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1、证券研究报告行业研究/行业点评2025 年 11 月 10 日行业及产业电子SK hynix 发布存储新路线,重塑 AI 时代新架构电子行业周报(2025/11/03-11/07)强于大市投资要点:存储芯片涨价带动其他电子上涨。本周(2025/11/03-11/07)SW 电子行业指数(-0.09%),涨跌幅排名 21/31 位,沪深 300 指数(+0.82%)。SW 一级行业指数涨跌幅前五别为:电力设备(+4.98%),煤炭(+4.52%),石油石化(+4.47%),钢铁(+4.39%),基础化工(+3.54%),涨跌幅后五分别为:美容护理(-3.10%),计算机(-2.54%),医药生物
2、(-2.40%),汽车(-1.24%),食品饮料(-0.56%)。本周 SW 电子三级行业指数涨跌幅前三分别是:其他电子(+4.88%),被动元件(+4.85%),印制电路板(+4.32%);涨跌幅后三分别是:品牌消费电子(-3.60%),模拟芯片设计(-2.25%),集成电路封测(-1.58%)。事件:11 月 4 日,SK hynix CEO Kwak Noh-Jung 在韩国首尔举办的“SK AI Summit 2025”峰会上,正式宣布公司转型“全线 AI 存储创造者”的新愿景,同时揭晓了包含定制化高带宽内存(Custom HBM)、AI 专用 DRAM(AI-D)及 AI 专用 NA
3、ND(AI-N)在内的三大存储新路线。SK hynix正式公布2026-2031年产品规划,将分阶段推出HBM系列(Standard与Custom双线),同步推进 AI 专用存储(AI-D、AI-N 系列)及通用 DRAM、Standard NAND 产品的规模化落地。1)HBM 领域,公司 2026-2028 年推出 HBM4 16 层堆叠产品,HBM4E起供应定制化方案,2029-2031 年进入 HBM5 世代;2)AI DRAM 产品线细分为三大方案,AI-D Optimization 聚焦低功耗高性能以降本提效;AI-D Breakthrough 凭借超大容量内存与灵活分配特性;AI
4、-D Expansion 拓展应用至机器人、移动性及工业自动化等领域;3)AI NAND聚焦三大应用领域,AI-N Performance主打高性能以适配大规模 AI 推理数据处理,计划2026年底前推出新结构 NAND 及控制器样品,AI-N Bandwidth 通过晶粒垂直堆叠扩宽带宽,结合 HBM 堆叠结构与高密度低成本 NAND 弥补 HBM 容量限制,AI-N Density 聚焦密度提升,以超大容量强化成本优势,提供低功耗低成本的海量 AI 数据存储方案。存储器分为易失性(含 DRAM、SRAM 等)与非易失性(含 NAND FLASH 等)两类,全球存储市场呈持续增长且寡头垄断的
5、格局。据 DRAMeXchange 与 TrendForce 数据,2024 年DRAM、NAND 市场规模分别达 958.63 亿美元、656.35 亿美元,DRAM 作为核心品类占据存储芯片主导地位,2025Q2 占比达 68.32%,SK hynix、Samsung、Micron 三大头部厂商合计掌控 DRAM 超 90%市场份额。江波龙作为全球领先的半导体存储品牌厂商,为客户提供高端、灵活、高效的全栈式存储定制解决方案。公司核心业务涵盖 NAND Flash 与 DRAM 存储模组的设计、封装测试及销售,产品覆盖数据中心、汽车电子、物联网、安防监控等专业领域。2024 年,公司实现营业
6、收入 174.64亿元(同比+72.48%),2022-2024 年复合增长率达 44.79%;2024 年公司毛利率为 19.05%,同比提升 10.86 个百分点。公司营收增长主要得益于优化产品组合(如加快企业级高性能eSSD布局)、完善全球工厂布局以强化封测技术、加强品牌建设提升客户忠诚度;公司产品布局聚焦消费电子与数据中心领域。投资建议:头部存储厂商纷纷向 AI 领域倾斜,聚焦 HBM、AI 专用存储等高附加值品类,传统存储受产能供需紧张带动存储芯片价格持续上涨。江波龙(301308 SZ)是国内存储模组龙头企业,产品精准聚焦 AI 服务器、数据中心等核心场景的相关存储需求,深度契合行