AI行业系列报告：从算力到存力存储芯片研究框架-230403（28页）.pdf

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1、2023年4月3日从算力到存力：存储芯片研究框架AI行业系列报告证券研究报告行业评级：看好分析师陈杭邮箱证书编号S1230522110004研究助理安子超邮箱电话18611396466添加标题95%摘要22023年3月31日，我国发起对美光在华销售产品的网络安全审查，体现出存储产业安全的重要性。此外，AI算力需求拉动高算力服务器出货，而AI服务器的存力需求更强，AI将驱动“从算力到存力”的中长期需求：1、海外厂商占据绝对份额，国内存储安全重要性凸显存力的底层支撑：半导体存储器芯片（主流为DRAM+NAND Flash）。存力的体现形式：数据中心+存储服务器。海外巨头垄断，国内存储安全重要性日益

2、凸显。全球DRAM市场几乎由三星、SK海力士和美光所垄断，CR3 超过 95%，全球NAND flash市场由前三大厂商分别为三星、铠侠和海力士，目前 CR3 市场份额达 65%，CR6 市场份额接近 95%。2、国内数据圈庞大，AI驱动“从算力到存力”的长期需求得益于人工智能、物联网、云计算等新兴技术的快速发展，中国数据正在迎来爆发式增长，驱动存储设备在数据中心采购占比进一步提升。据IDC预测，预计到2025年，中国数据圈将增长至48.6ZB，占全球数据圈的27.8%，成为全球最大的数据圈。AI技术革命推动高算力服务器等基础设施需求提升，AI服务器所需的DRAM/NAND分别是常规服务器的8

3、/3倍。3、存储周期拐点已至，库存改善、价格压力缓解美光23Q1存货环比小幅回落，集邦咨询预测23Q2DRAM价格跌幅收窄至10%-15%（23Q1为20%），库存情况改善、价格压力缓解，存储行业周期迎来拐点。4、先进存力的前进方向：存算一体、HBM/DRAM、3D NAND存算一体：将存储单元和计算单元合为一体，省去了计算的数据搬运环节，消除由于数据搬运带来的功耗，提升计算能效。HBM/DRAM：作为存储器主流之一的DRAM技术不断升级，衍生出HBM（高带宽内存），其是一款新型的CPU/GPU 内存芯片，将多个DDR芯片堆叠后与GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列，突破内存容

4、量与带宽瓶颈。3D NAND（立体堆叠技术）：可以摆脱对先进制程工艺的束缚，不依赖于EUV技术，而闪存的容量/性能/可靠性也有了保障。建议关注标的：兆易创新、北京君正、澜起科技、深科技、东芯股份、聚辰股份、普冉股份、江波龙、佰维存储、德明利易华录、朗科科技、恒烁股份、同有科技、雅创电子5XaXkZjZ8WjYsXuVsX8OdN9PpNrRnPsRiNmMsOfQoOrN6MqQvMxNnOnRNZtRoN风险提示31、宏观经济下行风险2、上游晶圆紧缺加剧的风险3、市场发展不及预期的风险4、技术发展不及预期风险01Partone4存力概况01存力底层支撑体现形式半导体存储器芯片数据中心存储服务

5、器存力主要由数据中心和存储服务器驱动存储技术架构SANNASDAS集中式存储分布式存储文件存储块存储对象存储其他NFS CIFS FTPSCSIiSCSINVMeS3SwiftHDFS表存储IP组网FC组网IB组网机械硬盘固态硬盘磁带光盘连接方式存储架构存储类型和协议组网方式存储介质资料来源：下一代数据存储技术研究报告（2021 年），中国信息通信研究院，浙商证券研究所得益于人工智能、物联网、云计算、边缘计算等新兴技术在中国的快速发展，中国数据正在迎来爆发式增长。据此前IDC预测，预计到2025年，中国数据圈将增长至48.6ZB，占全球数据圈的27.8%，成为全球最大的数据圈。我国数据量爆发驱

6、动存储需求增长05010015020025030035020172018201920202021资料来源：联想、IDC、中国存力白皮书（2022年），中国信通院，中国数据存储行业发展深度调研与投资前景研究报告（2023-2030年），浙商证券研究所-10%10%30%50%70%90%110%130%0100020003000400050006000700080009000201720182019202020212022E2023E市场规模（亿元）YOY0102030405020182025ECAGR=30%中国新增数据量统计及预测中国数据存储市场规模预测我国存储容量增量01数据中心驱动存储需