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1、太阳能电池片产业太阳能电池片产业海外专利预警海外专利预警分析报告上海市知识产权保护中心上海市知识产权保护中心（海外知识产权纠纷应对指导上海分中心）（海外知识产权纠纷应对指导上海分中心）20242024 年年 1010 月月I 引言引言 当今世界，能源与环境问题已成为全球关注的焦点。随着化石能源的日益枯竭，能源成本不断攀升，同时燃烧矿石燃料带来的环境问题也愈发严峻。在此背景下，太阳能作为一种资源潜力巨大的可再生能源，受到了越来越多国家的重视。太阳能电池片作为太阳能发电系统的重要组成部分，其技术的不断进步和广泛应用，对推动全球能源结构的优化和环境保护具有重要意义。然而，随着相关技术的不断发展和市场

2、的不断扩大，专利纠纷和技术侵权风险也随之增加。为帮助上海市及中国相关企业及时获取和应对相关专利风险、保护企业合法权益、提升国际竞争力，开展专利预警工作显得尤为重要。为加强重大产业或重点产品专利预警工作，及时获取并了解长三角江浙沪相关企业技术或产品海内外专利风险情况，上海市知识产权保护中心（海外知识产权纠纷应对指导上海分中心）就太阳能电池片重大产业中的太阳能电池板硅晶体管制备技术开展了海外专利预警分析工作，出具本报告。本报告以专利制度内生风险为基础，从宏观、中观、微观三个层面对潜在的海外专利风险进行分析。其中，宏观层面，结合产业整体发展情况，对发展态势和竞争格局进行总览。中观层面，从典型主体的专

3、利保护情况和障碍规模出发，为中国企业提供海外主体预警提示和中国主体海外市场竞争提示。微观层面，以产业典型专利纠纷事件为基础，提供中国企业海外专利纠纷应对启示；以上海头部企业为例，提供潜在风险专利的排查思路；同时，以风险专利评估模型为基础，从风险发生概率和风险应对可能性等角度出发，为中国企业提供风险专利预警自查清单。最后，基于不同层次的专利分析，本报告提供了宏观、中观、微观层面的风险应对提示及策略，诸如面对产业及技术多次洗牌的环境风险提示、面对因硅料价格等因素导致供需关系变化的市场风险提示、面对高发诉讼主体的侵权风险提示、面对潜在风险专利的风险排查提示及应对策略等。此外，本报告还提供了可参考的研

4、发方向建议和专利布局建议，以期为我国太阳能电池片企业的国际化发展提供参考和指导。II 本报告由上海市知识产权保护中心（海外知识产权纠纷应对指导上海分中心）发布并归口。本报告撰写合作单位：北京智专北斗知识产权咨询有限公司。本报告主要撰写人：杨林、李英雪、马铭辰、田园、吴国朋。本报告审核专家：蓝少发、李争、张静洁。本报告指导工作人员：徐四立、左丹月、王夷珠、朱李晨、刘家畅。III 目 录 第 1 章 项目概述.1 1.1 项目背景及关注内容.1 1.1.1 产业及项目背景.1 1.1.2 技术背景及关注内容.1 1.2 专利风险预警的底层逻辑及板块设计.2 1.3 风险专利评估模型.3 1.3.1

5、 基于风险发生概率的专利评估模型.4 1.3.2 基于风险应对可能性的专利评估模型.5 1.4 数据检索及处理.6 1.4.1 检索工具及检索截止日.6 1.4.2 检索要素.6 1.4.3 检索结果.8 1.4.4 查全查准验证.8 1.5 相关术语说明.10 第 2 章 宏观竞争风险分析.12 2.1 专利发展态势分析.12 2.1.1 竞争层次划分.12 2.1.2 专利总览及地域竞争情况.12 2.1.3 基于归属地域的发展态势对比.21 2.2 竞争格局分析.27 2.2.1 全球主体排名（全球申请量）.27 2.2.2 海外主体排名（全球申请量 vs 中国申请量）.29 2.2.3

6、 中国主体排名（全球申请量 vs 海外申请量）.31 2.2.4 上海主体排名（全球申请量 vs 海外申请量）.33 第 3 章 中观竞争风险分析.35 3.1 典型主体挑选.35 3.1.1 海外典型主体挑选依据.35 3.1.2 国内典型主体挑选依据.35 3.2 典型主体专利申请情况.36 3.2.1 专利申请情况总览及保护意愿.36 3.2.2 专利布局地域详览.37 3.2.3 专利布局方向详览.41 3.3 典型主体专利持有情况.47 3.3.1 专利竞争指数及专利障碍规模.47 3.3.2 潜在风险地域详览.48 3.4 典型主体典型专利剖析.51 3.4.1 SunPower（

7、美国）.51 3.4.2 LG 集团（韩国）.52 3.4.3 信越集团（日本）.53 3.4.4 原子能和替代能源委员会（法国）.54 3.4.5 晶科能源（中国）.55 IV 3.4.6 天合光能（中国）.55 第 4 章 微观竞争风险分析.57 4.1 领域典型法律事件分析.57 4.1.1 事件概括及历程梳理：韩华对中国企业发起的 337 调查及侵权诉讼.57 4.1.2 事件观察及预警启示.63 4.2 面向上海头部主体的专项预警提示.64 4.2.1 专项预警主体选取及预警目标.64 4.2.2 晶科能源 TOPCon 技术相关产品信息摘录.65 4.2.3 晶科能源潜在风险专利预

8、警.66 4.3 基于风险发生概率的风险专利清单.75 4.3.1 基于海外主体全球专利布局的风险专利清单.76 4.3.2 基于国内主体海外专利布局的风险专利清单.98 4.4 基于风险应对可能性的风险专利清单.121 4.4.1 基于海外主体全球专利布局的风险专利清单.122 4.4.2 基于国内主体海外专利布局的风险专利清单.150 第 5 章 风险应对策略.164 5.1 风险应对策略.164 5.1.1 宏观.164 5.1.2 中观.165 5.1.3 微观.167 5.2 研发方向建议.172 5.2.1 电池类型.172 5.2.2 电池片结构.172 5.2.3 工艺方法.1

9、73 5.3 专利布局建议.173 5.3.1 前期准备.173 5.3.2 布局策略.174 5.3.3 实施与评估.175 第 6 章 结论和建议.176 1 第第1章章 项目概述项目概述 1.1 项目背景及关注内容项目背景及关注内容 1.1.1 产业及项目背景产业及项目背景 新型太阳能电池板作为动力转换的创新领导者，正在以其高效率、环境友好性和技术革新，在能源行业掀起一场革命。随着全球能源需求的增长和传统能源资源的有限性，发展太阳能电池有助于提高国家能源供应的安全性和独立性。随着技术进步和规模化生产，太阳能电池片的成本逐年下降，长期运营成本低，且使用寿命长，投资回报率逐步提升，为家庭、商

10、业和工业用户提供了一种经济可行的电力来源。太阳能电池新材料也是各国长期扶持且战略布局的重点产业，从全球范围来看，为促进新材料产业快速发展，国内外诸多国家纷纷出台相关政策，对重点新材料领域实行精准扶持和提前布局。如美国 2021 年出台的地方能源行动计划、太阳能未来研究等计划，日本 2021 年出台的科学技术基本计划，德国 2020 年出台的欧洲共同利益重要项目分支的电池政策，2023 年中国的前沿材料产业化重点发展之道目录等。同时上海也在大力推进新材料及其重点领域的发展，上海市能源发展“十四五”规划指出，“以光伏产业为例，推进光伏电池研发是技术攻关的重要一环。”。基于上述背景，本项目聚焦太阳能

11、电池片产业，从太阳能电池板硅晶体管制从太阳能电池板硅晶体管制造技术切入造技术切入，以专利为基础，对技术、时间、地域、主体等信息进行监测和分析，掌握海内外竞争对手、专利技术等相关情况，为相关行业/企业提供预警信息，帮助行业/企业稳步发展。1.1.2 技术背景及关注内容技术背景及关注内容 本项目落脚点在“太阳能电池板硅晶体管”的制备中，硅晶体管是以硅材料2 为基础的电子元件。太阳能电池的工作基础是“PN 结产生的光生伏特效应”。光生伏特效应是当物体受到光照时，物体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应。在太阳能电池中，当太阳光或其他光照射半导体的 PN 结时，就会在 PN 结的两边出

12、现电压。PN 结体现在产品中，以“太阳能电池片”的形式呈现。太阳能电池片是由两层不同的硅（N 型硅和 P 型硅）组成的薄半导体晶片，这种晶片经掺杂等工艺处理而成。当前，太阳能电池片存在多种技术路线。不同的路线在具体步骤上存在差异，但均需要形成 PN 结（把 P 型硅和 N 型硅结合的过程）。目前形成 PN 结的主要方法有两种：一是在 P 型硅的基础上扩散磷元素，形成 n+/p 型结构称作 P 型硅片；二是在 N 型硅的基础上注入硼元素，形成 p+/n 型结构称作 N 型硅片。以单晶硅为例，常见的太阳能电池片技术路线如下：电池类型电池类型 技术路线技术路线 单晶硅 P 型电池 Al-BSF PE

13、RC（P 型主流路线）单晶硅 N 型电池 PERT TOPCon HIT/HJT/SHJ/HDT IBC HBC 1.2 专利风险预警的底层逻辑及板块设计专利风险预警的底层逻辑及板块设计 专利风险是专利制度自带的内生风险，贯穿专利活动的全流程，不仅体现在主体之间的互相制约上，同时也涉及整个产业的系统风险。通过分析技术信息、法律信息、市场信息等专利信息，分析出专利风险以支撑决策。通过发展态势分析、竞争格局分析等宏观竞争风险分析，主要竞争对手专利布局分析等中观发展风险分析，专利风险筛查、风险等级判定等微观应用风险分析，制定风险应对策3 略和维权策略。图 1-1 专利风险预警的底层逻辑及板块设计 1

14、.3 风险专利评估模型风险专利评估模型 为帮助本领域企业识别风险专利，本项目从倒推视角出发，提取风险专利可能的特征，通过设置指标的方式对专利进行标记，筛选符合条件的专利，以期为企业提供可供参考的专利信息和风险预警信息。本次风险专利评估模型主要关注“风险发生概率风险发生概率”和“风险应对可能性风险应对可能性”两个板块的内容。其中，风险发生概率的筛选范围是有效和审中专利，重点考察历史风险情况、企业活动关联情况、潜在风险同族情况。风险应对可能性的筛选范围是有效专利，以剩余保护期、保护范围、权利稳定性、布局强度、侵权可判定性等多项指标为基础进行考量。具体内容如下：4 1.3.1 基于风险发生概率的专利

15、评估模型基于风险发生概率的专利评估模型 表 1-1 风险专利评估模型（风险发生概率）风险发生概率（筛选范围：有效、审中专利）风险发生概率（筛选范围：有效、审中专利）考量维度考量维度 考量内容考量内容 选取理由选取理由 风险定级风险定级 历史风险情况（有效专利）诉讼 涉及历史风险事件的专利往往对本领域的产品存在着影响。专利权人以专利为依据对产品提起侵权之诉；产品方为避免被阻击，对专利采取无效、异议等反击。经历过历史风险事件的专利1，未来可能再次对本领域相关产品产生冲击，风险概率相对更高，本次将其归入高风险类别。第一梯队：第一梯队：高风险高风险 无效 保全 异议 企业活动关联情况（有效、审中专利）

16、海关备案 海关备案后当发现侵权货物进出口时，可以请求海关扣留，有效打击侵权行为，信托可以对专利财产进行管理，许可可以减少纠纷并获得回报。与企业活动相关联的专利可能后续会作为与产品配套或者与专利阻击活动的储备，具备一定风险，本次将其归入中风险类别。第二梯队：第二梯队：中风险中风险 信托 许可 潜在风险同族情况（有效、审中专利）历史风险专利的有效、审中同族 专利具有地域性，某项专利技术在某地区发生风险或有概率发生风险的，其同族专利同样可能伴随着风险发生，本次将其归入低风险类别。第三梯队：第三梯队：低风险低风险 企业活动关联专利的有效、审中同族 1 需要说明的是，仍处于有效状态的专利可能存在多种情况

17、。其中包含未决状态的专利、已被无效但未来行政诉讼仍有翻案可能的专利等等。此处的“有效”仅展示当前状态，仍需持续关注相关专利走向。5 1.3.2 基于风险应对可能性的专利评估模型基于风险应对可能性的专利评估模型 表 1-2 风险专利评估模型（风险应对可能性）风险应对可能性（筛选范围：有效专利）风险应对可能性（筛选范围：有效专利）考量维度考量维度 考量内容考量内容 选取理由选取理由 剩余保护期 剩余保护期 专利剩余保护期越长，市场价值通常越高，专利权主体可以在更长时间内独占该技术，减少被模仿和替代的风险，同时获得更多的商业化应用及经济效益。专利保护期越短，面临的竞争压力和不确定性越大。专利权主体需

18、要考虑是否继续投入资源维持，或者创新替代即将到期的专利。保护范围 权利要求字数 权利要求字数会影响专利权利的保护范围，从而影响专利风险的可能性，如侵权风险或无效风险。字数过少可能无法充分描述发明的必要技术特征和保护范围，导致权利要求的保护力度不足。权利稳定性 引用类别（已使用的对比文件类别）专利审查时引用的不同类型的对比文件可以用来评估专利申请的新颖性和创造性。通过排查相关专利的对比文件，可以初步获知其权利稳定性。布局强度 简单同族国家/地区数量（不含 PCT）简单同族国家/地区数量的多少可以在一定程度上反映一项技术的市场价值和重要性。如果一项技术拥有较多的同族国家/地区，说明相关主体有意以该

19、项专利技术为基础进行大范围专利竞争，同时有意以布局出的同族专利为基础进行大范围专利阻击。因此，在评估专利侵权风险时，可以考虑同族国家/地区数量的因素。6 表 1-3 基于风险应对可能性的专利打分规则 注：待评专利的指标情况用 N 表示 考量指标考量指标 指标指标权重权重 分值分值 0 分分 2 分分 4 分分 6 分分 8 分分 10 分分 剩余保护期（日）0.2 N0 N=2490 N=3333 N=4327 N5585 权利要求字数 0.3 N=452（2 分）N=326 N=249 N=168 N168 引用类别（已使用的对比文件类别）0.3 包含 X、E 或 102 文件 包含 Y或

20、103文件 包含 A文件；不涉及目标引用文件/简单同族国家/地区数量（不含 PCT）0.2 N=1 N=4（6 分）N7 1.4 数据检索及处理数据检索及处理 1.4.1 检索工具及检索截止日检索工具及检索截止日 本次专利检索使用智慧芽作为检索工具。智慧芽收录超过 1.8 亿的全球专利数据，覆盖 170 余个国家/地区/组织，数据保持每日更新，支持中英文关键词检索、批量检索、智能语义检索、附图检索。本次检索截止日为 2024 年 6 月 24 日。1.4.2 检索要素检索要素 以技术为基础，结合专利数据库规则和初检情况，对检索要素进行设计，下7 面对检索使用的要素进行分类展示：表 1-4 检索

21、要素表 要素词要素词 检索要素检索要素 太阳能 太阳能 OR 光伏 OR Solar OR Photovoltaic 电池片 电池片 OR 晶体管 OR(P$PRE1 N$PRE1 结)OR 异质结 OR transistor#OR(P$PRE1 N$PRE1 junction)OR heterojunction#OR heterostructure 技术路线及高相关结构 BSF OR 铝背场 OR PERC OR PERT OR(钝化$W6 发射极)OR TOPCon OR 隧穿氧化层 OR HJT OR SHJ OR 异质结 OR IBC OR(背接触$W1(叉指 OR 交叉)OR HBC

22、 OR back surface field OR(Passivated$PRE1 Emitter$PRE1 Rear)OR Tunnel Oxide Passivated Contact OR Heterojunction OR Interdigitated back contact 制备工艺 制备 OR 制作 OR 制造 OR fabricat*OR manufactur*OR 工艺 OR process OR 制绒 OR 扩散 OR 刻蚀 OR 沉积 OR 印刷 OR 钝化 OR textur*OR diffus*OR etch*OR deposit*OR print*OR passiv

23、at*重点分类号 H01L31/18 重点主体 晶科$PRE0(能源 or 新能源 or 电力 or 光伏 or 储能 or 绿能)or(隆基$PRE0(绿能 OR 硅材料 OR 乐叶光伏 OR 新能源 OR 清洁能源)or(晶澳 OR 晶龙)$PRE0(太阳能 OR 光伏 OR 储能 OR 新能源 OR 能源 OR 硅材料)or(晶龙$PRE0(实业 OR 科技)OR（JINKO$PRE1（SOLAR or（GREEN$PRE1 ENERGY）or（ENERGY$PRE1 STORAGE）or（LONGI$PRE1（SOLAR or（GREEN$PRE1 ENERGY）or（JINGAO o

24、r JA）$PRE1 SOLAR）OR 东方日升 or 天合光能 or(通威$PRE0(太阳能 or 新能源 or 股份)or(爱旭$PRE0(太阳能 or 数字能源 or 科技)OR(RISEN$PRE1 ENERGY)or(TRINA$PRE1 SOLAR)or(TONGWEI$PRE1 SOLAR)or(AIKO$PRE1 SOLAR)OR(“First Solar”OR 第一太阳能)OR(TetraSun OR 泰特拉桑 OR Evolar)OR(Q$PRE1 cells)OR(SunPower$PRE1 CORP)OR 太阳能公司)OR(Maxeon OR 迈可晟)OR 阿特斯 or

25、“Canadian Solar”or“CSI solar”OR(LG or 乐金)or(韩华 or Hanwha)8 1.4.3 检索结果检索结果 经前期检索及数据调整，最终获得全球专利申请 14859 件（合并同族 7087项），其中 6314 件（4840 项）申请归属于中国主体。更进一步地，归属于上海市主体的专利申请 367 件（234 项）。1.4.4 查全查准验证查全查准验证 为评估和优化专利检索结果，本项目开展了查全查准验证和数据调整工作。其中，查全查准验证从评估视角出发对数据的全面度和准确度进行判断；数据调整则在查全查准验证的基础上进一步优化数据集。（1）查全验证及全面度调整查全

26、验证及全面度调整 A 查全率及查全要求查全率及查全要求 在专利检索结果评估中，查全率是指被检出的相关文献占总体相关文献集合的百分比。在实际操作中，由于理想状态或客观存在下的相关文献集合无从获知，因此通常将已掌握的相关文献作为样本来进行查全验证，即：在查全样本中核查检索命中情况。在本项目中，查全率大于等于 85%时达到查全要求，停止查全。B 查全样本构建查全样本构建 本次查全样本基于申请人数据构建，选取 SunPower 和 LG 集团两家重点申请人近 20 年相关专利申请作为查全基础。其中，以申请人为入口进行检索，对获得的检索结果进行人工阅读、清理和标引，获得查全样本 360 件。C 查全验证

27、过程记录查全验证过程记录（1）第一次查全验证：将查全样本与检索数据结果进行对比，共命中 297件专利，则得到查全率 78.7%，不满足查全要求，需进行补充检索。（2）补充检索：观察第一次查全验证结果，对遗漏的关键词进行补充检索，9 得到补充后的检索结果。（3）第二次查全验证：将查全样本与补充后的检索数据结果进行对比，共命中 310 件专利将查全样本代入补充后的检索结果中，得到查全率 86.1%，满足查全要求，停止查全。（4）在查全率满足查全要求的基础上，在数据集中补入查全样本，进一步优化数据的全面度。（2）查准验证及准确度调整查准验证及准确度调整 A 查准率及查准要求查准率及查准要求 在专利检

28、索结果评估中，查准率是指被检出的相关文献占被检出文献总数的百分比。在检索结果数据确定的情况下，数据的相关度可以通过人工阅读来核查。在文献量较少时，可以采用逐篇核查的方式；当文献量较大时，逐篇核查成本较高，且会影响评估效率。因此，在实际操作中，在文献量较大时，通常随机选取部分样本进行抽查，即：在查准样本中核查数据的相关度。在本项目中，查全率大于等于 90%时达到查全要求，停止查准。B 查准样本构建查准样本构建 在调整过全面度的数据基础上，本次查准样本建立方式为：从 20132023年 10 年间每年各随机抽取选取中外文专利 50 件（共 1000 件专利）作为查准样本。C 查准验证过程记录查准验

29、证过程记录（1）查准验证：对抽取的查准样本进行人工阅读，953 件专利属于本次分析关注的数据，查准率为 95.3%，达到查准要求，停止查准。（2）人工去噪：在查准率满足查准要求的基础上，本项目对查准过程中发现的少量噪音进行了人工去除，进一步优化数据的准确度。需要说明的是，由于本次查准验证采取人工去噪的方式，不会导致已获得的相关数据被排除，因此无10 需再次返回查全。自此，查全查准验证流程全部结束。1.5 相关术语说明相关术语说明 为保证理解的一致性，对本报告使用的专业术语及相关事项说明如下：表 1-5 相关术语说明 序号序号 术语术语 释义释义 1 专利技术归属地域、专利主体来源地域 按照当前

30、申请（专利权）人地址统计专利申请量，了解当前专利申请及相关专利技术主要归属于哪些国家或地区。2 中国主体的专利申请/归属于中国的专利申请 中国主体持有的专利申请，包括中国本土布局、PCT 申请、海外专利布局。3 海外主体的专利申请/归属于海外的专利申请 非中国主体持有的专利申请，包括其在海外本土的专利布局、PCT 申请、其他国家或地区的布局。4 上海主体的专利申请/来源于上海的专利申请 上海主体持有的专利申请，包括中国本土布局、PCT 申请、海外专利布局。5 专利布局地域 按照受理局统计专利申请量，了解各个国家或地区的专利布局情况，其中中国专利/申请包含受理局为 CN、HK、TW、MO 的专利

31、/申请。6 全球专利/申请 申请人在全球范围中各专利局的专利申请。7 中国专利/申请 申请人在中国大陆、中国香港、中国台湾、中国澳门的专利申请，对应受理局分别为 CN、HK、TW、MO。8 PCT 申请 国际专利申请，按照专利合作条约提交的要求保护发明的申请。11 序号序号 术语术语 释义释义 9 专利族、同族专利 由于专利权具有严格的地域性，欲使其一项新发明技术获得多国专利保护，就必须将其发明创造向多个国家申请专利，因此产生了专利族。同一项发明创造在多个国家申请专利而产生的一组内容相同或基本相同的文件出版物，称为一个专利族。在同一专利族中，每件文件出版物互为同族专利。10 项数、项 项数对应

32、于专利族的数量，通常使用简单同族，即 1 项专利指一个简单专利族，其中可能包含在多个专利局申请的专利。11 件数、件 件数对应于申请的数量，在进行专利申请数量统计时，为了分析申请人在不同国家、地区或组织所提出的专利申请的分布情况，将同族专利申请分开进行统计。结合专利项数而言，1 项专利可能对应 1 件或多件专利申请。12 专利申请趋势 将专利申请量按时间维度进行统计，动态分析专利申请量随时间的变化情况。13 申请量排名前 N 主体 对各主体的申请量进行统计排序，获得申请量靠前的前N 个主体。14 预计持有专利量 以有效量和审中量为基础进行计算。具体而言：预计持有专利量=有效量+审中量*授权率

33、15 竞争指数 表征不同主体的竞争实力，数值越大说明该主体的专利竞争实力越强，形成的专利障碍规模越大。对于该主体而言，竞争指数越大越好；对其他主体而言，竞争对手的竞争指数越大，对其市场竞争越不利。从预警的角度来说，更多体现在后者的场景中。16 其他未尽事宜 其他未尽事宜以脚注或者文本说明为准；未进行说明的，以行业通用含义进行理解。12 第第2章章 宏观竞争风险分析宏观竞争风险分析 2.1 专利发展态势分析专利发展态势分析 2.1.1 竞争层次划分竞争层次划分 为定位和了解全球、中国、上海主体不同的竞争情况，本项目以专利归属地域为依据对竞争层次进行划分，具体如下：表 2-1 竞争层次划分情况 竞

34、争层次竞争层次 专利归属地域及统计说明专利归属地域及统计说明 分析范围说明分析范围说明 归属于上海市的专利竞争情况 统计当前专利权人地址为上海的专利申请，了解上海专利权人的专利持有情况及竞争格局。多数情形下，全球数据包含归属于国内的数据；归属于国内的数据包含归属于上海市的数据。部分情形下，会去除重合的数据，具体以标注的信息为准，如：了解上海市以外的国内专利权人时，会去除来自上海市的相关数据。归属于国内的专利竞争情况 统计当前专利权人地址为中国的专利申请，了解中国专利权人的专利持有情况及竞争格局。全球竞争情况 统计全球专利权人的相关情况，了解归属于全球专利情况及竞争格局。2.1.2 专利总览及地

35、域竞争情况专利总览及地域竞争情况 此部分内容通过对全球范围以及国内范围内的专利主体归属地域及其专利布局情况进行解读，对地域竞争情况进行分析，总结专利总体发展态势。（1）全球专利主体归属地域及专利布局情况全球专利主体归属地域及专利布局情况 下图示出了太阳能电池板硅晶体管制造技术全球专利情况及地域竞争格局。13 在全球范围内，共有 7087 项2相关专利技术，以这 7087 项专利技术为基础进行的全球专利申请共 14859 件，平均一项专利技术布局出 2.10 件专利申请（即一项专利技术平均布局在 2.10 个国家/地区）。聚焦专利主体归属地域3，当前相关专利技术主要掌握/归属于中国、韩国、日本、

36、美国、德国、法国、新加坡、瑞士、荷兰、澳大利亚主体手中。其中，中国主体的专利技术产出量（4840 项）和专利申请量（6314 件）远超其他国家/地区，造成这一现象的原因可能与中国庞大的专利主体基数4和近年来活跃的专利申请活动有关。以归属地域为基础，结合件项比情况，进一步对各国家/地区主体的全球专利布局强度进行分析。排名前十归属地域中，中国主体的全球专利布局相对较弱，件项比仅为 1.30 件/项，低于全球平均水平（2.10 件/项）。除中国外，韩国的件项比也在全球均值以下。其余国家/地区主体的全球布局相对较强，均在全球平均水平以上，其中，荷兰和澳大利亚主体的全球专利布局尤其突出，件项比在 6件/

37、项及以上。2 以简单同族为单位进行统计。3 本文中的“主体归属地域”和“专利归属地域”均统计当前申请（专利权）人地址，旨在了解当前相关专利技术掌握在哪些国家/地区的主体手中、专利申请被哪些国家/地区的主体持有。4 对中韩日美的专利主体数量进行统计，分别为 1057 位、333 位、292 位、640 位，中国远超对标地域。14 图 2-1 全球专利主体归属地域及专利布局情况15 关注全球主要的专利布局地域5，排名前五的国家/地区分别是中、美、韩、日、欧，其中，布局在欧洲地区的专利申请主要受理于欧洲专利局（EP）。结合主体归属地域来看，除本土布局外，中国和韩国主体更为注重美国专利布局；日本和美国

38、主体更为注重中国专利布局。除 TOP5 布局地域外，中国主体较为关注澳大利亚的专利布局，另外，德国是中国主体较为关注的欧洲地区之一6；韩国、日本、美国主体对非 TOP5 布局地域的关注并不突出，但对欧洲地区的选择上有所偏好，德国、奥地利7是其较为关注的市场，具体如下表所示：表 2-2 中、韩、日、美主体的非本土专利布局偏向 主体国别主体国别/归属地域归属地域 非本土专利布局非本土专利布局 中国 5 专利布局地域统计受理局，旨在了解相关专利申请被布局在哪些国家/地区（不含 PCT 申请）。6 表中示出的德国专利申请中可能包含通过欧洲专利局进入德国的专利，德国会在 EP 专利号之外另外赋予国家专利

39、号。7 表中示出的奥地利专利申请中可能包含通过欧洲专利局进入奥地利的专利，奥地利会在 EP 专利号之外另外赋予国家专利号。16 主体国别主体国别/归属地域归属地域 非本土专利布局非本土专利布局 韩国 日本 美国 17 （2）国内专利主体归属地域及专利布局情况国内专利主体归属地域及专利布局情况 下图示出了太阳能电池板硅晶体管制造技术国内竞争格局及海外专利布局情况。在本领域，国内主体申请了 4840 项相关专利技术，以这 4840 项专利技术为基础进行的全球专利申请共 6314 件，平均一项专利技术布局出 1.30 件专利申请（即一项专利技术平均布局在 1.30 个国家/地区）。从专利归属地域来看

40、，当前相关专利技术主要集中在江苏、浙江、四川、广东、安徽、上海、江西、北京、陕西、河北主体名下。其中，江苏主体的专利技术产出量（1449 项）和专利申请量（1631）远超其他省/市/自治区。上海主体的专利技术产出量为 234 项，在国内省/市/自治区中排名第六，具备一定优势，但仍有提升空间。立足归属地域，对各省/市/自治区主体的专利件项比、海外专利布局进行观察。总体来看，江西、上海、四川主体的全球专利布局意识相对更强，件项比在国内主体平均水平以上（1.30 件/项），分别为 1.58 件/项、1.57 件/项和 1.31 件/项。结合海外专利布局情况来看，江西、上海、浙江主体的海外专利布局相对

41、突出，申请量均在百件以上，分别为 225 件、125 件和 120 件。18 图 2-2 国内专利主体归属地域及专利布局情况 19 进一步对国内典型省/市/自治区8主体的海外专利布局地域进行统计，浙江、上海相关主体较为关注美国和欧洲地区的专利布局；江西主体在韩国的专利布局较为突出；澳大利亚是除五局外，国内主体布局较多的地域。具体如下表所示：表 2-3 国内典型省/市/自治区主体的海外专利布局偏向 主体归属省主体归属省/市市/自治区自治区 海外专利布局海外专利布局 江苏 浙江 四川 8 此处选取专利技术产出量排名前三的江苏、浙江、四川以及海外专利布局突出的上海、江西作为代表。20 主体归属省主体

42、归属省/市市/自治区自治区 海外专利布局海外专利布局 上海 江西 21 2.1.3 基于归属地域的发展态势对比基于归属地域的发展态势对比 此部分内容通过对专利申请趋势进行对比，以及对专利主体数量变化进行解读，对归属地域的发展态势进行总结分析。（1）专利申请趋势对比专利申请趋势对比 下图示出了太阳能电池板硅晶体管制造技术专利申请趋势情况。从全球申请全球申请趋势趋势来看，1971 年至 2003 年是起步期；2004 年至 2011 年是快速发展期；2012年至 2017 年是调整期；2018 年至今是缓冲期。聚焦中国主体中国主体相关情况来看，2017 年以前，中国主体的专利申请趋势与全球基本匹配

43、（经历起步期、快速发展期和产业调整期），但整体来说，专利申请起步较晚，另外，在产业调整期并没有出现明显下降趋势，仍保持着平稳发展；进入 2018 年后，中国主体的专利申请持续增长，进入二次发展期。对比海外主体海外主体情况，自 2011 年后，海外主体的专利申请量急转直下，无论是 2011 年至 2017 的产业调整期还是 2018 年开始的产业缓冲期，专利申请量都在持续下降。结合中国的二次回升情况来看，海外主体的专利申请量仍有增长可能性，需要进行持续关注。定位上海主体上海主体情况，整体来说，上海主体的申请趋势与中国主体基本符合，经小幅波动后呈现上升趋势。以上述申请趋势为基础，结合相关资料对各阶

44、段数据走向进行分析，发现专发现专利申请趋势波动情况与产业发展情况基本一致利申请趋势波动情况与产业发展情况基本一致9。下文将结合图表进行具体说明。9 此部分参考的文献如下：1、https:/ 2、https:/ 3、https:/ 4、https:/ 5、https:/ 6、https:/ 7、https:/ 8、https:/ 22 注：由于专利申请延迟公开、数据库收录时滞等原因，近两年的图示数据低于实际数据。图 2-3 基于归属地域的专利申请趋势对比23 产业起步期产业起步期&专利申请起步期专利申请起步期 在 2003 年以前，随着现代工业的发展，全球能源危机和大气污染问题日益突出，传统的燃

45、料能源正在一天天减少，对环境造成的危害日益突出，同时全球约有 20 亿人得不到正常的能源供应。全世界都把目光投向了可再生能源，希望可再生能源能够改变人类的能源结构，维持长远的可持续发展。该时期产业发展处于起步阶段，专利年申请量也始终处于低位。产业元年后的蓬勃发展期产业元年后的蓬勃发展期&专利申请快速发展期专利申请快速发展期 进入2004 年，太阳能发电行业第一次以产业的形式走进大众的视野。在 2004年前后，欧美等国陆续出台了各种鼓励太阳能等清洁能源利用的政策，2004 年全球光伏市场需求也因此比 2003 年增加了一倍。2004 年成为全球光伏产业化元年成为全球光伏产业化元年年。该时期单晶硅

46、、多晶硅和薄膜电池共同发展，竞争优势不分伯仲，形成三足鼎立之势。产业的快速发展带动专利申请的不断增长，产业和专利申请双双进入快速发展期。值得关注的是，该阶段中国的产业发展略慢于全球市场，显著增长点出现在2006 年，该年中华人民共和国可再生能源法正式颁布，国内主体对太阳能电池产业的关注度加高。产业动荡期产业动荡期&专利申请调整期专利申请调整期 2011 年前后，太阳能产业发展出现多重转折，产业进入动荡期。2010 年，受全球金融危机、硅料价格暴跌等多重因素影响，薄膜光伏不复往日辉煌，无数企业破产；与此同时，晶硅光伏企业不断扩产，硅料出现短暂供不应求现象，导致实际扩产速度放缓。2011 年，光伏

47、产能逐步增加，但需求出现收缩，出现产能过剩的情况；另外，2011 年硅料价格经短暂上升后再次下跌，从 646 元/kg 降到不到 194 元/kg10，引起下游产品价格的全线下跌，晶硅光伏电池的成本优势逐步降低。随着产业的动荡，全球专利申请量也开始下跌，海外主体的专利申请下跌幅度尤其突出。10 原文表述是：从 100 美元/kg 降到不到 30 美元/kg，此处使用 2011 年年度平均汇率（1 美元=6.4588元）进行折算，四舍五入保留整数。24 在全球光伏市场处于动荡的大背景下，美国突然对中国发动光伏“双反”调查（反倾销、反补贴），并在 2012 年正式对中国晶硅光伏产品实施双反，美国作

48、为全球最为重要的战略市场国之一对中国晶硅电池企业关上大门，引起中国多家光伏企业亏损、倒闭。但令人惊叹的是，在此种打击下，中国光伏仍然展现出了无与伦比的韧劲。双反后，大批利好政策出台，支持我国光伏产业发展，国内光伏企业不断进行技术改革，中国光伏逐渐摆脱全球依赖，专利申请量虽然没有实现显著增长，但保持着相对稳定。突破与洗牌，产业仍在变动期突破与洗牌，产业仍在变动期&全球专利申请缓冲期（中国主体专利全球专利申请缓冲期（中国主体专利申请二次发展期）申请二次发展期）2018 年至今，全球光伏市场的突破与洗牌仍在进行，硅料价格的持续波动和革新技术的不断出现是影响产业竞争格局的重要因素。在硅料价格方面，该时

49、期硅料价格跌宕起伏，2018 年硅料为 155 元/kg，2020 年又一路下跌至 59 元/kg，触及当时的成本线，致使硅料企业大规模退出；2021 年光伏市场需求增长，硅料价格一路上扬，2022 年 8 月达到 303 元/kg；随着产能的释放，2024 年 5 月，硅料价格又跌至 41 元/kg，跌破大多数硅料企业的先进成本。总体而言，因硅料价格变化在引起硅料企业洗牌的同时，也对电池片厂商造成了影响，这种影响一方面体现在供需关系上，另一方面体现在成本利润上。在技术革新方面，进入 2018 年后，单晶硅电池的发射极钝化和背面接触技术（PERC）成熟以后，使其光电转换效率再次上了一个新台阶。

50、单晶硅电池光电转换率不断提升之后，弥补了成本端价格较高的劣势，使其竞争优势也越发凸显，行业进入加速洗牌阶段。除了基于 P 型电池的 PERC 技术外，单晶硅电池的N 型技术也在不断突破，如 TOPcon 技术、HJT 技术等。在晶硅技术以外，薄膜技术仍在不断改进，典型的厂商是 First Solar，其生产碲化镉组件成本每年都在下降。此外，钙钛矿作为下一代最被看好的光伏电池技术之一，同样属于薄膜电池技术的一种，而以钙钛矿和晶硅技术为基础的叠层电池技术目前也已经有了新的突破。总的来说，近年来光伏产业的多轮洗牌仍是以“技术”为主导的博弈，谁在技术上保持领先，谁就可能在行业竞争中占据上风。目前，光伏

51、产业在经历多轮洗牌后仍呈现多条技术路线并行的产业格局，具体发展前景仍需持续跟进，25 持续关注。在全球洗牌的前提下，中国光伏产业率先复苏。中国的复苏一方面取决于产业动荡期的政策支持和技术积累；另一方面受到“双碳”目标的推动。除此以外，还与国内企业的快速发展脱不开关系，以隆基绿能为例，在多轮洗牌中，隆基绿能刷新了 N 型 TOPCon 电池、HJT 电池的世界效率纪录，其中 N 型 TOPcon 电池效率为 25.21%，HJT 电池效率为 25.26%。（2）专利主体数量变化专利主体数量变化 注：由于专利申请延迟公开、数据库收录时滞等原因，近两年的图示数据低于实际数据。另外，图中占比进行四舍五

52、入处理。图 2-4 不同申请年区间的专利主体数量变化情况 上图示出了太阳能电池板硅晶体管制造技术不同申请年区间下的专利主体数量变化情况。整体而言，光伏产业的产业发展和多次洗牌除了体现在前文所述的专利申请趋势上，还直接体现在专利主体数量变化上。更准确地说，光伏领域26 的产业变化直接影响了专利主体数量，进而影响了专利申请趋势。具体而言：在起步期，全球专利申请主体主要来自海外，海外主体全球占比高达 99%；在快速发展期，中国主体开始加强本领域专利申请，但相关专利仍主要来自于海外主体，该时期的海外主体全球占比在 70%以上。进入调整期后，在光伏产业调整和国内大力助推专利制度的背景下，中国主体全球占比

53、反超海外，从 2012 年的 23%增长至 2014 年的 51%，再到 2017 年的61%，中国主体数量占比逐年加高。2018 年后，全球仍在缓冲期，中国进入二次发展期，海外主体数量相比于调整期显著下降，而中国主体数量仍在增长。该阶段，中国主体全球占比在 60%以上，且仍在增长。需要说明的是，专利主体并不等同于市场主体，参与市场竞争的主体并不一定会申请专利，申请专利的主体也并不一定参与市场竞争。此部分出具的数量趋势和占比主要从发展规律上对产业情况进行印证，具体量级仅供参考。27 2.2 竞争格局分析竞争格局分析 此部分内容通过各个地域范围内的主要专利申请主体，对其竞争格局进行数据解读以及形

54、势分析。地域范围包括全球、海外、中国以及上海地区，对该范围内专利申请量排名前十五位的申请主体的申请情况进行具体分析。2.2.1 全球主体排名（全球申请量）全球主体排名（全球申请量）注：以集团为单位，合并关联公司旗下的申请量。图 2-5 基于全球布局的全球 TOP15 主体 上图从全球专利布局的角度出发，对排名靠前主体进行统计。就申请件数排名而言，全球 TOP15 主体中海外主体相对更多（海外主体占据 8 席，中国主体占 7 席）。其中，海外主体海外主体包括韩国 LG 集团、美国 SunPower、日本力森诺科、法国原子能和替代能源委员会、日本信越集团、日本三菱电机、韩国韩华集团、美国 Firs

55、tSolar。中国主体中国主体包括晶科能源、天合光能、通威太阳能、隆基绿能、阿特斯11、晶澳太阳能。11 阿特斯于 2001 年在加拿大成立，但专利申请来源地集中在中国，另外，根据相关报道披露，集团创始28 在申请件数的基础上，结合专利技术产出项数和件项比对全球专利布局强度进行分析。总体而言，申请量 TOP15 榜单中，海外主体的全球专利布局意识和专利策略运用优于中国主体。典型的有美国 SunPower（件项比高达 10.80 件/项，以 51 项专利技术为基础，申请 551 件专利，平均一项专利技术布局在 10.80 个国家/地区）、日本信越集团（件项比为 6.31 件/项）、法国原子能和替

56、代能源委员会（件项比为 5.27 件/项）。人瞿晓铧博士是中国人，因此，本次将阿特斯作为中国主体统计。下附相关报道链接，供参考：https:/ 29 2.2.2 海外主体排名（全球申请量海外主体排名（全球申请量 vs 中国申请量）中国申请量）注：以集团为单位，合并关联公司旗下的申请量。图 2-6 基于全球布局及中国专利布局的海外 TOP15 主体 30 上图从全球专利布局及中国专利布局的角度出发，对排名靠前的海外主体进行统计。就申请件数排名而言，全球范围内的海外主体国别主要包括韩国主体 3席（其中 LG 集团申请量排名第一），美国主体 4 席（其中 SunPower 申请量排名第二），日本主体

57、 4 席（其中力森诺科申请量排名第三），法国主体 2 席，德国主体 1 席，比利时主体 1 席。中国范围内的海外主体国别主要包括日本主体 6席（其中力森诺科申请量排名第一），韩国主体 3 席（其中 LG 集团申请量排名第二），美国主体 3 席（其中 SunPower 申请量排名第三），法国主体 2 席，德国主体 1 席。可以看出在全球范围以及中国范围内，LG 集团、SunPower 以及力森诺科的专利申请量都排在前三位。另外原子能和替代能源委员会、信越集团、三菱电机、费劳恩霍夫应用研究促进协会、韩华集团、应用材料公司、钟渊化学、周星集团、道达尔既在全球专利布局清单上，同时也在中国专利布局清单上

58、。在申请件数的基础上，结合专利技术产出项数和件项比对全球专利布局强度进行分析。总体而言，申请量 TOP15 榜单中，美国能源转化设备公司的产出项数虽然不高（项数为 11 项），但件项比最高（件项比为 12.09 件/项），美国SunPower 的产出项数相对可观（项数为 51 项），同时件项比相对也较高（件项比为 10.80 件/项）。31 2.2.3 中国主体排名（全球申请量中国主体排名（全球申请量 vs 海外申请量）海外申请量）注：以集团为单位，合并关联公司旗下的申请量。图 2-7 基于全球布局及海外专利布局的中国 TOP15 主体 32 上图从全球专利布局及海外专利布局的角度出发，对排名

59、靠前的中国主体进行统计。就申请件数而言，晶科能源和天合光能在全球以及海外的专利布局数量均排名前二，通威太阳能和爱旭太阳能在全球以及海外的专利布局数量均排名前五。另外隆基绿能、阿特斯、晶澳太阳能、中国建材集团既在全球专利布局清单上，同时也在海外专利布局清单上。在申请件数的基础上，结合专利技术产出项数和件项比对全球专利布局强度进行分析。总体而言，相对于海外主要申请主体，中国申请主体的件项比普遍较低，申请量 TOP15 榜单中，排名靠前的比亚迪的产出项数不高（项数为 28 项），但件项比最高（件项比为 1.96 件/项），晶科能源的产出项数最多（项数为 438项），同时件项比相对也较高（件项比为 1

60、.94 件/项）。33 2.2.4 上海主体排名（全球申请量上海主体排名（全球申请量 vs 海外申请量）海外申请量）注：以集团为单位，合并关联公司旗下的申请量。图 2-8 基于全球布局及海外专利布局的上海 TOP15 主体 34 上图从全球专利布局及海外专利布局的角度出发，对排名靠前的上海主体进行统计。就申请件数而言，晶科能源在全球以及海外的申请数量均在第一位，且大幅度领先排名靠后的申请主体，分别为 141 件和 118 件。另外中国建材集团既在全球专利布局清单上（排名第二位），同时也在海外专利布局清单上。在申请件数的基础上，结合专利技术产出项数和件项比对全球专利布局强度进行分析。总体而言，晶

61、科能源的申请项数处于头部（18 项），且件项比大幅度领先其他申请主体（件项比为 7.83 件/项）。35 第第3章章 中观竞争风险分析中观竞争风险分析 3.1 典型主体挑选典型主体挑选 此部分将基于相关的数据统计以及宏观分析，对海外和国内的典型申请主体进行挑选，并对典型主体的具体情况进行分析。3.1.1 海外典型主体挑选依据海外典型主体挑选依据 以前文的统计数据为基础，结合对该领域的主体调研情况，本次选取SunPower、LG 集团、新越集团、原子能和替代能源委员会作为海外典型主体。表 3-1 海外典型主体挑选依据 主体主体 国别国别 申请量：件申请量：件 件项比件项比 中国申请量中国申请量

62、其他信息其他信息 SunPower 美国 全球第三 10.80 件/项 海外主体第二 本领域典型市场主体 LG 集团 韩国 全球第一 2.51 件/项 海外主体第一 本领域典型市场主体 信越集团 日本 全球第十一 6.31 件/项 海外主体第五 本领域典型市场主体 原子能和替代能源委员会 法国 全球第九 5.27 件/项 海外主体第四 本领域典型市场主体 3.1.2 国内典型主体挑选依据国内典型主体挑选依据 以前文的统计数据为基础，结合对该领域的主体调研情况，本次选取晶科能源、天合光能作为国内典型主体。表 3-2 国内典型主体挑选依据 主体主体 国别国别 申请量：件申请量：件 件项比件项比 海

63、外申请量海外申请量 其他信息其他信息 晶科能源 中国 全球第二；中国主体第一 1.94 件/项 中国主体第一 本领域典型市场主体、在上海设有下属公司 36 主体主体 国别国别 申请量：件申请量：件 件项比件项比 海外申请量海外申请量 其他信息其他信息 天合光能 中国 全球第四；中国主体第二 1.39 件/项 中国主体第二 本领域典型市场主体 3.2 典型主体专利申请情况典型主体专利申请情况 此部分将对上一小节挑选出的典型主体，进行专利布局情况分析，包括典型专利布局的总体情况，以及典型专利的布局地域具体情况。3.2.1 专利申请情况总览及保护意愿专利申请情况总览及保护意愿 图 3-1 典型主体-

64、专利申请情况总览 上图为典型主体的专利申请情况总览，旨在以专利申请情况为切入点，对典型主体的专利保护意愿进行分析，同时，基于典型主体的专利保护情况给出海外预警提示。具体而言，从预警的角度来说，对中国企业而言，海外主体的全球专利情况都是需要关注的内容，尤其是海外主体在中国的申请情况。通常而言，中国申请突出的海外主体，对中国市场的重视程度较高，未来可能会对中国企业本土市场格局产生影响。另外，在海外市场，海外主体的专利申请会对中国企业出海造成普遍阻碍，也是需要重点关注的内容。结合图表来看，就保护和布局意向来看，几家典型主体中，LG 集团、SunPower 在中国的专利申请最为突出，同时，其在37 海

65、外的专利申请基数也较大，是可以关注的重点对象。需要说明的是，根据外部资料，LG 集团宣布退出光伏制造业，就产品竞争来说，可能相关风险并不突出，但从专利角度来说，LG 的专利申请基数仍不容小觑。除海外主体外，中国企业的海外专利竞争也是需要预警的内容，海外申请突出的中国主体通常具备较强的海外专利布局及竞争意识，对于其他中国同行企业而言，是不可忽视的竞争对手。结合图表来看，本次选取的晶科能源和天合光能在海外专利布局方面均具备一定实力，尤其是晶科能源，海外专利申请量甚至超过中国本土申请量。3.2.2 专利布局地域详览专利布局地域详览 如下表所示，美国主体 SunPower 在全球 TOP5 的布局地域

66、均有专利布局，在美国本土排名第一，中日韩排名靠前（2-4 位），欧专局排名相对靠后（第 7位）。另外在德国、澳大利亚、马来西亚、新加坡和奥地利也有专利布局。韩国主体 LG 集团在全球 TOP5 的布局地域均有专利布局，在韩国本土排名第一，美欧中的申请量排名靠前（2-4 位），日本排名相对靠后（第 6 位）。另外在奥地利和德国的专利布局数量相对较多，而在西班牙、意大利和印度仅有少量布局。日本主体信越集团在全球 TOP5 的布局地域均有专利布局，但中国排名第一，日本本土排名第二，另外在德国、印度、澳大利亚、俄罗斯、奥地利和新加坡也有专利布局。法国主体原子能和替代能源委员会在法国本土的布局最多，其次

67、是欧专局，在 TOP5 布局地域均有布局，另外在德国、奥地利的布局数量相对较多，印度和西班牙有少量布局。中国主体晶科能源在全球 TOP5 的布局地域均有专利布局，在中国本土排名第一，美国排名第二，日欧韩排名第四到第六位，另外德国专利布局排名第三，在澳大利亚、意大利、奥地利和波兰也有专利布局。中国主体天合光能在中国的专利布局最多，但在全球 TOP5 的布局地域中的38 韩国没有专利布局，而在澳大利亚和德国有专利布局。表 3-3 典型主体-申请量 TOP10 地域 当前主体当前主体-集团集团 申请量申请量 TOP10 地域地域 SunPower（美国）LG 集团（韩国）39 当前主体当前主体-集团

68、集团 申请量申请量 TOP10 地域地域 信越集团（日本）原子能和替代能源委员会（法国）40 当前主体当前主体-集团集团 申请量申请量 TOP10 地域地域 晶科能源（中国）天合光能（中国）41 3.2.3 专利布局方向详览专利布局方向详览 此部分对典型主体技术主题和技术方向进行梳理，了解专利布局方向。（1）SunPower 上图为美国主体 sunpower 公司在各技术主题和技术方向的布局情况，可以看出，涉及太阳能电池、多晶硅、介电层等主题的布局数量较多，关注的主要技术效果在提升效率、便于收集光能等方向，涉及到的主要分类号为 H01L31 等。42 （2）LG 集团集团 上图为韩国主体 LG

69、 集团在各技术主题和技术方向的布局情况，可以看出，涉及太阳能电池、电极等主题的布局数量较多，关注的主要技术效果在提高光电转换效率、降低生产成本、提高生产率、提高可靠性等方向，涉及到的主要分类号为 H01L31 等。43 （3）信越集团信越集团 上图为日本主体信越集团在各技术主题和技术方向的布局情况，可以看出，涉及太阳能电池、半导体、电极等主题的布局数量较多，关注的主要技术效果在提高光电转换效率、低成本、提高层间结合力等方向，涉及到的主要分类号为H01L31 等。44 （4）原子能和替代能源委员会原子能和替代能源委员会 上图为法国主体原子能和替代能源委员会在各技术主题和技术方向的布局情况，可以看

70、出，涉及异质结、半导体、晶体硅等主题的布局数量较多，关注的主要技术效果在易于实现、促进钝化等方向，涉及到的主要分类号为 H01L31 等。45 （5）晶科能源晶科能源 上图为中国主体晶科能源在各技术主题和技术方向的布局情况，可以看出，涉及电池单元、太阳能电池、钝化等主题的布局数量较多，关注的主要技术效果在提高转化效率、提高开路电压等方向，涉及到的主要分类号为 H01L31 等。46 （6）天合光能天合光能 上图为中国主体天合光能在各技术主题和技术方向的布局情况，可以看出，涉及异质结、电池单元、电极、钝化等主题的布局数量较多，关注的主要技术效果在提高效率、提高转化效果、提高开路电压等方向，涉及到

71、的主要分类号为H01L31 等。47 3.3 典型主体专利持有情况典型主体专利持有情况 此部分将对典型主体的全球范围、中国范围和海外范围的预计风险专利量进行评估，并得出相应的竞争风险指数。3.3.1 专利竞争指数及专利障碍规模专利竞争指数及专利障碍规模 注：预计风险专利量采取四舍五入计算。图 3-2 典型主体-预计专利持有量及竞争指数总览 上图为典型主体的预计专利持有量及竞争指数总览，旨在从有效专利和审中申请的角度出发，对当前及未来可能的专利竞争情况进行分析，并基于竞争情况了解典型主体的专利障碍规模。具体而言，本次分析中，以有效量和审中量为基础计算预计有效量，以预计有效量为基础计算竞争指数。其

72、中，竞争指数表征该主体预计持有专利量占特定区域预计持有专利总量的比值。一般来说，竞争指数越高，在特定区域的专利障碍规模越大，对其他主体而言的风险越高。结合图表来看，典型海外主体中，SunPower 和 LG 集团的预计持有专利量和竞争指数相对突出。但对比典型国内主体来看，就全球竞争指数来说，SunPower 和 LG 集团并不及晶科能源和天合光能。同时，就海外竞争指数来看，晶科能源和天合光能仍可与选取的海外典型48 主体相抗衡，晶科能源的海外专利预计持有量及海外竞争指数甚至远超选取的海外典型主体。3.3.2 潜在风险地域详览潜在风险地域详览 如下表所示，美国主体 SunPower 在各主要布局

73、地域均保有有效专利，其中美国最多（85 件），在美国、中国、德国、欧专局、马来西亚和新加坡有在审发明，在美国的发明授权率（0.84）及预计风险专利量（91 件）均较高，其次是中国和日本。马来西亚、新加坡和菲律宾的有效专利量及预计风险专利量均较低，但发明授权率高（1.00）。韩国主体 LG 集团在各主要布局地域均保有有效专利，其中韩国最多（105件），在韩国（9 件）和印度（1 件）有在审发明，在韩国的发明授权率较高（0.69），预计风险专利量最高（111 件），在德国的预计风险专利量排在中游（17 件），但发明授权率高（0.98）。西班牙、意大利、印度和葡萄牙的有效专利量及预计风险专利量均较低

74、，但发明授权率高（1.00）。日本主体信越集团在各主要布局地域均保有有效专利，其中日本最多（25件），在中国、欧专局、印度、美国和俄罗斯有在审发明，在日本的发明授权率排在中游（0.76），但预计风险专利量最高（25 件）。在德国的预计风险专利量排名较高（12 件），同时发明授权率最高（1.00），新加坡、俄罗斯和马来西亚的有效专利量及预计风险专利量均较低，但发明授权率高（1.00）。法国主体原子能和替代能源委员会在各主要布局地域均保有有效专利，其中欧专局最多（19 件），在欧专局、法国、美国、中国、日本和韩国有在审发明，在法国的发明授权率较高（0.95），预计风险专利量较多（15 件），欧专局

75、的发明授权率较低（0.77），但预计风险专利量较多（27 件）。在德国的发明授权率和预计风险量均较高，在意大利、南非和西班牙的有效量以及预计风险专利量均较低，但发明授权率高（1.00）。中国主体晶科能源在各主要布局地域均保有有效专利，其中中国最多（126件），同时在中国的在审发明量最高（127 件），在美国、日本、欧专局、韩国、澳大利亚和荷兰有在审专利。在中国的预计风险专利量最多（195 件），但发明49 授权率相对较低（0.54），而在其他地域的发明授权率均在 0.98 以上。中国主体天合光能在各主要布局地域均保有有效专利，其中中国最多（106件），同时在中国的在审发明量最高（193 件），

76、在美国、日本、欧专局和澳大利亚有在审专利。在中国的预计风险专利量最多（220 件），但发明授权率相对较低（0.60），而在其他地域的发明授权率均在 0.97 以上。表 3-4 典型主体-预计风险量 TOP10 地域 注：此处的典型地域为全球 TOP5 布局地域：中、美、韩、日、欧（EP）。另外，预计风险专利量采取四舍五入计算。当前主体当前主体-集团集团 预计风险专利量预计风险专利量 TOP10 地域地域 SunPower（美国）LG 集团（韩国）50 当前主体当前主体-集团集团 预计风险专利量预计风险专利量 TOP10 地域地域 信越集团（日本）原子能和替代能源委员会（法国）晶科能源（中国）天

77、合光能（中国）51 3.4 典型主体典型专利剖析典型主体典型专利剖析 此部分以风险专利评估模型为基础，结合近几年披露的重点技术，对典型主体的典型专利进行剖析。3.4.1 SunPower（美国）（美国）美国主体 SunPower 公司技术主要聚焦在太阳能电池制造的以下技术方向：（1）发射极区域制造）发射极区域制造 如 2023 年申请的专利 US20230163225A1，具有差异化的 p 型和 n 型架构并结合点状扩散的太阳能电池发射极区域制造，通过提供新型太阳能电池结构来提高太阳能电池效率，将第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，第一薄介电层设置在基板的背表面上。第二不同导

78、电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在基板的背表面上的多个非连续沟槽中。如 2018 年授权的专利 ZA201700071B，将离子注入太阳能电池发射极区以制造太阳能电池第一多晶硅发射极区设置在晶体硅衬底上方。第一多晶硅发射极区掺杂有第一导电类型的掺杂剂杂质物质，并且还包括与第一导电类型的掺杂剂杂质物质不同的辅助杂质物质。第二多晶硅发射极区设置在晶体硅衬底上方并且与第一多晶硅发射极区相邻但分开。第二多晶硅发射极区掺杂有第二相反导电类型的掺杂剂杂质物质。第一和第二导电接触结构分别电连接到第一和第二多晶硅发射极区。（2）金属层的制备）金属层的制备 如 2018 年授

79、权的专利 MX356833B，使用金属箔对太阳能电池进行金属化，在太阳能电池结构的表面形成介电隔层，在介电侧墙和太阳能电池结构被介电侧墙暴露的表面上形成金属层，金属箔放置在金属层上，使用激光束将金属箔焊接到金属层，激光束也用于图案化金属箔，激光束烧蚀介电间隔物上方的金属箔和金属层的部分，金属箔的激光烧蚀将金属箔切割成单独的 P 型和 N 型金属指状物。如 2021 年授权的专利 KR102333503B1，金属箔辅助制造薄硅太阳能电池，从硅衬底上切下硅薄层，硅层的背面包含 P 型 104 和 N 型 106 掺杂区，将金属52 箔附接到硅层的背面，金属箔可以有利地用作在处理硅层的正面期间处理硅

80、层的嵌入载体。（3）沟槽工艺）沟槽工艺 如 2015 年授权的专利 EP2297789B1，用于具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构，包括位于诸如硅晶片的衬底的背面上的多晶硅 P型和 N 型掺杂区，间断沟槽结构在一些位置将 P 型掺杂区域与 N 型掺杂区域分开，但允许 P 型掺杂区域和 N 型掺杂区域在其他位置触摸，P 型和 N 型掺杂区中的每一个可以形成在薄介电层之上。所得太阳能电池结构可以提高效率，同时具有相对低的反向击穿电压。3.4.2 LG 集团（韩国）集团（韩国）韩国主体 LG 集团技术主要聚焦在太阳能电池制造的以下技术方向：（1）光吸收层及其前驱体的制备）光吸收层

81、及其前驱体的制备 如 2019 年授权的专利 US10170649B2，用于制造太阳能电池的光吸收层的金属硫属化物纳米颗粒及其制备方法，涉及包括第一相和第二相的金属硫属化物纳米颗粒及其制备方法，第一相包含铜(Cu)，锡(Sn)硫属化物，第二相包含锌(Zn)硫属化物。如 2016 年授权的专利 KR101621743B1，用于制备吸光层的 CI(G)S 纳米颗粒的制备方法及该方法制备的 CI(G)S 纳米颗粒，公开了制备形成太阳能电池光吸收层的 CI(G)S 纳米颗粒的方法以及使用其制造的 CI(G)S 纳米颗粒，方法包括：将至少一种第 VI 族来源和铟(In)盐溶解在溶剂中以制备第一溶液，第

82、VI族来源选自包含硫(S)、硒(Se)或其组合的化合物，使第一溶液反应以形成第一前体颗粒，将铜(Cu)盐溶解在溶剂中以制备第二溶液，使第二溶液与在其中形成第一前体的第一溶液混合以制造混合物，以及在通过使混合物反应合成 CI(G)S 纳米颗粒后纯化合成的 CI(G)S 纳米颗粒。（2）电子传输层的制造）电子传输层的制造 如 2019 年授权的专利 KR102002580B1，太阳能电池电子传输层的制造方法，提供一种太阳能电池的电子传输层的制造方法，其特征在于，本发明的太阳53 能电池的电子传输层的制造方法的空隙少、电子的厚度均匀。通过混合氧化钛颗粒、钛醇盐和有机酸制备混合物；将混合物涂布在基材上

83、，对涂敷有混合物的基材进行光烧结，混合物中钛醇盐的含量为 2070mol%。（3）沟槽结构）沟槽结构 如 2016 年授权的专利 KR101676094B1，使用沟槽结构制备图案的方法及其制备的图案，以及使用该制备方法制备太阳能电池的方法及其制备的太阳能电池，提供一种制备图案的方法，包括：使用喷墨法在基板上形成沟槽结构，用填料填充沟槽结构的内部，并去除沟槽结构，以及使用该方法制备的图案，本公开还提供使用制备图案的方法制备太阳能电池的方法，以及使用该方法制备的太阳能电池。3.4.3 信越集团（日本）信越集团（日本）日本主体信越集团技术主要聚焦在太阳能电池制造的以下技术方向：（1）高光电转换效率）

84、高光电转换效率 如 2023 年申请的专利 US20230420581A1，高光电转换效率太阳能电池及高光电转换效率太阳能电池的制造方法，在第一导电型的半导体基板的两主表面上形成凹凸，在半导体衬底的第一主表面上形成发射极层，在发射极层上形成扩散掩模，去除图案中的扩散掩模，在去除扩散掩模的部分形成基底层，去除剩余的扩散掩模，在第一主表面上形成介电膜，在基底层上形成基底电极，在发射极层上形成发射极电极，提供了一种能够在减少步骤数量的同时带来高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。如 2023 年授权的专利 CN110073504B，高光电转换效率的太阳能电池、其制造方法、太阳能电池组件和光伏发电系统

85、，提供一种低成本、高产率、可以容易地制造的背面接触型的高光电转换效率的太阳能电池。在该高光电转换效率的太阳能电池中，在第一导电型半导体基板的作为非受光面的背面上设置：扩散有第一导电型杂质的第一导电型扩散层，扩散有第二导电型杂质的第二导电型扩散层，和在第一导电型扩散层和第二导电型扩散层之间形成的高电阻层或本征半导体层。（2）扩散层的制备）扩散层的制备 54 如 2017 年授权的专利 RU2626053C2，太阳能电池及其制造方法，提供一种太阳能电池及其制造方法，该方法包括以下的步骤：在 n 型半导体基板的第二主表面之上形成 SiNx 膜，在 SiNx 膜形成步骤之后在 n 型半导体基板的第一主

86、表面之上形成 p 型扩散层，和在 p 型扩散层之上形成 SiO2 膜或氧化铝膜构成。如2018 年授权的专利 EP2578721B1，硼扩散涂敷液，使用包含硼化合物、有机粘合剂、硅化合物、氧化铝前体和水和/或有机溶剂的涂布液将硼扩散到硅基板中以形成 p 型扩散层。将涂布液旋涂到基板上以形成具有足够量杂质的均匀涂层，由此形成具有面内均匀性的 p 型扩散层。3.4.4 原子能和替代能源委员会（法国）原子能和替代能源委员会（法国）法国主体原子能和替代能源委员会技术主要聚焦在太阳能电池制造的以下技术方向：（1）钝化层：）钝化层：如 2022 年申请的专利 EP4199118A1，热活化钝化层的方法，涉

87、及一种用于热激活设置在光伏电池的一个或多个侧表面上的钝化层的方法。这种热激活方法对于通过切割整个光伏电池获得的光伏子电池具有特别有利的应用。如 2019 年授权的专利 EP3331030B1，钝化结构和工艺，用于钝化基于晶体硅的衬底的表面的结构，包括：第一层，基于氧化铝，旨在形成表面基板的厚度严格小于 20nm，第二层，基于满足 0yx 的氧氮化硅 SiOxNy，形成在第一层上，并且包含硼原子。（2）叠层处理：）叠层处理：如 2022 年申请的专利 CN115623833A，用于制造叠层光伏电池的方法，涉及在半导体上制造叠层光伏电池的领域。本发明特别适用于在硅上制造叠层光伏电池，并且有利地具有

88、钙钛矿硅结构(PK/Si)。在半导体衬底的第一表面上制造第一氧化物层，在第一氧化物层上制造 p 掺杂的多晶半导体层，在氧化气氛中退火，以在多晶层上形成第二氧化物层，在第二氧化物层上制造 n 掺杂的第一掺杂层，以通过第二氧化物层将掺杂剂扩散到多晶层的第一部分，去除第一掺杂层和第二氧化物层；然后包括在多晶层的第一部分上制造第二子电池。如 2023 年申55 请的专利 US20230275180A1，处理异质结光伏电池前体的方法，涉及一种用于处理叠层的方法，叠层包括：晶体硅衬底，氢化非晶硅的第一钝化层，设置在衬底的第一面上，和 n 掺杂非晶硅的第一层，设置在所述第一钝化层上。方法包括将叠层暴露于由电

89、磁辐射源发射的电磁辐射的步骤，衬底的第一面指向电磁辐射源，电磁辐射具有 300nm 和 550nm 之间的至少一个第一波长和 550nm 和 1100nm之间的至少一个第二波长。3.4.5 晶科能源（中国）晶科能源（中国）中国主体晶科能源技术主要聚焦在发电效率、钝化处理等技术方向：如 2024 年申请的专利 US20240204116A1，光伏电池及其制造方法以及光伏组件，能够提高光伏电池的抗 PID 性能和发电效率，包括硅基板、第一钝化层、第二钝化层、至少一个氮氧化硅层以及至少一个氮化硅层。第二钝化层包括第一氧化硅层和至少一个氧化铝层，并且至少一个氧化铝层的厚度在 4nm 至 20nm 的范

90、围内。硅原子的数量大于至少一层氮氧化硅层中的氧原子的数量，并且氧原子的数量大于至少一层氮氧化硅层中的氮化物原子的数量。第一氧化硅层配置于基板与至少一氧化铝层之间，且第一氧化硅层的厚度为 0.1 纳米至 5 纳米。如2024 年申请的专利 US20240170588A1，太阳能电池及太阳能电池组件，有利于提高太阳能电池的电性能，降低太阳能电池的制备成本，包括第一区域和第二区域，并且还包括具有第一表面和第二表面的基板。隧道层覆盖第二表面，第一发射极，形成在第一区域中的部分隧道层上，第二发射极，形成在第二区域中的部分隧道层上以及第一发射极上，第二发射极的导电类型与第一发射极的导电类型不同。该太阳能电

91、池还包括第一电极，该第一电极被配置为穿过第二发射极而与第一发射极电连接。第二电极形成在第二区域中并被配置为与第二发射极电连接。3.4.6 天合光能（中国）天合光能（中国）中国主体天合光能技术主要聚焦在太阳能电池的制备方法、钝化处理等技术方向：56 如 2024 年申请的专利 AU2024203444A1，太阳能电池及其制造方法、光伏组件、光伏系统，包括基板和钝化接触结构。钝化接触结构包括顺序设置在衬底的表面上的第一隧道氧化物层、多晶硅掺杂导电层和第二隧道氧化物层。在多晶硅掺杂导电层和第一隧道氧化物层的至少部分区域中形成彼此间隔开布置的多个孔。每个孔延伸穿过多晶硅掺杂导电层并延伸到第一隧道氧化物

92、层中。第二隧道氧化物层至少填充每个孔的位于第一隧道氧化物层内的部分。以解决钝化接触结构结构不连续、完整性差的问题，提高太阳能电池的转换效率。如 2024 年申请的专利 AU2024203400A1，钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法，在半导体衬底上形成隧道层，在隧道层上形成本征半导体层，在本征半导体层上形成含有掺杂剂的掺杂层，对掺杂层进行活化处理，使掺杂层中的掺杂剂扩散到本征半导体层中，形成掺杂半导体层，隧道层和掺杂半导体层形成钝化接触结构。以降低复合率、延长少数载流子寿命以及提高电池的光电转换效率。57 第第4章章 微观竞争风险分析微观竞争风险分析 4.1 领域典型法律事件分析

93、领域典型法律事件分析 4.1.1 事件概括及历程梳理事件概括及历程梳理12：韩华对中国企业发起的：韩华对中国企业发起的 337 调查调查及侵权诉讼及侵权诉讼 在光伏电池方面，韩华公司自 2019 年起在美国国际贸易委员会（ITC）提出337 调查申请，又先后向美国特拉华州地区法院、澳大利亚联邦法院、德国杜塞尔多夫地方法院、荷兰鹿特丹地方法院等对晶科能源、隆基绿能等提起专利侵权诉讼，不断挑战我国光伏企业在 PERC 电池领域的龙头地位。（1）美国相关纠纷情况（涉案专利：美国相关纠纷情况（涉案专利：US9893215）A 2019 年年 3 月，韩华提出月，韩华提出 337 调查申请，将晶科能源与

94、隆基绿调查申请，将晶科能源与隆基绿能列为被申请人能列为被申请人 关注韩华与相关中国企业在美国的纠纷情况，始于韩华向美国 ITC 提出的337 调查申请。2019 年年 3 月月 4 日日，韩华向美国 ITC 提出 337 立案调查申请，主张对美出口、在美进口和在美销售的“特定光伏电池片及其下游产品（Certain Photovoltaic Cells 12 此部分参考多篇资料，具体如下：1、https:/ 2、https:/ 3、https:/ 4、https:/ 5、https:/ 6、https:/ 7、https:/ 8、https:/ 9、https:/ 58 and Products

95、 Containing Same）”侵犯其专利权（相关美国专利授权公告号为US989321513（215 专利）：具有表面钝化介电双层的太阳能电池的制造方法及相应的太阳能电池），请求美国 ITC 发布有限排除令、禁止令，并将晶科能源、晶科能源、隆基绿能两家中国企业隆基绿能两家中国企业列为被申请人14。查阅韩华对两家中国企业的指控，主要围绕着产品权利要求产品权利要求 121415展开，其指控晶科能源的 JKM295M-60B 和隆基绿能的 LONGi LR6-60PE-305M 侵权215 专利的权利要求 121416。2019 年 4 月 3 日，美国 ITC 决定对该案启动 337 调查。2

96、019 年 4 月 11 日，美国 ITC 发布 337 调查初裁结果：初步裁定相关企业产品不侵犯韩华专利权。2020 年 6 月 3 日，美国 ITC 发布最终调查结果，裁定被告企业产品不侵犯韩华不侵犯韩华专利权专利权，未违反 337 条款，并终止调查。2020 年 7 月 31 日韩华就上述 337 终裁结果向美国联邦巡回法院提起上诉。2021 年 7 月 9 日美国联邦巡回上诉法院举行了听证，并于 7 月 12 日终审判决，维持美国 ITC 原判。B 2019 年年 3 月，韩华对晶科能源、隆基绿能提起平行专利侵权月，韩华对晶科能源、隆基绿能提起平行专利侵权诉讼诉讼 根据晶科能源、隆基绿

97、能相关公告披露的信息，2019 年年 3 月月，韩华还在美国特拉华州地区法院向两家企业提起了专利侵权诉讼（诉讼理由和诉讼请求同申请 337 调查的内容）。2019 年 4 月，特拉华州地区法院作出命令，在 ITC 程序（包括上诉程序）作出最终裁定或相关调查被驳回前本案中止17。13 申请号：US12742818，公开（公告）号：US9893215B2。14 原始信息查阅自 USITC 官网。调查案号：337-TA-1151。此处以“集团”为单位对被告人进行展示，另外，被告人还包括：REC Solar 这家挪威企业。15 观察215 专利的权利要求布局情况，权 111 是方法权利要求，记载了太阳

98、能电池的制造方法；权1216 是产品权利要求，记载了太阳能电池的层状结构。16 针对晶科能源相关指控的原文表述：The JKM295M-60B infringes,literally or under the doctrine of equivalents,all claim limitations of at least claims 12-14 of the 215 Patent.针对隆基绿能相关指控的原文表述：The LONGi LR6-60PE-305M infringes,literally or under the doctrine of equivalents,all claim

99、 limitations of at least claims 12-14 of the 215 Patent.17 为了弥补 ITC 无法就损害赔偿问题作出裁决的不足，同时通过诉讼手段向竞争对手施加更大的压力，337 调查的申请人在向 ITC 提起调查请求的同时还经常在美国联邦地区法院提起专利诉讼（“平行诉讼”），甚至有可能在其他国家和地区对竞争对手提起诉讼（“关联诉讼”）。为避免两头应诉造成的承重负担，被申请人可以请求联邦地区法院中止平行诉讼，法院通常会同意中止审理。59 跟踪案件的进展情况，晶科能源方面晶科能源方面，2022 年 6 月，特拉华州地区法院发起撤案动议并驳回了韩华对晶科能源

100、的侵权诉讼。隆基绿能方面隆基绿能方面，在隆基和韩华和解18之前，该案件一直处于中止状态。需要说明的是，在被韩华阻击后，隆基绿能针对涉案的215 专利发起了无效程序。结合智慧芽相关信息来看，2019 年5 月 13 日，隆基绿能向美国专利商标局发起无效程序，请求无效215 专利的第1214 项权利要求。2020 年 12 月，美国专利商标局作出裁决，请求的权利要求被全部无效。2021 年 2 月，韩华就上述无效裁定向美国联邦巡回法院提起上诉。2022 年 6 月，美国联邦巡回法院驳回韩华上诉，维持原判。（2）其他国家其他国家/地区的纠纷情况地区的纠纷情况 A 215 专利的同族专利及关联纠纷情况

101、专利的同族专利及关联纠纷情况 以美国215 专利为基础，查阅同族专利布局情况。结合智慧芽查询到的信息，美国的215 专利是以德国申请（DE102007054384A119）为基础进行的布局。结合申请时间和申请脉络来看，以德国申请为基础，优先提出了 PCT 专利申请（WO2009062882A320），PCT 申请最终选择进入马来西亚（MY152398A21）、欧洲专利局（EP2220689B122）、澳大利亚（AU2008323025C123）、美国（US9893215B224）和中国（CN101952971B25）。此外，以布局的 EP 专利为基础，在克罗地亚、葡萄牙、西班牙、奥地利等多个国

102、家/地区获得授权。需要说明的是，观察族内专利的权利转移情况和当前专利权人情况，发现族内最早的德国专利申请由“太阳能研究所股份有限公司”申请，而后转让给韩华；其他同族专利中，部分专利以韩华为当前申请/专利权人，但部分专利掌握在其他主体手中。具体信息如下：18 根据隆基绿能发布的公告信息，2023 年 5 月 11 日，隆基绿能与韩华正式达成专利交叉许可。这一点将在后文进行详细说明。19 申请号：DE102007054384，原始申请人为太阳能研究所股份有限公司。20 申请号：PCT/EP2008/065067 21 申请号：MYPI2010002263 22 申请号：EP2008850615 2

103、3 申请号：AU2008323025 24 申请号：US12/742818 25 申请号：CN200880124779.0 60 表 4-1 US9893215B2 的简单同族专利（以当前公开的信息为准）布局基础布局基础：DE102007054384A1 2007-11-14 申请申请，当前处于失效状态。公开（公告）号公开（公告）号 当前申请当前申请/专利权人专利权人 法律状态法律状态 关联纠纷情况关联纠纷情况 WO2009062882A3 太阳能研究所股份有限公司|SCHMIDT JAN PCT 指定期满/MY152398A 太阳能研究所股份有限公司 授权/EP2220689B1 韩华思路信

104、韩华思路信(株株)授权 涉及韩华发起的关涉及韩华发起的关联诉讼联诉讼 AU2008323025C1 韩华思路信韩华思路信(株株)授权 涉及韩华发起的关涉及韩华发起的关联诉讼联诉讼 US9893215B2 韩华思路信(株)授权 韩华发起美国韩华发起美国 337调查及平行诉讼调查及平行诉讼 CN101952971B 韩华新能源高新材料韩华新能源高新材料 全部撤销 涉及隆基绿能发起涉及隆基绿能发起的相关无效程序的相关无效程序 HRP20141036T1 太阳能研究所股份有限公司|埃因霍温科技大学 授权/PT2220689E 太阳能研究所股份有限公司|埃因霍温科技大学 授权/ES2523441T3 太

105、阳能研究所股份有限公司|埃因霍温科技大学 授权/AT684881T 韩华思路信韩华思路信(株株)授权/DE502008012155D1 韩华新能源高新材料韩华新能源高新材料 授权/61 B 韩华在欧洲和澳大利亚发起的关联诉讼（涉案专利：韩华在欧洲和澳大利亚发起的关联诉讼（涉案专利：EP2220689、AU2008323025）根据晶科能源、隆基绿能相关公告披露的信息，韩华在发起美国 337 调查和平行诉讼之外，还同时以欧洲和澳大利亚同族专利欧洲和澳大利亚同族专利为基础向德国杜塞尔多夫地方法院、澳大利亚联邦法院提起了关联的专利侵权诉讼（涉案专利分别为EP2220689、AU2008323025）

106、。就德国的纠纷情况德国的纠纷情况来看，2020 年 6 月，德国杜塞尔多夫地区法院出具一审判决公告，判决认定德国隆基和晶科德国侵犯韩华专利权，判决涉诉产品禁止在德国市场销售，另外，召回自 2019 年 1 月 30 日起面向商业客户销售的产品、销毁德国隆基和晶科德国直接或间接占有或所有的涉诉产品。2020 年 7 月，隆基和晶科德国分别向德国杜塞尔多夫高级地方法院提起上诉，并获得受理。隆基绿能隆基绿能方面，除了提起上诉以外，隆基绿能对涉案的 EP 专利提起了异议程序。彼时，由于上诉需要等待欧洲专利局异议审查结果，案件处于暂停审理阶段。2020 年 10 月，欧洲专利局发布初步认定“专利无效”的

107、意见，但欧洲专利局尚未作出最终裁定。随着隆基和韩华的和解，案件最终告一段落。晶科能源晶科能源方面，2023 年 4 月 20 日，针对晶科方面的上诉，杜塞尔多夫高级地方法院决定，应首先听取证人的证词，然后从法院指定的专家获得书面技术意见。彼时，该案仍处于未决状态。结合查阅到的其他信息来看，晶科能源 2023 年6 月 2 日与韩华签署专利交叉许可及和解协议，案件告一段落。需要说明的是，在出现不利判决时，晶科能源除了积极上诉外，还及时评估了不利判决对当前市场和客户的影响，即使在案件未决的状态下，也根据评估情况及时采取了有效的替代方案以保障未来在相关市场的正常销售。聚焦澳大利亚的相关纠纷情况澳大利

108、亚的相关纠纷情况，和德国相关情况类似，在经历多轮答辩和证据调查后，案件尚未作出最终判决，最终以和解收尾。62 C 隆 基 绿 能 对 韩 华 中 国 专 利 发 起 无 效（涉 案 专 利：隆 基 绿 能 对 韩 华 中 国 专 利 发 起 无 效（涉 案 专 利：CN101952971B）需要说明的是，面对韩华对隆基绿能的起诉，隆基绿能采取了积极的应对和反击措施，其中包含对诉讼相关专利及其同族发起的无效程序，比如：隆基绿能对韩华中国专利的无效就是较为典型的反击举措之一。就韩华方的诉讼情况来看，韩华并未以该件中国专利为基础向隆基绿能提起诉讼，但隆基绿能仍采取了较为强势的无效举动。从后知和推测的

109、视角来看，此种反击往往可以对后续谈判起到正向作用，帮助相关主体（此处为隆基绿能）掌握更多谈判筹码，提升其谈判地位。具体而言，2019 年 8 月 8 日，国家知识产权局受理隆基绿能提出的专利无效宣告请求。2019 年 10 月 22 日，韩华提交了意见陈述书，认为隆基绿能的所有理由均不成立，同时对权利要求书进行了修改，提交了权利要求书的全文替换页及修改对照页。2019 年 12 月 6 日，隆基绿能针对修改后的权利要求提交意见陈述。2020 年 10 月 30 日，国家知识产权局宣告涉案发明专利权部分无效，在韩华 2019 年 10 月 22 日提交的权利要求 1-5 的基础上继续维持该专利有

110、效。2021年 12 月 27 日，隆基绿能向国家知识产权局提出了无效宣告请求，其理由是：前述无效宣告请求审查决定维持有效的权利要求 1-5 不具备专利法第 22 条第 3 款规定的创造性。2022 年 2 月 21 日，韩华提交了意见陈述书和权利要求书的修改替换页。2022 年 7 月 6 日，国家知识产权局宣告涉案发明专利权全部无效。（3）事件最终结果：专利交叉许可及未决纠纷和解事件最终结果：专利交叉许可及未决纠纷和解 归纳整个事件的最终结果，除已决的 337 调查、美国平行诉讼、关联的已决无效案件外，其余未决纠纷均以和解收尾。隆基绿能方面隆基绿能方面，2023 年 5 月 11 日，隆基

111、绿能与韩华正式达成专利交叉许可。本次专利交叉授权后，双方有权在全球范围内合法使用相关专利技术，并逐步撤销双方之间（包括关联方）在全球范围内的所有诉讼及专利无效程序。晶科能源方面晶科能源方面，2023 年 6 月 2 日，晶科能源与韩华签署专利交叉许可及和解协议，同意互相授予对方及其子公司多项专利许可，包括但不限于争议专利；终止双方及其子公司在全球范围内的专利未决诉63 讼和无效程序。4.1.2 事件观察及预警启示事件观察及预警启示 以前述事件为基础，此部分尝试从倒推视角出发，对韩华的诉讼动机及诉讼策略进行剖析，并结合中国企业的应对和反击策略给出预警启示。就韩华的诉讼动机及诉讼策略来看，根据晶科

112、能源与隆基绿能公告的内容及外部文献披露的内容。从动机来看，韩华对中国企业进行阻击的目的可能是抢夺从动机来看，韩华对中国企业进行阻击的目的可能是抢夺产业的发展主导权产业的发展主导权。结合产业发展时间和诉讼时间来看，2016 年起，以隆基绿能、晶科能源为代表的中国光伏企业开始大规模量产 PERC 电池与组件，推动单晶 PERC 加速成为光伏产业的主流技术。2017 年和 2018 年，中国光伏企业的市场份额和光伏组件出货量逐年攀升，对韩华的市场地位造成了影响，尤其是隆基绿能，其 2019 年的市场份额已超过韩华。在此种背景下，韩华于 2019 年年对中国企业发起专利阻击。结合诉讼策略来看，韩华此次

113、诉讼阻击是经过谋划的，并且主要为其产业竞诉讼策略来看，韩华此次诉讼阻击是经过谋划的，并且主要为其产业竞争地位服务争地位服务。具体而言，韩华发起阻击的专利是以购买的方式获得的，并且在购买时对相关专利的阻击可能性和阻击范围进行了衡量，选择了一件技术基础较好且阻击范围较广的专利作为其发起专利攻击的储备。正如前文分析同族专利时提及的内容“族内最早的德国专利申请由太阳能研究所股份有限公司申请”。就涉案专利及其同族专利的申请时间来看，相关专利的申请时间较早（最初的德国申请申请于 2007 年），在技术上具备一定的基础性技术上具备一定的基础性。结合当时的产业发展情况来看，PERC 技术主要于 2006 年开

114、始开启产业化进程，原申请人太阳能研究所是本领域较早开始相关技术研究的主体，同时，相关专利的发明人本身也是致力于PERC 技术的领域专家。另外，涉案专利族本身的布局基础较好，通过优先权、PCT 申请、EP 申请等多种方式布局多件同族专利，具备大范围具备大范围/多地维权的基础多地维权的基础。关注中国企业的应对和反击措施中国企业的应对和反击措施，可以看到，面对韩华的专利阻击，晶科能源和隆基绿能均采取了积极的应对策略，无论是应诉还是反击，都在可能的范围里采取了持续行动。比如：在判决结果不利时，利用和穷尽救济手段，积极上诉；同时，结合自身产品定位情况，第一时间核查和评估不利判决可能对当前市场和64 客户

115、造成的影响，并通过提供替代方案/产品的方式来保障未来在相关市场的正常销售。又如，提起专利无效诉讼对对方专利权进行挑战和反击，从源头反制阻击，同时，提升自己的谈判可能性、构筑谈判筹码。就结果来看，在本次事件中，中国企业的表现还是具备可借鉴之处，为本领域其他中国主体提供了参考。总体来说，结合韩华的诉讼策略和中国企业的应对情况。可以给出的启示是：随着国内光伏产业的持续发展，类似的诉讼阻击可能仍会持续发生，中国企业要做好应对准备。就具体应对的角度来看，可以参照晶科能源和隆基绿能，在有所衡量的情况下，尽可能穷尽可能的救济和应诉策略，同时，也需要不畏他人狙击，适时发起反击。另外，结合这次阻击和前文提供的产

116、业信息来看，光伏产业已经历了多次技术革新，每一次技术洗牌都可能导致市场竞争情况的洗牌，而市场洗牌往往会伴随纠纷。近年随着 HJT、TOPCon 等技术的发展，后续企业再次遇到PERC 相关技术阻击的可能性变小，但 HJT、TOPCon 等技术路线的被阻击可能性可能会有提升，相关企业在储备好相关专利的情况下，也需要观测竞争对手的专利路线变化和专利收购等行为。4.2 面向上海头部主体的专项预警提示面向上海头部主体的专项预警提示 4.2.1 专项预警主体选取及预警目标专项预警主体选取及预警目标 为提供更具参考价值、更符合上海实际的专利预警情报，本次分析提供了面向上海头部主体的专项预警提示，旨在以上海

117、头部企业为例，向本领域旨在以上海头部企业为例，向本领域/同行中同行中国企业提供潜在风险专利排查思路国企业提供潜在风险专利排查思路。以上海相关企业的专利及市场情况为基础，结合太阳能电池领域的技术发展与诉讼情况，本次专项预警选取“晶科能源”作为对象。具体而言，晶科能源是中国知名的光伏企业，在上海设有相关公司26；同时，晶科能源较为典型的技术路线是 TOPCon 路线，该路线是近年来发展较为突出的路线之一；此外，晶科能源曾被海外主体韩华进行过专利阻击，具备预警必要性。26 上海晶科绿能企业管理有限公司、晶科绿能（上海）管理有限公司 65 4.2.2 晶科能源晶科能源 TOPCon 技术相关产品信息摘

118、录技术相关产品信息摘录 根据晶科能源官网产品页的介绍，N 型 Tiger Neo 组件是其主流产品之一，Tiger Neo 产品采用 N 型型 TOPCon 技术技术，具备高功率/高效率、高双面率、高可靠性、零光衰、更低的温度系数、更低的年度衰减、优异的弱光性能、优异的抗PID 性能等特点27。结合晶科能源Tiger Neo N 型 TOPCon 组件产品白皮书28中披露的内容，TOPCon 技术实现效率提升的方式是“钝化”。就具体实现方式来看，TOPCon技术利用隧穿氧化层来实现这一目的，同时，通过与载流子选择性微晶硅薄膜叠层，电池转化效率可以显著提升。具体信息摘录如下：表 4-2 晶科能源

119、Tiger Neo N 型 TOPCon 组件产品白皮书-内容摘录 要点要点 信息信息 N 型电池硅片基底掺磷，几乎没有硼-氧对形成的复合中心损失，光致衰减得到了极大优化。在此基础上，以 TOPCon 技术为例，隧穿氧化层的结构进一步降低了多少子表面复合速率，极大地优化了电池转换效率。TOPCon 电池应用了前沿高效钝化接触技术，在电池背面升级使用了微纳米隧穿氧化层和载流子选择性微晶硅薄膜的叠层功能结构。该创新结构展现了钝化性能和导电性能的双向提升，带来了电池转化效率和发电表现的提升显著。简而言之，TOPCon 与 HIT 实现效率提升的方式都是通过钝化，降低多少子表面复合速率，不过前者通过隧

120、穿氧化层，HIT 通过沉积非晶硅薄膜，方式的差异导致了各自工艺的差别，从而导致两者商业化成本的差值。TOPCon 电池技术是由德国 Fraunhofer 太阳能研究所提出的一种新型钝化接触太阳能电池.钝化为决定电池最大效率的关键技术。27 晶科能源官网-Tiger Neo 产品介绍：https:/ 28 晶科能源Tiger Neo N 型 TOPCon 组件产品白皮书：https:/ 66 结构结构 示意示意 4.2.3 晶科能源潜在风险专利预警晶科能源潜在风险专利预警 以查阅到的产品信息为线索，结合 TOPCon 技术相关信息对相关专利进行检索29，对目前仍处于有效、审中、有效、审中、PCT

121、 指定期内指定期内的申请进行分析，为晶科能源提供风险预警线索。需要说明的是，此部分关注的内容主要是与海外主体及海外专利布局相关的风险，即：收录相关海外主体的全球专利申请，收录相关中国主体的海外专利申请。29 由于外部信息中并没有详细披露晶科能源相关产品的具体细节，本次提供的专利检索主要围绕“TOPCon”技术路线展开，查阅当前的专利布局情况，提供风险预警线索。67 （1）潜在风险主体及潜在风险地域潜在风险主体及潜在风险地域 以目前采集到的数据为基础，此部分以非失效专利申请（有效、申请、PCT指定期内）为基础，对当前专利申请/专利权人进行统计，旨在从主体的角度出发给到晶科能源可供参考的风险信息，

122、同时，在主体之上，对非失效专利分布地域进行观察，给出潜在风险地域参考。具体而言，就海外主体海外主体来看，韩华集团和 LG 集团在相关路线上的专利布局相对突出，其中，韩华集团的多数专利仍处于审中状态，需要持续关注授权情况；LG 集团当前持有的专利中可能存在风险的专利主要有 3 件，根据外部信息来看，LG 公司疑似推出光伏组件制造市场，但就专利诉讼的角度来看，这些有效专利仍可能会成为潜在风险。就两家海外主体的相关专利布局地域来看，除韩国本土外，两家企业在中国、美国、欧洲进行了相关布局，这些地域可以作为潜在风险地域进行关注。就中国主体中国主体来看，关注中国主体在相关路线上的海外专利布局情况，天合光能

123、、通威太阳能、隆基绿能、爱旭太阳能、金阳新能源、正泰新能相对突出。就中国主体相关专利的布局情况来看，相关专利主要分布在欧洲地区、美国、日本等地，除这些典型布局地域外，西班牙、印度、越南也有中国主体的海外专利布局足迹，在进行预警时可以重点关注这些地区的竞争情况。相关信息具体如下：68 注：潜在风险统计非失效专利申请量，包含：有效专利、审中申请、仍在指定期中的 PCT 申请。另外，此处仅展示非失效申请量突出的潜在风险主体。图 4-1 晶科能源专项预警-潜在风险主体及其布局地域（选取非失效申请量突出的主体）69 （2）潜在风险专利一览潜在风险专利一览 为便于晶科能源进一步跟踪潜在的风险专利，此处提供

124、检索到的相关专利列表以供参考，具体如下：表 4-3 晶科能源专项预警-潜在风险专利一览 注：属于同一族的专利在同一单元格展示。族内代表专利族内代表专利 族内专利详览族内专利详览 当前申请当前申请/专利权人专利权人 标题（简体中文）标题（简体中文）CN114975643B（有效）CN114975643B（有效）韩华新能源(启东)有限公司 N-TOPCon 光伏太阳能电池制备方法及太阳能电池 CN219917189U（有效）CN219917189U（有效）韩华新能源(启东)有限公司 一种 TOPCon 太阳能电池 CN114256385B（有效）CN114256385B（有效）韩华新能源(启东)有

125、限公司 一种 TBC 背接触太阳能电池及其制备方法 CN115101626A（审中）CN115101626A（审中）韩华新能源(启东)有限公司 TOPCON 太阳能电池背面结构制备方法及电池 CN115513335A（审中）CN115513335A（审中）韩华新能源(启东)有限公司 一种 N-TOPCon 太阳能电池制备方法及电池 CN116093197A（审中）CN116093197A（审中）韩华新能源(启东)有限公司 P 型 TOPCON 背结太阳能电池的制备方法及电池 CN116544314A（审中）CN116544314A（审中）韩华新能源(启东)有限公司 TOPCon 太阳能电池及其

126、制备方法 CN117374152CN117374152A（审中）韩华新能源(启东)TOPCon 太阳能电70 族内代表专利族内代表专利 族内专利详览族内专利详览 当前申请当前申请/专利权人专利权人 标题（简体中文）标题（简体中文）A（审中）有限公司 池的制备方法及 TOPCon 电池 CN115763633A（审中）CN115763633A（审中）韩华新能源(启东)有限公司 一种具有硼选择性发射极的太阳能电池的制备工艺 DE102020119206A1（审中）DE102020119206A1（审中）；US20240038909A1（审中）；CN116325179A（审中）；EP4186104A

127、1（审中）韩华 QCELLS 有限公司 太阳能电池制造工艺 DE102021129460A1（审中）DE102021129460A1（审中）；CN118679579A（审中）；EP4430673A1（审中）韩华 QCELLS 有限公司 太阳能电池及其制造方法 KR1020240040275A（审中）KR1020240040275A（审中）；WO2024063448A1（PCT 指定期内）韩华思路信(株)叠层太阳能电池及其制造方法 KR102132740B1（有效）KR102132740B1（有效）乐金电子公司 太阳能电池及其制造方法 EP2988336B1（有效）EP2988336B1（有效）

128、乐金电子公司 太阳能电池及其制造方法 KR102373649B1（有效）KR102373649B1（有效）乐金电子公司 太阳能电池及其制造方法 KR102646186B1（有效）KR102646186B1（有效）韩国能源技术研究院 TOPCon 硅太阳能电池及其制造方法和硅太阳能电池的多晶硅层形成方法 71 族内代表专利族内代表专利 族内专利详览族内专利详览 当前申请当前申请/专利权人专利权人 标题（简体中文）标题（简体中文）TW202322409A（审中）TW202322409A（审中）财团法人工业技术研究院 局部穿隧氧化层钝化接触太阳能电池及其制造方法 JP7553680B2（有效）JP7

129、553680B2（有效）；AU2023251504B2（审中）；AU2023251513B2（审中）；EP4287271A3（审中）；EP4287269A3（审中）；JP2024010044A（审中）；US12125937B2（有效）；US12002899B2（有效）；US20240063324A1（审中）天合光能股份有限公司 太阳能电池及其制造方法、太阳能发电模块和太阳能发电系统 US10854764B2（有效）US10854764B2（有效）天合光能股份有限公司 太阳能电池及其制造方法 AU2023219811B2（有效）AU2023219811B2（有效）；US20240055540A1

130、（审中）；EP4293728A3（审中）；JP7562814B2（有效）天合光能股份有限公司 太阳能电池及其制造方法、光伏装置和光伏系统 AU2023222900B1（有效）AU2023222900B1（有效）；EP4287270A3（审中）；US20240055539A1（审中）天合光能股份有限公司 钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法 JP2024112278A（有效）JP2024112278A（有效）；AU2023258373B9（有效）天合光能股份有限公司|天合光能(宿迁)光电有限公司 太阳能电池 WO202411985WO2024119857A1（PCT天合光能股份有限太

131、阳电池及太阳电72 族内代表专利族内代表专利 族内专利详览族内专利详览 当前申请当前申请/专利权人专利权人 标题（简体中文）标题（简体中文）7A1（PCT 指定期内）指定期内）公司 池的制备方法 AU2024203444A1（审中）AU2024203444A1（审中）天合光能股份有限公司 太阳能电池及其制造方法、光伏组件、光伏系统 WO2024045945A1（PCT 指定期内）WO2024045945A1（PCT指定期内）通威太阳能(金堂)有限公司 太阳电池及其制造方法 AU2022331906B2（审中）AU2022331906B2（审中）；EP4203081A4（审中）通威太阳能(眉山)

132、有限公司 TOPCon 电池、其制造方法以及电气设备 EP4365960A1（审中）EP4365960A1（审中）；AU2022449708A1（审中）；WO2023184955A1（PCT 指定期内）通威太阳能(眉山)有限公司 太阳能电池及其制备方法 EP4365965A4（审中）EP4365965A4（审中）；AU2022458381A1（审中）；WO2023221510A1（PCT 指定期内）；US20240290907A1（审中）通威太阳能(眉山)有限公司 太阳能电池及其制备方法 AU2023343924A1（审中）AU2023343924A1（审中）；EP4369424A1（审中）；

133、WO2024060927A1（PCT 指定期内）通威太阳能(眉山)有限公司 双面太阳能电池及其制造方法 WO2024098977A1（PCT 指定期内）WO2024098977A1（PCT指定期内）；AU2023375286A1（审中）；EP4391091A1（审中）通威太阳能(眉山)有限公司 一种太阳电池及其制备方法和电池组件 73 族内代表专利族内代表专利 族内专利详览族内专利详览 当前申请当前申请/专利权人专利权人 标题（简体中文）标题（简体中文）EP4254519A4（审中）EP4254519A4（审中）；US20240145611A1（审中）；AU2022397987A1（审中）通威

134、太阳能(眉山)有限公司 隧道氧化层和非晶硅薄膜的制备方法及顶康电池 US11942564B2（有效）US11942564B2（有效）；EP4131428A4（审中）；AU2020439578B2（有效）隆基绿能科技股份有限公司 层叠型光伏装置及其制造方法 EP4167300A4（审中）EP4167300A4（审中）；AU2020453832B2（有效）；US20230238463A1（审中）；VN94713A（审中）；AU2024213186A1（审中）隆基绿能科技股份有限公司 背接触太阳能电池及其制造方法、以及背接触电池组件 WO2024037167A1（PCT 指定期内）WO2024037

135、167A1（PCT指定期内）隆基绿能科技股份有限公司 太阳能电池及其制备方法和光伏组件 WO2024045917A1（PCT 指定期内）WO2024045917A1（PCT指定期内）隆基绿能科技股份有限公司 背接触太阳能电池及其制备方法 WO2023173930A1（PCT 指定期内）WO2023173930A1（PCT指定期内）西安隆基乐叶光伏科技有限公司 一种 TOPCon 电池及其制备方法 JP7212786B2（有效）JP7212786B2（有效）浙江爱旭太阳能科技有限公司|广东爱旭科技有限公司 晶体硅太阳能电池及其制造方法 ES2955936T3（有效）ES2955936T3（有效）

136、；DE602021001899T2（有效）；EP4123723B1（有SOLARLAB AIKO EUROPE GMBH 钝化接触结构及包含其的太阳能电池、电池单元及光74 族内代表专利族内代表专利 族内专利详览族内专利详览 当前申请当前申请/专利权人专利权人 标题（简体中文）标题（简体中文）效）伏系统 WO2024055475A1（PCT 指定期内）WO2024055475A1（PCT指定期内）；AU2023201492A1（审中）；US20240097060A1（审中）；EP4340046A1（审中）金阳(泉州)新能源科技有限公司 一种联合钝化背接触电池及其制备方法 75 4.3 基于风险

137、发生概率的风险专利清单基于风险发生概率的风险专利清单 基于风险发生概率的的风险专利清单重点考察历史风险情况、企业活动关联情况、潜在风险同族情况。从海外主体的全球专利布局海外主体的全球专利布局和国内主体的海外专利布国内主体的海外专利布局局两个类别出发，对发生过历史风险情况、企业活动关联情况、潜在风险同族专利进行汇总。其中，涉及历史风险事件的专利往往对本领域的产品存在着影响。专利权人以专利为依据对产品提起侵权之诉；产品方为避免被阻击，对专利采取无效、异议等反击。经历过历史风险事件的专利，未来可能再次对本领域相关产品产生冲击，风险概率相对更高，本次将其归入高风险类别高风险类别。与企业活动相关联的专利

138、可能后续会作为与产品配套或者与专利阻击活动的储备。比如：海关备案后当发现侵权货物进出口时，可以请求海关扣留，有效打击侵权行为；信托可以对专利财产进行管理；许可可以作为纠纷化解手段之一，同时也能获得回报。此类专利具备一定风险，本次将其归入中风险类别中风险类别。专利具有地域性，某项专利技术在某地区发生风险或有概率发生风险的，其同族专利同样可能伴随着风险发生，本次将其归入低风险类别低风险类别。具体如下：76 4.3.1 基于海外主体全球专利布局的风险专利清单基于海外主体全球专利布局的风险专利清单（1）第一梯队：高风险第一梯队：高风险 表 4-4 海外主体-全球高风险专利清单（发生过历史风险的专利）历

139、史风险情况历史风险情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专利权)人人 诉讼 US8878053B2 具有成形发射极的前接触太阳能电池 有效 2012/6/13 迈可晟太阳能有限公司 诉讼 DE502010015002D1 半导体器件和半导体器件的制造方法 有效 2010/5/31 韩华思路信(株)诉讼 DE602009038887T2 具有由沟槽结构分隔的掺杂多晶硅区域的背接触太阳能电池及其生产方法 有效 2009/4/29 迈可晟太阳能有限公司 诉讼 AU2008323025C1 具有表面钝化介电双层的太阳能电

140、池的制造方法及相应的太阳能电池 有效 2008/11/6 韩华思路信(株)诉讼 US8222516B2 具有成型发射极的前接触太阳能电池 有效 2008/2/20 迈可晟太阳能有限公司 诉讼 DE102007005161B4 基板金属化工艺 有效 2007/1/29 雷纳技术有限责任公司 77 历史风险情况历史风险情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专利权)人人 诉讼|无效 US9893215B2 具有表面钝化介电双层的太阳能电池的制造方法及相应的太阳能电池 有效 2008/11/6 韩华思路信(株)无效 US

141、10396230B2 具有分离的多晶硅掺杂区的背面接触太阳能电池 有效 2018/10/10 迈可晟太阳能有限公司 无效 CN102804407B 半导体设备和半导体设备的制造方法 有效 2010/5/31 韩华思路信 无效 US8933525B2 半导体装置和半导体装置的制造方法 有效 2010/5/31 韩华思路信(株)无效 CN102057497B 具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构 有效 2009/4/29 迈可晟太阳能有限公司 无效 CN101438420B 具有掺杂的半导体异质结触点的太阳能电池 有效 2007/2/9 迈可晟太阳能有限公司 无效|异议 EP22

142、10283B2 使用硼和磷的共扩散制造晶体硅太阳能电池的方法 有效 2008/11/13 荷兰能源建设基金中心 异议 KR102333503B1 金属箔辅助制造薄硅太阳能电池 有效 2013/6/20 太阳能公司 异议 KR101541660B1 发明名称 n 型扩散层形成用组合物、n 型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法 有效 2012/7/17 株式会社力森诺科 78 历史风险情况历史风险情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专利权)人人 异议 KR102049604B1 太阳能电池及其制造方法 有

143、效 2011/12/16 周星工程股份有限公司 异议 KR102068845B1 用于制造太阳能电池的工艺和结构 有效 2011/9/20 迈可晟太阳能有限公司 异议 KR102007102B1 具有隧道介电层的太阳能电池的制造方法 有效 2011/4/27 迈可晟太阳能有限公司 异议 JP5815215B2 扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法 有效 2010/8/4 东京应化工业株式会社 异议 KR102015072B1 基于晶圆的太阳能电池板的制造方法 有效 2009/4/2 REC 太阳能私人 异议 DE602008010665T2 通过硼和磷的共扩散制备晶体硅太阳能电池的方法 有效 2

144、008/11/13 荷兰能源建设基金中心 异议 DE502008012155D1 具有表面钝化双层电介质的太阳能电池 有效 2008/11/6 韩华思路信(株)异议 EP2220689B1 具有表面钝化介电双层的太阳能电池的制造方法及相应的太阳能电池 有效 2008/11/6 韩华思路信(株)79 （2）第二梯队：中风险第二梯队：中风险 表 4-5 海外主体-全球中风险专利清单（企业活动关联专利）企业活动关联情况企业活动关联情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专利权)人人 许可 KR102227799B1 ci

145、gs 薄膜太阳能电池的制造方法 有效 2019/2/7 许可 KR102219785B1 太阳能电池硅层沉积设备 有效 2018/9/28 许可 DE102018114215B4 CIS 太阳能电池的制造工艺 有效 2018/6/14 丰田自动车株式会社 许可 US10749052B2 形成叉指背接触太阳能电池的方法 有效 2018/2/13 可持续能源联盟有限责任公司 许可 KR101839564B1 太阳能电池制造方法 有效 2016/11/11 许可 DE112016004804T5 太阳能电池的制造方法、太阳能电池和制造太审中 2016/9/20 三菱电机株式会社 80 企业活动关联情

146、况企业活动关联情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专利权)人人 阳能电池的装置 许可 KR101667180B1 采用新型钝化结构的硫系太阳能电池及其制造方法 有效 2016/1/13 韩国科学技术院 许可 KR101740524B1 发明名称太阳能电池及其太阳能电池的制造方法 有效 2015/12/23 许可 US9627558B2 用于制造自对准集成背接触异质结太阳能电池的方法和设备 有效 2015/4/9 亚利桑拿州立大学 许可 RU2575974C1 异质结太阳能电池的制作方法 有效 2014/11/1

147、2 FEDERALNOE GOSUDARSTVENNOE BJUDZHETNOE UCHREZHDENIE NAUKI FIZIKO TEKHNICHESKY INSTITUT IM AF IOFFE ROSSIIYSKOY AKADEMII NAUK 81 企业活动关联情况企业活动关联情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专利权)人人 许可 KR102219804B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2014/11/4 许可 US9349900B2 用于制造可转移半导体结构、器件和器件组件的发布策略 有效 201

148、4/4/7 伊利诺伊大学评议会 许可 KR102219796B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2014/2/24 许可 DE102013113590A1 用于薄膜太阳能电池的点接触钝化层的生产工艺 审中 2013/12/6 赫姆霍茨中心柏林材料与能源有限公司 许可 KR101424538B1 使用激光退火法制造 Becontech 太阳能电池的方法 有效 2013/6/28 NCD 有限公司 许可 DE102013211231B4 形成串联光伏单元的方法 有效 2013/6/17 国际商业机器公司 许可 US9472702B1 具有纳米图案化基板的光伏电池 有效 2012/11/19 得克萨

149、斯大学体系董事会|82 企业活动关联情况企业活动关联情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专利权)人人 桑迪亚国家技术工程解决公司 许可 DE102012216026B4 具有铁扩散阻挡层的柔性薄膜光伏电池的制造方法和具有铁扩散阻挡层的柔性薄膜光伏电池 有效 2012/9/11 国际商业机器公司 许可 DE102012213687B4 具有背板的硅太阳能电池的制造工艺 有效 2012/8/2 国际商业机器公司 许可 DE102012204676B4 具有 Zn(S,O)缓冲层的黄铜矿薄膜太阳能电池及相关制造工艺

150、有效 2012/3/23 赫姆霍茨中心柏林材料与能源有限公司 许可 KR101860919B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2011/12/16 许可 US8992803B2 掺杂剂油墨组合物和由其制造太阳能电池的方法 有效 2011/9/30 迈可晟太阳能有限公司 许可 US8895406B2 用于制造可转移半导体结构、器件和器件组件的释放策略 有效 2011/3/24 伊利诺伊大学评议会 83 企业活动关联情况企业活动关联情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专利权)人人 许可 US8790957B2 背接

151、触太阳能电池的制造方法及其器件 有效 2010/12/17 迈可晟太阳能有限公司 许可 US8492253B2 形成背接触太阳能电池的接触的方法 有效 2010/12/2 迈可晟太阳能有限公司 许可 US8450134B2 具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构 有效 2010/11/12 迈可晟太阳能有限公司 许可 US10263186B2 斜射角沉积法制备的体异质结有机光伏电池 有效 2010/7/27 密歇根大学董事会 许可 US8334161B2 具有隧道介电层的太阳能电池的制造方法 有效 2010/7/2 迈可晟太阳能有限公司 许可 US8211731B2 太阳能电池

152、制造过程中薄膜堆叠的烧蚀 有效 2010/6/7 迈可晟太阳能有限公司 许可 US7851698B2 具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构 有效 2009/2/25 迈可晟太阳能有限公司 许可 US7932123B2 发布制造可转移半导体结构、器件和器件组件的策略 有效 2007/9/20 伊利诺伊大学评议会 信托 KR101261509B1 使用溅射的 CIS 薄膜太阳能电池的制造方法 有效 2011/10/7 SUKWON 84 企业活动关联情况企业活动关联情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专

153、利权专利权)人人 信托 KR101234056B1 CGS 薄膜太阳能电池的沉积工艺 有效 2011/5/16 SUKWON 许可 KR102227799B1 cigs 薄膜太阳能电池的制造方法 有效 2019/2/7 85 （3）第三梯队：低风险第三梯队：低风险 表 4-6 海外主体-全球低风险专利清单（潜在风险同族专利）注：属于同一族的潜在风险专利在同一单元格展示。潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业

154、活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 EP1690291A2（审中）DE10344315B3 许可 用于去除含水电解质中黄铜矿半导体表面上的异相的电化学蚀刻方法包括在正电位区域中将电位分布施加到工作电极 赫姆霍茨中心柏林材料与能源有限公司 EP1949450B1（有效）；KR100877817B1（有效）CN101305472B 海关备案|许可 高效太阳能电池及其制备方法 天合光能股份有限公司 MX298481B（有效）；MX310404B（有效）US8048221B2 许可 用于制造用于光伏的单晶铸硅和单晶铸硅体的方法和设备 美国能源部|AMG 艾迪卡斯

155、特太阳能公司 AU2007248865B2（有效）；DE602007047708T2（有效）；DE602007058407T2（有效）；CN101438420B 无效 具有掺杂的半导体异质结触点的太阳能电池 迈可晟太阳能有限公司 86 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 EP2016627B1（有效）；EP3104420B1（有效

156、）；ES2591255T3（有效）；ES2729999T3（有效）；JP5213134B2（有效）；KR101314350B1（有效）；KR101466530B1（有效）；US7737357B2（有效）；US8815631B2（有效）；US9548409B2（有效）；US9608131B2（有效）CN101517700B（有效）；CN103956336B（有效）；DE602007057456T2（有效）；EP2064734B1（有效）；JP5319533B2（有效）；JP5805712B2（有效）；JP6238141B2（有效）；KR101430587B1（有效）；KR101588019B1（

157、有效）；KR101615255B1（有效）；MY149190A（有效）；SG150698B（有效）；TWI438827B（有效）US20110316120A1 许可 发布制造可转移半导体结构、器件和器件组件的策略 伊利诺伊大学评议会 CN102084501B（有效）；DE112009000883T5（审中）；IN332448B（有效）；JP5663469B2（有KR102015072B1 异议 基于晶圆的太阳能电池板的制造方法 REC 太阳能私人 87 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营

158、活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 效）；KR101699253B1（有效）；US10147830B2（有效）；US8753957B2（有效）CN101919070B（有效）；US8445312B2（有效）DE602008010665T2 异议 通过硼和磷的共扩散制备晶体硅太阳能电池的方法 荷兰能源建设基金中心 MX286312B（有效）；MX302836B（有效）DE602008003218D1 异议 使用本地背面丝网印刷生产高质量的背面接触 佐治亚科技研究公司 AT

159、684881T（有效）；ES2523441T3（有效）；HRP20141036T1（有效）；MY152398A（有效）；PT2220689E（有效）AU2008323025C1 诉讼 具有表面钝化介电双层的太阳能电池的制造方法及相应的太阳能电池 韩华思路信(株)DE602009053429T2（有效）；EP2245671B1（有效）；EP3425682A1（审中）；EP4343861A2（审中）；EP4345921A2（审中）；JP5572895B2（有效）；JP5806360B2（有效）；JP6145144B2（有效）；KR101462709B1（有效）；US8222516B2 诉讼 具有成

160、型发射极的前接触太阳能电池 迈可晟太阳能有限公司 88 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 US20230021009A1（审中）AU2009257973B2（有效）；AU2009257974B2（有效）；CN103325861B（有效）；DE602009032678T2（有效）；DE602009065210T2（有效）；EP22

161、97788B1（有效）；EP2297789B1（有效）；EP3065184B1（有效）；EP4358155A2（审中）；JP5524194B2（有效）；JP5625167B2（有效）；JP5780565B2（有效）；JP5860101B2（有效）；JP6148319B2（有效）；KR101466753B1（有效）；KR101492683B1（有效）；MY177509A（有效）；MY187141A（有效）；PH12010502647B1（有效）；SG166517B（有效）；US10128395B2（有效）；US10714647B2（有效）；US11183607B2（有效）；US7812250B2

162、（有效）；US8460963B2（有效）；US8673673B2（有效）；US8772894B2（有效）；US8975717B2（有效）；US9231145B2（有CN102057497B 无效 具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构 迈可晟太阳能有限公司 89 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 效）；US943

163、7763B2（有效）；US9666735B2（有效）；US9929298B2（有效）EP2443669B1（有效）；ES2683911T3（有效）；IN390797B（有效）；IT201800023630T2（有效）；PT2443669T（有效）CN102804407B 无效 半导体设备和半导体设备的制造方法 韩华思路信 EP2443662B1（有效）；EP3509111B1（有效）CN102203953B 海关备案|许可 太阳能电池及其制造方法 晶澳太阳能有限公司 CN102473613B（有效）；DE602010047834T2（有效）；EP2472569B1（有效）；KR10144235

164、6B1（有效）；TWI508140B（有效）；US9620367B2（有效）JP5815215B2 异议 扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法 东京应化工业株式会社 EP2612369B1（有效）；KR101661768B1（有效）CN102934236B 许可 太阳能电池及其制造方法 天合光能股份有限公司 AU2010347232B2（有效）；CN102870225B（有效）；CN106057934B（有效）；US8790957B2 许可 背接触太阳能电池的制造方法及其迈可晟太阳能有限公90 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及

165、其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 DE112010005344B4（有效）；JP5637640B2（有效）；US9406821B2（有效）器件 司 CN102939183B（有效）；EP2576128A4（审中）；JP5647340B2（有效）；JP5902791B2（有效）；JP6352964B2（有效）；KR101877071B1（有效）；US8409902B1（有效）US8211731B2 许可 太阳能电池制造过程中薄膜堆

166、叠的烧蚀 迈可晟太阳能有限公司 CN105489674B（有效）US8377738B2 许可 制造具有反掺杂防止的太阳能电池 太阳能公司 AU2011271682B2（有效）；CN102959731B（有效）；EP2589087A4（审中）；JP5825692B2（有效）；JP6082060B2（有效）；JP6519820B2（有效）；KR101758952B1（有效）；KR102100065B1（有效）；US8709851B2（有效）；US9112066B2（有效）；US9537030B2（有效）KR102007102B1 异议 具有隧道介电层的太阳能电池的制造方法 迈可晟太阳能有限公司 A

167、U2011337153B2（有效）；CN102959730B（有US8492253B2 许可 形成背接触太阳能电池的接触的方迈可晟太阳能有限公91 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 效）；CN105355678B（有效）；DE602011070078T2（有效）；EP2647056B1（有效）；JP5872581B2（有效）；J

168、P6326661B2（有效）；KR101811077B1（有效）；US8778787B2（有效）；US9166079B2（有效）法 司 AU2011359381B2（有效）；CN103370801B（有效）；CN105895737B（有效）；CN108777263B（有效）；DE602011068305T2（有效）；DE602011072774T2（有效）；EP2676302B1（有效）；EP3758071B1（有效）；JP5819990B2（有效）；JP6048705B2（有效）；JP6458269B2（有效）；JP6633709B2（有效）；KR102142818B1（有效）；SG1020

169、1601100RB（有效）；SG10202000920UB（有效）；SG10202302636XA（审中）；SG192761B（有效）；TWI555219B（有效）；TWI618259B（有效）；US10608126B2（有效）；US11437528B2（有效）；KR102068845B1 异议 用于制造太阳能电池的工艺和结构 迈可晟太阳能有限公司 92 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简

170、体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 US8586403B2（有效）；US9263602B2（有效）；US9831359B2（有效）EP2645421B1（有效）CN103367478B 许可 太阳能电池及其制造方法 天合光能股份有限公司 CN103794478B（有效）；JPWO2013011986A1（有效）；TWI462157B（有效）KR101541660B1 异议 发明名称 n 型扩散层形成用组合物、n 型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法 株式会社力森诺科 EP2654090B1（有效）CN103378185B 海关备案|许可 太阳能电池及其制造方

171、法 上饶新源越动科技发展有限公司 CN103998538B（有效）；JP6171219B2（有效）；SG10201604433XA（审中）；SG11201401088YB（有效）；US9799783B2（有效）US8992803B2 许可 掺杂剂油墨组合物和由其制造太阳能电池的方法 迈可晟太阳能有限公司 EP2677546B1（有效）；KR101872786B1（有效）CN103515477B 许可 制造太阳能电池及其掺杂层的方法 天合光能股份有限公93 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经

172、营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 司 EP2662903B1（有效）；KR101387718B1（有效）CN103390659B 许可 太阳能电池及其制造方法 晶澳太阳能有限公司 EP2713403B1（有效）CN103700713B 海关备案|许可 太阳能电池及其制造方法 天合光能股份有限公司 IT202200060288T2（有效）DE602014084773T2 异议 太阳能电池 上饶新源越动科技发展有限公司 CN104981910B（有效）；CN110047

173、946B（有效）；DE112013006103T5（审中）；JP6283037B2（有效）；JP6612906B2（有效）；JP6831964B2（有效）；KR102072262B1（有效）；MY181191A（有效）；TWI601303B（有效）；US20210175375A1（审中）；US9812592B2（有效）KR102333503B1 异议 金属箔辅助制造薄硅太阳能电池 太阳能公司 94 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号

174、历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 EP3025375B1（有效）；US9520524B2（有效）DE102013107910A1 许可 用于制造太阳能电池、尤其是硅薄膜太阳能电池的方法 利拉茨有限公司 EP2889916B1（有效）KR101614190B1 许可 太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 EP2879189B1（有效）CN104681648B 许可 太阳能电池及其制造方法 天合光能股份有限公司 KR101620431B1（有效）CN104810416A 诉讼 太阳能电池及其制造方法 乐金电子公

175、司 EP2930755B1（有效）；KR101661948B1（有效）CN104979409B 许可 太阳能电池及其制造方法 天合光能股份有限公司 EP2955761B1（有效）；KR101569415B1（有效）CN105185863B 许可 用于制造太阳能电池的方法 天合光能股份有限公司 EP2955760B1（有效）CN105304749B 许可 太阳能电池及其制造方法 晶澳太阳能有限公司 95 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）

176、号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 EP2980858B1（有效）；KR101661807B1（有效）CN105322042B 海关备案|许可 太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 EP2988336B1（有效）CN105390558B 许可 太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 EP3018719B1（有效）KR102219804B1 许可 太阳能电池及其制造方法 EP3026713B1（有效）；EP3509112B1（有效）CN105655427B 无效|海关备案|许可 太阳能电池及其

177、制造方法 天合光能股份有限公司 KR102373649B1（有效）CN106206838B 许可 太阳能电池及其制造方法 晶澳太阳能有限公司 EP3104417B1（有效）CN106252458B 许可 制造太阳能电池的方法 晶澳太阳能有限公司 96 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 EP3116035B1（有效）；EP3419

178、059B1（有效）KR101680036B1 许可 发明名称太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 US9685580B2（有效）US9472702B1 许可 具有纳米图案化基板的光伏电池 得克萨斯大学体系董事会|桑迪亚国家技术工程解决公司 EP3185307B1（有效）；EP3373339B1（有效）CN106898658B 许可 太阳能电池及其制造方法 晶澳太阳能有限公司 EP3193376B1（有效）CN107039536B 海关备案|许可 太阳能电池及其制造方法 晶澳太阳能有限公司 EP3200243B1（有效）CN107026218B 许可 制造太阳能电池的方法 上饶新

179、源越动科技发展有限公司 CN108235787B（有效）；JP6533300B2（有效）；TWI615993B（有效）；US11447869B2（有效）；US20220389577A1（审中）DE112016004804T5 许可 太阳能电池的制造方法、太阳能电池和制造太阳能电池的装置 三菱电机株式会社 97 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利

180、权专利权)人人 EP3270432B1（有效）CN107634119B 许可 串联太阳能电池及包括其的串联太阳能电池模块 上饶新源越动科技发展有限公司 EP3297043B1（有效）CN107845689B 海关备案|许可 太阳能电池 上饶新源越动科技发展有限公司 EP3331029B1（有效）；IT202100079640T2（有效）CN108155181B 许可 叠层太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 EP3370267B1（有效）KR101846443B1 许可 太阳能电池氧化膜形成方法 上饶新源越动科技发展有限公司 KR101879363B1（有效）DE6020180

181、08349T2 异议 太阳能电池的制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 CN109273550B（有效）；JP6652111B2（有效）DE102018114215B4 许可 CIS 太阳能电池的制造工艺 丰田自动车株式会社 98 4.3.2 基于国内主体海外专利布局的风险专利清单基于国内主体海外专利布局的风险专利清单（1）第一梯队：高风险第一梯队：高风险 表 4-7 国内主体-海外高风险专利清单（发生过历史风险的专利）注：国内主体仅关注海外风险专利。历史风险情况历史风险情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专

182、利权)人人 异议 DE602014084773T2 太阳能电池 有效 2014/4/2 上饶新源越动科技发展有限公司 异议 EP2787541B1 太阳能电池 有效 2014/4/2 上饶新源越动科技发展有限公司 诉讼 US10230009B2 太阳能电池及其制造方法 有效 2018/6/1 天合光能股份有限公司 诉讼 US9722104B2 太阳能电池及其制造方法 有效 2015/11/27 天合光能股份有限公司 异议 DE602018008349T2 太阳能电池的制造方法 有效 2018/1/10 上饶新源越动科技发展有限公司 99 历史风险情况历史风险情况 公开公开(公告公告)号号 标题

183、（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专利权)人人 异议 EP3349257B1 太阳能电池的制造方法 有效 2018/1/10 上饶新源越动科技发展有限公司 100 （2）第二梯队：中风险第二梯队：中风险 表 4-8 国内主体-中风险专利清单（企业活动关联专利）注：国内主体仅关注海外风险专利。企业活动关联情况企业活动关联情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专利权)人人 许可 KR101613843B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2013/4/23 上饶新源越动

184、科技发展有限公司 许可 KR101613846B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2014/6/10 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101614190B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2013/12/24 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101622089B1 发明名称太阳能电池及其制造方法 有效 2013/7/5 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101622091B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2014/8/20 上饶新源越动科技发展有限公司 101 企业活动关联情况企业活动关联情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态

185、申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专利权)人人 许可 KR101625876B1 发明名称太阳能电池及其制造方法 有效 2014/7/18 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101627204B1 发明名称太阳能电池及其制造方法 有效 2013/11/28 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101680036B1 发明名称太阳能电池及其制造方法 有效 2015/7/7 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101702953B1 发明名称太阳能电池及其制造方法 有效 2015/8/31 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101729304B1 太阳能电池及其制造方法 有

186、效 2010/12/21 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101729745B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2011/1/5 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101736960B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2011/5/18 上饶新源越动科技发展有限公司 102 企业活动关联情况企业活动关联情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专利权)人人 许可 KR101738000B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2011/6/20 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101788163B1

187、发明名称太阳能电池及其制造方法 有效 2016/2/12 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101831405B1 太阳能电池 有效 2012/3/28 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101846443B1 太阳能电池氧化膜形成方法 有效 2017/2/23 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101847614B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2016/11/16 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101872785B1 太阳能电池制造方法及装置 有效 2016/4/25 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101879781B1 太阳能电池、杂质层的形成方法

188、以及太阳能电池的制造方法 有效 2012/5/11 上饶新源越动科技发展有限公司 103 企业活动关联情况企业活动关联情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专利权)人人 许可 KR101889775B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2012/9/27 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101890286B1 双面太阳能电池的制造方法 有效 2012/7/13 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101891336B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2012/6/22 上饶新源越动科技发展有限公司 许可

189、 KR101905477B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2016/10/11 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101918992B1 太阳能电池模块、太阳能电池模块的制造方法以及包括太阳能电池模块的电子设备的制造方法 有效 2016/6/28 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101925928B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2013/1/21 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101942783B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2016/11/23 上饶新源越动科技发展有限104 企业活动关联情况企业活动关联情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（

190、简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专利权)人人 公司 许可 KR101976420B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2013/3/6 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101976753B1 太阳能电池制造方法和太阳能电池 有效 2017/11/28 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR101998743B1 化合物半导体太阳能电池及其制造方法 有效 2017/6/14 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR102005439B1 太阳能电池制造方法 有效 2016/11/23 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR102005444B1 太阳能

191、电池和制造太阳能电池的方法 有效 2017/9/26 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR102005571B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2019/4/5 上饶新源越动科技发展有限公司 105 企业活动关联情况企业活动关联情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专利权)人人 许可 KR102032279B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2018/9/12 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR102042266B1 太阳能电池制造方法 有效 2017/11/28 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 K

192、R102042267B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2017/12/4 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR102044466B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2013/1/16 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR102045001B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2013/6/5 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR102120120B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2013/11/28 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR102126851B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2013/11/18 上饶新源越动科技发展有限公司 106 企业活动关联情况企业活动关联

193、情况 公开公开(公告公告)号号 标题（简体中文）标题（简体中文）法律状态法律状态 申请日申请日 当前申请当前申请(专利权专利权)人人 许可 KR102191905B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2014/2/24 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR102244838B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2014/4/28 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR102290467B1 太阳能电池及其制造方法 有效 2020/9/8 上饶新源越动科技发展有限公司 许可 KR102367784B1 叠层太阳能电池、包括其的叠层太阳能电池模块及其制造方法 有效 2018/1/23 上饶新源越

194、动科技发展有限公司 107 （3）第三梯队：低风险第三梯队：低风险 表 4-9 国内主体-海外低风险专利清单（潜在风险同族专利）注：属于同一族的潜在风险专利在同一单元格展示。另外，国内主体仅关注海外风险专利。潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 DE602006044388T2（有效）；JP5409007B2（有效）CN101305

195、472B 海关备案|许可 高效太阳能电池及其制备方法 天合光能股份有限公司 JP6046661B2（有效）；US8012531B2（有效）CN103762270B 许可 太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 DE602009057774T2（有效）；DE602009063456T2（有效）；US20160204300A1（审中）；US9306084B2（有效）CN102203953B 海关备案|许可 太阳能电池及其制造方法 晶澳太阳能有限公司 DE602010058361T2（有效）；JP5844797B2（有效）；US10090428B2（有效）；US10424685B2（有

196、效）；US8697475B2（有效）；US9972738B2CN102934236B 许可 太阳能电池及其制造方法 天合光能股份有限公司 108 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人（有效）US9029188B2（有效）；US9214593B2（有效）KR101729304B1 许可 太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限

197、公司 US9997647B2（有效）KR101729745B1 许可 太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 US9825190B2（有效）KR101738000B1 许可 太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 JP6449210B2（有效）；US8969125B2（有效）；US9634160B2（有效）KR101860919B1 许可 太阳能电池及其制造方法 DE602012017211T2（有效）；US9130078B2（有效）；US9768342B2（有效）CN103367478B 许可 太阳能电池及其制造方法 天合光能股份有限公司 DE6020130704

198、41T2（有效）；JP6271844B2（有效）；US11335819B2（有效）；US9312420B2CN103378185B 海关备案|许可 太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发109 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人（有效）展有限公司 DE602013084696T2（有效）；EP2662904B1（有效）；US9

199、214584B2（有效）KR101879781B1 许可 太阳能电池、杂质层的形成方法以及太阳能电池的制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 DE602013017837T2（有效）；US9166096B2（有效）CN103515477B 许可 制造太阳能电池及其掺杂层的方法 天合光能股份有限公司 DE602013012317T2（有效）；US10147828B2（有效）；US9412888B2（有效）CN103390659B 许可 太阳能电池及其制造方法 晶澳太阳能有限公司 DE602013013367T2（有效）；US9269839B2（有效）CN103700713B 海关备案|许可 太阳

200、能电池及其制造方法 天合光能股份有限公司 EP4092757A1（审中）；EP4092764A1（审中）；JP6059173B2（有效）；US11309441B2（有效）；US11329172B2（有效）；US11456391B2（有效）；US11482629B2（有效）；US20220393042A1（审中）；US20230023777A1DE602014084773T2 异议 太阳能电池 上饶新源越动科技发展有限公司 110 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息

201、 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人（审中）EP2797124A1（审中）；US10854764B2（有效）CN104124302B 海关备案|许可 太阳能电池和制造该太阳能电池的方法 天合光能股份有限公司 DE602014085240T2（有效）；EP2822041B1（有效）；IT202300002904T2（有效）；JP6254493B2（有效）；US10833210B2（有效）CN104282782B 许可 太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 DE60201401063

202、6T2（有效）；US9755089B2（有效）KR101614190B1 许可 太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 DE602014065811T2（有效）；US9356182B2（有效）CN104681648B 许可 太阳能电池及其制造方法 天合光能股份有限公司 US10658529B2（有效）KR102045001B1 许可 太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 111 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（

203、公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 EP2903030A1（审中）；JP6640174B2（有效）；US10847663B2（有效）CN104810416A 诉讼 太阳能电池及其制造方法 乐金电子公司 DE602015060032T2（有效）；JP6224646B2（有效）；US10263127B2（有效）；US9991401B2（有效）CN104979409B 许可 太阳能电池及其制造方法 天合光能股份有限公司 DE602015035650T2（有效）；DE602015081377T2（有效）；EP3570334

204、B1（有效）；IT202300004119T2（有效）；JP6219886B2（有效）；US9698300B2（有效）CN105185863B 许可 用于制造太阳能电池的方法 天合光能股份有限公司 DE602015072791T2（有效）；JP6139599B2（有效）；US10243090B2（有效）；US10910502B2（有效）CN105304749B 许可 太阳能电池及其制造方法 晶澳太阳能有限公司 DE602015070786T2（有效）；US10566488B2（有效）CN105322042B 海关备案|许可 太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 112 潜在风险

205、同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 DE602015054236T2（有效）；JP6671888B2（有效）；US9935228B2（有效）CN105390558B 许可 太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 DE602015064028T2（有效）；JP6352233B2（有效）；US10224453B2（有效）；US1

206、0714654B2（有效）；US10749069B2（有效）KR102219804B1 许可 太阳能电池及其制造方法 DE602015026978T2（有效）；DE602015060666T2（有效）；IT202000107735T2（有效）；JP6219913B2（有效）；JP6526119B2（有效）；JP6795653B2（有效）；US10014419B2（有效）；US11133426B2（有效）；US11239379B2（有效）；US11616153B2（有效）；US20230207712A1（审中）CN105655427B 无效|海关备案|许可 太阳能电池及其制造方法 天合光能股份有

207、限公司 DE602016086944T2（有效）；EP3093889B8（有CN106159008B 许可 太阳能电池及其制造方法 天合光能股份有限公113 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 效）；US11004994B2（有效）司 EP3098860A1（审中）；JP6336518B2（有效）；US10388804B2（有效）

208、；US10777694B2（有效）CN106206838B 许可 太阳能电池及其制造方法 晶澳太阳能有限公司 DE602016061189T2（有效）；US10256364B2（有效）；US9887314B2（有效）CN106252458B 许可 制造太阳能电池的方法 晶澳太阳能有限公司 DE602016005928T2（有效）；DE602016027113T2（有效）；JP6538009B2（有效）KR101680036B1 许可 发明名称太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 EP3182468A1（审中）；JP6608351B2（有效）；US10453983B2（有效）CN

209、106910781B 海关备案|许可 太阳能电池及其制造方法 晶澳太阳能有限公司 DE602016001850T2（有效）；DE602016034857T2（有效）；JP6453297B2（有效）；KR102600379B1（有效）；KR102665965B1（有效）；US10868210B2（有效）CN106898658B 许可 太阳能电池及其制造方法 晶澳太阳能有限公司 114 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险

210、/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 DE602017002734T2（有效）；JP6538095B2（有效）；KR102526398B1（有效）CN107039536B 海关备案|许可 太阳能电池及其制造方法 晶澳太阳能有限公司 DE602017012765T2（有效）；JP6392385B2（有效）；US10050170B2（有效）CN107026218B 许可 制造太阳能电池的方法 上饶新源越动科技发展有限公司 DE602017004960T2（有效）；JP6524150B2（有效）CN107634119B 许可 串联太阳能电池及包括其

211、的串联太阳能电池模块 上饶新源越动科技发展有限公司 DE602017001880T2（有效）；US10686087B2（有效）CN107845689B 海关备案|许可 太阳能电池 上饶新源越动科技发展有限公司 DE602017045037T2（有效）；JP7005565B2（有效）；US11462655B2（有效）CN108155181B 许可 叠层太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 DE602017010354T2（有效）；JP7149708B2（有效）；US10490676B2（有效）KR101846443B1 许可 太阳能电池氧化膜形成方法 上饶新源越动科技发展有限公司

212、 115 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 AT1577567T（有效）；DE602017069395T2（有效）；EP3327793B1（有效）CN108110072B 许可 太阳能电池及其制造方法 天合光能股份有限公司 JP6567705B2（有效）；US10593558B2（有效）CN108336170B 海关备案|许可

213、制造太阳能电池的方法 上饶新源越动科技发展有限公司 DE602018058135T2（有效）；EP3367444B1（有效）；JP6695916B2（有效）；US11004991B2（有效）CN108511557B 许可 光伏太阳能电池以及制造光伏太阳能电池的方法 天合光能股份有限公司 JP7109833B2（有效）CN108550644B 许可 一种半叠层柔性硅基薄膜太阳能电池及其制备方法 东北大学(CN)US10861998B2（有效）KR101998743B1 许可 化合物半导体太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 AU2018409644C1（有效）；US1082574

214、2B2（有效）；US10991633B2（有效）；US10991634B2CN111223958B 许可 叠瓦电池片和叠瓦光伏组件的制造方法和系统 通威太阳能(合肥)有限公司 116 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人（有效）AU2020317362B2（审中）；EP4131426A4（审中）；US20230097957A1（审中

215、）CN111490116A 许可 电池片大片、太阳能电池片、叠瓦组件和制造方法 通威太阳能(合肥)有限公司 AU2021201617A1（有效）；DE602021001240T2（有效）；DE602021005502T2（有效）；DE602021012893T2（有效）；EP4047667B1（有效）；EP4152415B1（有效）；EP4239692B1（有效）；IT202300007554T2（有效）；JP2022128577A（有效）；US11605748B2（有效）；US11749768B2（有效）；US20230282755A1（审中）CN115036375B 海关备案 太阳能电池及

216、其制作方法、太阳能组件 浙江晶科能源有限公司|晶科能源股份有限公司 AU2021206850B1（有效）；AU2022200098B2（有效）；AU2023254895A1（审中）；DE602021002282T2（有效）；DE602021009937T2（有效）；EP4024476B1（有效）；EP4125136B1CN114759097B 海关备案 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 浙江晶科能源有限公司|晶科能源股份有限公司 117 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其

217、相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人（有效）；EP4224533A1（审中）；ES2946685T3（有效）；IT202300027006T2（有效）；JP2022104780A（有效）；JP2022104794A（有效）；PL4024476T3（有效）；US11437529B2（有效）；US11600731B2（有效）；US20240204116A1（审中）AU2021225144B1（有效）；AU2022206802B2（有效）；AU2022283784B2（有效）；AU202327

218、8001A1（审中）；EP4131425A1（审中）；EP4372829A2（审中）；JP2023024204A（有效）；JP2023024274A（有效）；JP2023159201A（审中）；JP7331232B2（有效）；US11581454B1（有效）；US11824136B2（有效）；US11929449B2（有效）CN115020503B 海关备案 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 上海晶科绿能企业管理有限公司|浙江晶科能源有限公司 AU2021232800B1（有效）；AU2022204453B2（有效）；DE602021003773T2（有效）；CN115472701B 海关备案

219、 太阳能电池及光伏组件 上海晶科绿能企业管理有限公司|浙江晶118 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 DE602021009118T2（有效）；EP4138147B1（有效）；EP4220737B1（有效）；IT202400010156T2（有效）；JP2023029145A（有效）；JP2023029209A（有效）；PL41

220、38147T3（有效）；US11664467B2（有效）；US20230253514A1（审中）科能源有限公司 AU2021235314B1（有效）；AU2023203717A1（审中）；EP4141964A1（审中）；EP4365967A2（审中）；JP2023033029A（有效）；JP2023096137A（审中）；JP7284862B2（有效）；US12009446B2（有效）CN115132851B 海关备案 太阳能电池及其制作方法、光伏组件 上海晶科绿能企业管理有限公司|浙江晶科能源有限公司 AU2021245100B1（有效）；AU2023201070B2（有效）；EP41488

221、08A1（审中）；JP2023042491A（有效）；JP7291282B2（有效）；JP7368653B2（有效）；US20230079826A1（审中）CN113540269B 海关备案 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 浙江晶科能源有限公司 119 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 AU2022202922B2（有效）；A

222、U2023206083A1（审中）；EP4152417A1（审中）；JP2023043822A（有效）；JP7420992B2（有效）；JP7461573B2（有效）；US11804564B2（有效）CN113964212B 海关备案 一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件 晶科能源股份有限公司 AU2022209315B2（有效）；DE202023101112U1（有效）；EP4287268A1（审中）；JP2023177187A（有效）；NL2034327B1（有效）；US20230387336A1（审中）CN114709277B 海关备案 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 浙江晶科能源有限

223、公司 AU2023258373B1（审中）；JP7486654B1（有效）CN115799364B 海关备案 一种太阳能电池 天合光能股份有限公司|天合光能(宿迁)光电有限公司 AU2023251504A1（审中）；AU2023251513A1（审中）；EP4287269A3（审中）；EP4287271A3（审中）；JP2024010044A（审中）；JP2024016070A（审中）；US12002899B2（有CN116314382B 海关备案 太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统 天合光能股份有限公司 120 潜在风险同族专利及其法律状态潜在风险同族专利及其法律状态 族内发生过历史

224、风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 历史风险历史风险/企业活动企业活动 标题（简体中文）标题（简体中文）当前申请当前申请(专利权专利权)人人 效）；US20240063313A1（审中）；US20240063324A1（审中）AU2023219811B2（有效）；EP4293728A3（审中）；JP2024012565A（审中）；US20240055540A1（审中）CN116387371B 海关备案 太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统 天合光能股份有限公司 121 4.4 基于风险应对可能性的风

225、险专利清单基于风险应对可能性的风险专利清单 基于风险应对可能性的风险专利清单重点考察剩余保护期、保护范围、权利稳定性和布局强度等内容，从海外主体的全球专利布局海外主体的全球专利布局和国内主体的海外专利布国内主体的海外专利布局局两个类别出发，对相关维度进行综合考量和打分对相关维度进行综合考量和打分，选取总分在 6 分以上的专利，最终形成对应的风险专利清单。其中，专利剩余保护期越长，市场价值通常越高，专利权主体可以在更长时间内独占该技术，减少被模仿和替代的风险，同时获得更多的商业化应用及经济效益。保护范围主要关注权利要求字数，权利要求字数会影响专利权利的保护范围，从而影响专利风险的可能性，字数过少

226、可能无法充分描述发明的必要技术特征和保护范围，导致权利要求的保护力度不足。权利稳定性主要关注专利的引用类别，尤其是审查员在进行专利新创性评价时引用的对比文件。通过排查相关专利的对比文件，可以初步获知其权利稳定性。布局强度主要关注简单同族国家/地区数量，简单同族国家/地区数量的多少在某些层面可以反映一项技术的市场价值和重要性。如果一项技术拥有较多的同族国家/地区，说明相关主体有意以该项专利技术为基础进行大范围专利竞争，同时有意以布局出的同族专利为基础进行大范围专利阻击。因此，在评估专利侵权风险时，可以考虑同族国家/地区数量的因素。122 4.4.1 基于海外主体全球专利布局的风险专利清单基于海外

227、主体全球专利布局的风险专利清单 表 4-10 海外主体-全球风险专利清单（基于风险应对可能性）注：专利总分越高，风险应对概率越低，风险越高。此处仅收录总分在 6 分以上的专利，属于同一族的专利在同一单元格展示。6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 US8815631B2(6 分)US8815631B2(6 分)6 2 8 4 10 具有掺杂半导体异质结触点的

228、太阳能电池 迈可晟太阳能有限公司 US9893215B2(6.4 分)；HRP20141036T1(6.2 分)US9893215B2(6.4分)6.4 4 10 2 10 具有表面钝化介电双层的太阳能电池的制造方法及相应的太阳能电池 韩华思路信(株)CN105679843B(6.2 分)CN105679843B(6.2分)6.2 2 10 4 8 太阳能电池及制造太阳能电池的方法 迈可晟太阳能有限公司 US8222516B2(6 分)；US8222516B2(6 分)6 2 8 4 10 具有成型发射极的前接迈可晟太阳能有限公123 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内

229、总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 US8878053B2(6 分)触太阳能电池 司 AU2009257973B2(6 分)；US10396230B2(6 分)；US7812250B2(6 分)；US7851698B2(6 分)AU2009257973B2(6分)6 2 10 2 10 具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构 迈可晟太阳能有限公司 US9461188B2(6.6 分)US94611

230、88B2(6.6分)6.6 2 10 4 10 太阳能电池装置的电极形成用导电性糊剂、太阳能电池装置及太阳能电池装置的制造方法 京都一来电子化学股份有限公司 CN102144302B(7.2 分)CN102144302B(7.2分)7.2 2 10 6 10 糊剂和采用该糊剂制造太阳能电池的方法 LG 化学株式会社 US8362592B2(6.2 分)US8362592B2(6.2分)6.2 2 10 4 8 用于沉积和外延剥离工艺的平铺衬底 奥塔装置公司 124 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩

231、余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 US10263186B2(6.8 分)US10263186B2(6.8分)6.8 6 10 2 10 斜射角沉积法制备的体异质结有机光伏电池 密歇根大学董事会 CN101882645B(6.2 分)CN101882645B(6.2分)6.2 2 8 6 8 具有 IV 族合金的反向多结太阳能电池 索埃尔科技公司 CN102770972B(6.6 分)CN102770972B(6.6分)6.6 2 10 4 10 包括晶体氧化硅钝化薄膜的光伏电池以及

232、用于制造该光伏电池的方法 原子能和替代能源委员会 CN102598308B(6 分)CN102598308B(6分)6 2 8 4 10 太阳能电池、其制造方法及太阳能电池组件 信越化学工业株式会社 CN102169738B(6 分)CN102169738B(6分)6 2 10 2 10 形成 p 型扩散层的组合物和方法，及制备光伏电池的方法 株式会社力森诺科 125 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中

233、文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 CN102648245B(6 分)CN102648245B(6分)6 2 10 2 10 用于制备掩模图案的糊剂和使用该糊剂制备太阳能电池的方法 LG 化学株式会社 NO341684B1(6.4 分)NO341684B1(6.4 分)6.4 2 10 6 6 一种太阳能电池的制造方法。能源技术研究院 CN102194672B(6 分)CN102194672B(6分)6 2 10 2 10 形成 n 型扩散层的组合物和方法，及制备光伏电池的方法 株式会社力森诺科 US9412892B2(6 分)US9412892B2(6 分)6 4 8 4 8

234、用于在基板上连续间接沉积薄膜层的气相沉积设备和方法 第一太阳能股份有限公司 US9583652B2(6.6 分)US9583652B2(6.66.6 4 10 4 8 一种太阳能电池发射极瑞士电子和微技术中心股份有限公司研究126 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 分)的湿化学回蚀方法 开发部 US9608143B2(6.2 分)US9608143B2(

235、6.2分)6.2 2 10 4 8 N 型扩散层形成用组合物、N 型扩散层形成方法及太阳能电池的制造方法 株式会社力森诺科 CN102939662B(6.2 分)CN102939662B(6.2分)6.2 4 10 4 6 太阳能电池元件及其制造方法、以及太阳能电池模块 京瓷株式会社 CN102959731B(6 分)；AU2011271682B2(6 分)CN102959731B(6分)6 4 8 4 8 用于制造具有隧道电介质层的太阳能电池的方法 迈可晟太阳能有限公司 CN102986004B(6.6 分)CN102986004B(6.6分)6.6 4 10 4 8 扩散剂组合物及杂质扩散

236、层的形成方法 东京应化工业株式会社 127 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 AU2011306011B2(6.4 分)；US10629760B2(6 分)AU2011306011B2(6.4 分)6.4 4 10 2 10 太阳能电池发射极区的制作方法 迈可晟太阳能有限公司 US11264180B2(6.2 分)；ZA201505146B(6.2 分)

237、US11264180B2(6.2分)6.2 6 6 4 10 染料敏化太阳能电池的制造方法和如此制造的太阳能电池 艾克瑟格操作公司 CN103237745B(6 分)CN103237745B(6分)6 4 10 2 8 在硅晶片上形成表面纹理的干法蚀刻方法 因特瓦克公司 US9099583B2(6.2 分)US9099583B2(6.2分)6.2 4 10 4 6 具有氧化铝钝化层的纳米线器件及其制造方法 班德加普工程有限公司|ADVANCED SILICON GRP TECH LLC US9184332B2(6.6 分)US9184332B2(6.66.6 6 10 4 6 倒变质多结(IM

238、M)太阳能波音公司 128 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 分)电池及相关制造方法 CN103650170B(7 分)CN103650170B(7分)7 4 8 6 10 异质结光电池的处理方法 原子能和替代能源委员会 AU2011359381B2(6.4 分)；CN103370801B(6.4 分)；US9263602B2(6 分)AU2011359

239、381B2(6.4 分)6.4 4 8 4 10 太阳能电池的制造工艺和结构 迈可晟太阳能有限公司 CN103460354B(6.4 分)CN103460354B(6.4分)6.4 4 10 2 10 薄型硅太阳能电池和制造方法 迈可晟太阳能有限公司 US9181615B2(6.2 分)US9181615B2(6.2分)6.2 6 8 2 10 硼扩散涂敷液 信越化学工业株式会社 CN103794478B(6 分)CN103794478B(6分)6 4 10 2 8 n 型扩散层形成用组合物、n 型扩散层的制造方株式会社力森诺科 129 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族

240、内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 法以及太阳能电池元件的制造方法 AU2013200622B2(6.4 分)AU2013200622B2(6.4 分)6.4 4 10 2 10 太阳能电池及其制造方法 信越化学工业株式会社 US9478686B2(6.4 分)US9478686B2(6.4分)6.4 6 8 4 8 具有异质结的光伏电池的制造方法及所得光伏电池 原子能和替代能源委员会 US9461195B2(

241、6.6 分)；HRP20180072T1(6.2 分)US9461195B2(6.6分)6.6 4 10 4 8 太阳能电池的制造方法 弗朗霍夫应用研究促进学会 US8992803B2(6.6 分)；US9799783B2(6 分)；CN103998538B(6 分)US8992803B2(6.6分)6.6 4 10 4 8 掺杂剂油墨组合物和由其制造太阳能电池的方法 迈可晟太阳能有限公司 130 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布

242、局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 US9231148B2(6.4 分)US9231148B2(6.4分)6.4 6 10 2 8 用于清洁和钝化硫属化物层的方法 校际微电子中心|天主教鲁汶大学|UNIV HASSELT US8735210B2(6 分)US8735210B2(6 分)6 4 8 4 8 通过廉价的 PECVD 制造的高效太阳能电池 格罗方德美国公司 CN105745768B(6.8 分)；MY173674A(6.2 分)CN105745768B(6.8分)6.8 6 6 6 10 晶体硅太阳能电池上的钝化堆叠件 能源技术研究所有限责

243、任公司 US8969175B2(6 分)US8969175B2(6 分)6 6 8 4 6 制造单片化半导体器件的方法 欧司朗 OLED 股份有限公司 US10693021B2(6 分)US10693021B2(6分)6 6 8 4 6 钝化用于光伏器件的硅衬底的方法 欧提腾股份有限公司 131 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 CN104769149B

244、(6.4 分)；CN108611591B(6.4 分)；US10439081B2(6.4 分)CN104769149B(6.4分)6.4 6 10 2 8 用于在表面上沉积导电覆层的方法 OTI 公司 US9882082B2(6.4 分)US9882082B2(6.4分)6.4 6 8 4 8 用于制造背面钝化太阳能电池的组合物和工艺 太阳化学公司 AU2013364371B2(7.2 分)；CN105453275B(6 分)；US8785233B2(6 分)AU2013364371B2(7.2 分)7.2 4 10 6 8 使用硅纳米粒子制造太阳能电池发射区 迈可晟太阳能有限公司 US981

245、2592B2(7 分)US9812592B2(7 分)7 6 10 4 8 金属箔辅助制造薄硅太阳能电池 迈可晟太阳能有限公司 US9520524B2(6.8 分)US9520524B2(6.8分)6.8 6 8 4 10 用于制造太阳能电池，特别是硅薄膜太阳能电利拉茨有限公司 132 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 池的方法 US10263135B2

246、(6.2 分)US10263135B2(6.2分)6.2 6 8 2 10 一种太阳能电池的制造方法，包括通过离子注入进行掺杂和沉积外扩散势垒 离子射线服务公司 CN104073157B(6 分)CN104073157B(6分)6 6 10 2 6 扩散剂组合物、杂质扩散层的形成方法及太阳能电池 东京应化工业株式会社 US9577122B2(6 分)US9577122B2(6 分)6 6 10 2 6 导电膏形成电极、太阳能电池制造方法和太阳能电池 纳美仕有限公司 US9601648B2(6 分)US9601648B2(6 分)6 6 10 2 6 使用沟槽结构制造图案的方法和由此制造的图LG

247、 化学株式会社 133 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 案，以及使用该制造方法制造太阳能电池的方法和由此制造的太阳能电池 ES2700823T3(6.2 分)；KR101621743B1(6.2 分)ES2700823T3(6.2分)6.2 6 10 0 10 用于制造光吸收层的CI(G)S 纳米粒子的制造方法以及用它们制造的CI(G)S 纳米粒子 L

248、G 化学株式会社 CN105324852B(6.8 分)；DE602014060152T2(6.2 分)；EP3029742B1(6.2 分)；ES2772177T3(6.2 分)；KR101660268B1(6.2 分)CN105324852B(6.8分)6.8 6 10 2 10 用于制备太阳能电池的光吸收层的金属硫族化合物纳米颗粒及其制备方法 LG 化学株式会社 134 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题

249、(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 ES2708374T3(6.2 分)；TWI588015B(6.2 分)；US9478684B2(6.2 分)；CN105308758B(6.2 分)ES2708374T3(6.2分)6.2 6 10 0 10 用于制造太阳能电池吸光层的三层核壳纳米粒子及其制备方法 LG 化学株式会社 CN105324851B(8 分)；ES2869193T3(6.2 分)；PT3016149T(6.2 分)CN105324851B(8分)8 6 10 6 10 用于制造太阳能电池光吸收层的聚集前驱体及其制造方法 LG 化学株式会社 CN1053087

250、59B(8 分)；DE602014017047T2(6.2 分)；EP3012873B1(6.2 分)；ES2656299T3(6.2 分)；JP6194108B2(6.2 分)；KR101606420B1(6.2 分)；US9876131B2(6.2 分)CN105308759B(8分)8 6 10 6 10 用于制造太阳能电池之光吸收层的墨组合物及使用其制造薄膜的方法 LG 化学株式会社 135 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局

251、布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 ES2834993T3(6.2 分)；IT202000115193T2(6.2 分)；KR101650049B1(6.2 分)；CN105518872B(6.2 分)ES2834993T3(6.2分)6.2 6 10 0 10 一种制备用于太阳能电池的光吸收层的金属硫属化物纳米粒子的制备方法 LG 化学株式会社 CN105474412B(6.8 分)；US10930804B2(6.8 分)；BR112016006585B1(6.2 分)；CL58839B(6.2 分)；JP6526020B2(6.2 分)；MX3

252、56833B(6.2 分)；MY175353A(6.2 分)；US9865753B2(6.2 分)CN105474412B(6.8分)6.8 6 8 4 10 使用金属箔将太阳能电池金属化 迈可晟太阳能有限公司 CN104659149B(6 分)CN104659149B(6分)6 6 6 6 6 太阳能电池模块的制造方法以及太阳能电池模精工爱普生株式会社 136 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体

253、中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 块 BR112016013216B1(6.2 分)；MX373080B(6.2 分)；MY192488A(6.2 分)；US9716205B2(6.2 分)；CN105659395B(6.2 分)BR112016013216B1(6.2 分)6.2 6 10 0 10 使用离子注入的太阳能电池发射区域制造方法和获得的电池 迈可晟太阳能有限公司 CN105637647B(6.8 分)；JP6543856B2(6.8 分)；MY190873A(6.2 分)；US11316056B2(6.2 分)；US9577134B2(6.2 分)CN105637647

254、B(6.8分)6.8 6 8 4 10 使用自对准注入和封盖制造太阳能电池发射极区 迈可晟太阳能有限公司 KR101569415B1(6.2 分)KR101569415B1(6.2分)6.2 6 10 0 10 太阳能电池制造方法 乐金电子公司 137 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 CL59317B(6.6 分)；BR112016014406B1(6

255、.2 分)；MX359591B(6.2 分)；MY178906A(6.2 分)CL59317B(6.6 分)6.6 8 10 0 10 背接触太阳能电池。迈可晟太阳能有限公司 US10529875B2(6.4 分)US10529875B2(6.4分)6.4 6 8 4 8 太阳能电池及其制造方法 材料概念股份有限公司 US9960287B2(6.4 分)US9960287B2(6.4分)6.4 6 8 4 8 太阳能电池及其制造方法 皮卡太阳能有限公司 CN106133916B(7.4 分)；TWI675490B(6.2 分)CN106133916B(7.4分)7.4 6 10 4 10 太阳

256、能电池光接收表面的钝化 太阳能公司|道达尔行销服务公司 US11075318B2(6.4 分)US11075318B2(6.4分)6.4 6 8 4 8 缓冲层成膜方法及缓冲层 TMEIC 股份有限公司 138 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 JP6722117B2(6.8 分)；DE602015028194T2(6.2 分)；EP3161874B1(

257、6.2 分)；MX377084B(6.2 分)；MY183477A(6.2 分)；PH12016502441B1(6.2 分)；SG11201610742UB(6.2 分)；TWI685117B(6.2 分)；ZA201608608B(6.2 分)JP6722117B2(6.8 分)6.8 6 8 4 10 使用晶体硅钝化太阳能电池的光接收表面 道达尔行销服务公司|太阳能公司 CN107155377B(6.8 分)；CL63056B(6.6 分)；MX362141B(6.2 分)；MY191277A(6.2 分)CN107155377B(6.8分)6.8 6 6 6 10 使用离子注入制造太阳

258、能电池发射极区 迈可晟太阳能有限公司 CN107078179B(6 分)CN107078179B(66 6 6 6 6 晶体硅太阳能电池的制钟渊化学工业股份有139 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 分)造方法、及太阳能电池模块的制造方法 限公司 CN106796962B(6.6 分)CN106796962B(6.6分)6.6 6 8 6 6 用于制备太

259、阳能电池的光吸收层的前体及其制备方法 LG 化学株式会社 US10340402B2(6 分)US10340402B2(6分)6 6 10 2 6 金属硫属化物纳米粒子的制备方法及基于其的光吸收层薄膜的制备方法 LG 化学株式会社 US10658527B2(6.4 分)US10658527B2(6.4分)6.4 8 10 2 6 太阳能电池及太阳能电池制造方法 韩华 QCELLS 有限公司 ES2864687T3(6.6 分)；IN503857B(6.6 分)；ES2864687T3(6.6分)6.6 8 10 0 10 在正面触点之间具有透明导电层的晶体太阳能迈尔博尔格(德国)股份公司 140

260、 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 IT202100023393T2(6.6 分)；MY185556A(6.6 分)；PT3321973T(6.6 分)电池以及用于制造所述太阳能电池的方法 CN107690709B(6.8 分)；US10276732B2(6.8 分)；EP3306674B1(6.2 分)；JP6203986B2(6.2 分)CN1076

261、90709B(6.8分)6.8 8 8 4 8 太阳能电池元件及其制造方法 京瓷株式会社 US11894472B2(6 分)US11894472B2(6分)6 6 8 4 6 用于太阳能电池箔基金属化的免洗蚀刻掩模 迈可晟太阳能有限公司 AT1535345T(6.2 分)AT1535345T(6.2 分)6.2 8 10 0 8 制造太阳能电池的方法、用该方法制造的太阳能电池以及基板支撑件 迈尔博尔格(德国)股份公司 141 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权

262、利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 US11387382B2(7.2 分)；CN108352413B(6 分)；US11075316B2(6 分)US11387382B2(7.2分)7.2 8 8 4 10 双面光伏电池 索拉昂德有限公司 IT201700004876B1(6.2 分)IT201700004876B1(6.2 分)6.2 8 10 0 8 用于单电池、串联和异质结系统的太阳能电池设备及相关生产方法-US10861993B2(6.4 分)；CN108521828B(6.4 分)US10861993B2(6.4

263、分)6.4 8 8 4 6 绝缘膏、绝缘膏的制造方法、太阳能电池装置的制造方法以及太阳能电池装置 京瓷株式会社 CN108323212B(6.6 分)；IN406919B(6.6 分)；JP6686159B2(6.6 分)CN108323212B(6.6分)6.6 8 8 2 10 太阳能电池及其制备方法 田永权 142 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人

264、 US10847724B2(6.2 分)US10847724B2(6.2分)6.2 8 10 0 8 有机太阳能电池模块及其制造方法 LG 化学株式会社 IN425206B(6.6 分)IN425206B(6.6 分)6.6 8 10 0 10 一种钝化半导体材料表面的方法和半导体衬底 山特森光伏股份有限公司 IN497399B(6.6 分)；KR102581702B1(6 分)IN497399B(6.6 分)6.6 8 10 0 10 具有高光电转换效率的太阳能电池以及制造具有高光电转换效率的太阳能电池的方法 信越化学工业株式会社 EP3370267B1(6.2 分)EP3370267B1(

265、6.2分)6.2 8 10 0 8 太阳能电池氧化层的制作方法 乐金电子公司 IN441375B(6.6 分)IN441375B(6.6 分)6.6 8 10 0 10 高光电转换效率太阳能电池及其制造方法 信越化学工业株式会社 143 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 US11101392B2(6.2 分)US11101392B2(6.2分)6.2 8

266、 6 4 8 太阳能电池元件及其制造方法 京瓷株式会社 IN499674B(6.2 分)IN499674B(6.2 分)6.2 8 10 0 8 高光伏转换效率太阳能电池及其制造方法、太阳能电池组件以及光伏发电系统 信越化学工业株式会社 JP6785477B2(7 分)JP6785477B2(7 分)7 8 8 6 6 太阳能电池和制造太阳能电池的方法 松下知识产权经营株式会社 US11901466B2(6.8 分)；NL2020560A(6.2 分)US11901466B2(6.8分)6.8 8 8 4 8 光伏电池及其制造方法 埃因霍温科技大学 AT1464294T(6.2 分)；ES29

267、10965T3(6.2 分)AT1464294T(6.2 分)6.2 8 10 0 8 PERT 太阳能电池的制造工艺 国际太阳能研究中心康斯坦茨协会 144 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 AU2017371707B2(6.2 分)AU2017371707B2(6.2 分)6.2 8 10 0 8 太阳能电池制造 澳洲国立大学 US11081617B

268、2(6.8 分)；JPWO2018198683A1(6.2 分)US11081617B2(6.8分)6.8 8 8 4 8 太阳能电池装置及太阳能电池装置的制造方法 京瓷株式会社 CN109273550B(6.4 分)CN109273550B(6.4分)6.4 8 6 6 6 太阳能电池的制造方法 丰田自动车株式会社 US11164981B2(6.6 分)US11164981B2(6.6分)6.6 10 10 0 8 用于在晶体半导体衬底上形成钝化电接触的方法和包括这种接触的器件 校际微电子中心|KATHOLIEKE UNIV KU LEUVEN R&D US11177407B2(6.2 分)

269、US11177407B2(6.2分)6.2 8 6 4 8 太阳能电池的制造方法、太阳能电池及太阳钟渊化学工业股份有限公司 145 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 能电池模块 IT202200003221T2(6.6 分)IT202200003221T2(6.6 分)6.6 10 10 0 8 制造用于光伏电池的电触点的过程。原子能和替代能源委员会 F

270、R3091025B1(6.2 分)FR3091025B1(6.2分)6.2 8 10 0 8 光伏电池的钝化工艺和钝化光伏子电池的制造工艺 法国国家科学研究中心|格勒诺布尔综合理工学院|原子能和替代能源委员会 CN114503289B(6.6 分)；FR3099294B1(6.2 分)CN114503289B(6.6分)6.6 10 10 0 8 用于处理在异质结光伏电池的制造过程中获得的堆叠的方法 原子能和替代能源委员会 FR3103636B1(6.2 分)FR3103636B1(6.2分)6.2 10 10 0 6 一种光伏电池的制造工艺 原子能和替代能源委员会 146 6 分以上专利分以

271、上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 IT202000001051B1(6.6 分)IT202000001051B1(6.6 分)6.6 10 10 0 8 制造具有整体覆盖玻璃的太阳能电池的方法，以及由此获得的电池 试验电工中心意大利风信子接收股份公司 AT1417891T(6.6 分)；ES2898330T3(6.6 分)；IT202100070055T2(6.6 分)A

272、T1417891T(6.6 分)6.6 10 10 0 8 两阶段孔蚀刻工艺 艾澤太空太陽能公司 RU2745656C1(6.6 分)RU2745656C1(6.6分)6.6 10 10 0 8 一种钝化半导体板通孔的方法 艾澤太空太陽能公司 JP6937402B2(7.2 分)；CN111868941B(6 分)；DE602020013082T2(6 分)；EP3933940B1(6 分)；US11817520B2(6 分)JP6937402B2(7.2 分)7.2 10 8 4 8 层叠薄膜的制造方法、太阳能电池的制造方法以及太阳能电池模块的制造方法 株式会社东芝|东芝能源系统股份有限公司

273、 147 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 US11257968B2(6.2 分)US11257968B2(6.2分)6.2 10 8 2 6 制造太阳能电池的方法和用于由可拆分的可拆分太阳能电池制造太阳能电池的拆分式太阳能电池 松下电器产业株式会社 FR3113190B1(6.6 分)FR3113190B1(6.6分)6.6 10 10 0 8 一种异

274、质结光伏电池前驱体的加工方法 原子能和替代能源委员会 TWI781407B(6 分)TWI781407B(6 分)6 10 8 0 8 双面太阳能电池、模组及制程 索拉昂德有限公司 JP7344593B2(6.2 分)JP7344593B2(6.2 分)6.2 10 10 0 6 半导体装置、太阳能电池及半导体装置的制造方法 国立研究开发法人产业技术综合研究所 148 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中

275、文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 FR3117674B1(6.2 分)FR3117674B1(6.2分)6.2 10 10 0 6 异质结光伏电池处理过程中加热温度的确定方法 原子能和替代能源委员会 US11495708B2(6.2 分)US11495708B2(6.2分)6.2 10 10 4 0 一种透明薄膜太阳能电池的制作方法 韩国科学技术研究院 FR3118066B1(6.6 分)FR3118066B1(6.6分)6.6 10 10 0 8 沉积有机或有机/无机杂化钙钛矿层的方法 原子能和替代能源委员会 FR3124641B1(6.2 分)FR3124641B1(6.2

276、分)6.2 10 10 0 6 制造串联光伏电池的过程 原子能和替代能源委员会 DE102020122431B3(6.2 分)DE102020122431B3(6.2 分)6.2 10 10 0 6 太阳能电池、太阳能模块和制造太阳能电池的方法 韩华 QCELLS 有限公司 149 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 RU2815034C1(7 分)RU2

277、815034C1(7 分)7 10 10 0 10 背接触太阳能电池及其制造 ENPV 有限責任公司 150 4.4.2 基于国内主体海外专利布局的风险专利清单基于国内主体海外专利布局的风险专利清单 表 4-11 国内主体-海外风险专利清单（基于风险应对可能性）注：专利总分越高，风险应对概率越低，风险越高。此处仅收录总分在 6 分以上的专利，属于同一族的专利在同一单元格展示。另外，国内主体仅关注海外风险专利。6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定

278、性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 US8889464B2（6 分）US8889464B2（6分）6 4 8 4 8 太阳能电池的制造方法 天合光能股份有限公司 US9269839B2（6.4 分）US9269839B2（6.4分）6.4 6 10 2 8 太阳能电池及其制造方法 天合光能股份有限公司 IT202300002904T2（6.2 分）IT202300002904T2（6.2 分）6.2 6 10 0 10 太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 ES2836265T3（6.2 分）；US9960307B2（6.2

279、 分）ES2836265T3（6.2分）6.2 6 10 0 10 薄膜太阳能电池生产程序 中国建材国际工程集团有限公司|CTF 太阳能有限公司 151 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 US9698300B2（6.2 分）US9698300B2（6.2分）6.2 6 8 2 10 太阳能电池的制造方法 天合光能股份有限公司 IN448470B（6.2

280、分）；IT202100029978T2（6.2 分）；JP6666438B2（6.2 分）IN448470B（6.2分）6.2 6 10 0 10 一种局部背接触太阳能电池的制备方法 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司|阿特斯阳光电力集团股份有限公司 US9887314B2（6.8 分）US9887314B2（6.8分）6.8 8 8 4 8 太阳能电池的制造方法 JINGAO SOLAR ES2753449T3（6.2 分）；IN338013B（6.2 分）ES2753449T3（6.2分）6.2 6 10 0 10 具有硫化钠和硫化铟缓冲层的薄膜太阳能电池层系统的制造方法 中建材玻璃新材料研究

281、院集团有限公司 US10312386B2（6.8 分）US10312386B2（6.86.8 8 8 4 8 太阳能电池及其制造方JINGAO SOLAR 152 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 分）法 US10050170B2（6.2 分）US10050170B2（6.2分）6.2 8 8 2 8 太阳能电池的制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司

282、JP6648070B2（7.8 分）；BR112018072175B1（6.6分）；IN473141B（6.6 分）；MX393517B（6.6 分）；VN10033647B（6.6 分）；ZA201807439B（6.6 分）；KR101962469B1（6 分）；US10411145B2（6 分）JP6648070B2（7.8分）7.8 8 10 4 10 晶体硅太阳能电池的织构结构及其制备方法 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 JP7070946B2（6.2 分）；US11183605B2（6.2 分）JP7070946B2（6.2分）6.2 8 6 4 8 薄膜太阳能电池层状结构的制造方

283、法 中建材硝子新材料研究院集団有限公司 153 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 JP6524150B2（6.2 分）JP6524150B2（6.2分）6.2 8 10 0 8 叠层太阳能电池、包括其的叠层太阳能电池模块及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 IN475794B（6.6 分）IN475794B（6.6分）6.6 8 10 0 10 基

284、于钻孔和 perc 的双面太阳能电池及其组装系统及其制造方法 广东爱旭科技有限公司|浙江爱旭太阳能科技有限公司 IN475916B（6.6 分）IN475916B（6.6分）6.6 8 10 0 10 P 型 perc 双面太阳能电池组件及其系统及其制备方法 广东爱旭科技有限公司|浙江爱旭太阳能科技有限公司 IN475901B（6.6 分）；JP7023974B2（6 分）IN475901B（6.6分）6.6 8 10 0 10 P 型 perc 双面太阳能电池组件及其系统及其制备方法 广东爱旭科技有限公司|浙江爱旭太阳能科技有限公司 154 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关

285、信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 IN507512B（6.2 分）IN507512B（6.2分）6.2 8 10 0 8 有利于阳光吸收的 P 型perc 双面太阳能电池及其制备方法 广东爱旭科技有限公司|浙江爱旭太阳能科技有限公司 IN507608B（6.2 分）IN507608B（6.2分）6.2 8 10 0 8 一种提高光电转换效率的 Perc 太阳能电池及其制备方法 广东爱旭科技有限公司|浙江

286、爱旭太阳能科技有限公司 IN386952B（6.2 分）IN386952B（6.2分）6.2 8 10 0 8 管状 PERC 双面光伏电池及其制作方法和专用器件 广东爱旭科技有限公司|浙江爱旭太阳能科技有限公司 DE602017010354T2（6.2分）；US10490676B2（6.2分）DE602017010354T2（6.2 分）6.2 8 10 0 8 制造太阳能电池氧化层的方法 上饶新源越动科技发展有限公司 155 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围

287、 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 IN512143B（6.6 分）；JP7023975B2（6 分）IN512143B（6.6分）6.6 8 10 0 10 P 型 perc 双面太阳能电池组件及其系统及其制备方法 广东爱旭科技有限公司|浙江爱旭太阳能科技有限公司 JP6567705B2（6.2 分）JP6567705B2（6.2分）6.2 8 10 0 8 如何制造太阳能电池 上饶新源越动科技发展有限公司 DE602018038641T2（6.2 分）DE602018038641T2（6.2 分）6.2 8 10

288、0 8 太阳能电池及其制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 JP6951476B2（7.39999999999999 分）JP6951476B2（7.39999999999999分）7.4 8 8 6 8 使用管式 PECVD 镀膜设备的 PERC 太阳能电池镀膜方法 浙江爱旭太阳能科技有限公司|広东爱旭科技有限公司 JP7012282B2（7.39999999999999 分）；JP7012282B2（7.399999999999997.4 8 8 6 8 铁电增强太阳能电池及其制造方法 华中科技大学 156 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信

289、息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 US11127535B2（6.2 分）分）DE602018066692T2（6.2分）；EP3712967B1（6.2分）；KR102525426B1（6.2分）；US11133481B2（6.2分）DE602018066692T2（6.2 分）6.2 8 10 0 8 太阳能电池的制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 US10825742B2（6.4 分）US10825742B2（6.4分）6.

290、4 8 8 4 6 用于制造太阳能电池和叠瓦太阳能电池模块的方法和系统 通威太阳能(合肥)有限公司 MY200704A（6.2 分）MY200704A（6.2分）6.2 8 10 0 8 晶体硅太阳能电池及其制备方法和光伏组件 JINGAO SOLAR US11575057B2（6 分）US11575057B2（6分）6 10 4 4 8 太阳能电池及其制造方法、太阳能电池板 天合光能股份有限公司 157 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性

291、 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 IN516639B（6.2 分）；US11444212B2（6.2 分）IN516639B（6.2分）6.2 8 10 0 8 晶体硅太阳能电池及其制备方法和光伏组件 JINGAO SOLAR AU2020203989A1（6.4 分）；JP2021190671A（6.4 分）；US10991838B1（6.4 分）AU2020203989A1（6.4 分）6.4 10 8 0 10 光伏组件、太阳能电池及其制造方法 晶科绿能(上海)管理有限公司|浙江晶科能源有限公司 US11824135B2（6.8 分）

292、US11824135B2（6.8分）6.8 10 8 4 6 太阳能电池的制造方法 上饶新源越动科技发展有限公司 JP2022081366A（7 分）JP2022081366A（7分）7 10 6 4 10 太阳能电池 晶科绿能(上海)管理有限公司|浙江晶科能源有限公司 AU2019453945B2（6.2 分）AU2019453945B2（6.2 分）6.2 10 10 0 6 太阳能电池及其制造方法 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 158 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保

293、护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 JP2022081367A（7 分）JP2022081367A（7分）7 10 6 4 10 太阳能电池及其制造方法 晶科绿能(上海)管理有限公司|浙江晶科能源有限公司 JP2022082492A（6 分）JP2022082492A（6分）6 10 6 2 8 选择性发射极太阳能电池及其制造方法 浙江晶科能源有限公司|晶科能源股份有限公司 JP2022128577A（6.4 分）JP2022128577A（6.4 分）6.4 10 8 0 10 太阳能电池及其制造方法、太

294、阳能电池组件 浙江晶科能源有限公司|晶科能源股份有限公司 AU2021426902B2（6.2 分）；US11973151B2（6.2 分）AU2021426902B2（6.2 分）6.2 10 10 0 6 高光电转换效率异质结电池及其制备方法 通威太阳能(安徽)有限公司|通威太阳能(成都)有限公司|通威太阳能(合肥)有159 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利

295、权)人人 限公司|通威太阳能(金堂)有限公司|通威太阳能(眉山)有限公司 AU2021404856B2（6.2 分）AU2021404856B2（6.2 分）6.2 10 10 0 6 高效硅异质结太阳能电池及其制造方法 通威太阳能(金堂)有限公司 JP2022168801A（7.2 分）JP2022168801A（7.2 分）7.2 10 10 2 8 光伏电池及其制造方法、光伏组件 浙江晶科能源有限公司|晶科能源股份有限公司 JP2022104794A（7 分）；US11600731B2（7 分）；US11437529B2（6.4 分）JP2022104794A（7分）7 10 6 4 1

296、0 太阳能电池及其制造方法、光伏组件 浙江晶科能源有限公司|晶科能源股份有限公司 JP2023024274A（6.6 分）；JP2023024274A6.6 10 4 6 8 太阳能电池及其制造方上海晶科绿能企业管160 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 US11824136B2（6.6 分）；JP2023024204A（6 分）（6.6 分）法、太阳能

297、电池组件 理有限公司|浙江晶科能源有限公司 JP2023029145A（6.4 分）；PL4138147T3（6.4 分）JP2023029145A（6.4 分）6.4 10 8 0 10 太阳能电池和光伏组件 上海晶科绿能企业管理有限公司|浙江晶科能源有限公司 JP2023033029A（7.8 分）；US12009446B2（6 分）JP2023033029A（7.8 分）7.8 10 8 6 8 太阳能电池及其制造方法、光伏组件 上海晶科绿能企业管理有限公司|浙江晶科能源有限公司 JP2023042491A（7.2 分）JP2023042491A（7.2 分）7.2 10 8 4 8 太

298、阳能电池及其制造方法、光伏组件 浙江晶科能源有限公司 JP2023040981A（7.6 分）；US11784266B2（6.4 分）JP2023040981A（7.6 分）7.6 10 8 4 10 太阳能电池及其制造方法、光伏组件 上海晶科绿能企业管理有限公司|浙江晶科能源有限公司 161 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 JP2023033059A

299、（7.8 分）；AU2021266207B2（6 分）；US11764313B2（6 分）JP2023033059A（7.8 分）7.8 10 10 4 8 光伏电池单体、电池模组及制造工艺 上海晶科绿能企业管理有限公司|浙江晶科能源有限公司 JP2023043822A（7.2 分）；JP7420992B2（6 分）；JP7461573B2（6 分）JP2023043822A（7.2 分）7.2 10 8 4 8 太阳能电池及其制造方法、光伏组件 晶科能源股份有限公司 JP2023124756A（7.2 分）；JP2023124789A（6 分）JP2023124756A（7.2 分）7.2

300、10 8 4 8 太阳能电池及其制造方法、光伏组件 浙江晶科能源有限公司 MY201952A（7 分）MY201952A（7分）7 10 10 0 10 太阳能电池、太阳能组件及发电系统的制造方法 浙江爱旭太阳能科技有限公司 NL2034304B1（6.2 分）NL2034304B1（6.26.2 10 10 0 6 太阳能电池、电极结构、电池模块、发电系浙江爱旭太阳能科技有限公司|珠海富162 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局

301、 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人 分）统及制备方法 山爱旭太阳能科技有限公司|天津爱旭太阳能科技有限公司|广东爱旭科技有限公司 JP2023155865A（7.8 分）；JP2023155871A（6.6 分）；DE602022003173T2（6 分）；EP4261895B1（6 分）；US11621359B1（6 分）JP2023155865A（7.8 分）7.8 10 8 6 8 太阳能电池、光伏模块以及太阳能电池的制造方法 浙江晶科能源有限公司|晶科能源股份有限公司 NL2034327B1（6.6 分）；JP2023177187A（6 分）N

302、L2034327B1（6.6分）6.6 10 10 0 8 太阳能电池及其制造方法、光伏组件 浙江晶科能源有限公司 JP2023155863A（7.2 分）JP2023155863A7.2 10 8 4 8 太阳能电池及其制造方浙江晶科能源有限公司|晶科能源股份163 6 分以上专利分以上专利 族内总分最高专利及其相关信息族内总分最高专利及其相关信息 公开（公告）号公开（公告）号 总分总分 剩余剩余 保护期保护期 保护保护 范围范围 权利权利 稳定性稳定性 布局布局 强度强度 标题标题(简体中文简体中文)当前申请当前申请(专利权专利权)人人（7.2 分）法、光伏组件 有限公司 NL203369

303、6B1（7 分）；JP2023181039A（6.4 分）；JP2023181073A（6.4 分）NL2033696B1（7分）7 10 10 0 10 太阳能电池及其制造方法、光伏组件 浙江晶科能源有限公司|晶科能源股份有限公司 AU2022291667B1（6 分）；US11810984B1（6 分）AU2022291667B1（6 分）6 10 8 0 8 光伏电池及其制备方法和光伏组件 浙江晶科能源有限公司|晶科能源股份有限公司 JP2024022416A（7.2 分）JP2024022416A（7.2 分）7.2 10 8 4 8 太阳能电池及太阳能电池的制造方法、光伏组件 浙江晶

304、科能源有限公司|晶科能源股份有限公司 NL2034430C（6.6 分）NL2034430C（6.6分）6.6 10 10 0 8 太阳能电池、其制造方法以及光伏模块 浙江晶科能源有限公司|晶科能源股份有限公司 164 第第5章章 风险应对策略风险应对策略 以不同层次的专利分析为基础，此部分提供宏观、中观、微观层面的风险应对提示及策略。同时，此部分还提供可参考的研发方向建议和专利布局建议，以期为我国太阳能电池片企业的国际化发展提供参考和指导。5.1 风险应对策略风险应对策略 5.1.1 宏观宏观 在宏观层面上，风险主要涉及环境风险、技术风险、市场风险、政策风险方面。环境风险：根据第 2.1.2

305、 节的专利申请趋势分析内容，本产业发展经历了复杂的环境变动以及发展阶段，目前处在产业突破与洗牌时期，全球专利申请处于缓冲期，中国主体专利申请处在二次发展期。技术风险：太阳能电池片技术的快速迭代要求企业不断投入研发以保持竞争力。然而，技术创新本身具有不确定性，可能因外部环境的变化、项目本身的难度与复杂性以及创新者自身能力与实力的有限性，导致技术创新活动达不到预期目标，从而给企业带来损失。近年来光伏产业经历几轮技术革新迭代，发展快速的同时带来的不稳定性，可能导致由此出现的技术风险。市场风险：目前太阳能电池片市场产品同质化现象较为严重，企业之间竞争激烈，为了争夺市场份额，企业之间可能进行价格战，例如

306、因硅料价格和硅料需求的起伏不定，对企业和厂商带来的供需关系以及利润影响。政策风险：国家对太阳能电池片行业的政策扶持力度和方向可能会随着国家能源战略和经济形势的变化而调整。如果政策发生不利变动，如补贴减少或取消、税收增加等，将直接影响企业的盈利能力和市场竞争力。应对策略主要包括以下几个方面：一、加强专利保护与意识提升 165 1.提高专利保护意识：企业和科研机构应充分认识到专利保护的重要性，将专利布局纳入整体战略规划中。2.加强内部培训：定期对员工进行专利知识培训，提高员工对专利布局的认识和重视程度。二、完善专利管理制度与流程 1.建立专利管理制度：制定完善的专利管理制度，明确专利申请的流程、标

307、准和要求，确保专利布局的有序进行。2.加强专利审查与管理：建立完善的专利审查流程，对专利申请进行严格的内部评审和修改，提高专利申请的质量。同时，加强专利权的维护和管理，防止专利被无效或流失。三、合理规划专利布局策略 1.关注行业前沿技术：紧跟行业前沿技术和发展趋势，合理规划专利布局，避免盲目跟风和重复研发。2.多元化专利类型：根据企业的实际需求和战略目标，选择适合的专利类型进行布局，如发明专利、实用新型专利、外观设计专利等。3.全球化专利布局：通过 PCT 途径等国际专利申请渠道，实现全球化专利布局，保护企业的国际市场份额和技术优势。5.1.2 中观中观 在中观层面，主要围绕领域专利主体的布局

308、风险和侵权风险展开。通过分析和参考本领域内专利主体的布局方向，可以降低所选技术方向的不可行性，减少专利布局失败的情况，降低技术可行性风险。通过跟踪技术发展趋势，可以减少已布局专利过时、失去市场竞争力的情况，降低技术更新迭代风险。同时，关注典型专利主体的布局地域、关注中国主体的海外布局情况和海外主体的中国布局情况等。例如韩华集团减持中国布局的专利，降低在中国市场的投入，将布局重心转移到美国。如果中国主体有加强美国市场布局情况的预期，166 则韩华集团会作为重点关注目标。通过对主体诉讼情况进行分析，对本领域内主体之间的高发诉讼情况进行重点关注，尤其对经常发起诉讼的主体进行特别关注，以降低专利侵权风

309、险和专利无效宣告风险。应对策略主要包括以下几个方面：一、加强专利风险评估与预警 1.建立专利风险预警机制：密切关注行业动态和竞争对手的专利布局，及时发现并评估潜在的专利风险。2.定期进行专利检索和分析：利用专业的专利检索和分析工具，定期对企业拥有的专利和竞争对手的专利进行检索和分析，了解专利技术的动态和趋势。二、灵活应对政策变动与市场竞争 1.关注政策变动：密切关注国内外专利政策的最新动态，及时调整和完善企业的专利战略。2.加强市场竞争分析：对竞争对手的专利布局和市场策略进行深入分析，制定相应的应对措施。三、积极应对专利纠纷与维权 1.制定维权策略：一旦发生专利纠纷，企业应迅速启动应对机制，组

310、织专业团队进行案件分析和策略制定。2.寻求专业支持：积极寻求专业律师和专利代理机构的支持和帮助，提高维权的专业性和有效性。四、重视专利侵权风险分析（FTO）1.明确 FTO 的重要性：FTO 可以帮助企业评估在特定国家或地区推出某个产品或使用某种技术的侵权风险，提前揭示可能的专利侵权风险。2.提供详实的技术细节：在进行 FTO 分析时，企业应尽可能披露技术细节，以便准确评估侵权风险。167 3.基于 FTO 分析结果采取预防措施：如果存在侵权风险，企业可以选择修改产品、购买专利、与专利持有者达成许可协议或其他策略来最大程度降低侵权诉讼的风险。5.1.3 微观微观 在微观层面上，主要关注高相关和

311、高风险专利。以专利数据为基础，本文第4 章从风险发生概率、风险应对可能性角度对海外主体的全球专利风险清单和国内主体的海外专利风险清单进行了罗列。后续可结合第 4 章出具的风险专利清单，对高相关和高风险专利进行持续跟踪。应对策略主要包括以下几个方面：一、全面且有深度的风险排查 1.专利侵权风险：主要包括自身产品或服务存在专利侵权风险、采购的产品或服务存在专利侵权风险。防控措施包括 FTO 分析、选择 IP 实力强的供应商并要求其提供知识产权担保以及设置科学的 IP 争议解决条款。基于本文第 4 章的风险专利清单，作为潜在风险线索，当发现潜在风险线索时，进行进一步的 FTO 排查，确定风险程度，对

312、风险专利进行评估。2.专利权利化风险：主要包括挖掘不充分致重要创新点未获保护，专利申请不及时，专利布局方式以及数量、质量、领域、地域、时间等不合理，知识产权保护类型选择错误等。要科学进行中国本土及海外国家的专利布局。3.专利权属纠纷风险：主要包括是否为职务发明的争议，合作中未合理约定专利申请权等的归属。防控措施包括与员工签署职务发明归属协议，视具体情况对专利申请权、专利权、许可权等作出对自身业务有利的约定。二、建立风险应对机制 对排查出的专利风险，针对确定的高风险专利，通过一系列措施进行防控：包括不侵权抗辩（现有技术抗辩、先用权抗辩等）、有效性抗辩（提公众意见、无效请求、储备专利无效证据等）、

313、规避设计（需注意规避方案是否可申请专利及是否专利侵权）、对方侵权抗辩（分析对方产品是否侵权己方专利等）、寻求许可（购买许可、交叉许可、专利联盟、收购公司等）。168 1.不侵权抗辩 专利不侵权抗辩是指在专利侵权诉讼中，被告针对原告的专利权指控，提出不构成侵权的反驳和辩护。在专利侵权诉讼中，被告可以根据实际情况选择适合的抗辩理由进行辩护。例如，如果被告能够证明其使用的技术是专利申请日前的自由公知技术，或者能够证明原告的专利权无效，那么就可以成功地进行抗辩。同时，被告还需要注意收集和保存相关证据，以支持其抗辩理由。在进行专利不侵权抗辩时，被告需要充分了解原告的专利技术和权利要求内容，以便准确地进行

314、技术特征对比和分析。被告需要积极收集和保存相关证据，以支持其抗辩理由。这些证据可以包括技术文献、研发记录、销售记录等。被告在抗辩过程中需要保持冷静和理性，避免情绪化的言论和行为。同时，还需要注意保护自己的商业秘密和知识产权。2.有效性抗辩 专利有效性抗辩的主要依据在于专利权的授予条件和专利权的无效宣告制度。根据专利法的相关规定，专利权的授予需要满足新颖性、创造性和实用性等条件。如果被控侵权人能够证明原告的专利权不符合这些条件，或者专利权的授予存在其他违法情形，那么就可以提出专利有效性抗辩。同时，专利法还规定了专利权的无效宣告制度。如果被控侵权人能够提供充分证据，证明原告的专利权应当被宣告无效，

315、那么就可以通过无效宣告程序来挑战原告的专利权。一旦专利权被宣告无效，那么该专利权就不再具有法律效力，被控侵权人也就无需承担侵权责任。专利有效性抗辩的具体内容通常包括以下几个方面：（1）新颖性抗辩：被控侵权人可以主张原告的专利权所涉及的技术方案在申请日前已经为公众所知，或者存在其他破坏新颖性的情形，从而质疑专利权的新颖性。（2）创造性抗辩：被控侵权人可以主张原告的技术方案与现有技术相比，169 不具有突出的实质性特点和显著的进步，从而质疑专利权的创造性。（3）实用性抗辩：被控侵权人可以主张原告的技术方案无法在实际中制造或使用，或者无法产生积极效果，从而质疑专利权的实用性。（4）其他违法情形抗辩：

316、被控侵权人还可以主张原告的专利权授予过程中存在其他违法情形，如违反专利法规定的保密义务、违反先申请原则等。在专利侵权诉讼中，被控侵权人可以根据实际情况选择适合的专利有效性抗辩理由进行辩护。例如，如果被控侵权人能够证明原告的技术方案在申请日前已经为公众所知，那么就可以提出新颖性抗辩；如果被控侵权人能够证明原告的技术方案与现有技术相比没有显著的创新，那么就可以提出创造性抗辩。同时，被控侵权人在提出专利有效性抗辩时，需要积极收集和保存相关证据，以支持其抗辩理由。这些证据可以包括技术文献、研发记录、销售记录等，能够证明原告的技术方案在申请日前已经为公众所知，或者原告的技术方案与现有技术相比没有显著的创

317、新等。3.规避设计：专利风险应对中的规避设计是一项关键策略，旨在通过重新设计或改进产品或技术，以避免侵犯他人的专利权。专利规避设计，是指为规避专利保护范围来修改现有设计，在设计思路上侧重于如何利用不同之构造来达成相同之功能，以避免触犯他人权利。这是一项源于美国的合法竞争行为，旨在鼓励发明和促进大众文化的进步。其根本目的在于减少或避免专利侵权风险，确保企业能够自由地使用和开发自己的技术。方法包括：（1）开展专利检索：在设计和开发新产品或技术之前，进行专利检索是至关重要的一步。通过检索已有的专利信息，可以了解到与正在设计的产品或技术相关的专利，从而避免侵权。（2）进行创新和修改：对已有的技术或产品

318、进行改进或创新，以使其不同于已有的专利。通过必要的改动和改进，可以使产品或技术具备自主创新性，从170 而规避已有的专利。（3）开展自主研发：尽可能进行自主研发，以避免使用他人已经申请或拥有的专利。通过自主研发，可以确保产品或技术的独立性，从而规避侵权风险。（4）避开技术要点：通过规避专利中的技术要点，可以避免侵权。在设计和开发过程中，对已有的专利进行深入研究，识别其中的技术要点，并避免使用相关技术，从而规避专利侵权。（5）进行技术交叉许可：与已有的专利持有人进行技术交叉许可可以避免侵权风险。通过与专利持有人进行合作，获得使用其专利的许可，可以确保在使用相关技术时不会侵犯专利。在实际应用中，专

319、利规避设计需要遵循一定的原则和方法。例如，可以从减少组件数量、使用替代方法、对构成要件进行实质性改变等方面入手，以避免侵犯全面覆盖原则和等同原则。同时，功能裁剪作为有效的分析工具，能够指导设计人员进行技术分析，并结合专利规避设计原则选择合理的技术进行删除或替代，从根本上突破现有专利的技术垄断。4.对方侵权谈判 在侵权纠纷中，除抗辩和规避设计外，利用“对方侵权”进行谈判也是可供参考的方式之一。此种策略有助于增加己方的筹码，促使对方更加认真地考虑和解可能性。需要说明的是，此种策略通常在掌握充分证据且己方专利相对稳定的情况下使用。具体涉及以下流程：（1）评估对方情况、明确己方权利。在进行谈判前，首先

320、需要对对方的产品进行深入分析，寻找潜在侵权的线索。其次，需要以侵权线索为基础分析己方专利情况，明晰哪些专利可以用来主张权利，确定相关专利的权利范围和对方可能侵权的具体情况，同时初步评估相关专利权的稳定性，尽量避免相关专利被对方轻易无效。（2）准备证据。发现对方的潜在侵权行为后，需要收集充分的证据来支持这一指控。就证据材料而言，需要准备证明己方专利权属、状态、保护范围的证据，具体而言涉及专利证书、专利公报、登记簿副本或年费缴纳证明（如果是可171 申请评价报告的实用新型和外观设计，也可考虑将评价报告作为证据提交）。此外，还需要准备证明所主张侵权行为以及要求对方承担侵权责任的相关证据，具体包括产品

321、样本、销售记录等。此类证据通常较难获取，其中涉嫌侵权产品可以通过公证购买的形式获取，也可以在公证员监督下对官网产品宣传信息进行网页截图/录屏固定。（3）进行谈判。在有充分证据的情况下，可以启动谈判。谈判过程中，需要明确提出己方指控，同时可进一步阐述潜在侵权行为给自己造成的损失，以增加谈判优势。同时，在评估和了解双方需求的情况下，可以尝试提出和解建议，如：专利交叉许可等。5.寻求许可 专利许可是建立在专利权人对其发明创造享有的独占权基础上的。根据中华人民共和国专利法，专利权是指专利所有权人或其他权利人对特定的发明创造在一定期限内申请专利后，依法享有的独占、实施、许可、转让的权利。专利许可的费用通

322、常是由双方协商确定的，没有明确的收费标准。费用可以根据技术市场情况、技术投产后可获得的利润效益等进行参考。同时，专利权人也有义务保证被许可人能够正常实施该专利，并为其提供必要的技术支持和指导。专利许可通常通过签订专利实施许可合同来实现，合同中会明确规定被许可人实施专利的方式、范围、期限以及专利使用费的支付方式等条款。常见的专利许可形式有以下几种：（1）独占许可：在双方约定的地域（一国或某地区）内，仅允许被许可方实施该专利，其他任何人包括专利权人都不得实施该专利。（2）排他许可：在双方约定的地域（一国或某地区）内，只允许被许可方和专利权人实施该专利，任何第三方都不得实施该专利。（3）普通许可：在

323、双方约定的地域（一国或某地区）内，可以允许多家实施该专利。（4）分许可：在双方约定的地域（一国或某地区）内，在允许被许可方实施该专利的同时，也允许被许可方允许他人实施该专利，这必须在合同中加以明172 确，否则被许可方不享有分许可权。（5）交叉许可：由双方专利权人协商，双方无条件或有条件地互用对方专利。金额在实施许可合同中由双方协商确定，支付方式也由使用者同专利权人协商确定。5.2 研发方向建议研发方向建议 对各专利技术方向的统计数据进行解读，对太阳能电池板硅晶体管制造技术的可能技术研发方向提出建议。5.2.1 电池类型电池类型 根据整体数据分析情况，太阳能（光伏）电池片的制备涉及多种方面，其

324、中有关电池类型，研发力度较大，布局数量较多的典型类型，在背接触式电池、TOPCon 电池以及异质结电池的布局较为集中。例如 SunPower 公司布局的专利 KR102223562B1，背接触太阳能电池及其制造方法；专利 MY178906A，背接触太阳能电池及其制造方法。原子能和替代能源委员会布局的专利 DE602017009325T2，具有背接触的光伏电池及其制造方法。晶科能源布局的专利 CN117293219A，涉及 TOPCon 电池及其形成方法；专利 CN117810312A，涉及 TOPCon 太阳能电池及其制备方法和光伏组件。天合光能布局的专利 CN118073470A，涉及 TO

325、Pcon 太阳电池及其制备方法；专利 AU2023278064A1，涉及异质结太阳能电池及异质结太阳能电池的制造方法。5.2.2 电池片结构电池片结构 有关电池片结构，研发力度较大，布局数量较多的典型类型，在叠层结构、光吸收层和扩散层等方向较为集中。例如原子能和替代能源委员会布局的专利 EP4004986A1，用于处理在异质173 结光伏电池制造过程中获得的叠层的方法；专利 EP4117045B1，叠层光伏电池的制造方法。LG 集团布局的专利 KR101751130B1，用于制造太阳能电池的光吸收层的前驱体及其制造方法；专利 JP6246373B2，用于制造太阳能电池光吸收层的金属硫属化物纳米

326、粒子及其制造方法。信越集团布局的专利 EP3355364A4，高光电转换效率太阳能电池及其制造方法、太阳能电池模块以及太阳能发电系统，涉及扩散层的制备。5.2.3 工艺方法工艺方法 有关工艺方法，研发力度较大，布局数量较多的典型类型，在钝化、沟槽、硼扩散等方向较为集中。例如原子能和替代能源委员会布局的专利 EP3331030B1，钝化结构和工艺；专利 EP3331030B1，钝化光伏电池的方法和生产钝化光伏子电池的方法。SunPower 公司布局的专利 US11183607B2，用于具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构；专利 US8975717B2，用于具有多晶硅掺杂区域的背

327、面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构。信越集团布局的专利 US9181615B2，硼扩散涂敷液。5.3 专利布局建议专利布局建议 专利布局是企业创新战略的重要组成部分，旨在通过构建高技术壁垒，提高市场竞争力，并保护自身的技术成果，以下是专利布局建议。5.3.1 前期准备前期准备 技术创新点识别：企业应深入剖析自身技术体系，准确识别出具有创新性和市场潜力的技术点。这些技术点是专利布局的基础，也是企业核心竞争力的重要组成部分。具体参见 5.1 部分的技术研发方向建议。市场需求与趋势分析：结合行业发展趋势和市场需求，预测未来技术走向。174 通过了解市场需求，企业可以确保专利布局能够覆盖关键技术领域，为

328、长远发展奠定基础。例如在本领域技术中，单晶硅电池、多晶硅电池和薄膜电池在光伏行业发展初期各有优势，保持竞争共同发展，但在晶硅电池成本降低、技术突破，降本增效使其优势越来越明显，挤压了薄膜电池的市场份额，至今光伏行业洗牌，单晶硅电池成为了市场占有率最高的产品。而在单晶硅电池领域，P 型电池技术逐渐成熟，N 型技术革新成为了光伏行业的关键。法律风险评估：在布局前进行全面的法律风险评估，包括专利侵权风险、无效宣告风险及国际专利保护差异等。确保布局的有效性和合法性，避免潜在的法律纠纷。5.3.2 布局策略布局策略 竞争对手分析：了解竞争对手的专利布局情况，避免重复投入。同时，寻找竞争对手专利布局中的空

329、白点或弱点，实施差异化战略，以增强自身的市场竞争力。通过对第 3 章主要申请主体的分析，可以得出其重点布局技术方向，对布局策略进行提前研判。布局地域分析：根据解读出的本领域专利布局地域情况，中国目前是最大的专利布局市场区域，在全球范围内，美国、日本、韩国、欧洲为主要的布局地域，结合主体归属地域来看，除本土布局外，中国主体更为注重美国专利布局，但整体数量不多，可以加强海外的专利布局，而日本和美国主体更为注重中国专利布局，同时关注日本和美国在中国布局的技术方向，以做出布局应对。核心技术保护：对核心技术成果进行重点保护，通过申请基础专利、核心专利等，形成技术壁垒，防止竞争对手模仿和抄袭。多层次布局：

330、构建包含外围专利、防御性专利在内的多层次专利组合，形成严密的专利网，增强整体防御能力。可以通过多种方式完成整体布局，除自行申请之外可以通过受让等方式加强专利收储，如晶科能源上饶公司对 LG 的专利实行了大量收购。也可善用优先权等专利规则进行同族布局，不断补充和完善专利组合，保持市场竞争力。产学研合作：与高校、研究机构及产业链上下游企业建立合作关系，通过专175 利交叉许可、共同研发等方式，实现资源共享，降低专利布局成本。5.3.3 实施与评估实施与评估 依靠专业团队：借助一支熟悉技术、了解行业动态、掌握专利布局技巧的专业团队，负责专利布局的具体实施和评估工作。制定详细计划：根据实际情况和专利布

331、局目标，制定详细的专利布局计划，明确时间节点、责任分工和预期成果。持续评估与跟踪：对专利布局进行持续评估和动态跟踪，及时发现问题并调整策略。同时，关注行业动态和技术发展趋势，为未来的专利布局提供参考依据。176 第第6章章 结论和建议结论和建议 基于太阳能电池板硅晶体管制造技术领域的检索数据，通过对技术发展情况、重点研发主体等方面进行分析，使用建立风险专利评估模型等方式，得出以下分析结论和建议。通过专利发展趋势分析可以看出，整体的专利发展趋势和产业技术发展趋势大体一致，特点在于技术迭代快，由此带来的发展波动较多，但新能源领域的发展力度较大，前景上佳。全球范围内大多数相关专利集中在中国、美国、日

332、本、韩国和欧洲的主体手中，除本土外，中国主要关注在美国地域的专利申请，而美日主要关注中国市场。归属上海的专利主体具有一定优势，同时具备不错的上升空间，头部主体在中国布局的专利数量较多。对典型的申请主体进行挑选，针对典型主体 sunpower 公司、LG 集团、信越集团、原子能和替代能源委员会、晶科能源以及天合能源，分析典型主体的布局情况、剖析重点技术，为专利布局提供启示和帮助。通过风险专利评估模型，得出分梯队的风险专利清单，并在研发方向、专利布局等方面，做出风险应对策略。建议在背接触式电池、TOPCon 电池以及异质结电池等电池类型，叠层结构、光吸收层和扩散层等结构类型，钝化、沟槽、硼扩散等工艺方法上进行研发。在如日本、美国等重点地域加强布局，并对重点主体进行持续跟踪和风险监控。