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1、2023 年深度行业分析研究报告 目录索引目录索引 一、玻璃基板:先进封装的变革,重新定义基板.6(一)英特尔持续加码玻璃基板,高举封装工艺变革旗帜.6(二)玻璃基板:材料与工艺的变革.8(三)新型显示已有成熟应用,半导体领域东风渐起.11 二、TGV:玻璃基板应用于先进封装的关键工艺.18(一)玻璃通孔成孔技术:如何制作高精度的通孔/盲孔.19(二)玻璃通孔填孔技术:如何高质量进行金属填充.25(三)玻璃基板高密度布线.30 三、玻璃基板产业链重点公司梳理.33(一)玻璃基板供应商.33(二)TGV 设备厂商梳理.36 图表索引图表索引 图 1:英特尔 TGV 玻璃基板样本.6 图 2:英特
2、尔 75m 间距/3 层 RDL 的玻璃基板.6 图 3:英特尔封装基板材质路线图.7 图 4:英特尔先进封装迭代路线图.7 图 5:目前 2.5D/3D 封装基板与工艺路线图.8 图 6:Mini LED 背光显示结构.11 图 7:Micro LED 显示结构.11 图 8:京东方 MircoLED 直显 COG 产品.12 图 9:TCL 华星首款 125”玻璃基透明直显 MicroLED.12 图 10:全球先进封装市场规模变化及各工艺份额(收入口径).13 图 11:5G 毫米波集成天线封装流程.14 图 12:TGV-集成天线的工艺流程.14 图 13:森丸电子基于 TGV、玻璃空
3、腔工艺的 MEMES 微系统加工方案.14 图 14:超高封装密度的异质集成芯片(预测未来 10 年后).15 图 15:Absolics 公司玻璃基板方案可以带来 40%的芯片性能提高.16 图 16:TSV 与 TGV 的技术对比.18 图 17:TGV 玻璃通孔与 TSV 硅通孔制备流程对比.19 图 18:喷砂法制作的 TGV 结构.20 图 19:聚焦放电制作 TGV 的示意图.21 图 20:TGV 阵列和横截面扫描电镜图.21 图 21:等离子体刻蚀法制作 TGV 的具体流程.21 图 22:CO2激光、准分子激光制作通孔(上图为 CO2激光,下图为准分子激光).22 图 23:
4、电化学放电法制备 TGV 装置.23 图 24:光敏玻璃通孔制备工艺流程图.23 图 25:光敏玻璃热处理温度曲线.23 图 26:光敏玻璃法孔阵列显微镜图.24 图 27:光敏玻璃法制备的通孔精密度高.24 图 28:激光诱导刻蚀制作 TGV 的流程.24 图 29:激光诱导刻蚀形成通孔的显微镜图像.25 图 30:四种 TGV 孔型示意图.26 图 31:Bottom-up 填充过程示意图.26 图 32:蝶形填充过程示意图.27 图 33:改善后通孔填充过程包含的流程示意图.28 图 34:Conformal 填充在垂直盲孔和通孔上会导致孔洞缺陷的存在.28 图 35:电镀填实工艺和通孔
5、电镀薄层方案的对比(左为电镀薄层).29 图 36:美国安美特公司可以制出 9nm 厚的金属氧化物粘附层以提高 Cu 黏附力.30 图 37:通过聚合物干膜方案来增强 Cu 的黏附力.30 图 38:RDL 线路预制工艺流程.31 图 39:双面 RDL 集成工艺流程.31 图 40:PTE 工艺流程.31 图 41:CTT 与 PTE 制作 RDL 层相比.31 图 42:采用改进式 SAP 制作多层 RDL 的工艺流程.32 图 43:TGV 金属化后的多层 RDL 堆叠结果.32 图 44:美国康宁公司提供的 TGV 晶圆参数和类型.33 图 45:云天半导体 2.5D TGV Inte
6、rposer 产品参数.34 图 46:沃格光电 TGV 核心工艺.35 图 47:LPKF 公司研发的 LIDE 技术可以实现精确的 TGV 开孔加工.37 图 48:4JET Microtech 的 VLIS 方案可以提高 TGV 的生产效率.37 表 1:主要的基板材料对比.9 表 2:2.5D 封装主流路线对比.9 表 3:3D 封装主流路线对比.10 表 4:京东方 Mini LED 旗舰系列 TV 显示屏对比.11 表 5:目前海外芯片巨头针对玻璃基板的布局情况.16 表 6:不同玻璃通孔制备方法对比.19 表 7:TGV 孔内镀膜方式对比.29 表 8:海外主要 TGV 玻璃基板