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1、www.das-DASDAON 3.0产品技术分享 目 录02 DAON 产品优势01 DAON 产品介绍03 DAON 产品应用03 产品功率分布-轻质DAON产品介绍01产品介绍铝背场电池PERC电池HJT电池叠层电池局部氧化铝钝化SiO/poly-Si钝化21%铝背场钝化本征非晶Si/掺杂非晶硅钝化发明单位和时间工艺不成熟且成本较高TOPCon电池UNSW 1982RCA Lab 1973Sanyo 1990G1/G2(Al-BSF;PERC):电池表面通过重掺杂(N+/P+)形成局部电场,将空穴/电子反扫回Si衬底内部,同时加速电子/空穴向电极传导。但无法避免俄歇复合、SRH复合和自由
2、载流子复合。电极金属/Si接触复合。G3(TOPCon;HJT):通过选择能带结构匹配型功能材料,在Si界面直接形成对空穴/电子较高势垒,以及对电子/空穴较小的势垒,可以有效降低复合电流和接触电阻,形成最佳的载流子选择性传输。同时电极不直接与Si衬底接触,降低了金属/Si的接触损失。钝化技术极限效率电池结构24.5%27.5%30%Fraunhofer 2013成本低成本低成本较高成本适中28.7%产品介绍随着降本增效市场需求,同时技术迭代更新,N型硅市场占有率越来越高(数据来源:EnergyTrend、CPIA)15.64%39.09%48.38%51.36%52.16%0200400600
3、8001,0001,2001,4001,6001,8002,00020222023(F)2024(F)2025(F)2026(F)Total(GW)Mono-N(GW)10.0%25.5%42.5%52.8%75.3%86.1%87.5%73.4%56.7%41.1%24.1%13.4%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%202220232024202520272030n型单晶硅片P型单晶硅片多晶硅片铸锭单晶硅片产品介绍随着效率的提升和成本的下降,N型产品的产能预计会快速提升,从2022年的1215%增至2026年的47%52%,其中N型TOPCon的市场份额将近
4、40%,是主流的N型技术(数据来源:EnergyTrend)84%61%52%49%48%9%29%35%36%37%3%6%9%10%10%3%4%4%5%5%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20222023e2024e2025e2026ePercTOPConHJTxBC产品介绍2018-2020-2023-2025-22%23%24%25%26%27%28%29%30%D-TOPCon 1.0&2.022.3%-24.5%一道量产电池效率25.8%,研发效率26.33%栅线数量16BB硅片厚度130m,远期规划100m25.1%-25.7%TBC26.0%
5、-27.0%1.背面增加隧穿氧化层,大幅降低了界面复合,提高电池效率。2.叠加SE技术,提高电池的开压和电流,降低了硅片和电极之间的接触电阻正面无电极,通过不同掺杂将正极和负极皆制备在电池背面,避免栅线对光的遮挡,提升效率D-TSiP30.0%硅基叠层电池TSiP:和钙钛矿等电池技术结合制备多结结构,可以吸收不同波长的光,大幅提升效率D-TOPCon 3.0硅基单线态电池SFOS:在硅基电池表面覆盖薄膜,借助于单线态激子分裂倍增效应,大幅提升太阳电池效率D-SFOS35.0%35%D-CSPC27.0%-28.0%D-TOPCon 4.025.0%-27.0%CSPC:选择性载流子钝化接触电池
6、技术产品介绍201922%23%24%25%26%27%28%29%30%2020202120222023ESiOx+poly-Si钝化接触技术TOPCon 1.0 22.3%SiOx+AIOx 叠层钝化技术与高激活率扩散技术TOPCon 1.0 Plus 23.5%16BB与细栅线技术和超高发射极 Rsheet技术TOPCon 2.0 24.5%精密扩散i-SE技术与微量掺杂的ut-poly技术TOPCon 3.0 25.8%超高载流子选择率材料与结构设计与实现技术TOPCon 4.0 26.5%一道TOPCon技术发展产品介绍80%以上份额制绒BCl3硼扩散+激光SE正、背面金属化湿法刻蚀