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SESSION 15 - Embedded Memories & Ising Computing.pdf

上传人: 2*** 编号:154999 2024-02-04 328页 9.89MB

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本文介绍了在28nm工艺中实现的一个0.795fJ/bit的基于物理不可克隆函数(PUF)保护的三级内容寻址存储器(TCAM)的设计。该设计采用了6T存储单元,通过数据编码和行选择性比较的方法,实现了高效的搜索操作。此外,该设计还采用了PUF技术来保护TCAM的安全性。该设计在28nm工艺中实现,每个存储单元的面积为0.0015mm²,具有3.25Mb/mm²的存储密度。该设计在搜索操作中实现了0.795fJ/bit的能量消耗,在写入操作中实现了20ns的脉冲宽度。
如何实现高速低功耗的嵌入式存储器设计? 如何利用新型计算模型解决组合优化问题? 如何提高嵌入式存储器的可靠性和耐久性?
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