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1、请务必仔细阅读正文之后的评级说明和重要声明请务必仔细阅读正文之后的评级说明和重要声明证券研究报告证券研究报告电子电子|半导体半导体非金融非金融|首次覆盖报告首次覆盖报告hyzqdatemark投资评级投资评级:买入买入(首次)(首次)证券分析师证券分析师葛星甫SAC:S联系人联系人市场表现:市场表现:基本数据基本数据20252025 年年 0202 月月 0707 日日收盘价(元)138.56一 年 内 最 高/最 低(元)143.55/64.13总市值(百万元)92,012.04流通市值(百万元)91,863.52总股本(百万股)664.06资产负债率(%)11.93每股净资产(元/股)24
2、.02资料来源:聚源数据兆易创新兆易创新(603986.SH)(603986.SH)传统业务稳步增长,DRAM 业务推动公司再上新台阶投资要点:投资要点:兆易创新是一家专注于存储器件兆易创新是一家专注于存储器件、MCUMCU 及传感器解决方案领域的半导体设计类公司及传感器解决方案领域的半导体设计类公司。公司的核心产品线包括闪存(Nor、SLC NAND)、内存(DRAM)、微电子控制芯片(MCU)、智能人机交互传感器芯片等。基本盘产品持续丰富基本盘产品持续丰富,市占率稳重有升市占率稳重有升。公司在 Nor 领域市占率持续爬升,据 Web-FeetResearch 报告显示,公司 2023 年
3、Serial NOR Flash 市占率排名进一步提升至全球第二位。产品战略上,公司核心拓展大容量、高性能、低功耗、低电压等产品系列。公司目前是中国排名第一的 32 位 ARM 通用型 MCU 供应商,已成功量产 51 个产品系列、超过 600+款 MCU 产品,实现对高性能、主流性、入门级、低功耗、无线、车规、专用产品的全面覆盖。公司 NAND Flash 产品方面已经实现 38nm 和 24nm 两种制程全面量产,并正在以 24nm 为主要工艺制程,容量覆盖 1Gb8Gb,其中 SPI NAND Flash 在消费电子、工业、汽车电子等领域实现了全品类的产品覆盖。利基利基 DRAMDRAM
4、 内存业务依托产品扩张持续增长内存业务依托产品扩张持续增长。公司 DRAM 产品品类持续扩张,陆续推出DDR3L、DDR4、LPDD4x 产品,目前已经覆盖 DDR 3L 1Gb-8Gb、DDR4 4Gb/8Gb、LPDDR 4x 16-32 Gb,覆盖度持续提升。根据公司于 2024 年 11 月发布的兆易创新关于调整部分募投项目、新增募投项目并将部分募集资金永久补充流动资金的公告,公司将 DRAM 芯片研发及产业化项目 进行调整,未来将持续推动 DDR3、DDR4、LPDDR4和 LPDDR5 的研发工作,根据闪存市场资讯,公司在陆续补齐小容量 DDR 4 和 LPDDR4后将开启 LPD
5、DR 5 的研发工作。根据公司日常关联交易预计额度的公告,公司 2022 年年度自研 DRAM 交易金额为 2.75 亿元,2024 年达到 9.22 亿元,增幅达到 235.3%。2024年上半年预计交易额度 3.84 亿元,根据最新发布的预计额度公告,预计 2025 年上半年将达到 5.89 亿元,同比增长 53.4%。随着公司产品品类的持续扩张,公司业绩有望实现长期持续增长。多层多层 DRAMDRAM 市场方兴未艾市场方兴未艾,公司有望受益本次行业性技术变革公司有望受益本次行业性技术变革。多层 DRAM 存储器件是一类将多层 DRAM 存储芯片堆叠在一起的技术,可以实现容量、带宽的显著提
6、升,以扩张高容量、高带宽的场景,其中 HBM、CUBE 方案均为典型多层 DRAM。目前先进的DDR 5、LPDDR 5 DRAM 存储器,受限于其接口数量,带宽难以大幅提升。HBM 通过大幅提升接口数(64 个至 HBM 3 的 1024 个,未来可以达到 2048 个)实现了带宽的跃升,HBM 3 带宽可达到 819 GB/s,远高于传统 DDR 5 51.2 GB/s 的带宽。同时,在进行堆叠之后,产品容量可以实现大幅提升,该类型产品已经被广泛用于数据中心中。CUBE是“半定制化紧凑型超高带宽 DRAM”的缩写,其主要面向低功耗、高带宽,以及稍微中低容量内存需求场景。通过多个 I/O 接