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第三代半导体行业深度报告:竞争格局及市场展望、产业链及相关公司深度梳理-221114(18页).pdf

上传人: 开*** 编号:106253 2022-11-15 18页 3.31MB

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本文主要内容概括如下: 1. 第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),与前两代相比,具有更宽的禁带、更高的击穿电场、热导率和电子饱和速率等优势,适用于高压、高温、高频等场景。 2. SiC器件在新能源汽车、光伏、工控等领域应用广泛,GaN器件在消费电子、新能源车、国防、通信等领域应用广泛。 3. SiC衬底市场高度集中,Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ全面领先,2020年山东天岳在半绝缘型市场份额达30%。GaN衬底市场主要由日本厂商主导,2020年住友电工等三家日商合计占据GaN衬底市场份额超过85%。 4. SiC功率器件市场集中度高于IGBT器件及模块市场,2020年全球碳化硅功率器件市场CR5达90.8%。GaN器件市场竞争格局较为集中,2020年全球氮化镓射频器件前三大厂商市场份额达84%。 5. 国内碳化硅生产厂商大多聚焦产业链部分环节,如天岳先进、天科合达等;氮化镓衬底产业化企业主要有苏州纳维、中镓半导等。 6. 碳化硅衬底价格预计每年以8%的速度下降,8英寸N型SiC衬底价格降速超过6英寸和4英寸。 7. SiC行业正处于加速成长期,新能源产业链为增长驱动核心竞争力。
第三代半导体材料有哪些优势? 我国为什么要大力发展第三代半导体? 碳化硅和氮化镓的产业链分别是什么?
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