【公司研究】安集科技-CMP抛光液龙头国产替代排头兵-210628（18页）.pdf

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编号：43421

2021-06-30

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1、CMP抛光工艺具备H高的技术壁垒，抛光液工艺难、专用性高、种类逐浙增加。在纳米级的器件线路上，对不同材料的去除速率、选择比以及表面粗糙度和缺陷要求精准至纳米乃至分子级，高难工艺对抛光材料的性能提出更高的技术要求。同技术节点，不同下游客户工艺技术不同，对抛光材料需求也不同。CMP抛光材料专用性高，客户和供应商联合开发成为成功先决条件。随着集成电路技术的进步和新能要求增加，下游客户在制造过程中对CMP抛光材料种类和用量需求不断增加:抛光液的种类从90nm的五六种增加到14nm的20种以上，7nm及以下使用的抛光液种类接近30种。CMP抛光材料中抛光液占比为49%，抛光液的核心壁垒在于产品配方和工艺

2、流程控制。CMP抛光液的主要原料包括研磨颗粒、各种添加剂和水，其中添加剂的种类根据产品应用也有所不同，如金属抛光液中有金属络合剂、腐蚀抑制剂等，非金属抛光液中有各种调节去除速率和选择比的添加剂。在加料、混合和过滤等关键生产流程中，各种组分的比例、顺序、速度和时间等都会影响到最终的产品性能，需要公司不断优化研究来找出最合适的方案，因此产品配方和生产工艺流程是每家公司的核心竞争力。根据抛光对象不同，抛光液可分为铜抛光液、钨抛光液、硅抛光液和钴抛光液等类别。其中，铜抛光液和钨抛光液主要用于逻辑芯片和存储芯片制造过程，在10nm及以下技术节点中，钴将部分代替铜作为导线;硅抛光液主要用于硅晶圆初步加工过程中。

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