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1、2022年中国SiC碳化硅器件行业深度研究报告CONTENTSCONTENTS目录第一章 碳化硅器件行业概况碳化硅器件行业定义分类碳化硅器件行业政策碳化硅器件行业发展历程中国碳化硅器件行业产业链碳化硅器件行业市场规模050609101114全球碳化硅器件行业市场规模中国碳化硅器件行业市场规模1415中国碳化硅器件行业竞争格局中国碳化硅器件行业发展的机会和挑战1617第二章 碳化硅器件行业技术情况碳化硅器件行业国内外技术差距碳化硅器件扩大应用技术难点碳化硅器件行业降低成本技术路径19202127第三章 产业链上游衬底衬底定义与分类全球碳化硅衬底市场规模国内外衬底差距衬底竞争格局衬底发展趋势中国衬

2、底产能布局和规划28293031323334第四章 产业链上游外延36碳化硅外延业定义分类37碳化硅外延片制作方法38CVD法制作碳化硅外延技术路线39碳化硅外延技术进展40碳化硅外延制作设备41碳化硅外延成本与价格42碳化硅外延产能布局43第六章 产业链下游终端应用53碳化硅器件用途54导电型器件应用55半绝缘型器件应用58第五章 产业链中游器件制造44碳化硅器件设计45碳化硅器件制造47碳化硅器件封测48碳化硅器件产能布局49第七章 行业企业59株洲中车时代电气股份有限公司60嘉兴斯达半导体股份有限公司61无锡新洁能股份有限公司62山东天岳先进科技股份有限公司63广东天域半导体股份有限公司

3、64名词解释SiC、碳化硅：SiliconCarbide，碳和硅的化合物，一种宽禁带半导体材料，俗称第三代半导体材料之一。GaN、氮化镓：GalliumNitride三代半导体材料之一。晶片、衬底、抛光片：沿特定的结晶方向将晶体切割、研磨、抛光，得到具有特定晶面和适当电学、光学和机械特性，用于生长外延层的洁净单晶圆薄片。外延片：在晶片的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶片和外延薄膜合称外延片。如果外延薄膜和衬底的材料相同，称为同质外延；如果外延薄膜和衬底材料不同，称为异质外延。芯片：在半导体外延片上进行浸蚀、布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。射频器件：利用射频技术形成的一类元

4、器件，常用于无线通信等领域。HEMT：HighElectronMobilityTransistor，高电子迁移率晶体管，是一种异质结场效应晶体管微波器件：工作在微波波段（频率为300300，000兆赫）的器件。通过电路设计，微波器件可组合成各种有特定功能的微波电路，用于雷达、电子战系统和通信系统等电子装备。功率器件：用于电力设备的电能变换和控制电路的分立器件，也称电力电子器件。肖特基二极管：SchottkyBarrierDiode，即肖特基势垒二极管，利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的一种热载流子二极管，也被称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管。二极管：用半导体材料制

5、成的一种功率器件，具有单向导电性能，应用于各种电子电路中，实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。MOSFET：Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。IGBT：InsulatedGateBipolarTransistor种电力电子行业的常用半导体开关器件的缩写，即绝缘栅双极性晶体管。逆变器：把直流电能转变成定频定压或调频调压交流电的转换器。名词解释禁带：在能带结构中能态密度为零的能量区间，常用来表示价带和导带之间的能量范

6、围。禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。第三代半导体因具有宽禁带的特征，又称宽禁带半导体。电子漂移速率：电子在电场作用下移动的平均速度。饱和电子漂移速率：电子漂移速率达到一定范围后，不再随着电场作用而继续增加的极限值。热导率：物质导热能力的量度，又称导热系数。击穿电场强度：电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电场强度称为击穿电场强度。微管：碳化硅晶片的一种缺陷，是晶片中延轴向延伸且径向尺寸在一微米至十几微米的中空管道。导通电阻：半导体器件导通后两端电压与导通电流之比，是器件的重要参数，理想的半导体器件导通电阻应为零。长晶炉：晶体生