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1、请务必阅读最后一页股票评级说明和免责声明请务必阅读最后一页股票评级说明和免责声明1 1半导体半导体HBM 专题报告领先大市专题报告领先大市-A(维持维持)HBM 需求增长强劲，新技术带来设备、材料端升级需求增长强劲，新技术带来设备、材料端升级2023 年年 12 月月 24 日日行业研究行业研究/行业专题报告行业专题报告半导体板块近一年市场表现半导体板块近一年市场表现资料来源：最闻相关报告：【山证半导体】破晓钟声铺浩渺，AI 浪潮赋新篇关注周期视角下的复苏迹象-山西证券半导体行业专题 2023.7.17分析师：分析师：高宇洋执业登记编码：S0760523050002邮箱：投资要点：投资要点：存

2、力已成存力已成 AI 芯片性能升级核心瓶颈，芯片性能升级核心瓶颈，AI 推动推动 HBM 需求强劲增长需求强劲增长。英伟达发布最新 AI 芯片 H200，内存配置明显提升，存储技术提升为 AI 性能提升的关键。HBM 作为基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，打破内存带宽及功耗瓶颈，GPU 性能提升推动 HBM 技术不断升级。算力驱动 AI 服务器出货量迅猛增长，叠加 GPU 搭载 HBM 数量提升和 HBM 容量与价值增长，全球 HBM 市场规模有望从 2023 年的 15 亿美元增至 2030 年的 576 亿美元，对应 2023-2030 的年复合增长率达 68.3%。HBM 量价齐升

3、趋势已现，三大原厂积极扩产。量价齐升趋势已现，三大原厂积极扩产。龙头厂商海力士透露明年扩产 2 倍，公司采用最先进 10nm 技术扩大 2024 年产量，其中大部分增量由 HBM3e 填充，预计 2030 年 HBM 出货量有望达到每年 1 亿颗。三星、美光紧随其后，同样宣布大规模扩产。新技术 HBM3e、HBM4 等陆续推出，行业量价齐升。TSV 为为 HBM 核心工艺，新技术带来设备、材料端升级。核心工艺，新技术带来设备、材料端升级。TSV 技术主要涉及深孔刻蚀、沉积、减薄抛光等关键工艺，多层堆叠结构提升工序步骤，带动量检测、键合等设备需求持续提升。HBM 芯片间隙采用 GMC 或 LMC

4、填充，带动主要原材料 low-球硅和 low-球铝需求增长，同时电镀液、电子粘合剂、封装基板、压敏胶带等材料需求也将增加。投资建议：投资建议：重点关注 HBM 产业链。材料端：神工股份、联瑞新材、华海诚科、雅克科技；设备端：赛腾股份、中微公司；封测端：通富微电、长电科技；经销商：香农芯创。风险提示：风险提示：AIGC 发展不及预期；AI 服务器出货量不及预期；HBM 技术发展不及预期；设备和材料的国产替代不及预期。行业研究行业研究/行业专题报告行业专题报告请务必阅读最后一页股票评级说明和免责声明请务必阅读最后一页股票评级说明和免责声明2 2目录目录1.需求端：需求端：AI 推动推动 HBM 需

5、求强劲增长需求强劲增长.42.供给端：供给端：HBM 加速迭代，三大原厂开启扩产潮加速迭代，三大原厂开启扩产潮.63.HBM 产业链：产业链：TSV 是关键，材料设备需求持续提升是关键，材料设备需求持续提升.103.1 TSV 是 HBM 核心工艺.103.2 HBM 多层堆叠结构驱动材料设备需求持续提升.114.建议关注建议关注.134.1 材料端.134.2 设备端.154.3 封测端.164.4 经销商.185.风险提示风险提示.18图表目录图表目录图图 1：HBM 内部结构图内部结构图.4图图 2：GDDR5 与与 HBM 重要指标对比重要指标对比.4图图 3：GDDR5 与与 HBM

6、 芯片面积对比芯片面积对比.5图图 4：2022-2026 年全球年全球 AI 服务器出货量（万台）服务器出货量（万台）.6图图 5：2023-2030 年全球年全球 HBM 市场规模（亿美元）市场规模（亿美元）.6图图 6：与与 H100 相比，相比，H200 推理速度提升了推理速度提升了 40%-90%.7图图 7：与与 H100 相比，相比，H200 最高可降低一半能耗最高可降低一半能耗.7图图 8：HBM 市场目前被三大原厂占据市场目前被三大原厂占据.8图图 9：三大原厂三大原厂 HBM 产品进展及规划产品进展及规划.9vYgUdYrVhWuZaXvXuWmV7NbP8OtRmMmOt