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1、证券研究报告|首次覆盖报告 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 gszqdatemark 中微公司（中微公司（688012.SH）国产国产刻蚀刻蚀+MOCVD 龙头龙头，加速打造高端装备加速打造高端装备平台平台 二十二十余余载砥砺前行，载砥砺前行，国产高端装备平台国产高端装备平台领军者领军者。中微公司成立于 2004 年5 月，当前公司已形成以刻蚀设备、MOCVD 设备为基，向薄膜沉积设备、量检测设备等拓展的平台化发展格局。公司目前等离子体刻蚀设备技术能力达到 5 纳米级以下，未来还将继续开发更先进工艺水平，市占率持续提升并不断收到领先客户批量订单。MOCVD 设备在 Mini

2、LED 等氮化镓基设备领域市场占据领先地位，未来还将持续开发用于氮化镓、碳化硅等功率器件及 Micro-LED 器件制造的 MOCVD 设备。24H1 实现薄膜设备的首台销售，公司还在规划多款 CVD 和 ALD 设备，增加薄膜设备覆盖率。伴随高研发转换效率，公司营收业绩稳健增长，收入和归母净利润分别从 2018年的 16.39/0.9 亿元增长到 2024 年的约 90.65/16.3 亿元，复合增速分别达到 33.0%/61.7%。CCP 领域技术领先，领域技术领先，ICP 设备付运势头强劲设备付运势头强劲。刻蚀是半导体图案化过程的核心工艺，全球范围来看，LAM、AMAT、TEL 等企业占

3、据市场主导地位。受益于芯片向更先进制程演进及存储器件垂直化发展，叠加多重曝光下刻蚀工艺步骤提升，刻蚀设备重要性进一步提升。中微公司凭借系列刻蚀设备组合处于刻蚀创新技术前沿，市占率大幅提升，截至 2024 年第三季度，公司累计交付 CCP 反应台超 3800 个，设备覆盖 28 纳米以上逻辑器件制造绝大部分 CCP 刻蚀应用，公司 ICP 设备拥有 700+反应台在线生产，覆盖 95%以上刻蚀应用。其中，Nanova 单台机订单年增长超 100%迅速扩大市占率，PrimoUD-RIE 已在生产线验证具有刻蚀60：1 深宽比结构量产能力，TSV 新工艺验证成功，推动我国高端半导体制造设备达到新高度

4、。薄膜沉积设备研发薄膜沉积设备研发转换高效转换高效布局布局，MOCVD 应用领域拓宽应用领域拓宽。薄膜沉积设备是芯片制造三大核心设备之一，按工艺原理不同，可分为 PVD、CVD 和ALD，2025 年全球薄膜沉积设备市场规模预计达 239.6 亿美元，目前行业由 AMAT 和、Lam 和 TEL 等企业垄断，国产厂商份额提升空间广阔。中微公司持续推进多款薄膜沉积设备研发项目，至 2024 年中已实现六种设备高效研发交付及客户量产验证，钨系列薄膜沉积产品全面覆盖存储器件钨应用，公司 LPCVD 薄膜设备已经顺利进入市场，2024 年收到 4.76 亿元批量订单，实现销售收入 1.56 亿元。同时

5、，公司深耕 MOCVD 领域，在全球氮化镓基 LED MOCVD 设备市场占据领先地位。盈利预测及盈利预测及投资建议：投资建议：我们预计公司 2025/2026 年实现营收 120.7/158.0亿元，实现归母净利润 25.5/35.6 亿元，实现毛利率 42.9%/43.9%，对应PE 为 49/35x，具备估值优势，首次覆盖，给予“买入”评级。风险提示：风险提示：研发进展不及预期、客户导入进展不及预期、数据滞后性风险、行业竞争加剧。买入买入（首次首次）股票信息股票信息 行业 半导体 03 月 13 日收盘价（元）199.69 总市值（百万元）124,279.81 总股本（百万股）622.3

6、6 其中自由流通股（%）100.00 30 日日均成交量（百万股）10.50 股价走势股价走势 作者作者 分析师分析师 郑震湘郑震湘 执业证书编号：S0680524120005 邮箱： 分析师分析师 佘凌星佘凌星 执业证书编号：S0680525010004 邮箱： 分析师分析师 刘嘉元刘嘉元 执业证书编号：S0680525010002 邮箱： 相关研究相关研究 1、中微公司（688012.SH）：扣非业绩大增，刻蚀龙头内生外延打造旗舰平台 2022-08-14 2、中微公司（688012.SH）：一季度刻蚀高速增长，全年双业务放量可期 2022-05-09 3、中微公司（688012.SH）：

7、刻蚀能力进一步提高，MOCVD 业务拐点来临 2022-04-01 财务指标财务指标 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 营业收入（百万元）4,740 6,264 9,065 12,074 15,801 增长率 yoy（%）52.5 32.1 44.7 33.2 30.9 归母净利润（百万元）1,170 1,786 1,626 2,552 3,560 增长率 yoy（%）15.7 52.7-8.9 56.9 39.5 EPS 最新摊薄（元/股）1.88 2.87 2.61 4.10 5.72 净资产收益率（%）7.6 10.0 8.6 12.1 14.8 P/E（倍）1

8、06.2 69.6 76.4 48.7 34.9 P/B（倍）8.0 7.0 6.6 5.9 5.2 资料来源：Wind，国盛证券研究所 注：股价为 2025 年 03 月 13 日收盘价 -30%-10%10%30%50%70%2024-032024-072024-112025-03中微公司沪深3002025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.2 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 财务报表和主要财务比率财务报表和主要财务比率 资产负债表（资产负债表（百万元）利润表（利润表（百万元）会计年度会计年度 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E

9、会计年度会计年度 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 流动资产流动资产 14655 15087 18803 22649 27293 营业收入营业收入 4740 6264 9065 12074 15801 现金 7326 7090 8338 9185 10646 营业成本 2572 3393 5211 6894 8866 应收票据及应收账款 713 1213 1628 2108 2885 营业税金及附加 15 12 34 35 45 其他应收款 27 10 39 46 51 营业费用 409 492 517 652 830 预付账款 35 112 102 152 221

10、管理费用 236 344 517 646 830 存货 3402 4260 6217 8666 10952 研发费用 605 817 1496 1727 2236 其他流动资产 3153 2401 2480 2493 2537 财务费用-151-87-35-33-27 非流动资产非流动资产 5380 6438 7094 7138 7158 资产减值损失-20-11-5-5-5 长期投资 979 1020 1020 1020 1020 其他收益 102 124 181 266 326 固定资产 336 1988 1988 1988 1988 公允价值变动收益 63-203 30-20 30 无形

11、资产 590 687 687 687 687 投资净收益 74 787 308 459 632 其他非流动资产 3474 2744 3400 3444 3464 资产处置收益-5 0-3-5-4 资产总计资产总计 20035 21526 25897 29788 34451 营业利润营业利润 1263 1980 1793 2811 3960 流动负债流动负债 3919 3624 6839 8580 10245 营业外收入 0 33 10 10 10 短期借款 0 0 0 0 0 营业外支出 5 3 3 8 13 应付票据及应付账款 960 1305 2041 2642 3427 利润总额利润总额

12、 1259 2010 1800 2813 3957 其他流动负债 2959 2319 4798 5939 6818 所得税 91 226 175 264 401 非流动负债非流动负债 633 79 150 150 162 净利润净利润 1168 1784 1625 2549 3556 长期借款 500 0 0 0 12 少数股东损益-2-2-2-3-4 其他非流动负债 133 79 150 150 150 归属母公司净利润归属母公司净利润 1170 1786 1626 2552 3560 负债合计负债合计 4552 3702 6989 8730 10407 EBITDA 1123 1485 1

13、789 2822 3987 少数股东权益-1-3-5-8-12 EPS（元/股）1.88 2.87 2.61 4.10 5.72 股本 616 619 619 619 619 资本公积 12647 13317 13317 13317 13317 主要财务比率主要财务比率 留存收益 2218 3880 5268 7420 10410 会计年度会计年度 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 归属母公司股东权益 15484 17826 18913 21065 24056 成长能力成长能力 负债和股东权益负债和股东权益 20035 21526 25897 29788 34451

14、营业收入(%)52.5 32.1 44.7 33.2 30.9 营业利润(%)11.4 56.8-9.4 56.7 40.9 归属母公司净利润(%)15.7 52.7-8.9 56.9 39.5 获利能力获利能力 毛利率(%)45.7 45.8 42.5 42.9 43.9 现金流量表（现金流量表（百万元）净利率(%)24.7 28.5 17.9 21.1 22.5 会计年度会计年度 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E ROE(%)7.6 10.0 8.6 12.1 14.8 经营活动现金流经营活动现金流 618-977 2357 919 1517 ROIC(%)5.7

15、 6.3 8.3 11.8 14.5 净利润 1168 1784 1625 2549 3556 偿债能力偿债能力 折旧摊销 142 176 25 42 57 资产负债率(%)22.7 17.2 27.0 29.3 30.2 财务费用-119-71 0 0 0 净负债比率(%)-43.9-36.8-42.6-42.3-43.1 投资损失-74-787-308-459-632 流动比率 3.7 4.2 2.7 2.6 2.7 营运资金变动 -409-2238 1024-1278-1488 速动比率 2.8 2.8 1.7 1.5 1.5 其他经营现金流-90 159-9 65 23 营运能力营运能

16、力 投资活动现金流投资活动现金流-2887 1827-346 370 548 总资产周转率 0.3 0.3 0.4 0.4 0.5 资本支出-1504-867-557-89-84 应收账款周转率 8.4 7.0 6.9 7.2 6.9 长期投资-1371 2202 0 0 0 应付账款周转率 3.0 3.0 3.1 2.9 2.9 其他投资现金流-13 492 211 459 632 每股指标（元）每股指标（元）筹资活动现金流筹资活动现金流 482 223-755-442-604 每股收益(最新摊薄)1.88 2.87 2.61 4.10 5.72 短期借款 0 0 0 0 0 每股经营现金流

17、(最新摊薄)0.99-1.57 3.79 1.48 2.44 长期借款 500-500 0 0 12 每股净资产(最新摊薄)24.88 28.64 30.39 33.85 38.65 普通股增加 0 3 0 0 0 估值比率估值比率 资本公积增加 359 670 0 0 0 P/E 106.2 69.6 76.4 48.7 34.9 其他筹资现金流-378 49-755-442-616 P/B 8.0 7.0 6.6 5.9 5.2 现金净增加额现金净增加额-1718 1085 1247 847 1461 EV/EBITDA 47.7 59.7 65.0 40.9 28.6 资料来源：Wind

18、，国盛证券研究所 注：股价为 2025 年 03 月 13 日收盘价 2025 03 21年 月 日 yWjVpPsNvNxOqNtN6MaO9PtRrRmOqNeRnNnOjMpNoP9PqQvMwMsRsMuOnNsO gszqdatemark P.3 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 内容目录内容目录 1、深耕半导体高端制造装备，打造平台型龙头.5 1.1 二十余年砥砺前行，成就刻蚀设备+MOCVD 设备龙头.5 1.2 核心团队产业经验深厚，股权激励彰显长期发展信心.7 1.3 业绩高速增长，持续研发保驾护航.9 1.4 兼顾外延性发展，全球化多领域布局.12 2、半导

19、体设备市场空间广阔，国产替代加速渗透.14 2.1 刻蚀设备：国内厂商产品覆盖度稳步提升.15 2.2 刻蚀设备国内领先，瞄准国内科技前沿.20 3、薄膜设备需求提升，市场规模持续扩大.25 3.1 薄膜沉积设备：芯片制造三大核心设备之一.25 3.2 薄膜设备技术水平先进，持续研发新品层出.28 3.3 MOCVD 设备国际领先，紧跟行业前沿研发进展顺利.31 4、盈利预测及投资建议.35 5、风险提示.38 图表目录图表目录 图表 1：公司发展历程.5 图表 2：中微反应台累计数量（台）.6 图表 3：中微三维发展战略.7 图表 4：高管及核心技术成员.8 图表 5：公司股权结构.9 图表

20、 6：2024 年股权激励计划方案.9 图表 7：公司营收及同比增速（亿元）.10 图表 8：公司归母净利润及同比增速（亿元）.10 图表 9：公司毛利率和净利率水平.10 图表 10：公司费率情况.10 图表 11：公司分业务营收（亿元）.11 图表 12：分业务毛利率.11 图表 13：研发费用及占比（亿元）.11 图表 14：存货与合同负债情况（亿元）.11 图表 15：中微公司三维发展战略.12 图表 16：中微公司各研发基地.13 图表 17：全球半导体设备市场规模及同比（亿美元）.14 图表 18：分地区半导体设备销售额（十亿美元）.14 图表 19：全球半导体设备细分.14 图表

21、 20：2013 年到 2023 年半导体芯片前道设备年均增速.14 图表 21：全球半导体晶圆产能（等效 8 英寸片，月产能）.15 图表 22：刻蚀过程重点：移除不需要材料.16 图表 23：刻蚀类别.16 图表 24：按作用机理分各类刻蚀特征.17 图表 25：按刻蚀材料分各类刻蚀特征.17 图表 26：2022 年干法刻蚀细分占比（百万美元）.18 图表 27：电感耦合等离子体刻蚀反应腔.18 图表 28：ICP 等离子刻蚀机设备结构示意图.18 图表 29：电容性等离子体刻蚀反应腔.19 图表 30：2022 年全球刻蚀机企业竞争格局.19 图表 31：不同制程集成电路生产所需刻蚀工

22、序次数.20 图表 32：10 纳米多重模板工艺原理，涉及更多次刻蚀.20 图表 33：存储器件从 2D 到 3D 结构的转变使等离子体刻蚀成为最关键的加工步骤.20 2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.4 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 34：Primo Nanova 累计安装机台数量.21 图表 35：中微公司开发 CCP 和 ICP 单台机和双台机.21 图表 36：中微公司 CCP 刻蚀产品系列及发展路线.22 图表 37：中微公司 ICP 产品研发历史和产品系列.22 图表 38：Primo SD-RIE 可有效应对一体化大马士革刻蚀

23、工艺需求.23 图表 39：中微公司 Primo TSV 设备.23 图表 40：中微公司 Nanova 设备.24 图表 41：ALD、CVD、PVD 成膜效果示意图.25 图表 42：薄膜沉积设备分类.26 图表 43：薄膜沉积设备细分占比.26 图表 44：工艺升级带动薄膜沉积工序数提升.27 图表 45：ALD 在多重曝光中的应用.27 图表 46：NAND 发展趋势.27 图表 47：2023 年薄膜沉积设备细分格局.28 图表 48：中微公司四款 LPCVD-ALD 导体薄膜沉积设备进入市场.29 图表 49：中微公司 ALD 设备.29 图表 50：中微公司 LPCVD 设备.3

24、0 图表 51：中微公司 Preforma Uniflex HW 设备.31 图表 52：中微公司 Preforma Uniflex AW 设备.31 图表 53：GaN 和 SiC 应用潜力较大.31 图表 54：中微公司 PRISMO D-Blue 设备.32 图表 55：中微公司 PRISMO A7 设备.32 图表 56：中微公司 PRISMO HiT3 设备.32 图表 57：中微公司 PRISMO UniMax 设备.33 图表 58：中微公司 PRISMO PD5 设备.33 图表 59：中微公司分业务收入毛利拆分.36 图表 60：费用率假设情况.37 图表 61：可比公司估值

25、情况.37 2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.5 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 1、深耕深耕半导体半导体高端制造装备高端制造装备，打造平台型龙头打造平台型龙头 1.1 二十余年二十余年砥砺前行，成就刻蚀设备砥砺前行，成就刻蚀设备+MOCVD 设备龙头设备龙头 深耕深耕半导体设备领域半导体设备领域，创新创新引领国内半导体设备技术发展。引领国内半导体设备技术发展。中微公司成立于 2004 年，是一家以中国为基地、面向全球的微观加工高端设备公司，为集成电路和泛半导体行业提供高端设备和服务，在半导体设备制造产业拥有多年耕耘积累的专业技术。公司由MOCVD

26、 和刻蚀设备起步，逐渐拓展至 LPCVD、ALD 等薄膜沉积及其他设备，跨足半导体芯片前端制造、先进封装、发光二极管生产、MEMS 制造以及其他微观制程的高端设备领域，其开发的用于 LED 和功率器件外延片生产的 MOCVD 设备在全球氮化镓基 LED MOCVD 设备市场占据领先地位。自成立以来，公司致力于开发微观加工的半导体设备，引领国内半导体设备技术发展。图表1：公司发展历程 资料来源：公司官网，国盛证券研究所 瞄准刻蚀设备、瞄准刻蚀设备、MOCVD 科技前沿，坚持自主创新。科技前沿，坚持自主创新。公司的等离子体刻蚀设备已批量应用在国内外一线客户从 65 纳米到 14 纳米、7 纳米和

27、5 纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线，并覆盖了多种先进工艺芯片加的工制造和封装环节。公司注重于研发与创新，开发的 CCP、ICP、薄膜沉积设备、深硅刻蚀机、MOCVD 等五类设备均达到国际先进水平。公司 MOCVD 设备已实现在客户生产线上大规模量产，并在全球氮化镓基 LED MOCVD 设备市场取得了优势地位。截止 2024 年年中，公司累计已有5164 台等离子刻蚀和化学薄膜反应台，在国内外 131 条生产线全面实现量产和大量重复性销售。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.6 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表2：中微反应台

28、累计数量（台）资料来源：公司公告，国盛证券研究所 1）CCP 设备：设备：公司电容性刻蚀机已进入 2D 和 3D 存储器生产线，拥有 300+反应台进入国际 5nm 及以下生产线，3600+反应台在线生产。公司已有 CCP 刻蚀产品已经覆盖28 纳米以上逻辑器件制造的绝大部分 CCP 刻蚀应用，其中 Primo-DRIE，Primo AD-RIE可以满足绝大多数 28 纳米以上 CCP 刻蚀制程的需求，双反应台 Primo AD-RIE-e 配备动态调温静电吸盘，可调节电极间距的双反应台 Primo SD-RIE 与多家客户达成评估意向，目前实验室开发进展顺利。公司的成熟产品可以覆盖存储器件制

29、造中的绝大部分应用，同时公司针对超高深宽比刻蚀自主开发的具有大功率 400kHz 偏压射频的 Primo UD-RIE已在生产线验证出具有刻蚀60：1 深宽比结构的量产能力。公司积极布局超低温刻蚀技术，投入大量资源在超低温静电吸盘和新型刻蚀气体研究上，积极储备更高深宽比结构刻蚀的前卫技术。2）ICP 设备：设备：拥有 700+反应台在线生产，可应用于 95%以上的 ICP 刻蚀，Nanova 单台机订单年增长超 100%，Primo Nanova 系列产品在客户端安装腔体数近三年实现70%的年均复合增长。首台 Primo-Twin Star 200 付到客户端开展 Meta Lens 的产线上

30、认证。公司 ICP 技术设备类中的 8 英寸和 12 英寸深硅刻蚀设备 Primo TSV 200E、Primo TSV 300E 在多个成熟市场继续获得重复订单的同时，在 12 英寸的 3D 芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户新建的世界第一条 12 英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，为公司 Primo TSV 300E 刻蚀设备拓展了新的市场。同时公司根据国内工艺需求开发了Primo Menova Al刻蚀设备，并和多个客户开展铝线刻蚀工艺的合作开发。3）MOCVD 设备设备：自主开发、生产了 UniMax 等三代设备用于照明和先进显示，以及深紫外芯片生产设备。PRISM

31、O UniMax 产品，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到广泛认可，在 Mini-LED 显示外延片生产设备领域处于国际领先地位；开发的用于氮化镓功率器件生产的 MOCVD 设备 PRISMO PD5 已交付多家国内外领先客户进行生产验证，并取得重复订单；基于产业界的新需求，正开发下一代用于氮化镓功率器件制造的新型 MOCVD 设备，以进一步提升公司在该领域的市场竞争力。4）薄膜沉积设备：）薄膜沉积设备：公司薄膜沉积设备拥有高输出的双反应台系统，开发了原子层气象沉积金属钨设备满足三维填充需求，以及具备表面处理能力的化学气象沉积金属钨设备，实现 3D 存储器验证通过。已完成多个逻辑和

32、存储客户对 CVD/HAR/ALD W 钨设备的样品验证，应用于高端存储和逻辑器件的 ALD 氮化钛设备稳步推进，实验室测试显示其薄68921272343374295687321004132017232362331143315164010002000300040005000600020102012201420162018202020222024H12025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.7 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 膜均一性和产能均为世界领先水平。在现有设备研发基础上，公司已规划并开发多款CVD和 ALD 设备，增加薄膜设备的覆盖率并进一步拓展市场

33、。内生外延双轮驱动高速发展。内生方面：内生外延双轮驱动高速发展。内生方面：公司坚持“四个十大”的企业文化，持续推进三维发展战略。秉承“攀登勇者，志在巅峰”企业精神，不断攀登新的技术和发展高峰，不断加强管理和研发能力，形成了优秀的技术和管理团队持续研发创新并推出有市场竞争力的产品。外延方面：外延方面：公司不断践行外延式发展策略，在集成电路、泛半导体设备领域深入创新，在其他战略新兴领域，聚焦环境保护设备的“中微惠创”、开发中小企业营运软件系统的“中微汇链”以及布局大健康领域的“芯汇康”都取得了良好进展，共同推动公司实现高速、稳定、健康和安全的发展。公司同时积极探索在相关领域的投资机会，公司诸多参股

34、投资的公司营运表现良好，形成了良好的产业链协同效应。图表3：中微三维发展战略 资料来源：公司公告，国盛证券研究所 1.2 核心团队产业经验核心团队产业经验深厚深厚，股权激励彰显长期发展信心，股权激励彰显长期发展信心 核心团队核心团队深耕深耕半导体行业半导体行业，专业能力卓越专业能力卓越。公司董事长及创始人尹志尧博士拥有近 40 年半导体行业经验，自 1984 年起，先后任职英特尔、泛林半导体、应用材料等国际前沿半导体公司，是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者。尹志尧博士凭借其卓越的领导能力和突出的行业贡献。公司其他高管同样具备丰厚产业经验，多年深耕技术一线，形成卓越的技术研发团队，指

35、导公司攻坚克难，加速高端产品开发及推出。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.8 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表4：高管及核心技术成员 姓名姓名 职务职务 履历履历 尹志尧 董事长 总经理 中国科学技术大学学士，加州大学洛杉矶分校博士。1984 年至 1986 年，就职于英特尔中心技术开发部，担任工艺工程师；1986 年至 1991 年，就职于泛林半导体，历任研发部资深工程师、研发部资深经理；1991 年至 2004 年，就职于应用材料，历任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官；2004年

36、至今，担任中微公司董事长及总经理。陈伟文 副总经理、财务负责人 厦门大学学士、美国阿拉巴马大学硕士。1996 年至 1999 年，担任普华永道会计师事务所审计师；1999 年至 2000 年，担任可口可乐公司总部财务分析师；2000 年至 2005 年，担任霍尼韦尔国际总部资深内审员及中国区飞机引擎分部财务总监；2006 年至 2007 年，担任耶路全球中国国际运输财务总监；2007 年至 2008 年，担任海王星辰连锁药店集团财务总监兼副总经理；2009 年至 2010 年，担任盛大科技财务总监；2010 年至 2012 年，担任阿特斯太阳能集团副总经理兼财务总监；2012 年至今，任中微公

37、司副总经理、财务负责人。丛海 副总经理、刻蚀产品部总经理 新加坡国立大学硕士研究生。1995 年至 2002 年，担任新加坡特许半导体蚀刻资深工程师；2002 年至 2003 年，担任美国台积电海外厂蚀刻资深工程师；2003 年至 2018 年，担任新加坡 GlobalFoundries 研发部门蚀刻部技术总监；2018 年至今，担任中微公司集团副总裁，刻蚀和外延产品部总经理。陶珩 副总经理、LPCVD 产品部和公共平台工程部总经理 上海交通大学硕士研究生。1997 年至 2002 年，担任武汉理工大学校办工厂机械工程师；2002 年至 2003 年担任捷锐气压设备（上海）有限公司机械工程师；

38、2003 年至 2005 年担任精技机电（上海）有限公司机械工程师。2005 至今，历任中微公司执行总监、副总裁、集团副总裁，LPCVD 产品部和公共平台工程部总经理、CVD 产品部及公共工程部总经理。张凯 副总经理、平板设备产品部总经理 浙江大学机械电子工程专业学学士。1998 年至 2000 年，就职于上海光华仪表厂，担任电子系统研发工程师；2000 年至 2004 年，就职于美国应用材料中国公司，历任客户服务工程师、CPI 产品技术经理；2004 年至 2018 年，就职于美国 Veeco Instruments 公司，历任中国区技术服务总经理、销售总监等职务；2018 年加入中微公司，

39、曾任 MOCVD 业务副总经理，目前担任公司副总裁兼平板设备产品部总经理，中微广州公司总经理。陈煌琳 ICP 产品部总经理 台湾工业技术学院学士。2000 年至 2018 年，就职于泛林半导体，任职资深客户服务经理；2018 年加入中微公司，现任中微公司副总裁，ICP 产品部总经理。何伟业 LPCVD 产品部总经理 南京大学学士，硕士。2007 年至 2010 年，就职于中芯国际逻辑技术研发部，担任工艺工程师；2011 年至 2021 年，就职于应用材料（中国）有限公司，历任技术主管，产品经理；2021 年加入中微公司，现任中微 LPCVD 产品部总经理。姜勇 MOCVD 产品部副总经理 上海

40、交通大学工学学士，上海交通大学工学硕士。2005 年加入中微公司，现任中微公司副总裁，MOCVD 产品部副总经理。刘志强 CCP 刻蚀部总经理 北京清华大学学士，硕士。2002 年至 2004 年，就职于中芯国际集成电路制造有限公司，担任蚀刻工艺工程师；2004 年至 2008 年，担任新加坡特许半导体蚀刻主任工程师。2008 年加入中微公司，现任中微公司副总裁，CCP 刻蚀部总经理。资料来源：IFinD，公司公告，国盛证券研究所 公司无实际控股人，第一大股东上海创业投资有限公司持股 15.05%，第二大股东巽鑫投资有限公司持股 13.04%，香港中央结算有限公司持股 5.47%，为第三大股东

41、。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.9 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表5：公司股权结构 资料来源：IFinD，国盛证券研究所（数据截止至 24 年三季报）股权激励股权激励绑定绑定核心人核心人才，提升企业才，提升企业长期长期竞争力竞争力。公司秉承扁平化的全员股权激励原则，对不同层级员工均给予股权激励，建立健全了公司激励机制，充分调动人员积极性，有助于吸引专业人才，绑定核心技术人员，提升团队凝聚力，推动公司长期稳健发展。图表6：2024 年股权激励计划方案 归属期归属期 考核年考核年度度 使用营业收入使用营业收入 业绩考核目标业绩考核目标 公司层

42、面归属公司层面归属比例比例 第一个归属期 2024 2024 年营业收入 X对标企业算术平均增长率 100%对标企业算术平均增长率*0.8=X对标企业算术平均增长率 80%X对标企业算术平均增长率*0.8 0 第二个归属期 2025 2024 年、2025 年营业收入累计值 同第一归属期 100%80%0 第三个归属期 2026 2024 年、2025 年和 2026年营收累计值 同第一归属期 100%80%0 第四个归属期 2027 2024 年、2025 年、2026 年和 2027 年营收累计值 同第一归属期 100%80%0 资料来源：IFinD，国盛证券研究所 1.3 业绩高速增长，

43、持续研发保驾护航业绩高速增长，持续研发保驾护航 营收营收业绩持续稳步增长业绩持续稳步增长。中微公司 2023 年实现营收 62.64 亿元，同比上升 32.15%，其中，刻蚀设备销售约 47.03 亿元，同比增长约 49.43%。2023 年实现归母净利润 17.86亿元，同比上升 52.67%。公司 2024 年前三季度营收 55.07 亿元，同比上升 36.27%，24Q3 实现营收 20.59 亿元，同比增长 35.96%。2024 年前三季度实现归母净利润 9.13亿元，同比下降 21.28%，24Q3 实现归母净利润 3.96 亿元，同比增长 152.63%。2025 03 21年

44、月 日 gszqdatemark P.10 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 根据公司 2024 年业绩快报，2024 年营收约 90.65 亿元，yoy+44.73%。其中刻蚀设备收入 72.77 亿元，yoy+54.73%；MOCVD 收入 3.79 亿元，yoy-18.03%；LPCVD 薄膜设备 2024 年实现首台销售，全年设备销售约 1.56 亿元，公司营收增长主要系公司的刻蚀设备及薄膜设备持续获得众多客户的认可，高端产品新增付运量及销售额显著提升。全年归母净利润 16.26 亿元，yoy-8.93%。扣非净利润 13.88 亿元，yoy+16.52%。公司归母净利

45、润下降主要系大幅加大研发投入，且 2023 年公司出售了持有的部分拓荆科技股份有限公司股票，产生税后净收益约 4.06 亿元。单季度来看，24Q4 实现营收约 35.58亿元，yoy+60.1%；其中刻蚀设备收入约 28.64 亿元，yoy+56.2%；归母净利润 7.13 亿元，yoy+13.9%；扣非净利润 5.75 亿元，yoy+25.8%。图表7：公司营收及同比增速（亿元）图表8：公司归母净利润及同比增速（亿元）资料来源：IFinD，国盛证券研究所 资料来源：IFinD，国盛证券研究所 盈利水平盈利水平呈上升呈上升趋势趋势，费率水平持续优化费率水平持续优化。公司毛利率水平自 2019

46、年的 34.93%上升至2024前三季度的42.22%。净利率水平自2019年9.69%上升至2024前三季度的16.56%，有一定幅度上升。2024 年 Q1-Q3 毛利率与净利率较 2023 年略有下降，主要系公司显著加大研发投入，且 2023 年公司出售了持有的部分拓荆科技股份有限公司股票，而 2024年公司并无该项股权处置收益，由于市场波动，公司 2024Q1-Q3 计入非经常性损益的股权投资收益增加。公司销售费用与管理费用整体呈下降趋势，尽管由于加大市场开拓力度与公司规模扩大、员工数量增多等情况，费用上升，但公司费用管理能力不断优化，同时营收体量扩大，规模效应凸显，费用率稳中有降。图

47、表9：公司毛利率和净利率水平 图表10：公司费率情况 资料来源：IFinD，国盛证券研究所 资料来源：IFinD，国盛证券研究所 0.0%10.0%20.0%30.0%40.0%50.0%60.0%0.010.020.030.040.050.060.070.02019202020212022202324Q1-Q3营业总收入yoy-40.0%-20.0%0.0%20.0%40.0%60.0%80.0%100.0%120.0%140.0%160.0%180.0%0.02.04.06.08.010.012.014.016.018.020.02019202020212022202324Q1-Q3归母净

48、利润yoy0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%35.00%40.00%45.00%50.00%2019202020212022202324Q1-Q3毛利率净利率-5.00%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%2019202020212022202324Q1-Q3销售费用管理费用财务费用综合费率2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.11 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 刻蚀设备营收高增。刻蚀设备营收高增。公司刻蚀设备营收高速增长，由 2019 年 8.13 亿元增长至 2023 年47.03

49、 亿元，2024 年上半年刻蚀设备收入 26.98 亿元，同比增长约 56.68%，占营业收入的 78.26%。备品备件 2023 年营收创新高，达到 9.71 亿元，MOCVD 设备营收有一定下降，2024 年上半年收入 1.52 亿元，主要因为公司在蓝绿光 LED 生产线和 Mini-LED 产业化中保持领先的地位，该终端市场近两年处于下降趋势。图表11：公司分业务营收（亿元）图表12：分业务毛利率 资料来源：IFinD，公司公告，国盛证券研究所 资料来源：IFinD，公司公告，国盛证券研究所 大力投入研发大力投入研发，拓展平台化布局拓展平台化布局。公司近年持续加大研发投入，2024 年前

50、三季度公司研发费用 9.14 亿元，同比增长约 81.92%，研发人员数量从 2019 年 276 人增长至 2023 年788 人，2024 年中研发人员占比达到 46.38%，历年累计申请专利 2648 项，已获授权专利 1670 项。不断增长的研发投入和研发人员占比，有助于推动公司技术创新和产品升级，保障产品市场竞争力，提升企业发展潜能，为公司的长远发展奠定坚实基础。在手订单饱满。在手订单饱满。公司 2023 年合同负债达 7.72 亿元，较 2022 年有一定下降。公司存货金额 2024 前三季度达 78.2 亿元，充分体现公司在手订单充裕，营收业绩增长可期。2024年上半年新增订单

51、47.0 亿元，同比增长约 40.3%，其中刻蚀设备新增订单 39.4 亿元，同比增速约 50.7%；LPCVD 上半年新增订单 1.68 亿元，新产品开始启动放量。图表13：研发费用及占比（亿元）图表14：存货与合同负债情况（亿元）资料来源：IFinD，国盛证券研究所 资料来源：IFinD，国盛证券研究所 0.0010.0020.0030.0040.0050.0060.0070.00201920202021202220232024H1刻蚀设备MOCVD设备备品备件设备维护0.00%10.00%20.00%30.00%40.00%50.00%60.00%70.00%20202021202220

52、23刻蚀设备MOCVD设备备品备件设备维护0%2%4%6%8%10%12%14%16%18%0123456789102019202020212022202324Q1-Q3研发费用占比0102030405060708090202020212022202324Q1-Q3存货合同负债2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.12 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 1.4 兼顾外延性发展，兼顾外延性发展，全球化多领域布局全球化多领域布局 积极对外投资，积极对外投资，拓展拓展相关领域布局。相关领域布局。公司兼顾外延内生同步发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极

53、探索布局其他新业绩增长点。下属中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域取得了良好的进展，得到了市场和用户的高度评价，同时公司积极探索相关各领域投资机会，诸多参股投资的公司营运表现良好，其中，公司参股投资的晶升股份、华虹公司在 2023 年完成科创板挂牌上市，形成了良好的产业链协同效应。图表15：中微公司三维发展战略 资料来源：中微公司公告，国盛证券研究所 持有持有上海睿励上海睿励 27.46%股份股份，布局布局量检测设备领域。量检测设备领域。半导体量检测设备是检测芯片性能与缺陷的关键设备，是半导体行业中不可或缺的环节。睿励自主研发薄膜量测设备和光学缺陷检测设备等，公司在该领域注入投资，有助于

54、拓展产业领域，积极探索新业绩增长点，同时促进产业链延伸。积极布局零部件领域，积极布局零部件领域，推动零部件国产化进程。推动零部件国产化进程。零部件是半导体行业的基石，为行业发展提供重要支撑，由于零部件供应的一致性要求和认证程序的复杂，客户验证壁垒和认证壁垒较高。公司持股英杰晨晖与先锋精科等零部件厂商，有利于整合产业链相关资源，推动设备零部件国产化。生产基地建设顺利进展，产业链布局完善。生产基地建设顺利进展，产业链布局完善。为扩充资产规模、增强公司实力，公司持续推进各产业化建设项目。南昌约 14 万平方米的生产和研发基地已于 2023 年 7 月投入使用，在上海临港约 18 万平方米的生产和研发

55、基地主体建设已基本完成，2024 年 8 月正式投入使用，同时上海临港滴水湖畔约 10 万平方米的研发中心暨总部大楼即将封顶，厂房和办公室总面积将达 45 万平方米，为未来的发展夯实基础。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.13 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表16：中微公司各研发基地 资料来源：中微公司公告，国盛证券研究所 加注临港加注临港 10 亿，打造电子亿，打造电子束束和光学量检测设备研发制造基地。和光学量检测设备研发制造基地。公司董事长尹志尧博士亲自挂帅，聚焦于集成电路重大设备开发与产品市场化，探索人工智能在图像处理、设备智能化方面的应

56、用，控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司与上海临港新片区管委会签署战略合作协议，将在临港建设电子束和光学量检测设备研发制造基地项目，项目总投资 10 亿元，以进一步完善中微公司量检测设备布局。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.14 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 2、半导体设备市场空间广阔，国产替代加速渗透、半导体设备市场空间广阔，国产替代加速渗透 增势强劲，增势强劲，2025 年全球半导体设备市场规模有望达年全球半导体设备市场规模有望达 1210 亿美元亿美元。半导体设备是集成电路和广泛应用的半导体微观器件产业的基石，随着微观器件的尺寸不断缩

57、小，结构日益复杂，其重要性愈发凸显。2023 年全球半导体设备市场出货金额为 1063 亿美金，同比-1.3%，伴随周期低点过去，终端市场需求回暖及各大晶圆厂扩产动作持续，SEMI 预计 2024 年全球半导体设备市场将达到 1130 亿美金新高，同比+6.4%。展望未来，SEMI预计 2025 年全球半导体设备市场规模将达 1210 亿美元，同比+7.1%，2026 年市场规模有望延续增长至 1390 亿美元。受益于国内晶圆厂持续扩产，中国大陆半导体设备全球份额逐步提升，2020-2023 年份额居全球首位，根据 wind 数据，2024Q1-Q3 中国大陆半导体设备全球份额达到 45%，销

58、售额达 376.6 亿美元，引领全球半导体设备市场。图表17：全球半导体设备市场规模及同比（亿美元）图表18：分地区半导体设备销售额（十亿美元）资料来源：Wind，SEMI，国盛证券研究所 资料来源：Wind，国盛证券研究所 晶圆制造设备占半导体设备市场约晶圆制造设备占半导体设备市场约 90%。半导体设备分为晶圆制造设备及封装、测试设备，根据SEMI数据，2023年晶圆制造设备销售额约占总体半导体设备销售额的90%，其中薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，薄膜沉积设备及刻蚀设备年平均增长速度高于其他种类的设备，2023 年在晶圆制造设备中占比均达22%。图表19：全球

59、半导体设备细分 图表20：2013 年到 2023 年半导体芯片前道设备年均增速 资料来源：SEMI，拓荆科技公告，国盛证券研究所 资料来源：Gartner，中微公司公告，国盛证券研究所 -100%-50%0%50%100%150%200%0200400600800100012001400160020052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024E2025E2026E半导体设备市场规模（亿美金）yoy0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%50%020406080100

60、120200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202324Q1-Q3中国大陆中国台湾北美日本欧洲韩国其他中国大陆占比2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.15 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 晶圆厂扩产拉动设备需求，中国大陆扩产动能较强。晶圆厂扩产拉动设备需求，中国大陆扩产动能较强。根据 SEMI 数据，全球半导体晶圆制造产能预计将在 2024 年增长 6%，并在 2025 年实现 7%的增长，达到每月晶圆产能3370 万片“（8 英寸当量）。分地区

61、来看，中国大陆预计将保持两位数的产能增长，在 2024年增长 15%至 885 万（wpm）后，2025 年将增长 14%至 1010 万（wpm）。预计 2025年中国台湾地区的产能将以 580 万（wpm）的位居第二，增长率为 4%，韩国预计 2025年将位居第三，在 2024 年首次突破 500 万（wpm）的大关后，产能将增长 7%至 540万（wpm）。图表21：全球半导体晶圆产能（等效 8 英寸片，月产能）资料来源：SEMI，国盛证券研究所 全球半导体设备市场呈现多元化竞争格局，但整体被少数几家头部企业垄断。全球半导体设备市场呈现多元化竞争格局，但整体被少数几家头部企业垄断。美国在

62、薄膜沉积、离子注入、量测等领域占据垄断地位，如应用材料在物理气相沉积（PVD）、化学机械抛光（CMP）、离子注入等方面的全球市场占有率较高，泛林在刻蚀、电镀设备领域占比较大，科磊在量检测领域有较高的市占率。日本企业在涂胶显影、清洗设备方面具有较强优势，其中，东京电子在涂胶显影设备市占率达 89%，迪恩士（DNS）的清洗设备市占率为 40%。光刻设备方面，荷兰的 ASML 是光刻机领域龙头。当前部分环节设备国产化率仍然较低。当前部分环节设备国产化率仍然较低。根据全球半导体观察及 SEMI 数据，目前中国大陆设备基本可以覆盖半导体制造流程的各阶段所需（除光刻机外），中国半导体设备的国产化比例从 2

63、021 年的 21%迅速提升至 2023 年的 35%。中国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高，在 CMP、热处理、薄膜沉积上近几年国产化突破明显，而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备上，仍较为薄弱。2.1 刻蚀设备：国内厂商产品覆盖度稳步提升刻蚀设备：国内厂商产品覆盖度稳步提升 刻蚀是半导体图案化过程的核心工艺，刻蚀机刻蚀是半导体图案化过程的核心工艺，刻蚀机为为半导体制造三大核心设备之一半导体制造三大核心设备之一。刻蚀通过物理及化学的方法，在晶圆表面衬底及其他材料上，雕刻出集成电路所需的立体微观结构，将前道掩模上的图形转移到晶圆表面。在刻蚀新形成的结构上，可以进行 SiO2、SiN

64、介质薄膜沉积或金属 Al，Cu，W 薄膜沉积，也可以进行多重曝光或下一刻蚀步骤，最终在各个层形成正确图形，并使得不同层级之间适当连通，形成完整的集成电路。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.16 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表22：刻蚀过程重点：移除不需要材料 资料来源：SK hynix，国盛证券研究所 按工艺划分，刻蚀工艺可分为干法刻蚀和湿法刻蚀。按工艺划分，刻蚀工艺可分为干法刻蚀和湿法刻蚀。随着集成电路制程的升级，及芯片结构尺寸的不断缩小，湿法刻蚀在线宽控制，刻蚀方向性方面的局限性渐渐显现，湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀

65、偏差，逐步被干法刻蚀取代。目前应用主要以干法刻蚀为主，市场占比 90%以上。湿法刻蚀主要用于工艺尺寸较大的应用及干法刻蚀后残留物的清洗。图表23：刻蚀类别 资料来源：华经产业研究院，国盛证券研究所 根据作用机理，干法刻蚀主要分为等离子刻蚀，离子溅射刻蚀，反应离子刻蚀三种，运用在不同的工艺步骤中，根据被刻蚀的材料类型，干法刻蚀则可分为金属刻蚀、介质刻蚀与硅刻蚀。其中，介质刻蚀和硅刻蚀市场规模总占比超 90%，两者广泛应用于逻辑、存储器等芯片制造中。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.17 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表24：按作用机理分各类刻蚀特

66、征 资料来源：中关村集成电路产业联盟，国盛证券研究所 图表25：按刻蚀材料分各类刻蚀特征 资料来源：中关村集成电路产业联盟，国盛证券研究所 干法刻蚀按照刻蚀原理可以分为物理性刻蚀和化学性刻蚀。干法刻蚀按照刻蚀原理可以分为物理性刻蚀和化学性刻蚀。物理性刻蚀是利用辉光放电将氩气解离为带正电的离子，再利用偏压将离子加速，使其轰击在刻蚀的物体表面，将原子击出，完成刻蚀，在整个刻蚀过程中只发生了物理碰撞。物理性刻蚀具有各向异性刻蚀的特点，可以获得接近垂直的刻蚀轮廓，但由于被击飞的物质并不具有可挥发性，导致这些物质再次沉积于被刻蚀的物体表面，因此极少用于超大规模集成电路的制造。化学性刻蚀又称为等离子刻蚀，

67、通过射频将刻蚀工艺气体离子化来增强其活性，使刻蚀气体与待刻蚀部分发生化学反应形成可挥发的副产物，然后将气态副产物抽离工艺室完成刻蚀制程，根据等离子产生的原理不同，可以分为 ICP 与 CCP 刻蚀设备，根据 Gartner数据，2022 年 ICP 占干法刻蚀市场 47.9%，CCP 占干法刻蚀市场 47.5%。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.18 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表26：2022 年干法刻蚀细分占比（百万美元）资料来源：Gartner，中微公司公告，国盛证券研究所 1）电感耦合等离子体电感耦合等离子体“（“（ICP）刻蚀：）刻

68、蚀：射频电源将射频电流导入线圈中，射频电流通过线圈时会产生一个电磁场，引导腔体内部的电子加速运动，加速运动的电子与刻蚀工艺气体的分子产生碰撞产生等离子体。ICP 主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的或较薄的材料。图表27：电感耦合等离子体刻蚀反应腔 图表28：ICP 等离子刻蚀机设备结构示意图 资料来源：中微公司公告，国盛证券研究所 资料来源：纳恩科技，国盛证券研究所 2）电容性等离子体电容性等离子体“（“（CCP）刻蚀刻蚀：射频电源在两侧装有电极板的腔室内导入交流电，当交流电压为正周期时，左电极板为负极，右电极板为正极，反应室内电子会朝右侧移动，正电离子朝左侧移动；反之，电子向

69、左侧移动，正电离子朝右侧移动。射频电源通过高频的周期变化频率使两种相反带电粒子在两块电极板之间高速振荡。带电粒子高速振荡后在腔室内导入工艺气体，使两种带电粒子不停撞击工艺气体粒子并激发出等离子体。CCP 主要是以高能离子在较硬的介质材料上，刻蚀高深宽比的深孔、沟槽等微观结构。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.19 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表29：电容性等离子体刻蚀反应腔 资料来源：中微公司公告，国盛证券研究所 刻蚀设备市场海外垄断，国产厂商份额逐步提升。刻蚀设备市场海外垄断，国产厂商份额逐步提升。全球范围来看，LAM、应用材料、东京电子等

70、企业占据了刻蚀机市场的主导地位，2022 年 LAM RESEARCH 占比达 46.7%。国内北方华创、中微公司等企业在刻蚀机领域具有较强竞争力，成为国内刻蚀机行业的领军企业，2023 年北方华创刻蚀设备营收近 60 亿元，中微公司刻蚀设备营收超 47 亿元。图表30：2022 年全球刻蚀机企业竞争格局 资料来源：华经产业研究院，国盛证券研究所 7nm集成电路生产所需刻蚀工序为集成电路生产所需刻蚀工序为140次，相较次，相较28nm生产所需的生产所需的40次增加次增加2.5倍。倍。先进芯片制程从 7-5 纳米阶段向更先进工艺的方向发展，当前光刻机受光波长的限制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多

71、重模板工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提升。根据国际半导体产业协会测算，7nm 集成电路生产所需刻蚀工序为 140 次，相较 28nm 生产所需的 40 次增加 2.5 倍，5nm 芯片生产需刻蚀工序达 160 次。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.20 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表31：不同制程集成电路生产所需刻蚀工序次数 图表32：10 纳米多重模板工艺原理，涉及更多次刻蚀 资料来源：华经产业研究院，国盛证券研究所 资料来源：中微公司公告，国盛证券研究所 3D NAND 制造工艺中，增加集成度的主要

72、方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数。刻蚀要在氧化硅和氮化硅的叠层结构上，加工 40：1 到 60：1 甚至更高的极深孔或极深的沟槽。3D NAND 层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比，并且对刻蚀设备层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比，并且对刻蚀设备的需求比例进一步加大的需求比例进一步加大。图表33：存储器件从 2D 到 3D 结构的转变使等离子体刻蚀成为最关键的加工步骤 资料来源：中微公司公告，国盛证券研究所 2.2 刻蚀设备刻蚀设备国内领先，国内领先，瞄准国内科技前沿瞄准国内科技前沿 刻蚀设备市占率大幅提升，付运势头强劲。刻蚀设备市占率大幅提升，付运势头强劲。中微公司等离子体

73、刻蚀设备持续获得国内外领先客户认可，并批量应用在国内外一线客户从 65 纳米到 14 纳米、7 纳米和 5 纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。2024 年上半年刻蚀设备新增订单39.4 亿元，同比增速约 50.7%，CCP 和 ICP 刻蚀设备的销售增长和在国内主要客户芯片生产线上市占率均大幅提升，在国内外半导体前道设备行业占据领先地位，Nanova 单台机订单年增长超 100%并迅速扩大市场占有率。针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，截至 2024 年 9 月，公司累计生产付运超过 3800个 CCP 刻蚀反应台，2024 年上半年 CC

74、P 设备付运量约为去年同期 3 倍，创历史新高。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.21 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表34：Primo Nanova 累计安装机台数量 资料来源：中微公司公告，国盛证券研究所 技术行业领先，覆盖绝大多数刻蚀应用。技术行业领先，覆盖绝大多数刻蚀应用。公司等离子体刻蚀设备采用更先进的工艺水平，技术能力达到 5 纳米及以下先进水平，可覆盖绝大多数高端应用需求，凭借一系列刻蚀设备组合处于刻蚀创新技术前沿，具有成本优势，已被广泛应用于国内国际一线客户，从 65 纳米到 5 纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用，CCP 设备已进

75、入 2D 和 3D 存储器生产线，ICP 设备拥有 700+反应台在线生产，覆盖 95%以上的刻蚀应用。图表35：中微公司开发 CCP 和 ICP 单台机和双台机 资料来源：中微公司公告，国盛证券研究所 CCP 产品应用覆盖领域广阔。产品应用覆盖领域广阔。公司 CCP 刻蚀产品已覆盖 28 纳米以上逻辑器件制造的绝大部分 CCP 刻蚀应用，其中 Primo-DRIE，PrimoAD-RIE 可满足绝大多数 28 纳米以上CCP 刻蚀制程需求，双反应台 PrimoAD-RIE-e 配备有动态调温静电吸盘，持续拓宽应用，取得先进存储生产线的重复订单。PrimoSD-RIE 实验室开发进展顺利，在首

76、家先进逻辑客户端针对金属掩膜一体化大马士革刻蚀工艺的验证进入良率测试阶段，已进入第二家客户开展现场验证；PrimoUD-RIE 已在生产线验证具有刻蚀60：1 超高深宽比结构的量产能力，适用于 DRAM 和 3DNAND 器件制造中最关键的高深宽比刻蚀工艺。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.22 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 ICP 刻蚀设备刻蚀设备进展快速。进展快速。公司 ICP 设备涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的 60 多条客户生产线上量产，并持续进行更多应用验证。Primo nanova 采

77、用了多区细分的高动态范围温控静电吸盘，使加工器件的关键尺寸达到高度均匀性，适用于 1X 纳米及以下的逻辑和存储器件的刻蚀应用；Primo Twin-Star 具有优秀的刻蚀均匀性、高深宽比刻蚀性能，并有效提高生产效率，降低生产成本。图表36：中微公司 CCP 刻蚀产品系列及发展路线 图表37：中微公司 ICP 产品研发历史和产品系列 资料来源：中微公司公告，国盛证券研究所 资料来源：中微公司公告，国盛证券研究所 单双反应台并举，强化技术领先优势。单双反应台并举，强化技术领先优势。公司 CCP 和 ICP 刻蚀机的单双反应台并举策略的优势凸显，截至 2023 年底，CCP 双反应台设备累计装机超

78、 2000 反应腔，2020 年至 2023年，ICP 双反应台设备累计装机台数年均复合增速超 100%。单反应台 CCP 和 ICP 刻蚀设备在先进工艺生产线装机增长迅速，累计装机超 1000 反应台。同时，公司致力于持续技术创新，强化技术领先优势，进一步提升单片晶圆的片内刻蚀性能，以减小两个反应台间的刻蚀差异到亚埃级，进一步延伸了双台机可适用的工艺种类，提升双台机刻蚀性能，降低工艺制造成本。超高深宽比刻蚀能力，积极布局技术革新。超高深宽比刻蚀能力，积极布局技术革新。公司针对超高深宽比刻蚀自主开发了具有大功率 400kHz 偏压射频的 Primo UD-RIE，已在生产线验证出具有刻蚀60：

79、1 深宽比结构的量产能力，可适用于 DRAM 和 3D NAND 器件制造中最关键的高深宽比刻蚀工艺，开发了配备超低频偏压射频的 ICP 刻蚀机用于超高深宽比掩膜的刻蚀，并验证成功进入量产，为超高深宽比掩膜（40：1）和超高深宽比介质刻蚀“（60：1）提供了全套解决方案。同时，积极布局超低温刻蚀技术，以满足超高深宽比刻蚀技术迭代的需求。Primo SD-RIE 进展顺利，有效应对大马士革刻蚀工艺需求。进展顺利，有效应对大马士革刻蚀工艺需求。公司开发了可调节电极间距的 CCP 刻蚀机 Primo SD-RIE，实时可调电极间距，可以在同一刻蚀工艺的不同步骤使用不同的电极间距，灵活调节等离子体浓度

80、分布和活性自由基浓度分布，针对复杂膜层结构的刻蚀工艺，Primo SD-RIE 可以通过动态调节电极间距以及多区调温静电吸盘对的温度来达到最优的刻蚀均匀性，以应对 28 纳米及以下的逻辑器件生产中广泛采用的一体化大马士革刻蚀工艺要求在同一刻蚀工艺中达到最优的沟槽和通孔刻蚀均匀性的问题。该设备采用双反应台平台设计，在满足严苛工艺指标的同时可有效降低生产成本。目前，Primo SD-RIE 在首家先进逻辑客户端的验证已进入良率测试阶段，已进入第二家客户开展现场验证，并与其他多家逻辑芯片制造客户达成现场评估意向，进展顺利。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.23 请仔细阅读

81、本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表38：Primo SD-RIE 可有效应对一体化大马士革刻蚀工艺需求 资料来源：中微公司公告，国盛证券研究所 TSV新工艺成功验证，推动高端半导体制造。新工艺成功验证，推动高端半导体制造。TSV是用于先进封装技术的关键工艺之一。公司 8 英寸和 12 英寸深硅刻蚀设备 Primo TSV 200E、Primo TSV 300E 在晶圆级先进封装、2.5D 封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场持续获得重复订单，同时，在 12 英寸 3D 芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户新建的世界第一条 12 英寸微机电系统芯片产线上获得认证机会，为公司

82、 Primo TSV 300E 刻蚀设备拓展了新的市场，也将推动我国高端半导体制造设备达到新高度。图表39：中微公司 Primo TSV 设备 资料来源：中微公司官网，国盛证券研究所 芯片制程工艺升级，工艺覆盖率有望大幅提升。芯片制程工艺升级，工艺覆盖率有望大幅提升。在逻辑芯片制造方面，公司开发的 12 英寸高端刻蚀设备持续获得国际国内知名客户的订单，已在从 65 纳米到 5 纳米及更先进技术结点大量量产；同时，先进逻辑器件制造对加工的精确性，重复性，微粒污染水平，以及反应腔之间的匹配度等都提出了更高的要求，公司针对 5 纳米及更先进技术节点的刻蚀设备进行了多项性能改进，并已在生产线上实施，极

83、大提升了设备的生产效率和生产质量。推出了适用于更高深宽比结构刻蚀的 Nanova VE HP 和兼顾深宽比和均匀性的Nanova LUX 两种 ICP 设备，在先进逻辑芯片的 ICP 验证刻蚀工艺覆盖率有望大幅提升。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.24 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表40：中微公司 Nanova 设备 资料来源：中微公司官网，国盛证券研究所 拓展应用领域，积极参与新兴器件制造技术研发。拓展应用领域，积极参与新兴器件制造技术研发。公司同国内外特殊器件制造客户合作，在先进封装、功率器件、微机电系统等领域不断拓展应用，持续获得订单

84、。积极参与新兴器件制造技术的研发，在超构透镜（Metalenses）和基于 12 英寸晶圆的微机电系统制造等方面都取得良好进展，并已在相应生产线上进行最新技术的研发和试产。同时公司开发了 Primo Menova Al 刻蚀设备，并和多个客户开展铝线刻蚀工艺的合作开发，以应对国内对成熟制程和新兴特殊器件的工艺需求。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.25 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 3、薄膜设备需求提升，市场规模持续扩大薄膜设备需求提升，市场规模持续扩大 3.1 薄膜沉积设备：芯片制造三大核心设备之一薄膜沉积设备：芯片制造三大核心设备之一 按工艺

85、原理不同，薄膜沉积设备可分为按工艺原理不同，薄膜沉积设备可分为 PVD、CVD 和和 ALD。薄膜沉积是在基材上沉积一层纳米级的薄膜，再配合蚀刻和抛光等工艺的反复进行，就做出了很多堆叠起来的导电或绝缘层，而且每一层都具有设计好的线路图案。沉积薄膜材料包括二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金属以及铜等金属。薄膜沉积设备主要负责各个步骤当中的介质层与金属层的沉积，按工艺原理不同，可分为 CVD“（化学气相沉积）设备、PVD“（物理气相沉积）设备/电镀设备和 ALD（原子层沉积）设备。1）PVD：在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等

86、离子体），在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。PVD 镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。PVD 技术生长机理简单，沉积速率高，但一般只适用于平面的膜层制备。2）CVD：通过化学反应的方式，利用加热、等离子或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术，是一种通过气体混合的化学反应在基体表面沉积薄膜的工艺，可应用于绝缘薄膜、硬掩模层以及金属膜层的沉积。按照薄膜材料，CVD 分为介质化学气相沉积（DCVD）和金属化学气相沉积（MCVD）两大类。DCVD 主要包括等离子增强型化学气相沉积（PECVD）、次

87、常压化学气相沉积（SACVD）、介质原子层沉积（DALD）等。MCVD 主要包括低压化学气相沉积（LPCVD）、有机金属化学气相沉积（MOCVD）和金属原子层沉积（MALD）等。3）ALD：原子层沉积可以将物质以单原子膜形式一层一层地镀在基底表面。从原理上说，ALD 是通过化学反应得到生成物，但在沉积反应原理、沉积反应条件的要求和沉积层的质量上都与传统的 CVD 不同。相对于传统的沉积工艺而言，ALD 工艺具有自限制生长的特点，可精确控制薄膜的厚度，制备的薄膜具有均匀的厚度和优异的一致性，台阶覆盖率高，特别适合深槽结构中的薄膜生长。ALD 设备沉积的薄膜具有非常精确的膜厚控制和非常优越的台阶覆

88、盖率，在 28nm 以下关键尺寸缩小的双曝光工艺方面取得了越来越广泛的应用，其沉积的 Spacer 材料的宽度决定了 Fin 的宽度，是制约逻辑芯片制程先进程度的核心因素之一，除此之外，ALD 设备在高 k 材料、金属栅、STI、BSI 等工艺中均存在大量应用，广泛应用于 CMOS 器件、存储芯片、TSV 封装等半导体制造领域。图表41：ALD、CVD、PVD 成膜效果示意图 资料来源：拓荆科技招股说明书，国盛证券研究所 2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.26 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表42：薄膜沉积设备分类 资料来源：微导纳米招股说明书

89、，国盛证券研究所 CVD 领域领域 PECVD 设备占比较高，设备占比较高，PVD 领域主要为溅射领域主要为溅射 PVD 设备。设备。常压化学气相沉积（APCVD）是最早的 CVD 设备，结构简单、沉积速率高，广泛应用于工业生产中。低压化学气相沉积（LPCVD）是在 APCVD 的基础上发展起来的。等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）在从亚微米发展到 90nm 的 IC 制造技术过程中，扮演了重要的角色，由于等离子体的作用，化学反应温度明显降低，薄膜纯度得到提高，致密度得以加强，是当前应用最为广泛的 CVD 设备，在薄膜沉积设备中占比达 33%。次常压化学气相沉积（SACVD）主要应用于

90、沟槽填充工艺。在 PVD 设备中，溅射设备占主要份额。图表43：薄膜沉积设备细分占比 资料来源：拓荆科技公告，SEMI，国盛证券研究所 芯片制程及工艺升级拉动薄膜设备需求。芯片制程及工艺升级拉动薄膜设备需求。90nmCMOS 芯片工艺中大约需要 40 道薄膜沉积工序，FinFET 工艺产线需要超过 100 道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由 6 种增加到近 20 种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。且在芯片工艺技术持续进步的趋势下，当难以通过光刻直接形成先进工艺的情况下，可以结合薄膜沉积设备（主要为ALD 设备）与刻蚀设备相配合，采用自对准多重成像技术，实现更小尺寸的工艺，这将进一步促

91、进 ALD 设备及相关设备的重要性及需求量的提升。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.27 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表44：工艺升级带动薄膜沉积工序数提升 图表45：ALD 在多重曝光中的应用 资料来源：拓荆科技公告，国盛证券研究所 资料来源：拓荆科技公告，国盛证券研究所 NAND 垂直化发展，薄膜沉积设备需求获进一步带动。垂直化发展，薄膜沉积设备需求获进一步带动。随着 3D NAND 芯片的堆叠层数不断增高，逐步向更多层及更先进工艺发展，堆叠过程中刻蚀及薄膜沉积使用步骤数大幅提升，2024 年 SK海力士官方公布正式开始量产全球首款 32

92、1 层NAND，2025 年 NAND层数有望达 4xx 层，薄膜沉积及刻蚀设备重要性凸显。图表46：NAND 发展趋势 资料来源：SK hynix，国盛证券研究所 2025 年全球薄膜沉积设备市场规模预计达年全球薄膜沉积设备市场规模预计达 239.6 亿美元。亿美元。根据 SEMI 数据，2025 年全球半导体设备市场规模预计为 1210 亿美元，以晶圆制造设备占比 90%及薄膜沉积设备占比 22%测算，2025 年全球薄膜沉积设备市场规模预计为 239.6 亿美元。国内光刻设备受限情况下，引用多重图形化技术，通过反复的薄膜工艺、刻蚀工艺及化学机械平坦化工艺以使芯片达到相应精度，拉动薄膜设备

93、需求，薄膜沉积设备重要性进一步凸显，以 34.5%“（2023 年中国大陆半导体设备销售额占全球半导体设备销售额比例）计，预计预计2025 年国内薄膜沉积设备市场规模超年国内薄膜沉积设备市场规模超 82 亿美元亿美元。从全球市场份额来看，薄膜沉积设备行业呈现出高度垄断的竞争局面，行业基本由美国的应用材料（AMAT）和泛林半导体（Lam），日本的东京电子（TEL）等为代表的国际知名企业垄断。国际巨头经过几十年发展，凭借资金、技术、客户资源、品牌等方面的优势，占据了薄膜沉积设备市场的大部分份额。在 PVD 市场，AMAT 是龙头；在 CVD 市场，AMAT、LAM、TEL 三家主导，占据约 70%

94、份额；在 ALD 市场，主要为 TEL 和 ASMI。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.28 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表47：2023 年薄膜沉积设备细分格局 资料来源：智研咨询，国盛证券研究所 国产厂商份额提升空间国产厂商份额提升空间广阔广阔。当前国内主要薄膜沉积设备厂商包括北方华创、中微公司、拓荆科技、微导纳米等，且不同公司工艺路线有差异。1）北方华创）北方华创：PVD 实现了对逻辑芯片和存储芯片金属化制程的全覆盖，CVD 布局拓展了 DCVD 和 MCVD 两大系列产品，HDPCVD、高介电常数原子层沉积实现稳定量产。2）拓荆科技）

95、拓荆科技：形成了覆盖全系列 PECVD薄膜材料的设备，PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充 CVD 等薄膜设备产品系列均已在客户端实现产业化应用。3）中微公司）中微公司：CVD 钨设备已通过关键存储客户端现场验证，满足金属互联钨制程各项性能指标，并开发 HAR“（高深宽比）钨设备，已通过关键存储客户端现场验证。4）微导纳米：）微导纳米：国内首家成功将量产型 High-k 原子层沉积（ALD）设备应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，目前产品已经覆盖 HfO、AlO3、ZrO、TiO、LaO3、ZnO、SiO、TiN、TiAl、TaN、AlN、SiN、SiON、

96、SiCN、无定形碳、SiGe 等多种薄膜材料。从营收端来看，2023 年北方华创薄膜沉积设备营收 60 亿元以上，拓荆科技薄膜沉积设备营收 25.7 亿元，微导纳米半导体领域设备营收 1.2 亿元，测算 2023 年中国薄膜沉积设备市场规模达72.8亿美元，以7.2汇率计，可测算主要国产厂商本土市占率不足20%，份额提升空间广阔。3.2 薄膜设备技术水平先进，持续研发新品层出薄膜设备技术水平先进，持续研发新品层出 薄膜设备需求提升，中微高效研发创新突破。薄膜设备需求提升，中微高效研发创新突破。存储器件由 2D 向 3D 转换，薄膜制程愈发关键。中微公司把握发展机遇，持续推进多款薄膜沉积设备研发

97、项目，目前公司已有多款薄膜沉积设备产品进入市场，部分持续获得重复订单，并有多个关键薄膜沉积设备研发项目进展顺利，至 2024 年中已实现六种设备高效研发交付及客户量产验证。公司薄膜沉积设备采用独特的双腔设计，在保证产品性能同时，提高产能，降低材料成本。公司已规划并正在开发多款 CVD 和 ALD 设备，以增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。独立自主的知识产权设计，在促进产品性能更优化的同时，也保障了产品未来的可持续发展。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.29 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表48：中微公司四款 LPCVD-ALD 导体薄膜沉积

98、设备进入市场 资料来源：中微公司公告，国盛证券研究所 钨系列薄膜沉积产品全面覆盖存储器件钨应用。钨系列薄膜沉积产品全面覆盖存储器件钨应用。公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，且已完成多家逻辑和存储客户对 CVD/HAR/ALD W 钨设备的验证，并取得重复量产订单。CVD钨设备满足金属互联钨制程各项性能指标，在其基础上开发的HAR（高深宽比）钨设备，采用创新的工艺解决方案，满足存储器件中的高深宽比金属互联应用中各项性能指标；ALD 钨设备，具备三维填充能力，采用完全自主知识产权的机台设计，可精准控制工艺过程，实现精准的原子级别生长，满足三维存储器件字线应用中各项性能需求。此外，公司

99、完全自主设计开发了双台机金属钨系列设备，可达到业界领先的生产率，同时保证较低的化学品消耗，具有优秀的阶梯覆盖率和填充能力，能够满足先进逻辑器件栅极金属接触及接触孔填充应用，以及 64 层和 128 层 3D NAND 中的多个关键应用。ALD 氮化钛设备测试结果优异，多项指标达行业领先水平。氮化钛设备测试结果优异，多项指标达行业领先水平。公司 ALD 氮化钛设备，可应用于高端存储和逻辑器件，其性能验证可以达到国际先进水平，满足逻辑及存储多道关键应用需求，实验室测试结果显示，设备的薄膜均一性和产能均表现出世界领先水平。图表49：中微公司 ALD 设备 资料来源：中微公司公告，国盛证券研究所 20

100、25 03 21年 月 日 gszqdatemark P.30 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 EPI 设备进展顺利，满足先进制程需求。设备进展顺利，满足先进制程需求。中微公司通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，设计并制造出具有自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求，目前公司 EPI 设备已顺利进入客户验证阶段。LPCVD 设备首台销售，新产品启动放量。设备首台销售，新产品启动放量。中微公司自主研发的 LPCVD 设备可灵活配置多达五个双反应台的反应腔，每个反应腔皆能同时加工两片晶圆，在保证较低的生产成本和化学品消耗的

101、同时，实现较高生产效率，配备完全拥有自主知识产权的优化混气方案及分气抽气系统和真空卡盘，具有优秀的薄膜均一性、填充能力和工艺调节灵活性，对于弯曲度较大的晶圆，也具备良好工艺处理能力。具备优异的阶梯覆盖率和填充能力，可应用于先进逻辑器件、DRAM 和 3D NAND 中接触孔以及金属钨线的填充。2024 年LPCVD 设备实现首台销售，收到约 4.76 亿元批量订单，实现销售收入达约 1.56 亿元。图表50：中微公司 LPCVD 设备 资料来源：中微公司公告，国盛证券研究所 薄膜设备新品层出，多元化发展动能强劲薄膜设备新品层出，多元化发展动能强劲。公司推出自主研发的 12 英寸高深宽比金属钨沉

102、积设备 Preforma Uniflex HW 以及 12 英寸原子层金属钨沉积设备 Preforma Uniflex AW，为各类器件芯片中超高深宽比及复杂结构金属钨填充提供了高性价比、高性能的解决方案。Preforma Uniflex HW 设备，具备超高深宽比填充能力，继承了前代 Preforma Uniflex CW 设备的优点，可灵活配置多达五个双反应台的反应腔，同时，采用拥有完全自主知识产权的生长梯度抑制工艺，可实现表面从钝化主导到刻蚀主导的精准工艺调控。硬件上，公司开发的可实现钝化时间从毫秒级到千秒级的控制系统，可满足多种复杂结构的填充，并搭配经过优化设计的流场热场系统，使该设备

103、具备优异的薄膜均一性和工艺调节灵活性。Preforma Uniflex AW 设备，继承公司自主开发的流场热场优化设计，提升薄膜均一性和工艺调节灵活性。同时，系统中每个反应腔均可用于形核和主体膜层生长，可根据客户实际工艺需求优化配置，进一步提高设备利用率，采用拥有完全自主知识产权的高速气体切换控制系统，精准控制工艺过程，实现精准的原子级别生长，使生长膜层具备优异的台阶覆盖率和低杂质浓度的优点。此外，还引入独特的气体输送系统，使该设备具备更先进技术节点的延展能力。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.31 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表51：中微公

104、司 Preforma Uniflex HW 设备 图表52：中微公司 Preforma Uniflex AW 设备 资料来源：中微公司官网，国盛证券研究所 资料来源：中微公司官网，国盛证券研究所 3.3 MOCVD 设备国际领先，紧跟行业前沿研发进展顺利设备国际领先，紧跟行业前沿研发进展顺利 Mini/Micro LED 和第三代功率器件终端市场和第三代功率器件终端市场渗透提升渗透提升，MOCVD 需求有望提升。需求有望提升。MOCVD 是利用金属有机化合物作为源物质的化学气相淀积工艺，常用于三五族化合物半导体材料外延工艺，MOCVD 设备是制备照明和显示屏所用的 LED、氮化镓和碳化硅功率器

105、件等外延片的关键设备。伴随 Mini-LED 在背光及直接显示市场需求快速提升，受技术进步和 AR 眼镜等应用领域拓展影响，Micro LED 成长空间有望扩大；同时，半导体功率器件方面，应用于高频中小功率领域的 GaN 和大功率领域 SiC 具有高效和高性能等优势，应用潜力较大。Mini/Micro LED 和第三代功率器件终端市场的发展，有望推动 MOCVD外延生产设备需求提升。图表53：GaN 和 SiC 应用潜力较大 资料来源：中微公司公告，国盛证券研究所 MOCVD 设备应用领域设备应用领域拓宽拓宽。制造照明用蓝光 LED 外延片的 MOCVD 技术已达到较为成熟阶段，设备企业目前主

106、要针对提高大规模外延生产所需的性能、降低生产成本、具备大尺寸衬底外延能力等方面进行技术开发；应用于 Mini-LED 新型显示应用、应用于氮化镓功率器件生产的 MOCVD 设备发展迅速；应用于 Micro-LED 高端显示的 MOCVD 设备处于研发阶段，产业链对 Micro-LED 外延片在产出波长均匀性、颗粒度等方面有极为苛刻的技术要求；应用于碳化硅功率器件的外延设备处于快速发展阶段，随着 8 英寸衬底成本的持续下降，现有主要适用于 6 英寸碳化硅衬底的生产设备，未来将逐渐过渡至 8英寸的外延生产。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.32 请仔细阅读本报告末页声明

107、请仔细阅读本报告末页声明 泛半导体产业发展迅速，中微泛半导体产业发展迅速，中微 MOCVD 设备技术领先。设备技术领先。随着泛半导体产业的迅速发展，三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场应用发展极快，MOCVD 正是这些器件所需的关键设备，与集成电路需要多种设备的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要依靠 MOCVD 设备实现。公司在蓝绿光LED 生产线和 Mini-LED 产业化中始终保持领先地位，开发的用于氮化镓基的 LED 照明和 Mini-LED 显示的 MOCVD 设备已成为国内外绝大多数 LED 生产线的优选设备，已成为世界排名前列的氮

108、化镓基 LED 设备制造商。PRISMO D-Blue、PRISMO A7 性能优异，占据全球市场领先地位。性能优异，占据全球市场领先地位。公司研发生产的用于蓝光 LED 的 PRISMO D-Blue、PRISMO A7 设备分别可实现单腔 14 片 4 英寸和单腔34 片 4 英寸外延片加工能力，其中 PRISMO D-Blue 已成为首台被主流 LED 生产线采用并进行大批量 LED 外延片生产的国产 MOCVD 设备，PRISMO A7 在前代 PRISMO D-Blue基础上，配备 28 英寸超大尺寸托盘，极大地提高了单位产能，进一步降低生产成本。目前，PRISMO A7 设备已在全

109、球氮化镓基 LED MOCVD 市场中占据了领先地位。图表54：中微公司 PRISMO D-Blue 设备 图表55：中微公司 PRISMO A7 设备 资料来源：中微公司官网，国盛证券研究所 资料来源：中微公司官网，国盛证券研究所 PRISMO HiT3 产能先进，工艺温度可高达产能先进，工艺温度可高达 1400 度。度。公司可用于制造深紫外光 LED 的高温 MOCVD 设备 PRISMO HiT3，反应腔最高工艺温度可达 1400 度，单炉可生长 18 片2 英寸外延晶片，并可延伸到生长 4 英寸晶片，是适用于高质量氮化铝和高铝组分材料生长的关键设备，现已于行业领先客户端生产验证并获得重

110、复订单。图表56：中微公司 PRISMO HiT3 设备 资料来源：中微公司官网，国盛证券研究所 2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.33 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 PRISMO UniMax 高产能、高灵活性行业领先，为高产能、高灵活性行业领先，为 Mini LED 大规模生产提供大规模生产提供 MOCVD外延解决方案。外延解决方案。该设备在同一系统中可配备多达 4 个反应腔，每个反应腔都可实现独立控制，具备优异的生产灵活性，配置 785mm 大直径石墨托盘，可实现 164 片 4 英寸或72 片 6 英寸外延晶片同时加工，同时，配置专为高性

111、能 Mini LED 量产而设计的局部温度补偿加热系统，具备优异的产出波长均匀性及产出稳定性。目前，该设备已在领先客户端开始进行规模化生产。图表57：中微公司 PRISMO UniMax 设备 资料来源：中微公司官网，国盛证券研究所 氮化镓功率器件生产专用设备提速增长，氮化镓功率器件生产专用设备提速增长，PRISMO PD5 已验证通过并获得重复订单。已验证通过并获得重复订单。手机和笔记本电脑快充、数据中心等应用的爆发，带动氮化镓功率器件生产应用的专用设备提速增长，公司顺应市场需求，积极布局用于功率器件应用的第三代半导体设备市场，开发了用于氮化镓功率器件生产的 MOCVD 设备 PRISMO

112、PD5，可在同一系统中配备多达 4 个反应腔，每个反应腔可独立控制，通过更换石墨托盘即可实现 6 英寸与 8 英寸工艺的便捷切换，具备高灵活性，现已在客户生产线上验证通过并获得重复订单。图表58：中微公司 PRISMO PD5 设备 资料来源：中微公司公告，国盛证券研究所 持续持续投入投入研发，紧跟市场布局行业前沿。研发，紧跟市场布局行业前沿。公司把握 MOCVD 市场发展机遇，积极布局用于碳化硅和氮化钾基功率器件应用市场，Micro-LED 应用的专用 MOCVD 设备开发顺利，实验室初步结果实现了优良的波长均匀性能；用于碳化硅功率器件外延生产的设备正在2025 03 21年 月 日 gsz

113、qdatemark P.34 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 开发中，已付运样机至国内领先客户开展验证测试；下一代用于氮化镓功率器件制造的MOCVD 设备也正按计划开发，进展顺利，以进一步提升公司在该领域的市场竞争力。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.35 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 4、盈利预测及投资建议、盈利预测及投资建议 专用设备业务：专用设备业务：受益于大陆晶圆厂扩产动能强劲及产线国产化率提升，且公司高端产品受益于大陆晶圆厂扩产动能强劲及产线国产化率提升，且公司高端产品不断推出，客户导入进展顺利，业务版图日益完整，份额

114、进一步提升。不断推出，客户导入进展顺利，业务版图日益完整，份额进一步提升。1)刻蚀设备：刻蚀设备：芯片制程提升+存储器件垂直化发展，刻蚀设备的重要性进一步提升，当前刻蚀设备领域国内竞争格局优，公司扎根 CCP 设备领域，向 ICP 设备领域延伸，产品覆盖度日益提升，下游客户产线市场份额逐步提升，我们预计公司 2025/2026年实现营收 100.30/131.85 亿元，实现毛利率 43%/44%。2)MOCVD 设备：设备：公司在蓝绿光 LED 生产线和 Mini-LED 产业化中保持领先的地位，该终端市场近两年处于下降趋势，公司 MOCVD 营收略有下降，伴随新型显示应用领域拓宽和第三代功

115、率器件终端市场的发展，MOCVD 需求有望提升，且公司积极布局研发新品，提升产品覆盖度，我们预计公司 2025/2026 年实现营收 3.95/4.65 亿元，实现毛利率 33.5%/34%。3)薄膜沉积设备：薄膜沉积设备：薄膜沉积设备作为公司新进业务，根据业绩快报，2024 年已实现营收 1.56 亿元，且收到约 4.76 亿元批量订单，目前公司已有四款薄膜沉积设备进入市场，且已规划并正在开发多款薄膜设备，伴随公司薄膜沉积设备订单转换及进一步放量，我们预计公司 2025/2026 年实现营收 2.45/4.72 亿元，实现毛利率 35%/40%。备品备件：备品备件：随着刻蚀设备及薄膜沉积设备

116、需求的提升，相应备品备件和配套服务业务规模也将有望增长，我们预计公司 2025/2026 年实现营收 12.5/15.1 亿元，实现毛利率45.5%/45.9%。综上，我们预计公司2025/2026年实现营收120.7/158.0亿元，实现归母净利润25.5/35.6亿元，实现毛利率 42.9%/43.9%。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.36 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表59：中微公司分业务收入毛利拆分 单位：百万元单位：百万元 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 营业收入营业收入 4,739.83 6,263.

117、51 9,065.17 12,074.00 15,801.40 yoy 32.15%44.73%33.19%30.87%营业成本营业成本 2,571.93 3,393.24 5,210.83 6,893.50 8,866.42 yoy 31.93%53.56%32.29%28.62%综合毛利率综合毛利率 45.7%45.8%42.52%42.91%43.89%yoy 0.1%-3.3%0.4%1.0%归母净利归母净利 1,169.79 1,785.91 1,626.34 2,551.84 3,560.32 归母净利率归母净利率 28.5%17.9%21.1%22.5%yoy 52.7%-8.9

118、%56.9%39.5%分业务分业务 专用设备专用设备 3847 5166 7812 10670 14122 yoy 53.5%34.3%51.2%36.6%32.4%占比 81.2%82.5%86.2%88.4%89.4%毛利率 45.2%45.2%42.0%42.5%43.6%yoy 3.0%0.0%-3.2%0.5%1.1%刻蚀设备刻蚀设备 3150 4700 7277 10030 13185 yoy 57.0%49.5%54.7%37.8%31.5%毛利率 47.0%42.7%43.0%44.0%MOCVD 设备设备 700 460 379 395 465 yoy 39.2%-34.0%

119、-18.0%4.2%17.7%毛利率 37.0%33.0%33.5%34.0%薄膜沉积设备薄膜沉积设备 156 245 472 yoy 57.1%92.7%毛利率 30.0%35.0%40.0%备品备件备品备件 835 971 1120 1250 1510 yoy 50.3%16.3%15.3%11.6%20.8%占比 17.6%15.5%12.4%10.4%9.6%毛利率 46.9%48.3%45.0%45.5%45.9%yoy 0.0%1.4%-3.3%0.5%0.4%其他主营业务其他主营业务 57 127 140 154 169 yoy 26.8%120.8%10.4%10.0%10.0

120、%占比 1.2%2.0%1.5%1.3%1.1%毛利率 66.5%53.7%49.5%50.0%50.0%yoy 2.9%-12.8%-4.2%0.5%0.0%资料来源：Wind，国盛证券研究所 伴随公司规模效应持续扩大且公司降本增效及优化管理流程，我们预计公司管理费用率及 销 售 费 用 率 呈 逐 步 下 降 趋 势，2024-2026 年 分 别 为 5.7%/5.4%/5.3%，5.7%/5.4%/5.3%，且公司持续扩大研发，24Q1-Q3 公司研发费用率达 16.6%，考虑营收体量的提升，尽管持续研发下，研发费用提高，但研发费用率 25 年、26 年相较于 24年下降，2024-2

121、026 年分别为 16.5%、14.3%、14.2%，财务费用方面，公司 24 年持续对外投资等动作下，借款预计增多，利息收入下降，预计财务费用率为-0.4%/-0.3%/-0.2%。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.37 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表60：费用率假设情况 单位：百万元单位：百万元 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 研发费用研发费用 605 817 1496 1727 2236 研发费用率研发费用率 12.8%13.0%16.5%14.3%14.2%销售费用销售费用 409 492 517 652

122、830 销售费用率销售费用率 8.6%7.9%5.7%5.4%5.3%管理费用管理费用 236 344 517 646 830 管理费用率管理费用率 5.0%5.5%5.7%5.4%5.3%财务费用财务费用（151）（87）（35）（33）（27）财务费用率财务费用率-3.2%-1.4%-0.4%-0.3%-0.2%资料来源：Wind，国盛证券研究所 我们选取主业同样为半导体设备的北方华创、中科飞测、拓荆科技作为可比公司，北方华创为设备平台化公司，涉及刻蚀、薄膜沉积等设备，拓荆科技主营薄膜沉积设备，中科飞测业务覆盖量检测设备，三家公司与中微公司同为半导体设备厂商，故可作为可比公司，可比公司 2

123、025/2026 年平均 PE 为 63/39x，中微公司 2025/2026 年 PE 为 49/35x，具备估值优势，首次覆盖，给予“买入”评级。图表61：可比公司估值情况 代码代码 证券简称证券简称 市值（亿元）市值（亿元）归母净利润（亿元）归母净利润（亿元）PE 2024A 2025E 2026E 2024A 2025E 2026E 002371.SZ 北方华创 2,311.66 55.60 77.54 99.85 41.58 29.81 23.15 688361.SH 中科飞测 296.00-0.12 2.69 5.20/109.88 56.93 688072.SH 拓荆科技 497

124、.92 6.88 10.06 13.76 72.32 49.51 36.19 平均值平均值 20.79 30.10 39.60 56.95 63.07 38.75 688012.SH 中微公司 1,242.80 16.26 25.52 35.60 76.42 48.70 34.91 资料来源：Wind，国盛证券研究所“（注：除中微公司外，其余 25-26 年数据来自 wind 一致预期，数据依据日期为 2025.03.13，中科飞测 24 年亏损，故不使用其 24 年 PE 估值，中科飞测、北方华创 24 年数据为业绩预告，拓荆科技为业绩快报）2025 03 21年 月 日 gszqdatem

125、ark P.38 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 5、风险提示风险提示 研发进展不及预期：研发进展不及预期：高端半导体设备研发难度较大，研发进展存在不确定性。客户导入进展不及预期：客户导入进展不及预期：客户导入情况依据产线测试结果，测试结果存在不确定性。数据滞后性风险：数据滞后性风险：部分数据非最新数据。行业竞争加剧行业竞争加剧：市场参与者逐渐增多，竞争加剧。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.39 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 免责声明免责声明 国盛证券有限责任公司（以下简称“本公司”）具有中国证监会许可的证券投资咨询业务资格。

126、本报告仅供本公司的客户使用。本公司不会因接收人收到本报告而视其为客户。在任何情况下，本公司不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损失负任何责任。本报告的信息均来源于本公司认为可信的公开资料，但本公司及其研究人员对该等信息的准确性及完整性不作任何保证。本报告中的资料、意见及预测仅反映本公司于发布本报告当日的判断，可能会随时调整。在不同时期，本公司可发出与本报告所载资料、意见及推测不一致的报告。本公司不保证本报告所含信息及资料保持在最新状态，对本报告所含信息可在不发出通知的情形下做出修改，投资者应当自行关注相应的更新或修改。本公司力求报告内容客观、公正，但本报告所载的资料、工具、意见、信息

127、及推测只提供给客户作参考之用，不构成任何投资、法律、会计或税务的最终操作建议，本公司不就报告中的内容对最终操作建议做出任何担保。本报告中所指的投资及服务可能不适合个别客户，不构成客户私人咨询建议。投资者应当充分考虑自身特定状况，并完整理解和使用本报告内容，不应视本报告为做出投资决策的唯一因素。投资者应注意，在法律许可的情况下，本公司及其本公司的关联机构可能会持有本报告中涉及的公司所发行的证券并进行交易，也可能为这些公司正在提供或争取提供投资银行、财务顾问和金融产品等各种金融服务。本报告版权归“国盛证券有限责任公司”所有。未经事先本公司书面授权，任何机构或个人不得对本报告进行任何形式的发布、复制

128、。任何机构或个人如引用、刊发本报告，需注明出处为“国盛证券研究所”，且不得对本报告进行有悖原意的删节或修改。分析师声明分析师声明 本报告署名分析师在此声明：我们具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格或相当的专业胜任能力，本报告所表述的任何观点均精准地反映了我们对标的证券和发行人的个人看法，结论不受任何第三方的授意或影响。我们所得报酬的任何部分无论是在过去、现在及将来均不会与本报告中的具体投资建议或观点有直接或间接联系。投资评级说明投资评级说明 投资建议的评级标准投资建议的评级标准 评级评级 说明说明 评级标准为报告发布日后的 6 个月内公司股价（或行业指数）相对同期基准指数的相对市场表现

129、。其中 A 股市场以沪深 300 指数为基准；新三板市场以三板成指（针对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的）为基准；香港市场以摩根士丹利中国指数为基准，美股市场以标普 500 指数或纳斯达克综合指数为基准。股票评级 买入 相对同期基准指数涨幅在 15%以上 增持 相对同期基准指数涨幅在 5%15%之间 持有 相对同期基准指数涨幅在-5%+5%之间 减持 相对同期基准指数跌幅在 5%以上 行业评级 增持 相对同期基准指数涨幅在 10%以上 中性 相对同期基准指数涨幅在-10%+10%之间 减持 相对同期基准指数跌幅在 10%以上 国盛证券研究所国盛证券研究所 北京北京 上海上海 地址：北京市东城区永定门西滨河路 8 号院 7 楼中海地产广场东塔 7 层 地址：上海市浦东新区南洋泾路 555 号陆家嘴金融街区 22栋 邮编：100077 邮编：200120 邮箱： 电话：021-38124100 邮箱： 南昌南昌 深圳深圳 地址：南昌市红谷滩新区凤凰中大道 1115 号北京银行大厦 地址：深圳市福田区福华三路 100 号鼎和大厦 24 楼 邮编：330038 邮编：518033 传真：0791-86281485 邮箱： 邮箱： 2025 03 21年 月 日