 AMOLED显示项目 99.55 78.38 85.33 89.05 维信诺 第 5

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东方证券股份有限公司经相关主管机关核准具备证券投资咨询业务资格，据此开展发布证券研究报告业务。东方证券股份有限公司及其关联机构在法律许可的范围内正在或将要与本研究报告所分析的企业发展业务关系。因此，投资者应当考虑到本公司可能存在对报告的客观性 产生影响的利益冲突，不应视本证券研究报告为作出投资决策的唯一因素。有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。深 度 报 告【行 业 证 券 研 究 报 告】电子行业 风光储及新能源车时代，逆变器核心的 电子元器件深度受益 核心观点核心观点 风光先行，储能配置需求急速增长：风光先行，储能配置需求急速增长：碳中和背景下，可再生能源装机量将加 速增长，风电和光伏作为可再生能源的翘楚，其装机量和发电量在总量中的 占比都将大幅提升。中国的风电和光伏发电量占比有望从 2020 年的 10%提 升到 2030 年的 29%。风光发电量占比的提升，导致电网的波动性增加，而 储能作为稳定电网的有效手段之一有望迎来大规模应用，根据阳光工匠光伏 网预测，全球新能储能规模有望从 2021 年的 15GW，增长到 2025 年的 131GW，CAGR 高达 73%，储能市场将会迎来高速增长。新能源时代，逆变器新能源时代，逆变器/PCS 的需求持续增长：的需求持续增长：风电、光伏、新能源车都需要 借助逆变器将直流电转换为交流电，储能更需要双向逆变。风电、光伏、储 能以及新能源车的共振为逆变器/PCS需求带来广阔空间。根据我们的测算，20 年风电、光伏、储能和新能源车所对应的逆变器市场规模为 825 亿元，25 年将增长至 2,153 亿元，20-25 年 CAGR 为 21%，其中风电/光伏/储能/新能源车逆变器市场规模年均增速分别为 6%/15%/75%/33%。逆变器核心电子元器件电容逆变器核心电子元器件电容/电感电感/IGBT 等等深度受益：深度受益：电容/电感/IGBT 等是 逆变器的重要成本组成部分，在原材料成本占比 10%/13%/13%左右。对于 国内电子元器件厂商，一方面受益行业需求高增长，另一方面受益国产替 代。行业需求方面，风光储及新能源车高速发展，将会带动电容/电感/IGBT 等需求持续上行。以 IGBT 等分立器件为例，我们预测风光储以及新能源车 对 IGBT 等分立器件市场需求将从 20 年的 77 亿元增长至 25 年的 202 亿 元，20-25E CAGR 21%。国产替代方面，根据 Wood Mackenzie 的数据，20 年国内光伏逆变器厂商在全球光伏逆变器市场占据六成份额，而上游核 心器件仍掌握在欧美日系厂商手中，电容/电感/IGBT 等国产替代势在必行。国内电容、电感和 IGBT 厂商将深度受益于新能源革命和逆变器产业链国产 化趋势而加速成长。投资建议与投资标的投资建议与投资标的 受益新能源产业旺盛需求，以及政策催化、成本优势、技术突破等因素带来 的国产替代明确趋势，相关的逆变器产业链也将因此受益。我们看好国内逆 变器核心元器件供应商，1）电容方面，建议关注国内领先的电容厂商江海 股份、法拉电子、艾华集团、铜峰电子；2）电感方面，建议关注可立克、京 泉华；3）IGBT 方面，建议关注斯达半导、士兰微、扬杰科技、闻泰科技、华润微、华虹半导体。风险提示风险提示 光伏/风电装机不及预期、新能源车销量不及预期、IGBT 等关键元件短缺风 险、国际贸易条件变化风险、假设条件变化影响测算结果风险。行业评级 看好看好 中性 看淡(维持)国家/地区 中国 行业 电子行业 报告发布日期 2021 年 12 月 22 日 行业表现行业表现 资料来源：WIND、东方证券研究所 相关报告 半导体创新与国产化并重，汽车、VR/AR 空 间广阔：电子行业 2022 年投资策略 2021-12-07 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 风光储及新能源车时代，逆变器核心的电子元器件深度受益 2 目 录 1.风光先行，储能配置需求急速增长.4 1.1 新能源革命到来，风光产业持续快速增长.4 1.2 电力系统稳定性至关重要，储能需求激增.6 2.受益于政策催化和成本下降，未来储能有望崛起受益于政策催化和成本下降，未来储能有望崛起.8 3.受益风光储及新能源车高速增长，逆变器核心器件电容/电感/IGBT 等持续 受益.10 3.1 风光储和新能车促进全球逆变器持续高速增长.10 3.2 逆变器高速增长，带动电容/电感/IGBT 等需求持续上行.13 3.3 需求旺盛叠加国产替代，国内电子元器件厂商迎来机遇.14 4.投资建议投资建议.17 5 风险提示风险提示.18 nMqOtRtNrNyQoMsRvMyQvM9P8Q9PsQnNsQmNeRnMoMiNtRmP7NnNwPwMmPtRuOmPqO 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 风光储及新能源车时代，逆变器核心的电子元器件深度受益 3 图表目录 图 1：多国加大可再生能源开发力度.4 图 2：我国能源结构展望（按发电量统计）.5 图 3：2015-2025 全球光伏新增装机量（GW）.5 图 4：2015-2025 中国光伏新增装机量（GW）.5 图 5：2019-2025 全球&中国风电新增装机量（GW）.5 图 6：电力系统稳定性.6 图 7：储能技术推动能源转型.6 图 8：储能广泛应用于电力系统各个环节.7 图 9：全球新增储能容量预测（GW）.7 图 11：美国风电&光伏装机量占比.10 图 12：2015-2020 美国电化学储能装机量.10 图 13：逆变器工作原理.10 图 14：逆变器/PCS 产业链.11 图 15：PCS 内部.11 图 16：储能逆变器需要更多电子元器件.11 图 17：特斯拉车载储能.12 图 18：30KW 光伏逆变器拆解.12 图 19：2020-2025E 全球逆变器市场空间测算.13 图 20：固德威光伏逆变器原材料采购成本拆分.13 图 21：风光储及新能源车对电容市场需求规模.13 图 22：风光储及新能源车对电感市场需求规模.14 图 23：风光储及新能源车对 IGBT 市场需求规模.14 图 24：2020 年全球光伏逆变器出货量市场份额.14 图 25：2019 年全球铝电解电容器企业市场份额.15 图 26：2019 年全球薄膜电容器企业市场份额.15 图 27：2020 年全球 IGBT 模块市场份额.16 图 28：全球电感行业主要企业竞争结构.16 图 29：2016-2020 年电容各厂商营收增速.17 图 30：2016-2020 年电感各厂商营收增速.17 图 31：2016-2020 年 IGBT 各厂商营收增速.17 图 32：中国 IGBT 产量及需求量.17 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 风光储及新能源车时代，逆变器核心的电子元器件深度受益 4 1.风光先行，储能配置需求急速增长风光先行，储能配置需求急速增长 1.1 新能源革命到来，风光产业持续快速增长 受益于碳中和受益于碳中和背景下的能源结构转型，可再生能源装机量将加速增长。背景下的能源结构转型，可再生能源装机量将加速增长。今年，多个国家及地区先后 宣布在 2050 年前实现碳中和计划，其中我国宣布在 2060 年前实现碳中和。碳中和背景下，国际 能源署预计 2020-2030 年，可再生能源电力需求将增长 2/3，约占全球电力需求增量的 80%。据 国家能源局新能源和可再生能源司司长李创军表示，“十四五”末，可再生能源发电装机占比将从 2021 年 10 月的 43.5%提升到 50%以上。光伏及风电是新能源中的翘楚光伏及风电是新能源中的翘楚，其装机量和发电量在总量中的占比都将大幅提升。，其装机量和发电量在总量中的占比都将大幅提升。装机量方面：装机量方面：据 能源局数据，截止 2021 年 10 月，国内风电装机规模 299GW，光伏发电装机规模为 282GW，均持续保持世界第一，风电、光伏装机量在可再生能源中分别占比 30%、28%。据全球能源互联 网发展合作组织预计，到 2030年，我国风电装机量在总装机量中占比 21%，光伏装机量占比 27%，合计占比近 5 成。2050 年我国风电装机量在总装机量中占比 29%，光伏装机量占比 46%，合计占 比近 8 成。发电量方面：发电量方面：预计风力发电量占总发电量的比重将从 2020 年的 6%提升到 2030 年的 18%，光伏发电的比重将从2020年的4%提升到2030年的11%，2030年两者合计占比接近30%，前景广阔。图 1：多国加大可再生能源开发力度 国家国家 目标目标 韩国 2034 年所有燃煤电厂退役，可再生能源在能源结构所占比例将从 2021 年的 15.1%提高到 40%。法国 2030 年电力供给中可再生能源发电占比将达到 40%，其中，风电占比预 计达到 20%。智利 到 2030 年将可再生能源占该国能源总量的比例提高至 70%，到 2040 年 所有煤电厂彻底关停。巴西 到 2035 年，巴西电力产业总投资规模将超过 300 亿美元，其中 70%将 用于太阳能光伏、风电、生物质能及海洋能等可再生能源技术。德国 到 2030 年、2050 年，可再生能源发电量占比分别达到 65%和 80%，可 再生能源消费分别占终端能源消费的 30%和 60%。日本 到 2050 年，日本可再生能源供应量将在 2020 年基础上增加近三倍，占 到全国电力的 50%至 60%。英国 到 2030 年将 20 太瓦时的能源从化石燃料转向低碳能源，这相当于英国 2019 年所有可再生能源的 17%。数据来源：新华网、国家能源局、北极星太阳能光伏网、能源界、中国石油新闻中心、东方证券研究所 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 风光储及新能源车时代，逆变器核心的电子元器件深度受益 5 光伏新增装机量有望持续高增长光伏新增装机量有望持续高增长。根据 CPIA 预测，乐观情况下，我国到 25 年总装机规模将达到 694GW，相当于 2020 年底的 2.7 倍；全球光伏年新增装机到 2022 年将首次突破 200GW，达到 225GW 的水平，到 25 年，全球年新增年装机将达到 330GW，20-25E CAGR 为 20%。图 3：2015-2025 全球光伏新增装机量（GW）图 4：2015-2025 中国光伏新增装机量（GW）数据来源：CPIA、东方证券研究所 数据来源：CPIA、东方证券研究所 风电有望新一轮高速增长期。风电有望新一轮高速增长期。根据 GWEC 历史数据，我们预测全球风电 2025 年新增年装机量将 增至达 140GW，其中我国风电新增将达 67GW。全球 21-25 年均新增装机量将达 112GW，21-25E CAGR 将达 13%，未来前景广阔。130 170 225 270 300 330 30.2 32 38.443 53 70 102106 115 130 150 180 210 240 270 0 50 100 150 200 250 300 350 乐观情况 保守情况 48.2 65 75 90 100 110 2.7 4.5 10.9 10.615.13 34.5 53 44.26 30.1 48.2 55 60 70 80 90 0 20 40 60 80 100 120 乐观情况 保守情况 图 2：我国能源结构展望（按发电量统计）数据来源：中国电力发展报告 2020、落基山研究所、东方证券研究所 图 5：2001-2025E 全球&中国风电新增装机量（GW）煤,64%水,17%光,4%风,6%核,5%气,3%生物质,1%煤,43%水,15%光,11%风,18%核,8%气,3%生物质,2 20 2030 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 风光储及新能源车时代，逆变器核心的电子元器件深度受益 6 1.2 电力系统稳定性至关重要，储能需求激增 系统稳定是电网安全运行的首要条件，风光大规模并网为系统稳定性带来更大挑战。电网运行中种 种随机性的扰动（负荷突变、雷电、设备故障等）都会造成电力系统的不稳定，而且风光在总装机 量中的占比不断增加，使得其先天具有的间歇性、波动性、低惯性、强随机性对电力系统的稳定性 造成更大冲击，另外电力电子器件接入产生的大量谐波也将加剧电网的脆弱，这为系统稳定性带来 更大挑战。图 6：电力系统稳定性 图 7：储能技术推动能源转型 数据来源：海湾安全公司、东方证券研究所 数据来源：赛迪智库、北极星储能网、东方证券研究所 储能系统储能系统能有效提高了电力系统能有效提高了电力系统的的稳定性。稳定性。在光伏电站中，从储能和光伏并离网切换产生暂态冲击 的根本原因为切入点，引入电流补偿，将储能电池功率转换系统跟随光伏功率输出，减少暂态冲击 从而实现平滑切换。在风储协调控制中，基于风电机组利用变比例系数进行调速策略、储能系统充 放电功率实时跟踪、风电出力预测偏差策略等控制策略，实现了平滑风电出力目标。数据来源：GWEC、东方证券研究所 0 20 40 60 80 100 120 140 160 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021E 2022E 2023E 2024E 2025E 海外中国全球风电 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 风光储及新能源车时代，逆变器核心的电子元器件深度受益 7 除了提高电力系统的稳定性，储能还可以用于电力系统各个环节除了提高电力系统的稳定性，储能还可以用于电力系统各个环节。发电侧：储能可以实现电力调峰、系统调频、辅助电网动态运行、实现可再生能源并网；电网侧：可缓解电网阻塞、延缓输配电扩容 升级；用电侧：可实现电力自发自用、峰谷价差套利、容量电费管理和提升功供电可靠性等功能。储能应用场景的广泛性和必要性推动着储能的需求进一步增加。储能应用场景的广泛性和必要性，使得储能应用场景的广泛性和必要性，使得全球储能规模迅速增长。全球储能规模迅速增长。截至 2020 年底，全球部署的储能 系统规模为 17GW，根据阳光工匠光伏网预测，2021 年全球将新增 15GW，25 年新增 131GW，21-25E CAGR 高达 73%，储能规模高速增长趋势已现。图 8：储能广泛应用于电力系统各个环节 数据来源：派能科技招股说明书、东方证券研究所 图 9：全球新增储能容量预测（GW）数据来源：阳光工匠光伏网、东方证券研究所 0P00 0%0 20 40 60 80 100 120 140 2019年2020年2021E2022E2023E2024E2025E 全球储能新增量（GW）同比增速 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 风光储及新能源车时代，逆变器核心的电子元器件深度受益 8 2.受益于受益于政策催化和成本下降，未来储能有望政策催化和成本下降，未来储能有望崛起崛起 中国中国储能迎来爆发元年储能迎来爆发元年 十四五阶段我国累计投运新型储能有望超过十四五阶段我国累计投运新型储能有望超过 100GW。“十四五”期间南方电网计划投资 6700 亿 元，推动新能源配套储能 20GW；国家电网计划投入 3500 亿美元（约合 2.23 万亿元），推进电 网转型升级，国家电网的规模约为南网的 5 倍，保守估计新型储能建设有望达到 80-100 GW；2021 年中国新型储能总装机 3.3 GW，仅仅考虑南网和国网两家，十四五阶段保守预计增长将超仅仅考虑南网和国网两家，十四五阶段保守预计增长将超 30 倍。倍。我国提出新能源配比具体要求我国提出新能源配比具体要求，各地出台储能鼓励政策。各地出台储能鼓励政策。目前共有 20 余省要求配置储能，配置比 例基本不低于 10%，其中河南、陕西部分要求达到 20%。图 10：储能相关的地方政策汇总 省份&城市 储能政策 湖南省 1、加快推进“新能源 储能”模式，对新增风电按照装机容量 20%配置储能，新增光伏按照装机容量 10%配置储能 青海省 1、实行“新能源储能”一体化开发模式。新建新能源项目配置储能设备比例不低于 10，储能时长 2 小时以上；2、对储能配比高、时间长的一体化项目给予优先支持；3、实行“水电新能源储能”协同发展模式，新建、新投运水电站同步配置新能源和储能系统，使新增水电、新能源、储能容量配比达到 1：2：0.2；4、对“新能源储能”、“电新能源储能”项目中自发自储设施所发售的省内电网电量，给予每千瓦时 0.10 元运营补贴，经省工业和信息化厅 认定使用本省产储能电池 60以上的项目，再增加每千瓦时 0.05 元补贴；5、补贴对象为 2021、2022 年投产的电化学储能项目。宁夏省 1、新能源项目储能配置比例不低于 10、连续储能时长 2 小时以上；2、原则上新增项目储能设施与新能源项目同步投运，存量项目在 2021 年底前完成储能设施投运 3、从 2021 年起，对于达到以上要求的新增新能源企业，在同等条件下优先获得风光资源开发权；对于达到以上要求的储能项目，支持参与电力辅助 服务市场。山西大同市 1、大同市增量新能源项目全部配置储能设施，配置比例不低于 5；存量新能源项目鼓励企业分期适量配置，优先对微电网、增量配电、独立园区等 具备条件的用户配置；2、储能产品的起点标准要达到单体电芯容量 280Ah 及以上，循环寿命8000 次（25，0.5C 充放，容量80）。内蒙古自治区 1、到 2025 年，全区可再生能源电力总量消纳责任权重力争达到 25以上；2、督促各市场主体，通过配套储能设施、可调节负荷、自备机组参与调峰、火电灵活性改造等措施，提升可再生能源电力消纳能力；3、负荷调节电量、自备机组调峰电量、储能项目在接受电网统一调度运行管理下所发电量、风电供暖项目所用电量，全部认定为消纳可再生能源电量 山东省 1、建立独立储能共享和储能优先参与调峰调度机制，新能源场站原则上配置不低于 10储能设施。全省新型储能设施规模达到 20 万千瓦左右；2、电源侧，重点推动莱州土山昊阳“光伏储能”、国能蓬莱电厂热储能、华能黄台电厂电化学储能等项目建设；电网侧，加快推动沂蒙、文登、潍 坊和泰安二期抽水蓄能电站建设；用户侧，重点推动煤炭领域“储能”应急电源、电力需求响应等场景示范应用，建成 1-2 个示范工程。1、新增集中式风电、光伏发电项目，原则上按照不低于 10%比例配建或租赁储能设施，连续充电时间不低于 2 小时；2、风电、光伏发电项目按比例要求配建或租赁储能示范项目的，优先并网，优先消纳；3、明确示范标准，调峰项目接入电压等级为 110KV 及以上，功率不低于 5 万千瓦、连续充电时间不低于 2 小时；联合火电机组调频项目单体功率不 低于 0.3 万千瓦，综合调节性能指标 Kpd 值不低于 90%；4、示范项目参与电网调峰时，累计每充电 1 小时给予 1.6 小时的调峰奖励优先发电量计划。贵州省 1、已投产的风电、光伏发电项目应在投产一年内配套储能；新建的风电、光伏发电项目应按照“同步规划、同步设计、同步建设、同步投产”的原则 配套储能；2、储能建设规模不应低于电网测算建议配置的规模；对自建储能困难的企业可购买同等容量的储能服务；3、统筹全省风电、光伏发电项目开发建设管理，并建立全省风电、光伏发电项目库，未列入规划项目库的风电、光伏发电项目，原则上不得核准（备 案）。陕西省 1、关中、陕北新增 10 万千瓦（含）以上集中式风电、光伏发电项目按照不低于装机容量 10配置储能设施，其中榆林地区不低于 20；2、新增项目储能设施按连续储能时长 2 小时以上，储能系统满足 10 年（5000 次循环）以上工作寿命，系统容量 10 年衰减率不超过 20标准进行 建设，且须与发电项目同步投运；3、鼓励地方政府或大型企业牵头在升压站附近配置集中式储能电站。有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 风光储及新能源车时代，逆变器核心的电子元器件深度受益 9 海南省 1、全省集中式光伏发电平价上网项目实施总规模控制，具体由省发展改革委根据 2021 年度及“十四五”期间全省可再生能源电力消纳责任权重确 定。每个申报项目规模不得超过 10 万千瓦，且同步配套建设备案规模 10%的储能装置。河南省 1、对储能配置比例不低于 10、连续储能时长 2 小时以上的新能源项目，在同等条件下优先获得风光资源开发权，由电网企业优先并网、优先保障 消纳；2、鼓励各类市场主体与储能产业领军企业合作，建设共享储能电站。新能源企业可以租用或购买服务等形式配用储能，租赁容量视同其配建储能容 量，发挥储能“一站多用的共享作用；3、给出全省新能源电力消纳指引，I 类地区要求配置 10%，2h；II 类地区 15%，2h；III 类地区 20，2h 以上基础储能。广西省 1、2021 年度风电、光伏竞争性配置评分办法中，配置储能项最高可得 15 分 河北省 支持风电、光伏发电项目按 10%左右比例配套建设储能设施 山西省 建议新增光伏发电项目应统筹考虑具有一定用电负荷的全产业链项目，配备 15%-20%储能，落实消纳协议 江苏省 进一步降低谷期电价，拉大峰谷价差，充分发挥峰谷电价移峰填谷作用，鼓励储能产业发展；浙江省 浙江衢州出台“新能源 储能”配套电力支持政策，鼓励建设新一代电网友好型新能源电站，要求储能设施按照发电装机容量的 10%配置，在保障新 能源高效消纳利用的同时，为电力系统提供一定的容量支撑和调节能力。浙江文成、仙居、湖州等地政府先后出台相关政策，支持新能源项目按照 10%装机容量配置储能。安徽省 1.积极支持开展源网荷储一体化项目，探索“光伏 储能”、光伏制氢、光伏直供电等新模式。将支持光伏产业发展、大力优化能源结构列入全省碳 排放达峰行动方案重点任务，支持有条件的地区和企业开展光伏项目碳减排量的核算和交易试点；2.拓展消纳能力。贯彻落实国家关于建立健全可再生能源电力消纳保障机制的相关要求，为光伏发电消纳创造空间。构建以新能源为主体的新型电力 系统，加快推进数字化电网建设，优化电网调节能力，提高光伏发电上网消纳能力。拓展分布式光伏应用市场，打破分布式光伏发电市场化交易机制 壁垒，推动光伏建筑一体化项目建设。福建省 1、项目建设原则上年内开工并网，要求储能配置不低于开发规模的 10%江西省 申请参与全省 2021 年新增光伏发电竞争优选的的项目，可自愿选择光储一体化的建设模式，配置储能标准不低于光伏电站装机规模的 10%容量/1 小 时，储能电站原则上不晚于光伏电站同步建成。对符合建设条件的光储一体化项目将在竞争优选评分中给予倾斜支持。湖北省 针对风光火互补基地、风光水（抽水蓄能）基地、是风光火（水）储基地分门别类的进行调峰配置，可配置的新能源项目规模小于基地规模的，不足 部分（基地规模与可配置的新能源项目规模之差）应按照化学储能容量不低于 10%、时长不低于 2 小时、充放电不低于 6000 次的标准配置储能。广东省 广东省积极支持汕尾市发展风电、光伏、储能等新能源，重点支持发展海上风电发展。云南省 云南电网召开了新能源 8 3 项目业主电网建设规划会议，会议通气了十四五期间开始规模启动新能源储能的有关事项，建议配置风电光伏储能，不强 制执行，但需要下接入中进行论证规划，并作为项目接入论证的必要条件。甘肃省 鼓励在建存量 600 万风光电项目按河西 5 市（酒泉、嘉峪关、张掖、金昌、武威）配置 10%-20%,其他地区按照 5%-10%配置配套储能设施，储能 设施连续储能时长均不小于 2 小时。对配置储能设施的项目业主，我委将在后续新增项目竞争性配置方面给予支持。西藏自治区 科学开发光伏、地热、风电、光热等新能源，加快推进“光伏储能”研究和试点，大力推动“水风光互补”，推动清洁能源开发利用和电气化走在 全国前列。新疆维吾尔自 治区 1.喀什地区叶城县:新建地面集中式光伏发电项目 5 万千瓦，配套储能设施充电小时数不低于 2 小时；2.喀什地区塔什库尔干：新建地面集中式光伏发电项目 5 万千瓦，配套储能设施充电小时数不低于 2 小时；3.喀什地区巴楚县：新建地面集中式平价光伏发电项目 25 万千瓦，配套储能设施充电小时数不低于 2 小时；4.喀什地区莎车县：新建 20 万千瓦地面集中式光伏发电项目，配套光伏侧储能设施，且充电小时数不低于 2 小时；5.地区 2021 年新增光发电项目总规模 20 万千瓦，初步分成 4 个标段、每个标段 5 万千瓦。规划“光伏 农业（畜牧等）”多产业融合项目优先入 选。发电规模根据建设条件灵活设置，县（市）间可整合使用。纳入开发建设光伏发电项目需按不低于 10%的装机比例配置储能项目建设规模，储能 项目与光伏发电项目要求一体开发，同时开工、同步建设。天津市 1.单体容量不超过 5 万千瓦的项目，可不配套建设储能设施，得 20 分；单体容量超过 5 万千瓦的项目，承诺配套建设储能设施比例达到最低要求（光伏发电 10%、风电 15%）或提供相应调峰能力的，得 20 分；在此基础上，储能设施配比每增加 1%,得分加 2 分，直至满分（30 分）。2.储能设施应按照连续储能时长不低于 1 小时，系统工作寿命 10 年以上的标准配置，且在发电项目并网后两年内建成投运。新疆 明确对根据电力调度机构指令进入充电状态的电储能设施所充电的电量进行补偿，补偿标准为 0.55 元/千瓦时 苏州市 按发电量（放电量）补贴 3 年，每千瓦时补贴业主单位 0.3 元。数据来源：各省市政府官网、东方证券研究所整理 美国储能市场迎来快车道美国储能市场迎来快车道 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 风光储及新能源车时代，逆变器核心的电子元器件深度受益 10 成本下降与政策推动，成本下降与政策推动，美国储能行业美国储能行业迎来爆发期迎来爆发期。2012 年前，美国风电&光伏装机量渗透率不到 5%，电池储能尚无经济性；13 年起，风光装机比重至快速增长，20 年占比近 20%。与此同时，美国电池储能开始增长，主要得益于电池储能 LCOS 不断降低，产业经济性凸显，同时 FERC841 法案允许其参与电力批发和辅助服务市场，盈利模式逐步确立。据 BNEF 统计，20 年美国电化学 储能新增装机容量 1.1GW，同比增长 175%，累计装机容量 2.7GW。随着未来美国新能源发电 量占比的进一步提升，储能功率配比势必要增加，这将极大刺激储能装机量的增长。图 10：美国风电&光伏装机量占比 图 11：2015-2020 美国电化学储能装机量 数据来源：EIA、东方证券研究所 数据来源：BNEF、东方证券研究所 3.受益风光储及新能源车高速增长，逆变器核心器件受益风光储及新能源车高速增长，逆变器核心器件 电容电容/电感电感/IGBT 等等持续受益持续受益 3.1 风光储和新能车促进全球逆变器持续高速增长 逆变器是新能源发电设备的核心组件。逆变器是新能源发电设备的核心组件。逆变器是把直流电能（电池、蓄电瓶）转变成定频定压或调 频调压交流电（一般为 220V,50Hz 正弦波）的转换器。它由逆变桥、控制逻辑和滤波电路组成。发电设备需要借助逆变器将直流电转换为交流电，才能将产生的电能并入电网或者供负载使用，同 时需要把电网的交流电整流为直流电，给储能系统充电。0%5 %0%风光装机量占比 0 1 2 3 201520162017201820192020 年增装机功率GW累计装机功率GW 图 12：逆变器工作原理 数据来源：KIA、东方证券研究所 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 风光储及新能源车时代，逆变器核心的电子元器件深度受益 11 电容、电感、电容、电感、IGBT 等等为逆变器产业链的核心组件。为逆变器产业链的核心组件。逆变器产业链上游为电子元器件供应商，包括 半导体元器件、电容、集成电路、电感和散热器等，中游为逆变器厂商，下游为 EPC 承包商、终 端电站业主、集成安装商，具备技术壁垒高、覆盖面广等特点。图 13：逆变器/PCS 产业链 图 14：PCS 内部 数据来源：东方证券研究所整理 数据来源：产业信息网、东方证券研究所 储能储能 PCS 对电子元器件需求量更大对电子元器件需求量更大。储能 PCS 是连接电池和电网的中间能量转换环境，把电池 的直流电转化为交流电并网，或者是把电网的交流电转换成直流电充到电池里面。PCS 是双向变 流器，有充电和放电两个方向的能量控制。因此需要更多的电子元器件。以电容为例，单台储能逆 变器电容用量比光伏逆变器多 44%的用量。图 15：储能逆变器需要更多电子元器件 单台并网逆变器生产耗用量单台并网逆变器生产耗用量(件、个、套，台件、个、套，台)单台储能逆变器生产耗用量单台储能逆变器生产耗用量(件、个、套，台件、个、套，台)机构件 125400 300400 电感 2045 3545 IGBT 等 100360 250320 电容 340750 730840 集成电路 4090 85108 控制组件 512 1217 PCB 线路板 611 1317 连接器 45320 100150 变压器 530 1218 包装类 2050 3035 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 风光储及新能源车时代，逆变器核心的电子元器件深度受益 12 汽车电气化进程加速，新能源车相比传统燃油汽车需要更多电流转换部件，驱动电子元器件需求汽车电气化进程加速，新能源车相比传统燃油汽车需要更多电流转换部件，驱动电子元器件需求 量攀升。量攀升。充电线路：充电线路：需要将交流充电桩提供的交流电转换为直流电，才能给车载高压锂离子电池充电。汽车驱动线路：汽车驱动线路：需要将电池输出的直流电转换为 220V 交流电。传统负载线路：传统负载线路：电压相对较低，如空调、雨刮器等采用 12V 电压，而电池输出为 48V 甚至更 高的电压，需要大量的电压转化模块（DC-DC）模块进行电压转换。图 16：特斯拉车载储能 图 17：30KW 光伏逆变器拆解 数据来源：电车资源、东方证券研究所 数据来源：EDN 电子技术设计、东方证券研究所 逆变器测算与关键假设：逆变器测算与关键假设：风电市场：风电市场：假设 2021 年风电变流器的平均价格为 0.3 元/W，以后价格每年下降 2%。据我们的测 算，2021 年全球风电逆变器规模为 261 亿元，到 2025 年将增长到 389 亿元，20-25E CAGR 为 6%。光伏市场：光伏市场：假设 2021 年光伏逆变器的价格为 0.25 元/W，2021 以后为价格年降 2%。2021 年 全球光伏逆变器规模为 400 亿元，到 2025 年将增长到 692 亿元，20-25E CAGR 为 15%。储能市场：储能市场：假设储能 PCS 2021 年的价格为 0.4 元/W，21-23 年 PCS 价格年降为 10%，2024 年 及以后年降为 5%。据我们的测算，2021 年全球储能 PCS 市场规模为 60 亿元，到 2025 年将增 长到 383 亿元，20-25E CAGR 为 75%。新能源汽车市场：新能源汽车市场：假设 2021 年新能源汽车逆变器价格约为 3000 元/辆，假设单车逆变器 2022 年 价格下降幅度为 5%，2023 年及以后年降为 2%。根据我们的测算，全球新能源汽车逆变器市场规 模 2021 年为 270 亿，到 2025 年将增长到 690 亿元，20-25E CAGR 为 33%。根据我们的测算，2020 年风、光、储和新能源车所对应的逆变器市场规模为 825 亿元，2025 年将 增长至 2153 亿元，20-25 年 CAGR 为 21%。数据来源：固德威公告、东方证券研究所 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。HeaderTable_TypeTitle 电子行业深度报告 风光储及新能源车时代，逆变器核心的电子元器件深度受益 13 图 18：2020-2025E 全球逆变器市场空间测算 2020 2021E 2022E 2023E 2024E 2025E 20-25E CAGR 风电新增装机量（GW）93 87 100 114 123 141 9%风电逆变器规模（亿元）294 261 293 327 348 389 6%光伏新增装机量（GW）130 160 203 240 270 300 18%光伏逆变器规模（亿元）342 400 496 576 635 692 15%储能新增装机量（GW）5 15 33 54 90 131 90%储能 PCS 规模（亿元）24

67人已浏览 2021-12-23 18页 5星级

服务器是增长主要驱动，20H2 拉货动能有待观望云计算厂商资本开支回暖，疫情推动需求扩容，20H1 服务器供不应求。从19 年三季度开始，数据中心持续加大采购，2019 年底相关存储开始普涨;20Q1 服务器供应链急单备货，企业级固态硬盘涨价幅度扩大，而三星、英特尔的企业级SSD，以及美光的 DRAM 甚至发生缺货。随着欧美国家逐渐解封，数据中心和服务器客户将从三季度逐步缩减拉货力道。值得注意的是，三方IDC 的需求相比互联网巨头自建数据中心更为稳健。服务器规格提升驱动相关内存/闪存位元需求全年增长 38%/29%。英特尔在投资者会议上表示，下半年企业端服务器需求预计环比减弱，部分服务器 ODM 厂商也表示下半年企业采购缩减或影响需求;我们判断全球服务器出货量四个季度分别同比增长：10%、15%、10%、5%，全年将增长 9.7%，达到 1,320 万台。虽然20H2 服务器增长或将放缓，但英特尔 Ice Lake 处理器预计于下半年推出，6 通道升级为 8 通道将驱动存储规格升级，服务器全年 DRAM/NAND 位元需求增长38%/29%，达到5,431/35,603 百万GB。

126人已浏览 2021-09-23 30页 5星级

存储器芯片：存储上行周期已至，供不应求IC 载板下游市场之一是存储器芯片。中国 IC 载板公司主要面向存储芯片，重点是 NAND FLASH，DRAM 产品。中国 IC 载板先驱厂商兴森科技主打存储类载板，产品广泛应用于手机 PA 及服务器使用的内存条、SSD 硬盘使用的 NAND Flash，移动设备中的存储 MMC 等。深南电路存储载板定位高端市场，这类产品对基板的轻薄细密要求很高，公司目前已经接洽全球比较大的 NAND FLASH厂商，并计划渗透韩国和中国台湾存储类基板的市场份额。公司同时为国内长江存储、合肥常鑫等存储器芯片厂商提供配套 IC 载板产品，未来成长潜力很大。存储芯片是影响电子产品读取数据速度的重要元器件。为了更加方便的理解存储芯片的作用，如果把执行一段完整的程序比喻成制造一个产品，那么存储芯片相当于仓库，而处理器相当于加工车间。为了提高产品制造的速度，提升加工车间的效率是一个方法，也就是提高处理器的性能;还有一个方法就是缩短原材料从仓库到加工车间的时间，设置一个临时的小仓库，堆放目前专门生产的产品的原材料，可以大大缩短制造时间。大仓库相当于存储芯片中的闪存，而小仓库则相当于存储芯片中的内存，对于电子产品的运行都不可或缺，因此它们在产品的应用范围上有着很高的重合度。应用最广泛的存储产品为 DRAM、NAND 和 Nor。在众多的存储芯片中，应用最为广泛的为内存 DRAM 和闪存 NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM 一般作为计算机 CPU 实时处理数据时的存储介质，NAND 一般用作大容量存储介质，Nor一般用作物联网设备中的小容量存储介质。内存不同于闪存，虽然它们都是处理器处理所需数据的载体，但是内存的作用是提供了一个处理当前所需要数据的空间，它的空间容量较闪存小，但读取数据的速度更快，就像 VIP 通道一样，它为当前最需处理的数据提供了快速的通道，使得处理器能够快速获取到这些数据并执行。智能终端是 DRAM 市场增长主要驱动因素。DRAM 下游领域中，智能终端及其他移动设备领域占比最大，2018-2020 年占比均超过 35%，服务器为 DRAM 的第二大应用领域，2018-2020 年占比约为 25%-30%，第三大领域为消费电子市场，2018-2020 年占比约为 15-18%。PC 领域占比约为 12%-14%。绘图用 DRAM市场占比较小。DRAM 市场增长空间大。DRAM 市场规模在 2017-2018 年呈快速上涨趋势，市场规模从 2016-2018 年的 721 亿美元增长到 2018 年的 999 亿美元，2019 年因半导体整体处于下行周期，DRAM 市场规模下降到 622 亿美元，2020 年 DRAM市场规模恢复到 659 亿美元。未来 DRAM 市场成长空间很大，Gartner 预测 2022年 DRAM 市场规模将突破 1100 亿美元。

1019人已浏览 2021-08-25 28页 5星级

数字制造、工业智能给 MCU 市场带来新的发展机遇。工业控制智能化需要通过工业物联网设备和边缘计算设备实时采集、传输和处理数据，然后依靠有效的数据分析模型实现可预测性的维护、更好的能源效率和更高的生产效率。MCU 是实现工业控制智能化的核心部件，在各种机电设备执行计算、处理、控制功能。根据研究机构 Prismark，2019-2023 年全球工业控制市场规模年均复合增长率为 3%，到 2023 年全球工业控制市场规模将达到 2600 亿美元。国内厂商 MCU 产品出货量增长迅速。工控用 MCU 在性能、可靠性等方面的要求介于消费级和车规级之间。中国工业 MCU 市场中，海外厂商占据 90%的市场份额。近几年国内厂商在工控 MCU 方面发展迅速，MCU 产品出货量、销售收入逐年上升。例如，专注智能电表领域的上海贝岭，其 2020 年 MCU 产品收入达 2.35 亿元，销量达 1.84 亿颗，同比增长 12%。MCU 在汽车中应用广泛，数量占比达三成。汽车电子是全球 MCU 最大的下游应用领域，占比超过 1/3。纵观整个汽车电子芯片领域，MCU 主要作用于最核心的安全与驾驶方面，自动驾驶（辅助）系统的控制，中控系统的显示与运算、发动机、底盘和车身控制等，应用范围十分广阔。在一辆汽车所装备的所有半导体器件中，MCU 大概占三成。一辆传统汽车需要用到 70 颗以上的 MCU 芯片，智能汽车的需求量甚至超过 300 颗。汽车智能化发展为 MCU 带来广阔成长空间。随着汽车朝着自动化、电动化、智能化、网联化发展，将大幅拉动 MCU 的需求，同时因为系统复杂度日益增加,车用 MCU 逐渐由 8/16 位升级到 32 位。以 ADAS 系统为例,Level 2 车型就搭载了自适应巡航、车道保持、紧急制动刹车等功能,其中大量使用的车载传感器和车载摄像头需要高性能的 MCU 来做模拟数据的处理与驱动控制,未来更高级别的自动驾驶系统有望加速 MCU 市场的增长。根据 IC Insights 数据显示，2020全球的车规级 MCU 市场规模为 65 亿美元，预计 2023 年将增长至 88 亿美元。车规级 MCU 具有较高的行业壁垒，全球市场由海外厂商垄断。前文提到，车规级半导体产品在工作温度、寿命、良率、认证标准等指标要求严苛，同时认证过程复杂，一家从未涉足国汽车电子的供应商若想进入整车厂商的供应链体系至少要花费两年左右的时间。另外整车厂替代意愿不强，倾向于使用已通过验证的MCU 产品，而非导入新厂商的产品。较高的行业壁垒使得车规级 MCU 市场具备较高的市场集中度。根据 Strategy Analysis，2020 年海外厂商瑞萨电子、恩智浦、英飞凌、赛普拉斯、德州仪器、微芯科技、意法半导体市占率达到 98%。国内车规级 MCU 起步晚，仅少数厂商能量产车规级 MCU 产品，如杰发科技、比亚迪、芯旺微、赛腾微电子、中微半导体等，其余厂商处在产品研发或认证阶段。

65人已浏览 2021-07-29 75页 5星级

公司覆盖车灯全系列产品，车规经验丰富，营销渠道、产能均有保障。公司的车灯芯片主要包括 LED 驱动芯片、触控传感芯片、DC/DC 芯片、车用微处理器芯片等。目前，也正着力研发面向汽车应用的 LIN、CAN、G.vn 接口的网络传输产品、应用于汽车和高端消费类市场的灯效 FxLED驱动芯片、各种 LED 车灯驱动芯片、汽车 DC/DC 调节芯片、触控传感芯片等，部分产品进行了样品生产和风险试产，部分产品获得客户验证，正在逐步进行量产，车用微处理器新产品也在批量生产，近几年将逐渐向车规市场导入。公司深耕车规市场多年，凭借丰富的车规经验，渠道和产能均有保障，未来 3 年来自车规市场收入占比有望大幅提升。收入增速快，且毛利率较高。矽成的 Analog 业务收入体量较小，2018 年实现收入 2.8 亿元，同比增长 116.63%，2019 年前五个月实现收入 1.1 亿元；虽然收入体量相对小，但由于其产品主要面向汽车、工业、医疗及高端消费类市场，因此其毛利率水平较高，2017、2018 年毛利率分别达到55.88%和 54.99%。目前来自车规市场收入占比较小，但随着产品逐步向车规市场导入，受益于车灯智能化与 LED 化，来自于车规市场的收入快速提升，如 21 年 Q1 来自车规市场业务收入同比增长超 50%。自 1942 年监控设备在德国记录使用以来，全球监控市场经历了从模拟CCTV 到数字视频监控再到网络视频监控的阶段。随着智慧城市、智慧交通、智慧园区、智慧物流的兴起，以及大数据、云计算和物联网等高新技术的迅猛发展，智能视频监控开始兴起，视频监控应用也从金融、公安、交通、电信等传统安防领域扩展至教育、医疗卫生、安全生产等新兴应用领域，以及智能楼宇、社区、居民安防等民用领域。视频监控的安防属性逐渐被物联网属性取代，用户的个性化需求成为行业重要增长点。海思逐步退出市场为北京君正等新晋厂商带来发展机遇。从市场格局来看，传统安防领域，IPC SoC 芯片受益于网络摄像机的广泛应用以及前端智能化趋势的推动，是国内各大安防芯片厂商竞争的焦点和重点开拓方向。此前该市场最主要的厂商包括海思、德州仪器（TI）、安霸、富瀚微、国科微、北京君正等。其中海思凭借其出色的性价比，占据市场超 60%以上的份额。但 2020 年 5 月海思受到美国制裁，预计逐步退出市场，这将为北京君正等新晋厂商带来发展机会。智能安防爆发催动 AI IPC 芯片需求大增，预计中国市场规模将超 18 亿元，3 年 CAGR 约 45%。随着智能化趋势的到来，智能摄像头以及相应的视频分析应用将成为视频安防监控行业重要的新增长点。如在智能家居领域，通过家用视觉产品（监控摄像头、电子猫眼等）传递的视频信息可以随时掌握家中财务和人员的安全情况，并通过摄像头视频对话。摄像头具有多元化的应用场景，是实现智能家居最基本的条件。根据 Strategy Analytics的研究报告显示，2023 年全球消费者在智能家居监控摄像机的支出将达到97 亿美元。IDC 预计 2022 年我国 AI 摄像头出货量将达到 3458 万个，年均复合增长率 71.63%。我们测算到 2023 年，中国 AI IPC 芯片市场规模将达 18.67 亿元，3 年 CAGR 达到 44.80%。

98人已浏览 2021-07-23 28页 5星级