东微半导-国内高压MOSFET龙头创新IGBT结构拓宽产品线-20220215（34页）.pdf

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1、 证券研究报告 | 公司深度报告 2022 年 02 月 15 日 审慎推荐审慎推荐-A（首次）（首次） 国内高压国内高压 MOSFET 龙头，创新龙头，创新 IGBT 结构结构拓宽产品线拓宽产品线 TMT 及中小盘/电子 当前股价：145.48 元 东微半导作为国内高压超结东微半导作为国内高压超结 MOS 龙头，全球高压龙头，全球高压 MOS 市占率高达市占率高达 8.6%。在。在充电桩充电桩/5G 基站电源基站电源/车载车载 OBC 等下游等下游领域领域高速放量推动下，未来高压超结高速放量推动下，未来高压超结MOS 市场将迎来高速市场将迎来高速成长成长。产能端来看，公司受益于华虹。产能端来

2、看，公司受益于华虹 12 英英寸功率产能扩寸功率产能扩充充，并积极拓展并积极拓展 DB Hitek 和和广州粤芯广州粤芯等晶圆厂，同时新品超级硅等晶圆厂，同时新品超级硅 MOS 和创新和创新结构结构 IGBT 开始逐步放量，未来成长空间有望进一步打开。开始逐步放量，未来成长空间有望进一步打开。 公司主营高压超级结和中低压屏蔽栅公司主营高压超级结和中低压屏蔽栅 MOSFET， 自主创新， 自主创新 IGBT 拓宽拓宽产品产品线。线。公司成立于 2008 年， 采用 Fabless 模式， 产品用于充电桩/5G 基站电源/车载OBC 等领域，下游客户包括华为/比亚迪/英飞源等。2021H1 高压和

3、中低压MOS营收占比分别为74.55%/24.96%， IGBT目前体量较小。 公司20182020营收CAGR达42%， 2021预计营收7.728.03亿元， 同比增长150%160%，扣非归母净利润 1.271.47 亿元，同比增长 522%620%，系 2021 年以来下游行业景气度较高，器件价格上升。公司上市前拟募集 9.39 亿元，其中 4.82亿元投向产业化建设项目，用于 MOSFET、IGBT 及 SiC 功率器件的开发升级，建设期 3 年，4.57 亿元用作科技发展储备，实际募集净额为 20.07 亿元。 高压高压 MOSFET 增速高于中低压增速高于中低压 MOSFET，国

4、产化率相对较低，未来成长空，国产化率相对较低，未来成长空间更为广阔。间更为广阔。高压超级结 MOSFET 主要应用于新能源汽车直流充电桩/工业电源/汽车 OBC 等未来具备较高成长性的领域， 中低压 MOSFET 多应用于电池保护/同步整流等消费电子产品中，高压 MOSFET 目前市场规模低于中低压产品，但预计其未来增速将高于中低压产品。我国高压超级结 MOSFET 市场由欧美日企业主导， 国产化率低于 MOSFET 整体国产化率， 成长空间广阔。 公司公司 MOSFET 性能可比国际厂商，与华虹的深厚合作关系保障了晶圆产能。性能可比国际厂商，与华虹的深厚合作关系保障了晶圆产能。公司 Gree

5、nMOS 系列产品优值指标与国际领先厂商相当，产品型号近千种，中低压 MOSFET 与国际领先厂商差距较小，与国内厂商相比处于前列。供给侧方面，受益于华虹 12 英寸功率产能扩充，同时与广州粤芯、DB Hitek 建立合作，未来晶圆供应有所保障；需求侧方面，随着电动汽车的加速渗透，充电桩建设量稳步增长， 同时工业及通信电源领域需求上升， 叠加公司 MOSFET产品竞争力， 预计未来国内市场份额在 2020 年 8.6%的基础上将进一步提升。 公司自创公司自创 IGBT 单管，性能可对标国际厂商，已有单管，性能可对标国际厂商，已有 OBC 等领域订单。等领域订单。公司独创的 IGBT 单管结构

6、TGBT 在不提高制造难度的前提下，提升功率密度，性能不输国际厂商同规格产品。2021H1 IGBT 单管创收 22.95 万元，主要来自储能领域的深圳拓邦股份，截至 2021 年 8 月，IGBT 在手订单合计约 219 万元，客户有来自车载充电机领域的英搏尔电气/消费电源领域的迪比科电子/光伏领域的新明海科技/储能领域的拓邦股份等，未来营收将持续增长。 盈利预测：盈利预测：考虑到高压超级结 MOSFET 下游为充电桩、工业及通信电源、车载 OBC 等具备较高成长性领域，2022、2023 年价格下行压力小于中低压MOSFET，同时公司超级硅 MOSFET 和 IGBT 处于前期放量阶段，未